【課題】有機層および無機層を有する積層型のガスバリアフィルムにおいて、ガスバリア性のみならず、生産性にも優れるガスバリアフィルムを提供する。
【解決手段】基板Ｚの表面に大気中で成膜された第１有機層１２を有し、その上に、真空中で成膜された第２有機層１４を有し、その上に、真空中で成膜された無機層１６を有する。 （もっと読む）

本発明は、第１有機物層（２）と第１無機物層（４）によってフレキシブル基板（１）をコーティングするための装置に関するものである。本発明による装置は、第１および第２チャンバ（１０，２０）と、雰囲気分離スロット（３０）と、を備えている。第１チャンバ（１０）内には、前駆体またはオリゴマーまたはポリマーネットワークと重合開始剤とを含有した混合物でフレキシブル基板をプリントするプリント設備（４０）が配置されている。第１チャンバ（１０）内には、成膜された混合物を硬化させて第１有機物層（２）を形成する硬化設備（５０）が配置されている。第２チャンバ（２０）内には、基板（１）上に第１無機物層（４）を成膜する気相蒸着設備（６０）が配置されている。装置は、基板（１）を設備（４０，５０，６０）に沿って案内するための設備（７０）を備えている。
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【課題】半導体加工処理容器部材は、ハロゲンガスを含む環境でプラズマエッチング加工されると、早期に腐食損傷を受けるとともに、微小な環境汚染パーティクルを発生して、半導体の加工生産能力を甚しく低下させる問題がある。
【解決手段】
反応容器内に被処理基材を保持し、その容器内に導入した有機金属化合物のガスから炭化水素系ガスプラズマを発生させることにより、１５〜４０ａｔ％の水素を含有するアモルファス状炭素・水素固形物の微粒子を気相析出させると同時に金属の超微粒子を共析させて、金属粒子含有アモルファス状炭素・水素固形物の気相析出蒸着膜を形成し、その後、この膜を酸化処理して金属酸化物部粒子を生成させることを特徴とする半導体加工装置用部材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】転位密度が低く、かつ製造コストが安いＩＩＩ族窒化物結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物結晶基板の製造方法は、液相法により、下地基板１上に第１のＩＩＩ族窒化物結晶２を成長させる工程と、ハイドライド気相成長法または有機金属気相成長法により、第１のＩＩＩ族窒化物結晶２上に第２のＩＩＩ族窒化物結晶３を成長させる工程とを含み、第２のＩＩＩ族窒化物結晶３の転位密度が１×１０⁷個／ｃｍ²以下であり、第２のＩＩＩ族窒化物結晶３の表面が表面粗さＲ_P-Vで０．５μｍ以下に平坦化される。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの作動面にコーティングを有している、ピストンリングのような摺動要素に関し、このコーティングは接着層（１０）と、金属を含有する、好ましくはタングステンを含有するＤＬＣ層（１２）と、金属を含まないＤＬＣ層（１４）と、を内側から外側へ備え、金属を含まないＤＬＣ層の厚さの、金属を含有するＤＬＣ層の厚さに対する比が０．７〜１．５の範囲であり、及び／又は、コーティングの厚さ全体に対する比が０．４〜０．６の範囲であることを特徴とする。
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【課題】本発明の目的は、きわめて高いバリア性能を達成できるフィルムを提供することにあり、また該フィルムを有機光電変換素子用樹脂基材として用いること、また、該有機光電変換素子用樹脂基材を用いて耐久性の高い透有機光電変換素子等のデバイスを得ることにある。
【解決手段】基材上の少なくとも一方の面に、少なくとも１種の珪素化合物を含有する液体を塗布し２０℃〜１２０℃で塗布乾燥させ薄膜を形成した後に、前記薄膜に対し１４０℃以上での加熱処理を行うことなく、前記薄膜が塗布形成された基材上に、少なくとも１種の有機珪素化合物と酸素を含有する反応性ガスを用いるプラズマＣＶＤ法により、珪素酸化物の薄膜を積層することを特徴とするバリアフィルムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 単結晶シリコン膜のリフトオフが良好であり、かつ高純度の太陽電池用単結晶シリコン膜を得ることができる単結晶薄膜の製造方法及びその単結晶薄膜デバイスを提供する。
【解決手段】 単結晶シリコン基板７１を用意し、この単結晶シリコン基板７１上に同一の物質で結晶欠陥を含んだ単結晶シリコン犠牲層７２を形成し、この単結晶シリコン犠牲層７２上に同一の物質でこの単結晶シリコン犠牲層７２より結晶欠陥の少ない単結晶シリコン薄膜７３を形成し、前記単結晶シリコン犠牲層７２を溶解し、結晶欠陥の少ない単結晶シリコン薄膜７３を製造する。 （もっと読む）

【課題】 ガスバリア性のみならず耐久性にも優れる、有機／無機酸化物のガスバリア積層体を提供する。
【解決手段】 有機化合物層と、その上の珪素原子含有化合物層と、その上の酸化物無機化合物層とを有することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、エネルギー変換効率が優れた光電変換素子を得ることにあり、さらには、熱耐久性が改善され、フレキシブル基板を用いた時の巻きつけによるクラック発生を抑制した有機光電変換素子またはその製造方法を提供することにある。
【解決手段】第１の電極と第２の電極との間に光電変換層と正孔輸送層または電子輸送層とを含み構成される有機光電変換素子において、該光電変換層がｐ型半導体材料とｎ型半導体材料とを含み、且つ、該正孔輸送層または電子輸送層が、窒素元素を含む金属酸化物層を含み構成されることを特徴とする有機光電変換素子。 （もっと読む）

【課題】簡便な設備で高屈折率化、高密度化、高硬度化されたセラミック膜の製造方法それにより得られるセラミック膜を提供する。
【解決手段】支持体上にセラミック層を形成した後、該セラミック層に火炎処理を施すことを特徴とするセラミック膜の製造方法で、セラミック層に対する火炎処理は、同じ領域を１度に、あるいは時間を空けて数回に分けて処理する方法、あるいはセラミック層を所要の膜厚に形成する途中段階で、数回にわたり火炎処理する方法であっても、特に制限なく用いられる。また、特性の異なるセラミック層を２層以上形成する場合、全てのセラミック層を形成した後、その最表面に対し火炎処理する方法であっても、各セラミック層を形成するごとに、その表面に火炎処理を施す方法であってもよい。 （もっと読む）

【課題】チタンまたはチタン合金製の摺動部品の表面に設けられるＤＬＣ膜の密着性を向上させ、優れた耐衝撃性を実現する。
【解決手段】本発明による内燃機関用摺動部品は、チタンまたはチタン合金から形成された部品本体１ａと、部品本体１ａの表面に形成された表面硬化層１ｂと、表面硬化層１ｂ上に設けられたダイヤモンドライクカーボン膜３と、表面硬化層１ｂとダイヤモンドライクカーボン膜３との間に設けられたチタン層２とを有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ生成部と成膜処理部の間に隔壁を配することによって被成膜基板にプラズマ生成部で発生する高エネルギー粒子が入射するのを抑制する構成を有する装置において、成膜分布を改善することを課題とする。
【解決手段】基板処理装置を、プラズマが生成される第一の空間、基板を載置する為の基板ホルダを有する第二の空間、第一の空間と第二の空間を分離する、内部に第三の空間を有する隔壁、第一の空間と第二の空間を繋ぐ前記隔壁に形成された複数の第一の孔、第二の空間と第三の空間を結ぶ前記隔壁の第二の空間に接する面に形成された複数の第二の孔、第一の空間に第一のガスを導入する第一のガス導入手段及び第三の空間に第二のガスを導入する第二のガス導入手段を有し、第一の孔に係わる単位面積当たりの開口率は、中心部より周辺部で大きい構成とする。 （もっと読む）

【課題】誘電率が低くかつエッチング耐性に優れた窒化シリコン系絶縁膜を形成する。
【解決手段】基材上にシラン系ガス（ＤＣＳ）、窒化性ガス（ＮＨ３）及びホウ素含有ガス（ＢＣｌ３）を、Ｎ２パージを逐次行いながらこの順で供給してホウ素含有窒化シリコン層を形成する工程と、このホウ素含有窒化シリコン層に、プラズマにより活性化された窒化性ガス（活性化ＮＨ３）を供給する工程とを含み、これらの工程をこの順で繰り返し行う成膜方法。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法を用いる場合に問題となる電極やチャンバー壁面の汚染によるアーキング等のロングランの安定性、大面積化、ロール・ツー・ロール化の困難さを解決し、酸素バリア性および水蒸気バリア性に優れた、ガスバリア性積層体を生産する成膜装置を提供する。
【解決手段】減圧下の成膜チャンバー内に、基材を搬送する機構と、電極に電圧を印加することでプラズマ化した成膜ガスを該基材表面に噴出させる成膜手段とを少なくとも具備する成膜装置で、該電極は、成膜ガスをプラズマ化する内部空間１８と、該内部空間１８へ成膜ガスを導入するガス導入路１７と、該内部空間１８から該基材表面へプラズマ化した成膜ガスを噴出させる穴部１５とを少なくとも具備し、該電極は、一対で成膜チャンバー内に設置され、該一対の電極は、電気的に接続され、カソード又はアノードに交互に切り替わる。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶体を成長させる際におけるクラックの発生を低減する。
【解決手段】半導体基板の製造方法は、下地基板の上に金属層を形成する金属層形成工程と、前記金属層をそれぞれ露出する複数の開口と前記金属層を露出しない非開口部とを含むマスクを形成するマスク形成工程と、前記金属層において前記複数の開口により露出された複数の領域を窒化することにより、金属窒化物の複数の第１バッファー層を形成する窒化工程と、前記複数の第１バッファー層の上に、ＩＩＩ族窒化物半導体の複数の第２バッファー層を形成する第２バッファー層形成工程と、前記複数の第２バッファー層の上に、ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶体を成長させる成長工程とを備え、前記複数の開口のそれぞれは、六角形に沿った形状を有しており、前記マスク形成工程では、前記複数の開口における各開口の最小幅が５μｍ以上２５μｍ以下となり隣接する前記開口の間における前記非開口部の幅が１．５μｍ以上８μｍ以下になるように、前記マスクを形成する。 （もっと読む）

【課題】基板フィルムの両面及び片面への蒸着を行なうことができ、装置の大型化及び複雑化を回避できる蒸着装置を提供する。
【解決手段】基板フィルムに蒸着膜を成膜する蒸着装置であって、基板フィルムを送り出すように回転駆動する第１の駆動部と、搬送された基板フィルムを巻き取るように回転駆動する第２の駆動部と、第１駆動部と第２駆動部との間で搬送される基板フィルムの搬送経路に設けられ、基板フィルムの一方の面を周面に支持する複数の成膜ローラと、基板フィルムの成膜ローラに支持された面の反対側の面に蒸着膜を成膜する複数の蒸着部と、第１の駆動部及び第２の駆動部の一方と切り換えられて駆動する第３の駆動部とを備え、第３の駆動部への切り換えの有無によって基板フィルムの両面又は片面に蒸着が行われるように搬送経路が変更される。 （もっと読む）

【課題】 真空成膜装置によりコーティング膜上に無機膜を成膜する際に、無機膜の割れ／抜け等の欠陥を引き起こすコーティング膜の平滑性悪化を防止し、生産性の高い機能性フィルムの製造方法、及び製造装置を提供する。
【解決手段】
フィルムロール４０から連続的に支持体Ｂを送り出し、支持体Ｂ上にコーティング膜を成膜し、支持体Ｂをフィルムロール４２に巻き取る。次いで、フィルムロール４２を真空成膜装置２２の供給室５０にセットし、常圧から１００Ｐａまでの減圧時間が７分以上となる減圧速度で減圧し、さらに所定の真空度まで減圧する。フィルムロール４２から支持体Ｂを、供給室５０の減圧速度より速い減圧速度で所定の真空度まで減圧された真空成膜装置２２の成膜室５２に供給し、コーティング膜上に無機膜を成膜し、無機膜が成膜された支持体Ｂを、真空成膜装置２２の巻取り室５４でフィルムロール４８に巻き取る。 （もっと読む）

【課題】成膜速度が高められるとともに、品質が充分に確保される炭素膜の形成方法、炭素膜被覆部材及びＣＭＰパッドコンディショナーを提供する。
【解決手段】ＣＶＤ法を用い、基材１の表面１Ａに炭素膜２を成膜する炭素膜の形成方法であって、前記表面１Ａに、前記基材１と同種の粒子３を分散させる工程と、ＣＶＤ法により、前記表面１Ａと前記粒子３の外周面とにより形成された段部４に種粒子５を捕捉させるとともに、前記種粒子５を核にして炭素膜２を成長させる工程と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】手間を要さずにIII族窒化物半導体基板を得ることができるIII族窒化物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】下地基板１０上に、炭化アルミニウム、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化ハフニウム、炭化バナジウムまたは炭化タンタルから選択されるいずれかの炭化物層１２を形成する工程、炭化物層１２上に、第一膜として炭素膜１３を形成する工程、炭化物層１２を窒化する工程、窒化した炭化物層１２の上部にIII族窒化物半導体層をエピタキシャル成長させる工程、III族窒化物半導体層から、下地基板１０を除去して、III族窒化物半導体層を含むIII族窒化物半導体基板を得る工程を実施する。 （もっと読む）

【課題】反りの発生を低減させることができるIII族窒化物半導体層の製造方法を提供すること。
【解決手段】III族窒化物半導体層の製造方法は、下地基板１０上に、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化ハフニウム、炭化バナジウムまたは炭化タンタルから選択されるいずれかの炭化物層１１を形成する工程と、炭化物層１１の上部にIII族窒化物半導体層１２を成長させる工程と、III族窒化物半導体層１２中で亀裂を生じさせて、前記下地基板１０を除去し、III族窒化物半導体層を得る工程とを含む （もっと読む）