【課題】パーティクルを発生させずに、微細な素子間への埋め込みを行う窒化珪素膜形成装置及び方法を提供する。
【解決手段】基板上に窒化珪素膜を形成する際、窒化珪素膜を形成するための原料ガス（ＳｉＨ₄等）を供給し、当該原料ガスのプラズマを生成し、当該プラズマを用いて窒化珪素膜を成膜する成膜工程を実施し、成膜工程の後、希ガスのみを供給し、基板へバイアスを印加し、希ガスのプラズマを生成し、当該プラズマを用いて窒化珪素膜をバイアススパッタするスパッタ工程を実施すると共に、成膜工程及びスパッタ工程を交互に実施する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜中の欠陥を低減する半導体装置の製造方法及び基板処理装置システムを提供する。
【解決手段】金属膜としてのTiN膜及び絶縁膜としてのZrO₂膜が形成されたウエハを処理室へ搬入し、この処理室にZrO₂膜を改質する改質ガスとしてO₂を供給し、このウエハに電磁波を照射することにより、ZrO₂膜を構成する双極子を励起してZrO₂膜を改質し、ウエハを処理室から搬出する。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ成膜を良好に行うために適切な位置で静電気除去を行うことができるプラズマＣＶＤ成膜装置を提供する。
【解決手段】長尺の基材１００を連続的に搬送しながら、該基材１００上に連続的に成膜するプラズマＣＶＤ成膜装置１において、基材１００を巻き掛けて搬送する第１成膜ロール６１と、第１成膜ロール６１と対向して配置された第２成膜ロール６２と、第１成膜ロール６１に巻き掛けた基材１００の第２成膜ロール６２に面する面を基材の成膜面１００ａとして、成膜面１００ａに帯電する静電気を除去する静電気除去装置と、を備え、第１成膜ロール６１と第２成膜ロール６２との間隙は、成膜面１００ａ上にプラズマＣＶＤ成膜を行う成膜空間であり、静電気除去装置は、成膜空間に対し、基材１００の搬送方向の上流側に設けられた第１静電気除去装置８１を含む。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣエピタキシャル成長装置におけるクリーニング方法を提供する。
【解決手段】反応室内に載置された被処理基板にＳｉＣエピタキシャル膜を形成する成膜工程と、前記成膜工程において前記反応室内に設けられる部材に堆積したＳｉＣ膜を改質するために第１のガス（例えば塩素系ガス）を供給する改質工程と、前記改質工程において改質された堆積膜を除去するために前記第２のガス（例えばフッ素系ガス、酸化ガス、水素ガス）を供給する除去工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】表面からだけでなく、端面からの酸素及び水蒸気の浸入も防ぐことができ、且つ透明性を兼ね備えたガスバリア性積層体、及び包装袋を提供する。
【解決手段】第１の透明ガスバリア性フィルム１ａ，１ｂと、該第１の透明ガスバリア性フィルム上に積層された粘着剤層２と、該粘着剤層上に積層された第２の透明ガスバリア性フィルムとを有する積層体であって、該粘着剤層がシランカップリング剤を含むことを特徴とするガスバリア性フィルム積層体。 （もっと読む）

【課題】段差被覆性と共に絶縁性を向上させる絶縁膜形成装置及び形成方法を提供する。
【解決手段】基板に形成された段差を被覆する絶縁膜を形成する際、絶縁膜の形成に用いる主原料ガスと副原料ガスとを供給し、プラズマ生成時の主な励起種より基板に対する付着確率が低い励起種を含むプラズマを生成し、当該プラズマを用いて段差へ前駆体膜を成膜する成膜工程と、成膜工程の後、副原料ガスを供給し、副原料ガスのプラズマを生成し、当該プラズマを用いて前駆体膜から主原料ガスの成分を減少させて絶縁膜とする組成比減少工程（窒化工程）とを実施すると共に、成膜工程及び組成比減少工程を交互に実施する。 （もっと読む）

【課題】絶縁層上に結晶性の良好な半導体層を形成することができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁層４１上に厚さ４ｎｍ〜１μｍの非晶質の半導体層４３を形成する工程と、この半導体層４３に対して、波長が３５０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内のエネルギービームを照射することにより、半導体層４３を結晶化させる工程とを含んで、半導体装置を製造する。 （もっと読む）

【課題】反応律速領域で成膜反応を起こさせることによって，アスペクト比が大きなコンタクトホールであっても，より薄くてカバレッジの良好なチタン膜を成膜し，コンタクトホールの抵抗を低減する。
【解決手段】 基板Ｗを載置するサセプタ１１２と，処理ガスを処理室１１１内に供給するシャワーヘッド１２０と，プラズマを生成するための高周波を所定のパワーでシャワーヘッドに供給する高周波電源１４３と，処理室内を排気して所定の圧力に減圧する排気装置１５２と，チタン膜の成膜処理に適用しようとする成膜ガスの流量が，成膜処理の反応律速領域に入るように，還元ガスの流量，処理室内の圧力，高周波パワーのいずれかを変えることによって，前記反応律速領域を制御する制御部１９０とを設けた。 （もっと読む）

【課題】 膜中の酸素濃度を制御しつつ、良好な段差被覆性を有する酸化タンタル系の膜を形成する。
【解決手段】 基板を収容した処理室内にＣＶＤ反応が生じる条件下で、タンタルを含む原料ガスと窒化剤とを供給して、基板上に窒化タンタル層を形成する工程と、処理室内に酸化剤を供給して、窒化タンタル層の酸化剤による酸化反応が不飽和となる条件下で、窒化タンタル層を酸化する工程と、を交互に複数回繰り返すことで、基板上に、化学量論的にタンタルおよび窒素に対し酸素が不足した導電性の酸窒化タンタル膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】量産工程に対応可能な大気圧プラズマＣＶＤ法を用いて、低抵抗な透明導電膜を成膜する方法を提供する。
【解決手段】本発明の透明導電膜の成膜方法は、基板と成膜用印加電極との間に、有機金属化合物ガス、希ガス、および酸化ガスを含む成膜用ガスを供給するステップと、大気圧または大気圧近傍の圧力下において、基板と成膜用印加電極との間に高周波電圧を印加することにより、成膜用ガスから成膜用プラズマを発生させるステップと、該成膜用プラズマに基板を暴露する第１ステップと、基板と後処理用印加電極との間に、希ガスを含む後処理用ガスを供給するステップと、基板と後処理用印加電極との間に高周波電圧を印加することにより、後処理用ガスから後処理用プラズマを発生させるステップと、該後処理用プラズマに透明導電膜を暴露する第２ステップとを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｔｅ含有組成物を提供する。
【解決手段】Ｒ−Ｔｅ−Ｄの一般構造を有する重水素化された有機テルロールであって、式中、Ｒが、１〜１０個の炭素を直鎖、分枝又は環状の形態で有するアルキル基又はアルケニル基；Ｃ_6-12の芳香族基；ジアルキルアミノ基；有機シリル基；及び有機ゲルミルからなる群より選択される重水素化された有機テルロールを含むＴｅ含有組成物が提供される。 （もっと読む）

【課題】 低コストで必要な仕事関数及び耐酸化性を有する金属膜を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】 表面に金属膜が形成された基板を処理容器内に搬入する工程と、処理容器内に原料ガスと酸化源とを供給し排気することで、基板の表面に形成された金属膜上に所定膜厚の金属酸化膜を形成する処理を行う工程と、処理済基板を処理容器内から搬出する工程と、を有し、処理を行う工程では、酸化源としてオゾンガス、酸素ガスまたはプラズマにより活性化された酸素ガスを用い、所定膜厚の金属酸化膜を形成する過程において形成される金属酸化膜越しに、酸化源に含まれる酸素原子を、金属膜の表面に導入することで、金属膜の表面を酸化して導電性の金属酸化層に改質する。 （もっと読む）

【課題】カーボン基材またはＳｉ含浸ＳｉＣ基材の基板支持具表面に形成された高純度ＳｉＣ膜の、処理室クリーニング時におけるエッチングを抑制し、処理室内や基板の汚染を回避する。
【解決手段】基板支持具の表面にＳｉ含有層を形成する工程と、減圧下で酸素含有ガスと水素含有ガスとを用いて前記Ｓｉ含有層をＳｉＯ層に変化させる工程と、を交互に繰り返すことにより基板支持具の表面にＳｉＯ膜を形成する工程Ｓ１，Ｓ２と、表面にＳｉＯ膜が形成された基板支持具により基板を支持した状態で基板上に薄膜を形成する工程Ｓ４と、基板支持具に付着した堆積物をフッ素含有ガスを用いて除去する工程Ｓ５と、その後に再度、基板支持具の表面にＳｉ含有層を形成する工程と、減圧下で酸素含有ガスと水素含有ガスとを用いてＳｉ含有層をＳｉＯ層に変化させる工程と、を交互に繰り返すことにより基板支持具の表面にＳｉＯ膜を形成する工程Ｓ６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】重切削の場合であっても耐摩耗性と潤滑性に優れた切削工具の製造方法を提供する。
【解決手段】超硬合金から成る基材と、この基材上に形成された皮膜とを備える切削工具の製造方法であって、
当該切削工具の製造方法は、
（ステップ１）基材上に化学蒸着法または物理蒸着法により金属窒化物、金属炭化物および金属酸化物のうちの少なくとも１種からなる皮膜を形成すること、
（ステップ２）皮膜の表層に機械的硬化処理を施すこと、の一連の各ステップを含む。 （もっと読む）

【課題】｛１１０｝面からの傾斜角度が小さくてもヘイズレベルが良好で、かつシリコン単結晶エピタキシャル層の層厚均一性も良好であり、更に表面欠陥の少ないシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶基板の主表面上にシリコン単結晶エピタキシャル層を気相成長させるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法であって、前記シリコン単結晶基板として、主表面が｛１１０｝面または｛１１０｝面からのオフアングル角度が０．５度未満のものを用い、かつ前記気相成長工程では、前記シリコン単結晶基板温度を１１７０℃〜１１９０℃として気相成長することを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明では、低温での成膜処理により、良質なゲート絶縁膜が得られる半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明では上記課題を解決するため、シリコン基板１０上に、６００℃以下で原子層堆積法により、ゲート絶縁膜の少なくとも一部となる二酸化シリコン膜３１を形成する酸化膜形成工程と、二酸化シリコン膜３１の表面に対し、酸化処理を行う表面処理工程と、を有する半導体装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ダマシン構造を有するＣｕ配線において、バリア膜の拡散防止機能を低下させずにＣｕ配線内のＣｕの埋め込み性を改善し、半導体装置の歩留まりおよび信頼性を向上する。
【解決手段】ダマシン配線を有する半導体装置において、第２層間絶縁膜６に形成した配線溝Ｇ２およびビアホールＶ２のそれぞれの内壁にバリア膜としてＴａＮ膜７およびＣｕと濡れ性の良いＴｉからなるＴｉ膜８とを順に形成することにより、Ｔｉ膜８上に均一にＣｕシード膜９ａを形成することを可能とする。これにより、Ｃｕシード膜９ａを電極として電界メッキ法によりＣｕ膜９を形成した際に、配線溝Ｇ２およびビアホールＶ２内に空隙が形成されることを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物の表面欠陥の数を低減可能な、III族窒化物半導体を成長する方法を提供する。
【解決手段】成長工程Ｓ１では、アンモニアおよびIII族有機金属物質を含むガスＧ１を気相成長装置１１の成長炉１５に供給して、ＧａＮ等のIII族窒化物半導体を成長する。工程Ｓ２では、時刻ｔ１においてIII族有機金属物質を気相成長装置１１へ供給することを停止して、III族窒化物半導体の成長を終了する。工程Ｓ３では、時刻ｔ２において気相成長装置１１の反応炉１５の温度が、時刻ｔ１における温度Ｔｅｍｐ１よりも低い温度Ｔｅｍｐ２になるように、アンモニアを含むガスを供給しながら時刻ｔ１以降の期間中に気相成長装置１１の温度を変更する。III族窒化物半導体の成長期間Ｔａおよび気相成長装置の温度の変更期間Ｔｂの少なくともいずれかの期間中に、アンモニアの供給量が増加される。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、耐摩耗性と靭性とを高度に両立させ、かつ表面層の剥離を高度に防止した刃先交換型切削チップを提供することにある。
【解決手段】本発明の刃先交換型切削チップは、基材と被覆層とを有し、該被覆層は、内層と外層とを含み、該内層の各層は、元素周期律表のＩＶａ族元素、Ｖａ族元素、ＶＩａ族元素、ＡｌおよびＳｉからなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を含む特定の層で形成され、かつ該各層のうち該外層と接する最上層はＴｉと、窒素またはホウ素の１種以上の元素と、を少なくとも含む化合物によって形成され、該外層は、アルミナ層またはアルミナを含む層により形成され、かつ切削に関与する部位において、逃げ面側における平均厚みをＡμｍ、すくい面側における平均厚みをＢμｍとした場合に、Ｂ／Ａ≦０．９となることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】新しい反射防止構造を有する光電変換装置を提供する。
【解決手段】半導体基板または半導体膜の表面をエッチングして反射防止構造を形成するのではなく、半導体表面に同種または異種の半導体を成長させて凹凸構造とする。例えば、光電変換装置の光入射面側に、表面に複数の突起部を有する半導体層を設けることで、表面反射を大幅に低減する。かかる構造は、気相成長法で作製することができるので、半導体を汚染することがない。 （もっと読む）