【課題】 透明性を有すると共に優れたガスバリア性を備え、かつ、温度・湿度依存性が小さく、また、耐衝撃性等の諸物性に優れ、更に、引き裂き性が良好で直線カット性を有すると共にヒ−トシ−ル性樹脂層（ヒ−トシ−ラント）として作用する極めて有用な易引き裂き性を有するガスバリア性積層フィルムを提供することである。
【解決手段】 直線引き裂き性を有する一軸延伸ポリエチレン系樹脂フィルムの一方の面に、プラズマ保護層を設け、更に、該プラズマ保護層の面に、化学気相成長法によるバリア性無機酸化物の蒸着膜を１層ないし２層以上設け、更に、該バリア性無機酸化物の蒸着膜の上に、プライマ−剤層を設けたことを特徴とする易引き裂き性を有するガスバリア性積層フィルムに関するものである。 （もっと読む）

例示の実施形態では、表面がコーティングされた高分子基板本体を有する、コーティングされた高分子基板が提供されている。表面のコーティングは一つよりも多い対の塗工層を含む。各対の塗工層は、第１に塗布された塗工層と第２に塗布された塗工層を含む。加えて、塗工層の上に、又は塗工層の間に塗布された指標層が、コーティングの磨耗の兆候を示す。
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【課題】コンタクトブロックを用いた炭素元素からなる線状構造体を材料とする配線を、できるだけ工程数を削減して、低コストで容易且つ確実に形成する。
【解決手段】コンタクトブロック１，２の対向面１ａ，２ａを起点として、互いの対向面に向かってそれぞれ複数本のＣＮＴ３ａ，３ｂを成長させてゆき、ＣＮＴ３ａ，３ｂを交差するように接触させて両者を電気的に接合してＣＮＴ束３を形成する。そして、電気的に接合されたＣＮＴ束３の間隙を金属材料４で埋め込み、ＣＮＴ束３と金属材料４との複合状態とされてなる配線５を形成する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で容易且つ確実に触媒材料を均一で高密度の微粒子状態に形成し、直径が均一に制御されたムラのない高密度の炭素元素からなる線状構造体の成長を可能とする。
【解決手段】下地材料をＴｉＮとし、シリコン基板１１上に、例えばレーザーアブレーション法によりＴｉＮ微粒子１２を、直径３ｎｍ程度に設定して堆積した後、ＴｉＮ微粒子１２が堆積されたシリコン基板１１上に、例えばレーザーアブレーション法によりＣｏ微粒子１３を、ＴｉＮ微粒子１２と同等或いは小さい大きさ、ここでは直径１ｎｍ程度に設定して堆積する。 （もっと読む）

【課題】基板を保持する保持具における付着物の剥離を十分に抑制することができる積層膜形成システム、そのような積層膜形成システムで使用されるスパッタ装置、および、上記の積層膜形成システムで実行される積層膜形成方法を提供する。
【解決手段】基板上にスパッタ法によって磁性膜を形成するスパッタ装置と、この磁性膜の表面にカーボン保護膜を形成するＣＶＤ装置とを有し、基板上に磁性膜とカーボン保護膜とからなる積層膜を形成する積層膜形成システムにおいて、スパッタ装置が、磁性膜の形成に際して基板保持具２２０と磁性物質ターゲット２３０との間に位置し、基板保持具２２０において基板Ｐを囲む枠２２１のうち、この基板保持具２２０が立てられるときに基板Ｐの上に位置する部分を除いた部分に限って、磁性物質ターゲット２３０からの磁性物質を遮るシールド２４０を備えた。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ特性の良好なＴＦＴアレイ基板及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかるＴＦＴアレイ基板の製造方法では、多結晶半導体膜５を形成し、次に多結晶半導体膜５上に金属性導電膜６を形成する。そして、金属性導電膜６及び多結晶半導体膜５をパターニングした後、金属性導電膜６上に第１のゲート絶縁膜７を形成し、第１のゲート絶縁膜７上に第１のゲート絶縁膜７に比べて成長速度が速い第２のゲート絶縁膜８を形成する。 （もっと読む）

【課題】 化学蒸着法（ＣＶＤ）によって形成された被覆層に基体の成分が拡散して被覆層の強度が低下することを抑え、優れた耐摩耗性を有する長寿命の耐摩耗性部材を提供する。
【解決手段】 基体と、該基体上に形成された被覆層と、を有してなる耐摩耗性部材であって、前記基体は、炭化タングステン、炭化チタン、窒化チタンおよび炭窒化チタンの１種以上を主成分とする硬質相と、ＣｏおよびＮｉの１種以上を含む結合相と、を含んでなり、前記被覆層は、前記基体と接して形成されるとともに、Ａｌ元素を２５原子％以上含む第一の層と、該第一の層上に化学蒸着法によって形成された第二の層と、を備えた耐摩耗性部材である。
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【課題】処理容器内に金属フッ化物からなる副生成物が形成された場合でも、ＨＦ等の有毒なガスをほとんど発生させずに処理容器を大気開放することができる処理容器の大気開放方法を提供すること。
【解決手段】その中で所定の処理を行って金属フッ化物が付着した処理容器を大気開放する処理容器の大気開放方法であって、処理容器内に大気を導入し、金属フッ化物と大気中の水分とを反応させるのに十分な時間保持してから排気する第１の操作を複数回繰り返し、その後、処理容器内に大気を導入し、排気して、主に前記第１の操作により生成した反応生成物を排出する第２の操作を複数回繰り返す。 （もっと読む）

【課題】フィルムの使用効率の向上が図れるステッピングロール方式の成膜装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る成膜装置（巻取式プラズマＣＶＤ装置）２０は、成膜部２１（２１Ａ，２１Ｂ）と、巻出しローラ２２と、巻取りローラ２３とを備えたステッピングロール方式の成膜装置であって、成膜部２１は、成膜室２４と、成膜室２４のフィルム導入側およびフィルム導出側に各々設けられフィルムＦを挟んで開閉する一対のシール機構３１Ａ，３２Ａ（３１Ｂ，３２Ｂ）とを備え、これら一対のシール機構の間の距離を、成膜室２４で成膜されるフィルム長の（Ｎ＋２）倍（Ｎは自然数）とする。これにより、上記シール機構によって挟持される領域（シール領域）を除くほぼすべてのフィルム領域を成膜領域とすることが可能となり、フィルムの使用効率の向上が図れるようになる。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブと層間配線される導体との間に良好な電気的接触を付与するカーボンナノチューブに基づく層間配線要素を提供する。
【解決手段】マイクロエレクトロニクス回路の少なくとも２つの導体を層間配線するために設計された要素であって、下側導体と称する初期導体２１０と、前記初期導体に配置された誘電層２３０と、前記誘電層上の上側導体と称する第２の導体２２０と、一方で下側導体上に、そして他方で上側導体上に現れる誘電層における空洞２４０とを含む、要素に関連する。上側導体２２０は下側導体２１０の上方にブリッジを形成しており、空洞２４０はそれが上側導体上に現れる水平面で後者の両側に２つのベント２４３を形成している。 （もっと読む）

【課題】欠陥密度が低く、かつ反りの少ないIII族窒化物半導体基板を提供すること。
【解決手段】サファイア基板６１上に第一のＧａＮ層６２を成長させ、つづいて金属Ｔｉ膜６３を形成した後、窒化処理して、微細孔を有するＴｉＮ膜６４を形成する。その後、ＨＶＰＥ−ＧａＮ層６６を成長する。金属Ｔｉ膜６３およびＴｉＮ膜６４の作用により、ＨＶＰＥ−ＧａＮ層６６中には空隙部６５が形成される。この空隙部６５の箇所からサファイア基板６１を剥離除去する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板とＳｉＮ膜との界面での膜質制御を首尾よく行うことができ、しかも、短時間で高品質のＳｉＮ膜を形成することのできる絶縁膜形成方法、絶縁膜形成装置及びプラズマ処理ユニットを提供する。
【解決手段】ケイ素を主成分とするウエハＷを処理容器内に収容し、処理ガス雰囲気下で、処理容器の上部を塞ぐ誘電体上に当該誘電体と接して配置された複数のスリットを有する平面アンテナ部材ＲＬＳＡを介してマイクロ波を照射することにより酸素、又は窒素、又は酸素と窒素とを含むプラズマを形成し、このプラズマを用いてウエハＷ表面に直接に酸化、窒化、又は酸窒化を施して絶縁膜２を形成する。 （もっと読む）

【課題】耐食性に優れた高耐食性部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ステンレス鋼製の基材と、基材の表面の少なくとも一部に被覆された中間層と、中間層の表面の少なくとも一部に被覆された非晶質炭素膜と、を備える高耐食性部材は、少なくとも基材の表面の温度が４５０℃以下の低温で、中間層および非晶質炭素膜が形成されてなる。
表層部が窒化処理されたステンレス鋼製の基材と、基材の表層部の表面の少なくとも一部に被覆された非晶質炭素膜と、を備える高耐食性部材は、少なくとも基材の表面の温度が４５０℃以下の低温で、窒化処理および非晶質炭素膜の形成が行われてなる。
上記の高耐食性部材は、製造工程において、ステンレス鋼製の基材の表面が、高温（＞４５０℃）に曝されない。そのため、基材の耐食性は、元のステンレス鋼の耐食性と同等に保たれる。 （もっと読む）

【課題】金属層上に化合物半導体層が成長した半導体基板を簡便かつ安価で製造することができる方法、並びにそれによって製造された化合物半導体基板及び素子を提供する。
【解決手段】化合物半導体基板の製造方法は、（ａ）複数の球形ボールを用意するステップと、（ｂ）基板上に複数の球形ボールをコーティングするステップと、（ｃ）球形ボールがコーティングされた基板上に球形ボールの直径より小さい厚さの金属層を蒸着するステップと、（ｄ）金属層が蒸着された基板から複数の球形ボールを除去するステップと、（ｅ）複数の球形ボールが除去されて露出した基板の表面から化合物半導体層を成長させるステップと、（ｆ）化合物半導体層を側面方向に成長させて金属層上で互いに繋げるステップと、（ｇ）化合物半導体層を目標とする厚さまで成長させるステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】高いエネルギ変換効率の太陽電池を製造する。
【解決手段】ｐ型層となる多結晶シリコン基板Ｓｐ上に形成されたｎ型層となる多結晶シリコン層Ｓｎの表層を、プラズマを用いて酸化処理し、その後ＣＶＤ処理によりシリコン窒化膜を堆積することにより、多結晶シリコン層Ｓｎの表層にパッシベーション膜Ａ１、Ａ２を形成する。かかるプラズマ酸化処理は、１０ｅＶ以下のシース電位のプラズマを用いて、圧力が６．６７Ｐａ〜６．６７×１０^２Ｐａの範囲で、温度が２００℃〜６００℃の範囲となる条件下で行う。プラズマを励起するマイクロ波は、スロットアンテナを通じて処理容器内に供給され、マイクロ波の表面波によってプラズマが生成される。 （もっと読む）

【課題】 高温であっても耐摩耗性を発揮することができ、低コストにて提供が可能な耐摩耗性皮膜を提供することを目的とする。
【解決手段】 基材３上に形成され、金属窒化物とされた表層５を備えた耐摩耗性皮膜であって、表層５上には、表層５を皮膜する最表層１０が設けられ、最表層１０は、炭素が固溶されたアルミナとされていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板上単結晶Ｓｉ膜の形成方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉウエハ上にゲルマニウム含有材料を堆積させて犠牲Ｇｅ含有膜を形成させたあと、単結晶Ｓｉ膜を、犠牲Ｇｅ含有膜上に形成する。前記単結晶Ｓｉ膜表面に透明基板を接着することによって、接着基板を形成する。前記接着基板をＧｅエッチング溶液に浸漬し、犠牲Ｇｅ含有膜を除去することにより、透明基板をＳｉウエハから分離する。その結果、上部に単結晶Ｓｉ膜が形成された透明基板が得られる。任意で、Ｇｅエッチング溶液を分散させるための溝を形成し、Ｇｅ含有膜の除去を促進してもよい。 （もっと読む）

【課題】基板温度を目標温度まで到達させる時間を短縮し、熱効率を向上させた透明導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る透明導電膜の形成方法は、一主面上に金属を含む絶縁性の酸化膜を配してなり、ガラスから構成される基板を用い、前記基板に熱処理を施し、該基板の他主面上に透明導電膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】均一性の良好なバッファ層としての結晶層を得ることができ、その上にＩＩＩ族窒化物半導体結晶構造を作製する際、良好な結晶性の膜を得る積層構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、スパッタ法によって成膜されたＩＩＩ族窒化物よりなる第１の層８を備え、少なくとも第１の層に接してＩＩＩ族窒化物材料からなる第２の層７を備えたＩＩＩ族窒化物半導体の積層構造Ａにおいて、前記第１の層が成膜装置のチャンバの内部において成膜された層であり、前記第１の層が成膜装置のチャンバ内において到達真空度、１．０×１０^−３Ｐａ以下の条件で単結晶組織として製造された層であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤの発光再結合効率を高める。
【解決手段】（１００）スピネル基板１をＭＯＣＶＤ装置にセッティングし、その上にノンドープＧａＮ薄膜２を形成し（図１（ａ））、抵抗加熱蒸着によって、カタリスト材料層となるＦｅ薄膜３を５ｎｍ蒸着する（図１（ｂ））。再び、そのスピネル基板１をＭＯＣＶＤ装置内にセッティングし、昇温アニールすることで前記Ｆｅ薄膜３を島状のＦｅ粒４とする（図１（ｃ））。以降、このＦｅ粒４からＧａとＮとを取込ませ、（１０−１１）面を有するＧａＮナノコラム５を成長させる（図１（ｄ））。したがって、得られたＧａＮナノコラム５の成長面は半極性面であり、ピエゾ電界の影響を緩和し、量子井戸内の電子と正孔との波動関数の重なりを大きくすることができる。また、ナノコラムによって貫通転位を減少することもできる。こうして、発光再結合効率を高めることができる。 （もっと読む）