【課題】均一性の良い結晶膜を短時間で得ることができる技術である、スパッタ法をＩＩＩ族窒化物化合物半導体層を作製するに際して使用し、安定して良好な結晶性のＩＩＩ族窒化物化合物半導体層を得る。
【解決手段】基板上に、ＩＩＩ族窒化物化合物半導体からなる多層膜構造を成膜させる方法において、該多層膜構造は少なくとも基板側からバッファ層と下地層を含み、バッファ層と下地層をスパッタ法で積層し、かつ、バッファ層の膜厚が５ｎｍ〜５００ｎｍであることを特徴とするＩＩＩ族窒化物化合物半導体積層構造体の成膜方法。 （もっと読む）

【課題】均一性の良い結晶膜を短時間で得ることができる技術である、スパッタ法と、良好な結晶性の膜を制御性良く形成することができるＭＯＣＶＤ法を併用することにより、安定して良好な結晶性のＩＩＩ族窒化物化合物半導体層を得る。
【解決手段】基板上にＩＩＩ族窒化物化合物半導体からなる多層膜構造を成膜させる方法において、該多層膜構造は少なくとも基板側から下地層および発光層を含み、該下地層をスパッタ法で成膜し、かつ、該発光層を有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）で成膜する工程を含むことを特徴とするＩＩＩ族窒化物化合物半導体積層構造体の成膜方法。 （もっと読む）

【課題】
処理室に収納した基板にプラズマを用いて所定の処理を行う基板処理装置に於いて、金属製部材から発生する金属原子を低減させ、基板の金属汚染を抑制する。
【解決手段】
処理室１６に収納した基板１５にプラズマを用いて所定の処理を行う基板処理装置に於いて、前記処理室に処理ガスを供給するガス供給手段９と、処理ガス中にプラズマ領域２４を生成するプラズマ発生手段３，４と、前記処理室から処理ガスを排気する排気手段２２と、前記処理室で基板を保持する基板保持台１７とを具備し、前記処理室にシーズニング用ガスを供給しプラズマを発生させるシーズニング工程と、前記処理室でダミー基板に前記基板処理を行うダミーラン工程とを実施する様構成した。
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【課題】密封式油圧ダンパのダイヤフラムゴム膜の放熱性を改良したガスバリヤ構造およびその作製方法を提供する。
【解決手段】密封式油圧ダンパのダイヤフラムを構成するゴム膜１０のガスバリヤ構造であって、上記ゴム膜１０の表面に形成されたアルミニウム薄膜１４と、該アルミニウム薄膜１４上に形成されたフレキシブルＤＬＣ膜１８とを備え、上記アルミニウム薄膜１４と上記フレキシブルＤＬＣ膜１８とが両者間に介在するアルミニウム・シリコン共晶層１６により相互に接合されていることを特徴とするガスバリヤ構造。 （もっと読む）

【課題】
半導体製造装置に於ける不純物の原子層成長及び原子層ドーピングに関して、原子レベルでの制御性を向上し、又高濃度ドーピングを可能とするものである。
【解決手段】
Ｓｉ_１−ｘＧｅ_ｘ（ｘ＝０〜１）表面を有する基板を処理室に搬入する工程と、少なくとも前記Ｓｉ_１−ｘＧｅ_ｘ（ｘ＝０〜１）表面に不純物がドーピングされたエピタキシャル膜を成長させる工程とを有し、該エピタキシャル膜を成長させる工程は、不純物の成長とエピタキシャル膜の成長工程とを交互に所要数繰返す工程を含み、前記ドーピングは、少なくとも所要の不純物を含むドーピングガスとキャリアガスとを前記処理室に供給する工程であり、前記成長工程は少なくとも、シリコンを含むガスを前記処理室に供給する工程である。
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【課題】信頼性を向上可能であり、バットジョイント構造を有する半導体光集積素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザの活性層のためのIII−Ｖ化合物半導体１７ａを第１のエリア１１ｂ上に分子線ビームエピタキシ装置を用いて形成した後に、有機金属気相成長装置４３を用いて第１のアニール４５を行う。電界吸収型変調器の活性層のためのIII−Ｖ化合物半導体５１を第２のエリア１１ｃ上に有機金属気相成長装置４３を用いて形成した後に、有機金属気相成長装置４３を用いて第２のアニール６１を行う。III−Ｖ化合物半導体１７ａは、III族構成元素としてインジウムおよびガリウムを含むと共にＶ族構成元素として窒素およびヒ素を含み、III−Ｖ化合物半導体５１は、III族構成元素としてインジウムおよびガリウムを含むと共にＶ族構成元素として窒素およびヒ素を含む。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】低温でカーボンナノチューブを形成できる技術を提供する。
【解決手段】第一の真空チャンバ１０と第二の真空チャンバ２０を、ダクト１１、２１によって接続し、第一、第二の真空チャンバ１０、２０とダクト１１、２１を真空排気しておき、第一の真空チャンバ１０内で基板表面に形成した触媒薄膜をダクト１１、２１を通過させて第二の真空チャンバ２０内に搬入し、触媒薄膜表面にカーボンナノチューブを成長させる。触媒薄膜は大気に曝されないので失活せず、低温でもカーボンナノチューブが成長する。 （もっと読む）

【課題】低い抵抗値であって、かつ、厚さが均一であるバリアメタルが形成された半導体回路装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体回路装置の製造方法は、テトラキスジメチルアミノチタン（ＴＤＭＡＴ）を原料としてＴｉＮ膜を化学気相蒸着法（ＣＶＤ）にて成膜後、プラズマ処理した第１膜を形成するステップを備えている。更に半導体回路装置の製造方法は、第１膜の上に、テトラキスジメチルアミノチタン（ＴＤＭＡＴ）の流量を毎分２〜５ｍｇとして化学気相蒸着法（ＣＶＤ）にてＴｉＮ膜を成膜して第２膜を形成するステップとを備えている。 （もっと読む）

【課題】基材の表面に、珪素を含有したダイヤモンドライクカーボン膜を形成するに際して、耐摩耗性等の摺動特性はもとより、耐食性をも好適に確保することができる摺動部材の表面処理方法、摺動部材、メカニカルキー及び携帯機を提供する。
【解決手段】摺動部材１０の表面には、次工程で積層されるＤＬＣ−Ｓｉ膜１３との密着性を確保するための窒化層１２ａを形成し、その後、当該窒化層１２ａの表面にＤＬＣ−Ｓｉ膜１３をプラズマＣＶＤにより形成するようにした。そして、そのときの処理温度を３５０℃〜４３０℃とした。このため、耐食性を確保する上で障害となる化合物であるクロム、窒素及び炭素の複合化合物の形成が抑制される。この複合化合物が形成されることにより、耐食性が著しく低下することが一般に知られている。したがって、低摩擦性及び耐摩耗性等の摺動特性はもとより、耐食性をも好適に確保することができる。 （もっと読む）

（ＡｌＮ）_x（ＳｉＣ）_(1-x)のような金属―有機アロイ薄膜の上に、バッファーなしに、半導体結晶を成長させる基板及び方法が開示されている。出発材料としてＡｌＮとＳｉＣ粉末を用いた蒸着法により、ＳｉＣ基板の上に（ＡｌＮ）_x（ＳｉＣ）_(1-x)アロイ薄膜は形成されることができる。（ＡｌＮ）_x（ＳｉＣ）_(1-x)アロイ薄膜は、ＧａＮまたはＳｉＣのエピタキシャル成長のためのより良い格子整合を与え、よりよい格子整合と相性によりエピタキシャルに成長されたＧａＮにおける欠陥を減少させる。
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【課題】安価で製造でき、優れた耐食性及び密着性を有する硬質の膜を表面に有する送液ポンプ用用部材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】インペラー１は、略釣り鐘状の筒部と、その周囲に形成された羽根部とを備えている。そして、インペラー１の表面付近の一部拡大断面部分１１は、金属製の基材１２と、この基材１２の表面に高周波プラズマＣＶＤ法によって形成されたアモルファス状膜１３とを備えている。アモルファス状膜の厚さは１μｍ〜５０μｍであることが好ましい。その硬さは、ＨＶ７００〜２８００であることが好ましい。前記アモルファス状膜の表面の算術平均粗さＲａは０．５μｍ以下、且つ、十点平均粗さＲｚは２．０μｍ以下であることが好ましい。また、アモルファス状膜１３における水素原子の割合が１０原子％〜５０原子％の範囲、残りが炭素原子で組成されているものであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】簡便かつ廉価なプロセスで設けられる中間層により、基材との密着性に優れると共に耐剥離性、耐摩耗性および低摩擦性に優れた炭素膜を工業的に有利に製造できる方法を提供する。
【解決手段】金属基材側ほど金属成分濃度が高く、炭素膜側ほど非金属成分濃度が高くなるような濃度勾配を有する中間層を介して、金属基材上に設けられた炭素膜の製造方法において、該中間層を物理的気相成長法と化学的気相成長法との組み合わせにより調製する。 （もっと読む）

【課題】緻密かつ均一な膜を高い成膜速度にて形成することができる成膜装置及び成膜方法を提供すること。
【解決手段】成膜対象となる基材５を配置する真空槽１１内にプラズマを発生するプラズマ発生手段２と、プラズマ発生手段２によって発生させたプラズマを基材５の周辺の閉込め空間に閉じ込めるマルチカスプ磁界を形成するマルチカスプ磁界発生手段３と、基材５を保持すると共に閉込め空間の中心近傍を中心軸として回転する保持回転手段４とを有することを特徴とする成膜装置１。真空槽１１内に、プラズマを発生させると共に、プラズマを基材５の周辺の閉込め空間に閉じ込めるマルチカスプ磁界を形成し、基材５を閉込め空間の中心近傍を中心軸として回転させながら、基材５の表面に成膜を行うことを特徴とする成膜方法。 （もっと読む）

【課題】 プラスチック基材として、ナイロンフィルムを使用するも、透明性、酸素、水蒸気等に対するガスバリア性等に優れ、更に、バリア性膜としての蒸着膜の剥離を防止し、かつ、その熱的クラックの発生を阻止し、その劣化を防止してバリア性膜として優れた耐性を発揮し、飲食品、医薬品その他等の種々の物品の充填包装適性等に優れた透明バリア性ナイロンフィルムの製造法を提供する。
【解決手段】 ２軸延伸ナイロンフィルム基材の一方の面に、後述の第２の薄膜の第１の薄膜への密着性を向上させ、かつ、第２の薄膜を形成するプラズマ処理による２軸延伸ナイロンフィルムの黄変と劣化を防止する耐プラズマ保護層を構成する物理蒸着法による無機酸化物の蒸着膜からなる第１の薄膜を形成し、次いで、上記の第１の薄膜の上に、プラズマ化学蒸着法による無機酸化物の蒸着膜からなる第２の薄膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】活性種等を含むプロセスガスの使用効率を向上させることができると共に、被処理体に対するプラズマ処理の面間均一性及び面内均一性の向上及びスループットの向上を図ることが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに対してプラズマにより発生した活性種によって所定のプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、筒体状の処理容器１４と、被処理体を複数枚保持する保持手段２２と、処理容器の側壁に設けられてプラズマを発生するためのプラズマ室５８と、プラズマ室にプラズマ用ガスを供給するプラズマ用ガス供給手段３８と、プラズマを立てるためのプラズマ形成手段６０と、処理容器内の上部空間部及び／又は下部空間部に臨ませたガス噴射孔を有する不活性ガス供給手段４２と、上部空間部及び／又は下部空間部に不活性ガスを供給するように制御する制御手段９４とを備える。 （もっと読む）

【課題】結晶面の面内配向性を揃えることができると共に、ダイヤモンド膜の反り（ワープ）を低減することができる高配向性ダイヤモンド膜及びその製造方法を提供する
【解決手段】基板上に（１００）高配向膜又は（１００）単結晶ダイヤモンド膜を気相合成した後、前記基板を除去して形成した一次ダイヤモンド膜と、前記一次ダイヤモンド膜が前記基板と接触していた面（裏面）に（１００）配向成長条件で成長された二次ダイヤモンド膜とを有し、前記配向成長した二次ダイヤモンド膜が（１００）結晶面が配向成長した高配向膜、（１００）配向した無粒界膜、又は（１００）配向した単結晶膜のいずれかである。また、（１１１）高配向性膜の場合も同様である。 （もっと読む）

【課題】 プラスチック基材として、ポリプロピレンフィルムを使用するも、透明性、酸素、水蒸気等に対するガスバリア性等に優れ、また、バリア性膜としての蒸着膜の剥離を防止し、かつ、その熱的クラックの発生を阻止し、飲食品、医薬品等の物品の充填包装適性等に優れた透明バリア性ポリプロピレンフィルムの製造法を提供する。
【解決手段】 ２軸延伸ポリプロピレンフィルム基材の一方の面に、後述の第２の薄膜の第１の薄膜への密着性を向上させ、かつ、第２の薄膜を形成するプラズマ処理による２軸延伸ポリプロピレンフィルムの黄変と劣化を防止する耐プラズマ保護層を構成する物理蒸着法による無機酸化物の蒸着膜からなる第１の薄膜を形成し、次いで、上記の第１の薄膜の上に、プラズマ化学蒸着法による無機酸化物の蒸着膜からなる第２の薄膜を形成することを特徴とする透明バリア性ポリプロピレンフィルムの製造法。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法を使用してイリジウム下地上に直径１インチ（２.５ｃｍ）以上の大面積化された高品質のダイヤモンドをエピタキシャル成長させることができるエピタキシャルダイヤモンド膜下地基板およびその製造方法並びにこのエピタキシャルダイヤモンド膜下地基板により製造されるエピタキシャルダイヤモンド膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶酸化マグネシウム（ＭｇＯ）または単結晶サファイア（α-Ａl₂Ｏ₃）基板上に、真空蒸着法またはスパッタリング法によりイリジウム（Ｉｒ）膜をエピタキシャル成長により成膜し、この成膜されたイリジウム（Ｉｒ）下地の表面へ、イオンを含む直流プラズマを暴露することによりエピタキシャルダイヤモンド核を形成するバイアス核発生処理を施す。 （もっと読む）

【課題】炭化シリコンのみからなる自立型で、欠陥が少なく結晶性に優れた単結晶炭化シリコン基板を作製する。
【解決手段】シリコン基板２と埋め込み絶縁膜３と表面シリコン膜４とからなるＳＯＩ基板１を製造開始時に準備された材料として、表面シリコン膜４を炭化処理して単結晶炭化シリコン膜５に変成し、単結晶炭化シリコン膜５の上にエピタキシャル成長法により単結晶炭化シリコン膜６を形成し、シリコン基板２と埋め込み絶縁膜３とを除去して、単結晶炭化シリコン膜５，６の積層構造を単結晶炭化シリコン基板とする。 （もっと読む）

物理蒸着処理、化学蒸着処理、またはこれらの組合せによって、基板を被膜するように設計された被膜用の装置が提供される。前記被膜用の装置は、軸方向に移動可能なシャッタ（１８）によって被膜可能な回転可能なマグネトロン（１４）を用いる点に特徴がある。このような構成によって、後続する被膜のためのステップ間または後続する被膜のためのステップ中に、マグネトロンターゲットを清浄に保持するかまたはターゲットを清浄化することができる。シャッタは、ターゲットの近傍に制御可能なガスの雰囲気をさらにもたらす。マグネトロンが中心に配置されてもよく、従って、基板は、マグネトロンを中心として回動する遊星状の回転体（２４）に吊り下げることによって、あらゆる角度からスパッタリング源に晒されることとなる。
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