【課題】反射防止フイルムにおいて、その最表層の低屈折率層がハードコート層に対して優れた密着性を有する反射防止フイルムを提供すること。
【解決手段】透明基材フイルム上に、高屈折率を有するハードコート層及び低屈折率層を積層してなる反射防止フイルムにおいて、上記高屈折率層が、液媒体中にチタン又はタンタルの酸化物ゾルと、メチルトリメトキシシラン等の反応性有機珪素化合物とを含むゾル液から形成された屈折率１．６５以上のゲル膜からなることを特徴とする反射防止フイルム。 （もっと読む）

【課題】均質で高品質の高密度カーボンナノチューブを提供すること。
【解決手段】Ｓｉ基板上にＴｉＮから成るバッファ層を生成する。そのバッファ層の上に、１×１０^-5Tprrの真空度で、パルスアークプラズマを用いて、１００〜３００回程度の範囲でパルスアークを発生させて、粒径５ｎｍ以下のＣｏナノ粒子を堆積させる。その後、カーボンナノチューブを成長させると、平均外径４ｎｍ、平均外径５ｎｍで、基板に垂直に、相互に平行性の高い高密度のカーボンナノチューブ集合体が形成される。この集合体は電気的特性や機械的特性が均質で且つ良好なものとなる。 （もっと読む）

【課題】 同一チャンバ内で基板ステージ上の処理基板に対し、ＡＬＤ法による成膜とスパッタリング法による成膜とを行い得るように成膜装置を構成する場合に、ターゲットが、ＡＬＤ法を行う際に導入する原料ガスや反応ガスによって汚染されないようにする。
【解決手段】 真空チャンバを、スパッタリング法を実施できるスパッタ室１１ａと、化学的成膜法を実施できる化学的成膜室１１ｂとに左右に区画し、スパッタ室内及び化学的成膜室の各成膜位置の間で処理基板Ｓを移動自在とする基板搬送手段３を設ける。この場合、スパッタ室内で処理基板とこの処理基板に対向して配置されるターゲットと間の距離に対し、化学的成膜室内で処理基板とこの処理基板に対向した化学的成膜室の内壁との間の距離を０．０７〜０．３の範囲に設定する。 （もっと読む）

【課題】 同一チャンバ内で基板ステージ上の処理基板に対し、ＡＬＤ法による成膜とスパッタリング法による成膜とを行い得るように成膜装置を構成する場合に、ターゲットが、ＡＬＤ法を行う際に導入する原料ガスや反応ガスによって汚染されないようにする。
【解決手段】 真空チャンバ内に基板ステージ１２を配置し、ターゲット４１ａを有するスパッタリング成膜手段を、基板ステージの中心軸に対し所定の角度で傾斜させて設けると共に、化学的成膜手段を設ける。ターゲットと基板ステージとの間に、前記ターゲットを設けた真空チャンバの上方領域を隔絶するように遮蔽手段５を回転自在に設け、この遮蔽手段の所定の位置に前記ターゲットが臨む開口部５１を形成する。 （もっと読む）

【課題】 同一チャンバ内で基板ステージ上の処理基板に対し、ＡＬＤ法による成膜とスパッタリング法による成膜とを行い得るように成膜装置を構成する場合に、ターゲットが、ＡＬＤ法を行う際に導入する原料ガスや反応ガスによって汚染されないようにする。
【解決手段】 真空チャンバ内の基板ステージ１２に対向させて設けたターゲット４１ｃを有するスパッタリング成膜手段４と、化学的成膜手段３とを設けると共に、ターゲットが存する第１空間１１ａと基板ステージが存する第２空間１１ｂとに仕切る仕切り板５を設ける。ターゲットを、このターゲットの水平方向の位置の変更を可能とする移動手段４１ａに装着し、仕切り板の所定の位置にターゲットが臨む開口部５１を形成する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、低コストで高度なガスバリア性を有するガスバリア性フィルムおよびかかるガスバリア性フィルムを簡便かつ安定して製造することができる方法を提供せんとするものである。
【解決手段】
本発明のガスバリア性フィルムは、高分子フィルム上に無機化合物層を２層以上有するフィルムであって、該無機化合物層間に酸化金属珪素化合物層を有することを特徴とするものである。
また、本発明のガスバリア性フィルムの製造方法は、高分子フィルムを巻き出したのち、次いで、金属を蒸気化し、該フィルム表面上に該金属蒸気を用いて無機化合物層を形成し、その後、該高分子フィルムからの２層目以降の無機化合物層を有機Ｓｉ含有ガスプラズマ雰囲気中で形成することを特徴とするものである。
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ＩｎＮ，ＧａＮ等に代表されるＩＩＩ族の窒化物半導体につき、貫通転位の発生や界面層の発生を抑えつつ良質の窒化物半導体層を成長させるべく、ＩｎＮからなる窒化物半導体層を有する窒化物半導体素子の作製方法において、イットリア安定化ジルコニア基板（１２）の（１１１）面に対して、上記ＩｎＮを蒸着させる蒸着工程を設けることにより、当該基板（１２）の（１１１）面に対して、六方晶であるＩｎＮのｃ軸が略垂直となるように配向されてなる窒化物半導体層を形成させる。
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基板クリーニング装置を備えたコータを開示する。また、基板クリーニング装置を備えたコータにおける基板の処理方法も開示する。基板クリーニング装置は、イオン銃（つまり、イオン源）を備えている。イオン銃は、コータ内に延びている基板走行路の下方（例えば、基板支持部の下方）に配置され、基板の底主面の処理に適している。一定の実施形態は、基板走行路に沿って、基板クリーニング装置よりも先方に、上向コーティング装置を備えている。この種のいくつかの実施形態において、上向コーティング装置は、基板の底主面に対し、光触媒コーティングを上方に向かって堆積するように構成されている。本発明のある実施形態は、下向コーティング装置を備えており、基板クリーニング装置は、基板走行路に沿って、前記下向コーティング装置よりも先方にある。この種のいくつかの実施形態はまた、基板走行路に沿って、基板クリーニング装置よりも先方に、上向コーティング装置も備えている。
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切削性能・耐摩耗性・耐溶着性・加工面粗さの優れたダイヤモンド膜被覆工具およびその製造方法を提供する。 基材の表面にダイヤモンドの膜が被覆されたダイヤモンド膜被覆工具であって、前記基材が超硬合金またはサーメットであり、前記ダイヤモンド膜の成長表面を構成するダイヤモンド結晶粒子の平均粒径が１．５μｍ以下であり、前記ダイヤモンド膜の厚さが０．１μｍ以上２０μｍ以下であり、前記ダイヤモンド膜の平均表面粗さがＲａで０．０１μｍ以上０．２μｍ以下であるダイヤモンド膜被覆工具である。このようなダイヤモンド膜被覆工具は、超硬合金やサーメットからなる基材を浸炭処理してダイヤモンド膜を成長させることにより得ることができる。
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【課題】 接触帯電方式の帯電部材に必要な要件である形状維持性、抵抗均一性、離型性及び汚染防止性を全て満たす帯電装置を提供するものである。
【解決手段】 像担持体１に接触配置される帯電部材２を有し、この帯電部材２にて像担持体１を帯電させる帯電装置において、帯電部材２は、表面が被覆層４にて被覆される弾性基材３を備え、前記被覆層４が、ａ．弾性基材３に対して追従変形可能で且つ金属製基材を被覆した際のビッカース硬度が１５００Ｈｖ以上であること、ｂ．表面摩擦係数が被覆前の弾性基材３の摩擦係数よりも小さいこと、ｃ．表面粗さが被覆前の弾性基材３の表面粗さ以下であること、を満たすものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長させるＳｉＣ層の結晶性を良好にして表面平坦性を向上させることができる単結晶ＳｉＣ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】所定厚さの表面Ｓｉ層と埋め込み絶縁層とを有するＳＯＩ基板を準備し、上記ＳＯＩ基板を炭化水素系ガス雰囲気中で加熱して上記表面Ｓｉ層を単結晶ＳｉＣ膜に変成させ、上記単結晶ＳｉＣ膜をシード層としてエピタキシャル成長させることにより単結晶ＳｉＣ層を形成する方法であって、上記エピタキシャル成長を、相対的に低温の成長温度に設定した第１段階と、相対的に高温の成長温度に設定した第２段階を含む少なくとも２段階の処理で段階的にエピタキシャル成長させることにより、エピタキシャル成長過程での昇華による部分的なシード層の消滅が防止され、結晶性と表面の平坦性の良好な単結晶ＳｉＣ層を形成することができる。 （もっと読む）

コーティングされた支持体、特にダイヤモンドをコーティングした支持体を製造する方法が開示される。一つの態様において、この方法は、支持体の上に中間層を堆積させることによって中間層の表面を形成し、この中間層の表面をピーニング用化合物を用いてピーニング処理することによってピーニングされた中間層の表面を形成し、そしてこのピーニングされた中間層の表面の上にコーティングを堆積させることによってコーティングした支持体を形成することを含み、このときピーニング用化合物はコーティングの粒子を含む。また、ほんの最低限の潤滑剤を用いてアルミニウムなどの非鉄の支持体を穿孔する方法も提供される。この方法は、前記の方法によって製造されるダイヤモンドコーティングしたドリルを用意し、そしてこのドリルを非鉄の支持体に対して十分な力の下で移動させ、それによってドリルにより支持体の一部が切削および除去されることを含み、このとき、最低限の潤滑条件の下で支持体に対するドリルの移動が行われる。 （もっと読む）

【課題】 従来よりも高いガスバリア性能を持ち、かつ曲げてもそのバリア性能が劣化しないガスバリア性薄膜積層体を生産性良く提供し、またこれにより環境耐性の優れた有機ＥＬデバイスを提供する。
【解決手段】 有機膜と無機膜をそれぞれ少なくとも１層以上ずつ含むガスバリア性薄膜積層体において、有機膜の少なくとも１層が、放電空間に導入された放電ガスが大気圧もしくは大気圧近傍の圧力下でプラズマにより励起され、励起された放電ガスと、少なくとも１種類以上の有機化合物を含有する薄膜形成ガスとを、放電空間外で接触させて間接励起ガスとし、該間接励起ガスにより形成された重合膜であることを特徴とするガスバリア性薄膜積層体。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の温度分布の均一性を向上させることができる規則的微細構造を有するサセプターと、その製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のサセプターは、表面は同一形状に設計された凹部が規則的に配列した形状であり、且つ、前記凹部の形状が半球状であることを特徴とし、さらには前記規則的に配列した半球状の凹部が互いに連結していることを特徴とする。そしてこのサセプターは、基板２０１上に第一の材料からなる微粒子２０２を規則的に２次元配列させる工程と、基板２０１と微粒子２０２によって形成された空隙に第二の材料からなる物質２０３を充填し必要に応じ硬化させる工程と、前記微粒子２０２を除去する工程により形成したことを特徴とする。また、必要に応じて、第二の材料からなる物質２０３の表面に、第三の材料からなる膜２０５を形成する。 （もっと読む）

【課題】 メンテナンスの負担を低減する。
【解決手段】 プラズマガン１８内で発生したプラズマ３４は、真空槽１２内に供給され、反射電極４０に向かって流れる。さらに、プラズマ３４は、１対の電磁コイル５０および５２によるミラー磁場によって、ビーム状に閉じ込められる。そして、材料ガス供給口８２からＴＭＳガスおよびアセチレンガスが真空槽１２内に導入されることで、シリコン含有ＤＬＣ膜の成膜処理が行われる。なお、この成膜処理時に、アセチレンガスに含まれる炭素が、反射電極４０に付着する。従って、この反射電極４０に付着した炭素が剥離して、被処理物５４，５４，…の表面に再付着することが、懸念される。そこで、反射電極４０の上面部分を金属製ウール４４によって形成する。このようにすれば、当該炭素の剥離を防止できることが、確認された。その分、メンテナンスの負担も低減される。 （もっと読む）

【課題】 材料ガスによるプラズマガン内の汚染を防止する。
【解決手段】 プラズマガン１８内で発生されたプラズマ３４は、アパーチャ２４を介して真空槽１２内に供給される。この状態で、真空槽１２内に材料ガスとしてのＴＭＳガスおよびアセチレンガスが導入されると、これらのガスはプラズマ化され、プラズマ化されたガスは、被処理物５４，５４，…の表面において化学反応を起こす。これによって、被処理物５４，５４，…の表面に、シリコンを含有するＤＬＣ膜が形成される。
なお、ＴＭＳガスおよびアセチレンガスは、アパーチャ２４を介してプラズマガン１８内にも流入する。そして、特にアセチレンガスに含まれる炭素によって、プラズマガン１８内が汚染される。しかし、この炭素は、エッチングガスとしての酸素ガスと反応して、二酸化炭素となり、真空ポンプ１６によって真空槽１２の外部に排出される。 （もっと読む）

【課題】 構造が簡単でかつ低コストな表面処理装置を提供する。
【解決手段】 プラズマガン１８内で発生したプラズマ３４は、アパーチャ２４を介して真空槽１２内に供給され、反射電極４０に向かって流れる。この反射電極４０は、プラズマガン１８と同様、絶縁電位とされているので、プラズマ３４内の電子は、これら反射電極４０およびプラズマガン１８間で電界振動する。さらに、真空槽１２内には、電磁コイル５０および５２によって、当該プラズマ３４をビーム状に閉じ込めるべく磁場が作用している。従って、プラズマ３４の密度が向上する。なお、真空槽１２は接地電位に接続されているので、当該真空槽１２の内壁、特に上面部分に、プラズマ３４内の電子が流れ込もうとする。しかし、この上面部分は円板状のプラズマ安定電極４６によって覆われているので、当該電子の進行は阻止される。これにより、プラズマ３４が安定化される。 （もっと読む）

【課題】アルミ配線層間をタングステンプラグによって電気的に接続する構成において、スルーホール内面全面にバリアメタル層が形成され、タングステンプラグとアルミ配線層との電気的接続の信頼性が高く、接触抵抗が低い半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】スルーホール９の内面にチタン膜１０および窒化チタン膜１１の２層構造で構成されるバリアメタル層を形成する。なお、チタン膜１０および窒化チタン膜１１は、層間絶縁膜７の主面上にも形成される。このバリアメタル層の形成に際しては、チタンターゲットを用いた高指向性スパッタリングが可能で、かつ、高周波電圧を半導体基板にバイアスする基板バイアス機構を備え、チタンターゲットからのスパッタ粒子を半導体基板に引き付けることで、窒化チタン膜１１をアモルファス金属膜とすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｕ拡散防止膜との密着力が良好であり、微細バターンに成膜が可能なＣｕ膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】 被処理基板上に形成されたＣｕ拡散防止膜上に、Ｃｕ膜を形成する成膜方法であって、前記Ｃｕ拡散防止膜上に、当該Ｃｕ拡散防止膜と前記Ｃｕ膜との密着膜を形成する第１の工程と、前記被処理基板上に、超臨界状態の媒体にプリカーサが溶解した処理媒体を供給し、前記密着膜上に前記Ｃｕ膜を形成する第２の工程と、を有することを特徴とする成膜方法 （もっと読む）

【課題】熱処理（ＨＴ）可能で、熱処理後も耐傷性を有する被膜を提供する。
【解決手段】被膜品は、熱処理（ＨＴ）前に水素化されたダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）及び窒化ジルコニウムをそれぞれ含む層を有する。熱処理（ＨＴ）の間、水素化されたダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）は、燃料として働き、酸素とともに燃焼し、二酸化炭素及び／又は水を生成する。前記高温は、この燃焼の間広がり、窒化ジルコニウムを含む層を熱処理温度を上回る温度に熱し、窒化ジルコニウムを含む層を耐傷性と耐久性を有する酸化ジルコニウムを含む新たな熱処理（ＨＴ）後の層に層変態させる。窒化ジルコニウムを含む層及び／又は酸化ジルコニウムを含む層は、フッ素（Ｆ）及び／又は炭素（Ｃ）でドープされていてもよい。 （もっと読む）