【課題】面取りが施されていないＧａＮウエハを用いてウエハ割れを低減できるエピタキシャルウエハを提供する。
【解決手段】エピタキシャルウエハＥ２は、ＧａＮウエハ１１と、Ｉｎ_Ｘ１Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_{１−Ｘ１−Ｘ２}Ｎ（０＜Ｘ１＜１、０≦Ｘ２＜１、０＜Ｘ１＋Ｘ２＜１）緩衝層１３とを備える。ＧａＮ層１７は、ＧａＮウエハ１１とＩｎ_Ｘ１Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_{１−Ｘ１−Ｘ２}Ｎ緩衝層１３との間に設けられている。ＧａＮ層１７はＧａＮウエハ１１の主面１１ｂ上に成長されている。ＧａＮ層１７はＧａＮウエハ１１の主面１１ｂとホモ接合１９を成す。ＧａＮウエハ１１とＩｎ_Ｘ１Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_{１−Ｘ１−Ｘ２}Ｎ緩衝層１３との間には、活性層といった光学利得を有する半導体領域は設けられていない。Ｉｎ_Ｘ１Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_{１−Ｘ１−Ｘ２}Ｎ緩衝層１３はＧａＮ層１７にヘテロ接合２１を成す。 （もっと読む）

【課題】ＣＦＲＰ材、高Ｓｉ含有アルミニウム合金、グラファイト等の難削材の穴あけ加工、エンドミル加工において、すぐれた耐剥離性を発揮するダイヤモンド被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 炭化タングステン基超硬合金または炭窒化チタン基サーメットで構成された工具基体表面に５〜３０μｍの膜厚のダイヤモンド皮膜が被覆されたダイヤモンド被覆切削工具であって、ダイヤモンド皮膜は、平均粒径０．５μｍ以上の結晶性ダイヤモンド素地中に、膜厚方向の最大粒径が０．１μｍ以下である微結晶ダイヤモンド粒が集合した微結晶ダイヤモンド領域が、膜厚方向及び幅方向に複数形成され、かつ、該微結晶ダイヤモンド領域は、その領域平均最大幅が２０〜１５０ｎｍであり、膜厚方向の領域平均長さが０．１〜２μｍである。 （もっと読む）

【課題】従来よりも電気的信頼性を向上できる半導体基板、ナノワイヤトランジスタ及びその製造方法を提案する。
【解決手段】シリコン層５と埋め込み酸化膜３との間にシリコン窒化膜４を形成することにより、熱酸化の際に、耐酸化性膜によりシリコン基板表面６にまで酸素が到達することを妨げることで、シリコン基板表面６に酸化シリコンが形成され難くなり、その分だけ当該酸化シリコンの体積膨張を抑制して、チャネル層形成時のストレスを制御できることで、当該ストレスによるナノワイヤ13の意図しない変形又は当該変形によるナノワイヤ13の断線を防止でき、かくして、従来よりも電気的な信頼性及び特性の低下を防止できる。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛透明導電膜中の酸素欠損を制御することで耐湿性を改善した透明導電膜付基板を提供する。
【解決手段】光入射側から順に、少なくとも透光性基板と、酸化亜鉛層とを備える透明導電膜付基板であって、酸化亜鉛層のラマンスペクトルピーク強度比をＥ_２（ｈｉｇｈ）／Ａ_１（ＬＯ）＞２．０としたことを特徴とする、透明導電膜付基板。本発明によれば、酸化亜鉛層を備える透明導電膜付基板の耐湿性を著しく改善することができるため、当該基板を備えた薄膜光電変換装置は、例えばシート抵抗変化率が小さいなど、優れた耐環境信頼性を発現できる。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素ウエハの表面の全体に渡って荒れの発生のない炭化珪素半導体デバイスの製造方法を提供とする。
【解決手段】本炭化珪素半導体デバイスの製造方法は、炭化珪素ウエハ１０に不純物３０ｉをイオン注入する工程と、不純物３０ｉがイオン注入された炭化珪素ウエハ１０上にダイヤモンド層４０を形成する工程と、ダイヤモンド層４０が形成された炭化珪素ウエ１０を熱処理することにより、炭化珪素ウエハ１０内に不純物３０ｉが活性化した不純物領域３０を形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された材料層に割れを生じさせることなく、当該基板から当該材料層を剥離できるようにすること。
【解決手段】基板１と前記材料層２との界面で前記材料層を前記基板から剥離させるため、基板１上に材料層２が形成されたワーク３に対し、基板１を通して、パルスレーザ光をワーク３に対する照射領域を刻々と変えながら、前記ワーク３において隣接する各照射領域が重畳するように照射する。重畳する照射領域におけるそれぞれのレーザ光の大きさを、材料層２を基板１から剥離させるに必要な分解閾値を超えるエネルギーとなるような大きさとすることで、基板上に形成された材料層に割れを生じさせることなく、材料層を基板から確実に剥離させることができる。 （もっと読む）

【課題】潤滑油環境下での摺動において、従来以上に摩擦係数が低減された摺動部材を提供することができるＤＬＣ皮膜とその製造方法を提供する。
【解決手段】摺動部材の摺動側表面にコーティングされたＤＬＣ皮膜であって、表面エネルギーが５２〜７４ｍＪ／ｍ^２またはエチレングリコールの接触角が２７〜５１度であるＤＬＣ皮膜。前記ＤＬＣ皮膜は、Ｘ線散乱スペクトルにおいてグラファイト結晶ピークを有する。予め作製されたＤＬＣ皮膜にプラズマ処理を施して、表面エネルギーを制御することによりＤＬＣ皮膜を製造するＤＬＣ皮膜の製造方法。前記プラズマ処理は、照射イオン量を調整してＤＬＣ皮膜にプラズマ照射する処理であり、照射イオン量は１．３０×１０^１６〜１．８５×１０^１７イオン／ｃｍ^２であり、バイアス（イオン加速）電圧は８０〜１４０Ｖである。 （もっと読む）

【課題】従来、困難とされていた無極性高分子材や平滑金属材等に対して、簡易な装置・方法により、安定した接着性や塗膜密着性の確保が可能となり、接着・塗装工程の生産性を格段に向上させることができる接着方法を提供すること。
【解決手段】被着体対の被接着面の少なくとも一方を火炎処理により表面改質処理後、接着剤を塗布して前記被着対を接着する方法。表面改質処理を、液状で熱分解性の表面改質剤を、可燃性ガスと酸化性ガスとを混合させた燃料ガスの燃焼火炎をキャリヤーとして、火炎バーナ２９から被着体Ｓの被接着面に吹き付けておこなう。その際、表面改質剤を、ナノポンプ１５を介して、火炎バーナ２９への可燃性ガス、前記酸化性ガス又は前記燃料ガスのガス供給路の途中に供給することにより気化（霧化を含む。）させて、火炎バーナ２９に燃料ガスとともに供給する。 （もっと読む）

【課題】信頼性が損なわれるのを防止しつつ、電気的特性の良好な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に、化学気相堆積法により、シリコンと酸素と炭素とを含む絶縁膜４２を形成する工程と、絶縁膜を形成する工程の後、３５０℃以下の温度で加熱しながら絶縁膜に対して紫外線キュアを行う工程と、紫外線キュアを行う工程の後、絶縁膜に対してヘリウムプラズマ処理を行う工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】結晶性の高い微結晶シリコン膜を作製する方法を提供する。
【解決手段】本発明の微結晶シリコン膜の作製方法は、絶縁膜５５上に、第１の条件により第１の微結晶シリコン膜５７をプラズマＣＶＤ法で形成し、第１の微結晶シリコン膜上に、第２の条件により第２の微結晶シリコン膜５９を形成し、第１の条件は、処理室内に供給する原料ガスとしてシリコンを含む堆積性気体と水素が含まれたガスを用い、堆積性気体の流量に対する水素の流量を５０倍以上１０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、且つ処理室内の圧力を６７Ｐａ以上１３３３Ｐａ以下とする条件であり、第２の条件は、処理室内に供給する原料ガスとしてシリコンを含む堆積性気体と水素が含まれたガスを用い、堆積性気体の流量に対する水素の流量を１００倍以上２０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、且つ処理室内の圧力を１３３３Ｐａ以上１３３３２Ｐａ以下とする条件である。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好な半導体装置を、生産性高く作製する方法を提供する。
【解決手段】第１の条件により、高い結晶性の混相粒を低い粒密度で有する第１の微結晶半導体膜を酸化絶縁膜上に形成した後、第２の条件により混相粒を結晶成長させて混相粒の隙間を埋めるように、第１の微結晶半導体膜上に第２の微結晶半導体膜を積層形成する。第１の条件は、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量比を５０倍以上１０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、処理室内の圧力を６７Ｐａ以上１３３３Ｐａ以下とする条件であり、第２の条件は、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量比を１００倍以上２０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、処理室内の圧力を１３３３Ｐａ以上１３３３２Ｐａ以下とする条件である。 （もっと読む）

【課題】ＤＬＣ膜の表面上にさらに別個の独立したなじみ膜を形成する工程を経ることなしに、初期なじみ性に優れた被覆部材を、できるだけ小さい消費エネルギーで、生産性良く製造するための製造方法を提供する。
【解決手段】被覆部材の製造方法は、基材４を収容する処理室３内を真空排気し、かつ少なくとも炭素系化合物を含む原料ガスを導入しながら、前記基材に電圧を印加することによりプラズマを発生させて前記基材の表面にＤＬＣ膜を形成したのち、真空排気を続けながら電圧の印加を停止するとともに、原料ガスに代えて水素ガスを導入して、形成したＤＬＣ膜を水素ガスによって処理する。 （もっと読む）

【課題】ウエハの処理枚数が多く、また、ウエハへの膜の成膜後のウエハ良否の選別処理機能を有する常圧気相成長装置を提供する。
【解決手段】ウエハトレー１と、前記ウエハトレー１を水平方向に搬送するウエハトレー駆動装置と、ウエハ３に、原料ガスを吹き付けるガスヘッド６と、前記ウエハトレー１を加熱するヒーター７と、成膜前にウエハ上部を加熱しウエハ３の反りを矯正する機構７１と、成膜後のウエハトレー１を垂直下降方向に移動させるＤＯＷＮリフトと、成膜前のウエハトレー１を、垂直上昇方向に移動させるＵＰリフトとで構成され、前記ＤＯＷＮリフトの下端と、ＵＰリフトの下端との間に、ウエハトレー反転機構４が配置されており、ＤＯＷＮリフトから運搬された成膜後のウエハトレー１を設定した角度内で反転させて、成膜途中にて破損したウエハ３を、ウエハトレー１から脱落させる機能を有する常圧気相成長装置とする。 （もっと読む）

【課題】均一性の高いＳｉ又はＳｉＧｅを基板表面上に堆積する方法を提供する。
【解決手段】化学気相成長プロセスにおいて、輸送量制限領域又はその近傍で、薄膜の堆積を行うことを可能にする化学前駆体を利用する。このプロセスによれば、堆積速度が大きく、さらに組成的にも厚み的にも、通常の化学前駆体を用いて調整した膜より均一な膜を生成することができる。好ましい実施の形態では、トリシランを使用して、トランジスタゲート電極などの様々な用途で半導体産業において有用なＳｉ含有薄膜を堆積する。 （もっと読む）

【課題】フィラー同士が互いに接触する確率が高く、重なり合うこともないフィラーとして、どのような母材の場合でも用いることができるダイヤモンドフレークの製造方法と、そのダイヤモンドフレークを含有した伝熱性強化材を提供する。
【解決手段】石英基板３の表面に、ダイヤモンド粉末を用いてダイヤモド核発生促進処理を施した後、７００〜１０００℃でＣＶＤ法により厚さ０．５〜５μｍのダイヤモンド被膜２を成膜し、次いで、冷却を施してダイヤモンド被膜２に亀裂４を発生させ、ダイヤモンド被膜２を石英基板３から剥離させることで、薄片状で反りを有するダイヤモンドフレーク１を得る。 （もっと読む）

【課題】外部からの磁場を遮蔽する磁気シールド効果が高い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板ＳＵＢの主表面上に形成されたスイッチング素子ＴＲを覆うように形成された層間絶縁膜ＩＩＩ１と、平板状の引出配線ＬＥＬと、引出配線ＬＥＬとスイッチング素子ＴＲとを接続する接続配線ＩＣＬと、磁化の向きが可変とされた磁化自由層ＭＦＬを含み、引出配線ＬＥＬ上に形成された磁気抵抗素子ＴＭＲとを備える。磁化自由層ＭＦＬの磁化状態を変化させることが可能な配線ＤＬと配線ＢＬとを備えている。磁気抵抗素子ＴＭＲが複数並んだメモリセル領域において、磁気抵抗素子ＴＭＲの上部に配置された第１の高透磁率膜ＣＬＡＤ２が、上記メモリセル領域から、メモリセル領域以外の領域である周辺領域にまで延在している。 （もっと読む）

【課題】基板が載置されたテーブルに対して反応ガスを供給する反応ガス供給手段を相対的に回転させて反応生成物を積層して薄膜を成膜するにあたり、膜厚方向に亘って膜質が良好で均質な薄膜を成膜すること。
【解決手段】回転テーブル２を回転させてウエハＷ上にＳｉ含有ガスを吸着させ、次いでウエハＷの表面にＯ3ガスを供給してウエハＷの表面に吸着したＳｉ含有ガスを反応させてシリコン酸化膜を成膜する成膜処理と、プラズマを用いてこのシリコン酸化膜の改質を行う改質処理と、からなる成膜−改質ステップを行った後、Ｓｉ含有ガスの供給を停止してプラズマを用いてシリコン酸化膜の改質ステップを行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、リーク電流が小さく、かつ容量の大きい容量絶縁膜を有するキャパシタを備えた半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】容量絶縁膜形成工程は、下部電極が形成された半導体基板を成膜装置内に設置する工程と、半導体基板の温度を第１の温度に保持する第１の温度調整工程と、下部電極を覆うように、第１の温度に保持された半導体基板上に第１の絶縁膜を成膜する第１の成膜工程と、半導体基板を第２の温度に保持する第２の温度調整工程と、第１の絶縁膜の表面を覆うように、第２の温度に保持された半導体基板上に第２の絶縁膜を成膜する第２の成膜工程と、第１の温度調整工程、第１の成膜工程、第２の温度調整工程、第２の温度調整工程、及び第２の成膜工程を繰り返し行うことで、前記容量絶縁膜を形成する繰り返し工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プラスチックまたはガラス基板と原子層蒸着によって製造された大気透過バリアとを含んでなる物品を提供することを課題とする。
【解決手段】
本発明は、ａ）上面および下面を有する可撓性ポリマー基板と、
ｂ）原子層蒸着によって前記基板の上面および下面の一方または両面上に蒸着された厚さ２ｎｍ〜１００ｎｍを有する気体透過バリアとを含むこと特徴とする物品である。 （もっと読む）

【課題】保持基板上に成長したＩＩＩ族窒化物結晶を、結晶品質を劣化させることなく剥離することができる
ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）保持基板２０上の表側主面に、第１のＩＩＩ族窒化物結晶層２２を形成する工程と、（ｂ）前記保持基板２０裏側主面からレーザ光を照射して、前記第1のＩＩＩ窒化物結晶層２２の裏面側をレーザ加工する工程と、（ｃ）前記第1のＩＩＩ族窒化物結晶層２２の表側主面に第２のＩＩＩ族窒化物結晶層２４を成長する工程と、（ｄ）前記保持基板２０と前記第1のＩＩＩ族窒化物層２２の界面から分離する工程とを備え、（ｅ）前記工程（ｂ）において、前記第1のＩＩＩ族窒化物結晶層２２の表側主面にレーザ加工時に発生する分解ガスを放出するガス放出構造体を設ける。これにより、レーザ加工部の基板全体に対する面積を大きくすることができるので、剥離の際の応力による結晶のクラックを低減できる。 （もっと読む）