【課題】自立基板の反りを低減した窒化物半導体自立基板及びそれを用いた発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る窒化物半導体自立基板は、連続成長した窒化物半導体結晶からなる窒化物半導体自立基板において、窒化物半導体自立基板の内部に、基板表面と平行な断面において１０個／ｃｍ²以上から６００個／ｃｍ²以下の密度でインバージョンドメインを有し、前記基板表面は、０個／ｃｍ²以上から２００個／ｃｍ²以下の密度でインバージョンドメインを有し、前記窒化物半導体自立基板の内部のインバージョンドメインよりも前記基板表面に到達するインバージョンドメインの密度が少ない。 （もっと読む）

【課題】高品質の窒化物半導体単結晶及び窒化物半導体基板を効率よく得ることのできる製造方法を提供する。
【解決手段】表面１１と、傾斜面１２を有する側面１４とを備える窒化物半導体からなる種結晶１０の前記表面１１及び側面１４上に第２の窒化物半導体２０を成長させる成長工程を有し、前記成長させた第２の窒化物半導体２０の上面の面積が、前記種結晶１０の表面１１の面積よりも大きくなるように窒化物半導体を成長させる。 （もっと読む）

【課題】結晶粒界の少ない炭化タンタル被覆膜を有する炭化タンタル被覆炭素材料を得る。
【解決手段】炭素基材１上に炭化タンタル被覆膜２を形成する炭化タンタル被覆炭素材料の製造方法であり、炭素基材１表面にタンタル被覆膜を形成するタンタル被覆膜形成工程と、タンタル被覆膜を浸炭処理する浸炭処理工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】結晶粒界の少ない炭化タンタル被覆膜を有する炭化タンタル被覆炭素材料を得る。
【解決手段】炭素基材上に炭化タンタル被覆形成工程により炭化タンタル被覆膜を形成する炭化タンタル被覆炭素材料の製造方法であり、炭素基材の表面にタンタル被覆膜を形成するタンタル被覆膜形成工程とタンタル被覆膜を浸炭処理する浸炭処理工程とを経て第１炭化タンタル被覆膜を形成する第１炭化タンタル被覆膜形成工程と、前記第１炭化タンタル被覆膜上に新たな第２炭化タンタル被覆膜を形成する第２炭化タンタル被覆膜形成工程を有する。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の製造方法に関し、炭化シリコン薄膜の機械強度を高め、膜の消失や剥離を防止する。
【解決手段】 ポーラスな誘電率低誘電率絶縁膜上に−ＣＨ_２−結合が環状になってＳｉと結合し且つ二重結合を含む官能基を有する原料を用いて炭化シリコン薄膜を形成する工程と、前記炭化シリコン薄膜を所定パターンにエッチングしてハードマスクを形成する工程と、前記ハードマスクをエッチングマスクとして前記低誘電率絶縁膜をエッチングして配線形成用溝或いはビアホールの少なくとも一方を形成する工程とを設ける。 （もっと読む）

【課題】多孔質の有機シリカガラス膜を製造するための堆積方法を提供する。
【解決手段】真空チャンバーに、有機シラン又は有機シロキサンの１つの前駆体と、該前駆体とは異なるポロゲンであって、本質的に芳香族であるポロゲンとを含むガス状試薬を導入する工程、前記チャンバー中の前記ガス状試薬にエネルギーを適用して該ガス状試薬の反応を引き起こしてポロゲンを含有する膜を堆積させる工程、並びにＵＶ放射によって有機材料の実質的にすべてを除去して気孔を有しかつ２．６未満の誘電率を有する多孔質の膜を提供する工程を含む多孔質の有機シリカガラス膜を製造するための堆積方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】反り返りがなく、面内のオフ角のばらつきが小さな窒化物系化合物半導体層を再現性よく成長させることができる窒化物系化合物半導体基板の製造方法、及び半導体デバイスの作製に好適な窒化物系化合物半導体自立基板を提供する。
【解決手段】成長用基板上に窒化物系化合物半導体層をエピタキシャル成長させる窒化物系化合物半導体基板の製造方法において、成長用基板として、（０１１）面を≒［０１０］方向に０〜２°（０°を除く）のオフ角で傾斜させた主面を有する希土類ペロブスカイト基板を用いる。 （もっと読む）

【目的】より簡易な手法で、所定の層表面に反射防止構造を形成する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、高周波電力を印加したプラズマ雰囲気中で、基板上にシリコン（Ｓｉ）含有絶縁膜を形成する工程（Ｓ１０２）と、前記Ｓｉ含有絶縁膜を形成する際に用いたガスを継続して流し続けながら前記高周波電力の出力を弱めることで、前記Ｓｉ含有絶縁膜上にＳｉを主成分とする複数の粒子を堆積させる工程（Ｓ１０４）と、前記複数の粒子をマスクとして、前記Ｓｉ含有絶縁膜をエッチングする工程（Ｓ１０６）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

本発明の諸実施形態は、多層堆積する間中の欠陥を低減する方法を提示する。一実施形態では、この方法は、基板をプラズマの存在下で第１のガス混合物および不活性ガスに曝して、基板上に第１の材料の層を堆積するステップと、第１の材料の所望の厚さが得られたときに、プラズマを引き続き維持しつつ不活性ガスを流しながら、第１のガス混合物を終了させるステップと、基板をプラズマの存在下で、第１のガス混合物と共存できる不活性ガスおよび第２のガス混合物に曝して、第１の材料の層の上に第２の材料の層を同じ処理チャンバ内で堆積するステップとを含み、第１の材料の層と第２の材料の層は互いに異なる。
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【課題】集積回路製造工程のバックエンドプロセス、およびフロントエンドプロセスにおいて利用することができる、高硬度、且つ低応力のハードマスク膜を提供する。
【解決手段】ハードマスク膜は、応力が約−６００ＭＰａから６００ＭＰａの範囲内であり、硬度は少なくとも約１２Ｇｐａである。ハードマスク膜は、ＰＥＣＶＤ処理チャンバにおいて、高密度化プラズマ後処理を複数回行うことによって、ドープ済または未ドープのシリコンカーバイドの副層を複数成膜することによって得られる。ハードマスク膜は、Ｓｉ_ｘＢ_ｙＣ_ｚ、Ｓｉ_ｘＢ_ｙＮ_ｚ、Ｓｉ_ｘＢ_ｙＣ_ｚＮ_ｗ、Ｂ_ｘＣ_ｙ、およびＢ_ｘＮ_ｙから成る群から選択される高硬度のホウ素含有膜を含む。ハードマスク膜は、ゲルマニウム含有率が少なくとも約６０原子パーセントと、ゲルマニウム含有率が高いＧｅＮ_ｘハードマスク材料を含む。 （もっと読む）

基板内に画定されたトレンチまたはビアを充填するケイ素含有誘電体材料上で湿式酸化処理を実行する方法が提供される。一実施形態では、誘電体材料を基板上に形成する方法は、流動性ＣＶＤ処理によって誘電体材料を基板上に形成するステップと、基板上に配置された誘電体材料を硬化させるステップと、基板上に配置された誘電体材料上で湿式酸化処理を実行するステップと、酸化させた誘電体材料を基板上に形成するステップとを含む。
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【課題】許容可能な拡散バリア特性と基板への密着性を耐熱性金属窒化物が有するように、基板上への窒化チタンなどの耐熱性金属窒化物膜の形成を提供する。
【解決手段】材料の層が、ウェハ上に部分的に形成された集積回路内の基板上に形成される。基板はプラズマアニールを受け、その間に基板はイオンでボンバードされる（工程３００）。プラズマアニールは、エネルギーを注入された窒素含有ガスから生成されたプラズマへ基板を曝すことにより実行できる。基板がプラズマアニールされた後、耐熱性金属窒化物の層が基板上に堆積される（工程３０１）。耐熱性金属窒化物の層は、次に、第１セットのイオンでボンバードされる。第１セットのイオンによる耐熱性金属のこのボンバードは、プラズマアニールを実行することにより達成できる。耐熱性金属窒化物は、更に、第２セットのイオンによりボンバードされる（工程３０２）。 （もっと読む）

酸化ケイ素層を形成する方法が記載される。方法は、無炭素シリコン含有前駆体をラジカル−窒素前駆体と混合すること、シリコン−窒素含有層を基板上に堆積することを含む。ラジカル−窒素前駆体は、プラズマ内に水素−窒素含有前駆体を流すことによって、プラズマ中で形成される。シリコン−窒素含有層を堆積する前に、酸化ケイ素ライナ層が形成され、シリコン−窒素含有層の接着、平滑性、流動性を改善する。シリコン−窒素含有層は、膜を硬化およびアニーリングすることにより、シリコン−酸素含有層に変換することができる。方法は、酸化ケイ素ライナ層を形成し、その後スピンオンシリコン含有材料を塗布することも含む。
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【課題】高いＳＮＲを確保しつつ摺動耐久性を向上させることで、信頼性の向上および更なる高記録密度化の達成を図る。
【解決手段】本発明にかかる垂直磁気記録媒体の製造方法の構成は、基板上に少なくとも、ＣｏＣｒＰｔ合金を主成分とする磁性粒子と酸化物を主成分とする非磁性の粒界部とからなる主記録層を成膜する主記録層成膜工程と、主記録層上にＲｕ合金またはＣｏ合金を主成分とする分断層を成膜する分断層成膜工程と、分断層成膜工程の後に基板に加熱処理を施す第１加熱工程と、第１加熱工程の後にＣｏＣｒＰｔを主成分とする材料からなる補助記録層を成膜する補助記録層成膜工程と、補助記録層成膜工程の後に基板に加熱処理を施す第２加熱工程と、第２加熱工程の後にＣＶＤ法によりカーボンを主成分とする保護層を成膜する保護層成膜工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】プラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）を用いて低い温度で無機ＳｉＯ₂膜を堆積する方法を提供する。
【解決手段】チャンバ内でプラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）を用いて２５０℃よりも下の温度で無機ＳｉＯ2膜を堆積する方法であって、オルトケイ酸テトラエチル（ＴＥＯＳ）及びＯ2を前駆体として１５：１と２５：１との間のＯ2／ＴＥＯＳ比で供給し、前記前駆体を、ＲＦ駆動シャワーヘッドを用いて堆積し、前記ＲＦ駆動シャワーヘッドを、高周波成分及び低周波成分を用いて駆動する。 （もっと読む）

【課題】回転テーブルの回転速度を高めた場合でも良好な成膜処理を行うことができる成膜装置を提供すること。
【解決手段】真空容器１内にて、複数のウエハＷを載置した回転テーブル２を回転して、前記ウエハＷが第１及び第２の処理領域Ｐ１，Ｐ２に供給された第１及び第２の反応ガスと順次接触して、前記ウエハＷの表面に薄膜を形成するにあたり、ウエハＷ表面に第１の反応ガスを吸着させる処理を行う第１の処理領域Ｐ１と、この第１の処理領域Ｐ１よりも面積が大きく、ウエハＷ表面に吸着された第１の反応ガスと第２の反応ガスとを化学反応させる処理を行う第２の処理領域Ｐ２とを設ける。これにより吸着に比べて化学反応の処理時間を長く確保することができ、回転テーブル２の回転速度を高めても、金属の吸着よりも長時間を要する化学反応を十分に進行させて、良好な成膜処理を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】基板上に下地層、透明導電膜がこの順に形成された透明導電膜付き基板および、変換効率の高い光電変換装置を提供すること。
【解決手段】ＣＶＤ法により形成された複数の透明電極層により構成され、その複数の層を形成する場合において、減圧雰囲気下で連続的に形成する場合には各層の製膜後に製膜室内を真空排気し製膜を停止した後に次の層を形成する。或いは大気圧下に基板を取り出して製膜を一旦停止した後、再度製膜室に投入し減圧雰囲気下で次の層を製膜する。これらの手法により、結晶成長が一旦停止し形成されたテクスチャの上に新たな結晶核が発生し、そこから新たなテクスチャが形成することで薄膜光電変換装置に最適な表面凹凸形状が形成されるため、短絡電流密度を保持したまま電圧および曲線因子の低下を抑制することができ、結果として高い発電効率を有する薄膜光電変換装置が得られる。 （もっと読む）

【課題】自重による基板素材の撓みを低減することができる基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】周縁部１ｂが支持された場合、自重による撓みを生じる基板素材の一面１ａには、自重による基板素材の撓みを低減し、基板素材の熱膨張係数より大きい熱膨張係数を有する膜が形成されている。 （もっと読む）

【課題】成膜装置内の圧力を常時適性に保持しながら、成膜装置内で発生したパーティクルを除去し、且つ除去したパーティクルの成膜室内への流入を防止することが可能なＣＶＤ成膜装置を提供することにある。
【解決手段】送りロール８を設置した搬送室３と巻き取りロール９を設置した搬送室４との間に成膜室２を配置し、成膜室２に搬送されてくる可撓性基板５の表面に薄膜を形成するＣＶＤ成膜装置６０において、成膜室２と搬送室４の間の少なくとも１箇所に洗浄室１７ａ，１７ｂが設けられ、成膜室２と洗浄室１７ａ，１７ｂとの間、及び搬送室４と洗浄室１７ａ，１７ｂとの間に、ガスゲート１９が配設され、洗浄室１７ａ，１７ｂは、可撓性基板５に付着したパーティクルを除去するクリーニングロール２０と、クリーニングロール２０と可撓性基板５の接触部近傍にガスを供給する機構と、洗浄室１７ａ，１７ｂ内のガス給気量及びガス排気量を調整する機構と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】空孔を含む絶縁膜を用いる半導体装置及びその製造方法において、配線間耐圧を向上すると共に配線間容量を低減する。
【解決手段】半導体装置２００の製造方法は、基板上に、単一層からなり且つ空孔形成材料２０２を含む絶縁膜２０３を形成する工程（ａ）と、絶縁膜２０３の表面部である第１領域２１０には空孔を形成することなく、絶縁膜２０３における第１領域２１０よりも下方の第２領域には空孔形成材料２０２の除去により空孔２０４を形成する工程（ｂ）と、絶縁膜２０３に少なくとも１つの配線溝２１１を形成する工程（ｃ）と、配線溝２１１を埋め込むように導電膜２１５を形成する工程（ｄ）と、配線溝２１１からはみ出た余剰部分の導電膜２１５を除去することにより配線２０７を形成する工程（ｅ）とを備える。 （もっと読む）