本発明は、疎水性の表面を材料上につくり出すための方法と装置に関する。本発明は、構造化しようとする表面に向けて、表面を構造化する粒子スプレーを、表面を構造化するように導くこと；及び構造化された表面を疎水性材料でコーティングすること；を含む。本発明によれば、所定のサイズｄ_２より大きい粒子が、１つ以上のインパクションノズル（７，１１）によって粒子スプレーから分離され、これらの粒子が、構造化しようとする表面（９）に向けて、該粒子が構造化しようとする表面（９）と衝突して、これにより表面上に構造物がつくり出されるように導かれる。次いで、構造化された表面が出発物質の交互表面反応にて処理されるという気体デポジション法によって、構造化された表面がコーティングされる。 （もっと読む）

【課題】原料ガス中の有機溶媒成分を効率よく除去するとともに原料ガスに含まれる有機金属化合物の分解を抑制することができる成膜方法と成膜装置を提供する。
【解決手段】金属有機化合物を有機溶媒に溶解した溶液を気化して原料ガスを生成する工程と、原料ガスを、基板１の設置された反応室１０内に導入する工程と、を有し、原料ガスが基板１に到達する前に、貴金属を含む触媒と原料ガスと酸素ガスとを接触させ、有機溶媒を分解した上で、基板１上に金属を含む膜２を成膜する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池モジュールを構成する充填材との良好な密着性を有し、かつ耐候性、耐水性、防湿性等の諸特性に優れ、難燃性にも優れた安価な太陽電池用裏面保護シートに有用な積層体を提供する。
【解決手段】フッ素系樹脂フィルム（１０１）の少なくとも一方の面に、有機化合物層、無機化合物層（１０４）を順次設けてなり、前記有機化合物層は、少なくとも付加重合官能基を有するフッ素化合物を含み、かつ、前記フッ素系樹脂フィルム上に形成された有機化合物層Ａ（１０２）と、分子量が１５０〜６００のトリアルコキシシリル基を有する（メタ）アクリル化合物を含み、かつ、前記無機化合物層と接する側に形成された有機化合物層Ｂ（１０３）と、を含み、前記有機化合物層および無機化合物層は、真空雰囲気下において蒸着法を用いて形成されたものである積層体。 （もっと読む）

【課題】 ＣＳＰと呼ばれる半導体装置において、微細な開口部内に柱状電極を良好に形成する。
【解決手段】 まず、半導体ウエハ２１上に形成された保護膜５の上面に配線７を形成する。次に、配線７を含む保護膜５の上面に例えば感光性ポジ型のポリイミド系樹脂からなるオーバーコート膜１０を形成する。次に、配線７の接続パッド部に対応する部分におけるオーバーコート膜１０に、フォトリソグラフィ法により、円形状の開口部１１を形成する。ここで、配線７上におけるオーバーコート膜１０の厚さは１０μｍ程度であり、開口部１１の直径は１０μｍ程度である。次に、オーバーコート膜１０の開口部１１内の配線７の接続パッド部上面に、塩化金属還元気相成長（ＭＣＲ−ＣＶＤ：Metal Clloride Reduction Chemical Vapor Deposition）法と呼ばれる金属成膜法により、銅からなる柱状電極１２を形成する。 （もっと読む）

【課題】密着性が高く、膜質が優れた膜を連続的に形成することができる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明の成膜装置は、長尺な基板を真空中で所定の経路で搬送しつつ、基板に所定の膜を形成するものであって、基板を搬送しつつ、基板の膜を形成する形成面に粘着体を接触させ、形成面の汚れを取り除く除去部と、除去部により、汚れが取り除かれた基板の形成面に表面活性化処理を施す表面活性化処理部と、表面活性化処理部により表面活性化処理された基板の形成面に、気相成膜法により膜を形成する成膜部とを有する。 （もっと読む）

【課題】可撓性基板の利用率を向上させることができる薄膜製造装置及び薄膜製造方法を提供すること。
【解決手段】長尺の可撓性基板１１１上の長手方向の複数の領域に対してそれぞれ成膜処理を施して複数の成膜領域を形成することにより、可撓性基板１１１上に複数の薄膜太陽電池を形成する薄膜製造装置１００であって、複数の領域に対してそれぞれ成膜処理を施すことにより、長手方向に同じ長さの成膜領域をそれぞれ形成すると共に、成膜領域の長さＬ１の整数倍の間隔で配置された複数の成膜室１３１〜１３５と、可撓性基板１１１を成膜室１３１〜１３５の配置間隔ごとに順次ステップ送りする駆動手段とを具備する。 （もっと読む）

基板を用意する工程、該基板に堆積阻害材料を適用する工程、ここで、該堆積阻害材料は、有機化合物又はポリマーであり、そして工程（ｂ）の後又は該堆積阻害材料を適用するのと同時に、該堆積阻害材料をパターン化して、該堆積阻害材料を事実上有さない選択された基板領域を提供する工程を含んで成るパターン付き薄膜を形成するための原子層堆積法。無機薄膜材料は、該堆積阻害材料を有さない選択された該基板領域内だけに実質的に堆積される。
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【課題】水蒸気バリア性に優れかつフレキシブル性及び透明性を合わせ持つガスバリアフィルムを提供する。
【解決手段】透明プラスチックフィルム（１）の少なくとも一方の面に金属酸化物からなる第一バリア層（２）、ガスバリア性被膜層（３）、金属酸化物からなる第二バリア層（４）を順次積層したガスバリアフィルムにおいて、前記第一バリア層（２）表面における赤外吸収スペクトルによるＳｉ−Ｏ−Ｓｉの伸縮振動に帰属される吸収ピークの位置が１０５５−１０７５ｃｍ^−１の範囲であり、前記第一バリア層（２）表面における純水の接触角が２０°以下であることを特徴とするガスバリアフィルム。 （もっと読む）

【課題】他の処理チャンバからの汚染をもたらさず、スループットを低下させずに各処理チャンバで処理を行うことができる真空処理システムを提供すること。
【解決手段】真空処理システム１は、ウエハＷを搬送する第１の搬送室１１にＰＶＤ処理チャンバ１２〜１５を接続してなる第１の処理部２と、ウエハを搬送する第２の搬送室２１にＣＶＤ処理チャンバ２２，２３を接続してなる第２の処理部と、第１の搬送室１１および第２の搬送室１２の間にゲートバルブＧを介して設けられ、ウエハＷを収容し、かつ圧力調整可能なバッファ室５ａと、バッファ室５ａが第１の搬送室１１および第２の搬送室１２のいずれか一方に対して選択的に連通し、その内部の圧力が連通した搬送室内の圧力と適合するようにゲートバルブＧの開閉およびバッファ室５ａの圧力を制御する制御部１１０とを具備する。 （もっと読む）

【課題】下地層との密着性に優れた銅膜を製造する方法の提供。
【解決手段】成膜対象物上に下地層を形成した後、この下地層を水素ガス雰囲気中で熱処理し、次いでその上に銅膜を作製する。このように銅膜を作製した後、さらに水素ガス雰囲気中で熱処理を行なう。 （もっと読む）

【課題】密着性の向上を図ることができる炭素薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】炭素薄膜付与体７の中間層６は、基材５に印加されるバイアス電圧を０Ｖ〜−３０Ｖの範囲の一定値に設定して、成膜されている。このため、中間層６は、過度に硬質化するようなことが回避され、靭性に富んだものになっていることから、炭素薄膜付与体７の使用時において、中間層６の上層に成膜されたＤＬＣ被膜１から作用する応力及び外力を緩和する能力が高くなり、当該炭素薄膜付与体７の剥離の原因となる中間層６内でのクラック発生が生じにくくなり、優れた密着性を発揮できる。 （もっと読む）

【課題】 バリアメタル膜とＣｕ膜との密着性を向上させた薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】 被処理物表面にＰＶＤ法によりバリアメタル膜を形成する工程と、このバリアメタル膜表面にＣＶＤ法によりＣｕ膜を形成する工程と、前記バリア膜及びＣｕ膜を積層したものを所定温度で熱処理する工程とを実施する。前記バリアメタル膜としてＴｉ及びＲｕを含むものを用い、当該バリアメタル膜中のＴｉの組成比を５〜２５原子％の範囲とする （もっと読む）

【課題】ＡＬＤプロセスを使用して、均一性が良好で、ほとんどまたは全く汚染がなく、かつ導電率が高いつまり抵抗率が低いタングステン含有材料を堆積するための改良されたプロセスを提供する。
【解決手段】一実施形態では、プロセスチャンバ内に基板を位置決めするステップであって、該基板がこの上に配置されている下地層を含有するステップと、該基板をタングステン前駆体および還元ガスに順次曝してＡＬＤプロセス時に該下地層上にタングステン核形成層を堆積するステップであって、該還元ガスが約４０：１、１００：１、５００：１、８００：１、１，０００：１以上の水素／ハイドライド流量比を含有するステップと、該タングステン核形成層上にタングステンバルク層を堆積するステップとを含む、基板上にタングステン含有材料を形成するための方法が提供される。該還元ガスはジボラン、シランまたはジシランなどのハイドライド化合物を含有している。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法により基板にカーボン保護膜を成膜する際に、基板を保持するキャリアに堆積するカーボン膜を効果的に低減し、堆積膜の剥離に伴うパーティクルの発生を抑制し、かつ、キャリア表面のカーボン堆積膜を発生源とするアウトガスの放出を抑制する。
【解決手段】成膜用基板をキャリアに装着して、接続された複数のチャンバ内に順次搬送し、前記チャンバ内で、前記成膜用基板上に、少なくとも磁性膜とカーボン保護膜とを成膜することによって、磁気記録媒体を製造する方法において、前記キャリアから成膜後の磁気記録媒体を取り外す工程の後、キャリアに成膜用基板を装着する工程の前に、キャリア表面に金属膜を成膜する工程を設ける。また、キャリア表面に金属膜を成膜する工程を、回転磁界によるアシストを用いたマグネトロン放電によるスパッタ法で行う。 （もっと読む）

【課題】
凹凸部を有する透明電極は、デバイス形成時に電流の短絡の原因となる可能性があるが、平坦化処理には非常に高い精度の技術が必要であった。
【解決手段】
「透明基板上に少なくとも２層以上の酸化亜鉛を主成分とする透明導電層を有する透明導電膜であって、透明基板に最も近い第１の透明導電層が透明基板と反対側に凹凸構造を有するものであり、第１の透明導電層上に上記凹凸構造を埋めるようにして形成された第２の透明導電層を有する透明導電膜」を提供する。 （もっと読む）

【課題】基板上に配向特性の良好な中間層が設けられ、その上に結晶性の良好なＩＩＩ族窒化物半導体が備えられてなり、優れた発光特性及び生産性を備えたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプを提供する。
【解決手段】基板１１上に、少なくともＩＩＩ族窒化物化合物からなる中間層１２が積層され、該中間層１２上に、下地層１４ａを備えるｎ型半導体層１４、発光層１５及びｐ型半導体層１６が順次積層されてなるＩＩＩ族窒化物半導体発光素子であり、中間層１２の結晶組織中には、中間層１２のＸ線ロッキングカーブをピーク分離手法によって、半価幅が７２０ａｒｃｓｅｃ以上となるブロード成分と、ナロー成分とに分離した場合の、ブロード成分に対応する無配向成分が含まれ、中間層１２の結晶組織における無配向成分の割合が、中間層１２の面積比で３０％以下とされている。 （もっと読む）

【課題】結晶性や配向性が良好な多元系金属酸化物膜を得ることが可能な被処理体の処理方法を提供する。
【解決手段】表面に酸化対象となる金属膜が形成されている被処理体Ｗの表面に、複数の有機金属原料を用いて多元系金属酸化物膜を形成するようにした被処理体の処理方法において、前記金属膜が形成されている前記被処理体に対して第１のチャンバ４ａ内で酸化処理を施すことにより前記金属膜を酸化して金属酸化膜１００を形成する酸化工程と、前記金属酸化膜が形成された前記被処理体に対して前記第１のチャンバ４ａとは異なる第２のチャンバ４ｂ、４ｃ内で成膜処理を施すことにより前記金属酸化膜上に前記多元系金属酸化物膜を形成する成膜工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】鉄基合金上に密着性良くダイヤモンド膜が被覆されたダイヤモンド膜被覆部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基材１上にタングステンから成る中間層１０と、中間層１０上にダイヤモンド膜を被覆する。また中間層１０上は溝部３によって分割された微小区域４を有し、微小区域４の表面上の最長距離８を１００μｍを超え４５０μｍ未満とする。さらに、溝深さ１２を１０μｍ以上中間層厚さ１１以下とする。また、溝部３によって分割された微小区域４と隣接する微小区域４との最短距離２を１０μｍ以上とする。 （もっと読む）

【課題】基板の成膜面を略鉛直下向きに保持して成膜を行う装置において、基板の昇降動作の信頼性を向上させる。
【解決手段】 基板Ｓを固定した基板アダプタ２の一部を把持し昇降するクランプブロック３１の昇降部の内壁３５ａを単一の部材によって構成する。その結果、昇降部の内壁３５ａに構成部材の接合による段差が生じなくなり、昇降部の内壁３５ａとクランプブロック３１の隙間を小さくしても、クランプブロック３１やクランプブロックに把持された基板アダプタ２の一部が引っかかることを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 光学素子の反射防止層上に、光学素子の視認性を損なうことなく、耐久性の優れた防汚層を備えた反射防止層の成膜方法及び同成膜を行うための装置を提供する。
【解決手段】 基材上に反射防止層を成膜し、前記反射防止層上に、厚さ１０ｎｍ以下のポリテトラフルオロエチレン膜を防汚層としてＣＶＤ法により積層することを特徴とする。 （もっと読む）