アルミニウム合金製、特にダイカスト・アルミニウム合金製の部品（１）を被覆する方法が記載され、前記方法は前記- washing the pre-treated parts (1) ; and部品（１）を前処理する工程；- washing the pre-treated parts (1) ; and前処理した前記部品（１）を洗浄する工程；及び前記部品上に少なくとも１つの第１層（３）及び少なくとも１つの第２層（５）を蒸着する工程を含み、前記第１及び第２層（３，５）の各層は可変相対的モル分率を有する２つの構成成分：１）金属材料、及び２）周期律表のIVA族の元素の酸化物に基づく材料の混合物から成る。前記方法によって製造された、アルミニウム合金製の部品（１）が更に記載される。 （もっと読む）

【課題】 被処理物が陰極とされる構成のプラズマＣＶＤ装置において、プラズマを安定化させると共に、従来よりも成膜レートを向上させる。
【解決手段】 本発明に係るプラズマＣＶＤ装置１０によれば、接地電位に接続された真空槽１２の内壁が陽極とされ、被処理物１６が陰極とされ、これら両者間にパルス電力Ｅｐが供給されることで、当該両者間にプラズマが発生する。そして、このプラズマを用いたＣＶＤ法によって、被処理物１６の表面にＤＬＣ膜が生成される。ただし、ＤＬＣ膜が陽極としての真空槽１２の内壁に付着することで、当該真空槽１２の内壁の陽極としての機能が低下することが懸念される。この真空槽１２の内壁に代わって、アノード電極４０が陽極として機能することで、プラズマが安定化される。また、真空槽１２内に磁界Ｅが印加されることで、プラズマ密度が増大し、ＤＬＣ膜の成膜レートが向上する。 （もっと読む）

【課題】水蒸気バリア性に優れた、透明なガスバリア性積層フィルムを提供する。
【解決手段】プラスチックフィルムからなり、表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が１０ｎｍ以上となる基材層１の上に、重合可能なアクリル系のモノマーまたはモノマーとオリゴマーとの混合物を含むアンカー層２と、ＳｉＯｘＣｙ（ｘは１．５以上２．０以下、ｙは０以上０．５以下）で表される酸化珪素からなり、厚さが１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下のガスバリア層３とを順次積層してなるガスバリア性積層フィルムにおいて、前記アンカー層２の厚みが０．１μｍ以上１０μｍ以下、かつ、前記アンカー層２の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が５ｎｍ以下であることを特徴とするガスバリア性積層フィルム。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ合金等の長時間切削、重切削等の切削工具として好適な、潤滑性に優れる耐摩耗性工具部材を提供する。
【解決手段】工具基体上に、工具基体表面側から順に、ＴｉＮ硬質膜、Ｓｉ含有ダイヤモンドライクカーボン膜およびＳｉＯ_２膜を形成した耐摩耗性工具部材において、Ｓｉ含有ダイヤモンドライクカーボン膜におけるＳｉ含有割合は、５〜３０原子％であって、望ましくは、Ｓｉ含有ダイヤモンドライクカーボン膜が、ＴｉＮ硬質膜との界面部分では５〜１５原子％、ＳｉＯ_２膜との界面部分では２０〜３０原子％のＳｉを含有し、さらに、該Ｓｉ含有ダイヤモンドライクカーボン膜中におけるＳｉ含有割合は、ＴｉＮ硬質膜側からＳｉＯ_２膜側へ向かうにしたがって次第に増加する傾斜組成を有する。 （もっと読む）

【課題】必要最低限のプロセスでイオン注入層を有したエピタキシャルウエーハを製造でき、また付加される工程での汚染の低減とコスト低減を両立させ、かつ製造中の金属不純物汚染を高感度で評価・保証して汚染の少ないウエーハを効率よく製造できるエピタキシャルウエーハの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶基板の主表面に対してイオン注入を行い、その後洗浄を行った後、エピ層の形成を行う際に、ボロン、炭素、アルミニウム、砒素、アンチモンのうち少なくとも１種類をドーズ量１×１０^１４〜１×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^２の範囲でイオン注入し、エピ層は枚葉式エピタキシャル装置を用いて１０８０℃以上の温度で形成し、イオン注入後からエピ層形成前の何れかの段階でシリコン単結晶基板の金属不純物濃度評価を行うか、またはエピ層形成後に一部抜き取りによりエピ層を形成したシリコン単結晶基板の金属不純物濃度の評価を行う。 （もっと読む）

【課題】 ビアホールの微細化及び高アスペクト比化が進むと、銅からなるシード層でビアホールの内面を連続的に覆うことが困難になる。
【解決手段】 半導体基板(10)の上に絶縁膜(20)が形成されている。絶縁膜に凹部(21)が形成されている。凹部の内面を第１の導電膜(22)が覆う。島状組織(25)が、第１の導電膜の表面に離散的に分布する。島状組織は、銅に対して、第１の導電膜の濡れ性よりも高い濡れ性を有する。凹部が、銅または銅合金からなる導電部材(31)で充填されている。 （もっと読む）

【課題】選択性及び基板面内の膜厚均一性を保ちながら十分厚いエピタキシャル膜を成長
させることができる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】
表面に少なくともシリコン露出面とシリコン酸化膜もしくはシリコン窒化膜の露出面とを備える基板を処理室内に搬入する工程と、
前記処理室内の前記基板を所定の温度に加熱した状態で前記処理室内に、少なくともシリコンを含む第１の処理ガスとエッチング系の第２の処理ガスとを共に供給する第１のガス供給工程と、
前記処理室内に、前記第２の処理ガスよりエッチング力の強いエッチング系の第３の処
理ガスを供給する第２のガス供給工程と、
を少なくとも含み、前記第１のガス供給工程と前記第２のガス供給工程とを少なくとも１回以上実施し、前記基板表面のシリコン露出面に選択的にエピタキシャル膜を成長させる。 （もっと読む）

【課題】相異なる膜質領域を有する層間絶縁膜において、膜界面における膜剥れや隣接配線間リークの発生を抑制する。
【解決手段】単層構造の層間絶縁膜である第３の絶縁膜１０７は複数の空孔１２０を有している。第３の絶縁膜１０７における単位体積当たりの空孔占有率は膜厚方向に変化している。 （もっと読む）

【課題】高速で製糸しても、ロール上を走行する糸条にダメージを与えず、毛羽の発生を抑制することができ、長期間の生産においても毛羽品位が低下しないポリエステルの製造方法を提供する。
【解決手段】直接紡糸延伸によって産業資材用ポリエステルを製造するに際して使用するロールに関して、該ロールの母材１の一部または全面にブラスト処理を施した後、硬質クロムメッキ２を施工し球面上の梨地表面に仕上げたロール表面に、さらに硬質クロムメッキとの密着性に優れた、プラズマベースイオン注入・成膜法により形成されたダイヤモンドライク・カーボン・コーティング膜３を施したものを使用する。 （もっと読む）

本発明は、硬い構成要素を形成している粉末とバインダー相を製粉して混合し、粉末混合物から所望の形状の物体を形成し、該形成された物体を焼結し、該焼結された物体を高精度で研磨して、所望の形状及び寸法を有するインサートを形成し、所望により、刃先に丸みを付け、そして対摩耗性非ダイアモンド又は非ダイアモンドに類似するコーティングを該研磨されたインサートに提供することにより、高い寸法精度が必要とされている切削工具インサートを製造する方法に関する。本方法によれば、該コーティング操作前に、該研磨されたインサートは、表面領域のミクロ構造が有意な寸法変化を起こすことなく再構成されるような時間に亘って、不活性雰囲気又は真空又は他の保護的な雰囲気において、バインダー相の固相線を下回って熱処理される。このようにして、工具寿命及び寸法精度が予想外に向上したインサート類が得られた。 （もっと読む）

【課題】ハイドロキシアパタイトを膜形成成分として含む蒸着膜がプラスチック基材の表面に形成されており、ハイドロキシアパタイトの特性が活かされ、プラスチック基材のガスバリア性が著しく高められたガスバリア材を提供する。
【解決手段】プラスチック基材１と、その表面に、リン酸カルシウム化合物が層状に分布している領域３ａを含む蒸着膜３が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶基板上に、欠陥密度が低く高品質なエピタキシャル層を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】バッファ層１２は、シリコン基板１１の格子定数と、エピタキシャル層１３の格子定数との間の格子定数をもつ、第３族元素と第５族元素との化合物が選択されればよい。例えば、エピタキシャル層１３が上述した３Ｃ−ＳｉＣから形成される場合、シリコン基板１１の格子定数０．５４３ｎｍと、エピタキシャル層１３の格子定数０．４３５ｎｍとの間の、０．４６９ｎｍの格子定数をもつ砒化ホウ素が好ましく選択される。 （もっと読む）

【課題】有機層と無機層とを交互に積層してなるバリアフィルムにおいて、無機層と、その上に形成される有機層との間での剥離を防止する。
【解決手段】基板側から有機層と無機層との数を計数した際に、基板からｎ層目の無機層と、基板からｎ＋１層目の有機層との間に、有機珪素層を有し、かつ、前記ｎ層目の無機層とｎ＋１層目の有機層において、この無機層が珪素化合物からなる層であり、この有機層が紫外線硬化型樹脂もしくは電子線硬化型樹脂からなる層であることを特徴とする積層型バリアフィルム。 （もっと読む）

【課題】本発明によれば、結晶性が向上したＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体を生産性良く得ることができる。
【解決手段】サファイア基板表面に、シード層として、縦断面ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）写真の２００ｎｍ観察視野において結晶粒界が観察されないＡｌＮ結晶膜を形成させ、ついでＩＩＩ族窒化物半導体からなる、下地層、ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層を積層してなるＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体を反応炉を用いて製造するに際し、少なくとも下地層を成膜したＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体ウエハーを反応炉から取り出し、ついで次の成膜を別の反応炉で行なう。 （もっと読む）

本発明は、窒化物薄膜構造及びその形成方法に関する。窒化物ではない基板上に窒化物薄膜を形成すれば、基板と窒化物薄膜との格子定数差によって多くの欠陥が生じる。また基板と窒化物薄膜との熱膨張係数差によって基板が反るという問題がある。本発明ではかかる問題を解決するために、中の空いている粒子、すなわち、中空構造物を基板上に塗布した後、その上に窒化物薄膜を成長させた薄膜構造及びその形成方法を提案する。本発明によれば、中空構造物によるＥＬＯ（Ｅｐｉｔａｘｉａｌ Ｌａｔｅｒａｌ Ｏｖｅｒｇｒｏｗｔｈ）効果を得ることができて高品質の窒化物薄膜を形成でき、薄膜構造内の屈折率が調節されることによって、本発明による薄膜構造をＬＥＤのような発光素子で製作する時、光抽出効率が増大するという効果がある。それだけでなく、基板の熱膨張係数が窒化物薄膜に比べてさらに大きい場合には、窒化物薄膜内の中空構造物の圧縮によって窒化物薄膜の全体応力が低減して基板の反りを防止する効果もある。
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【課題】基材と硬質な非晶質炭素膜との密着性に優れた新規の構成をもつ硬質非晶質炭素被覆部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】硬質非晶質炭素被覆部材は、基材と、該基材の表面に形成されモリブデンおよび／またはチタンを含む中間層と、該中間層の表面に形成された硬質非晶質炭素膜と、を備え、少なくとも前記中間層と前記硬質非晶質炭素膜との界面部において、該中間層は酸素および炭素を含み、該硬質非晶質炭素膜は珪素を含むことを特徴とする。硬質非晶質炭素被覆部材は、基材の表面にモリブデンおよび／またはチタンを含み少なくとも表面部に酸素を含む酸素含有金属層を形成し、該酸素含有金属層の表面に炭素および珪素を堆積させて珪素を含む硬質非晶質炭素膜を形成するとともに該表面から炭素を拡散させることにより、容易に製造可能である。 （もっと読む）

【課題】成膜速度を増大し、大面積のフィルムに成膜することができ、かつ、緻密な成膜を得ることができる成膜装置を提供すること。
【解決手段】本発明の成膜装置は、プラズマリニアソース７を有するプラズマ化学気相成長手段と、プラズマリニアソース７と所定間隔をおいて配置されているイオンエッチングローラー５を有するイオンエッチング処理手段と、プラズマリニアソース７とイオンエッチングローラー５との間においてフィルム３を通過させるフィルム搬送手段と、を具備する。前記プラズマ化学気相成長手段は、プラズマリニアソース７により発生する誘導結合プラズマによってフィルム３に成膜を行い、この成膜と同時に前記イオンエッチング処理手段はイオンエッチングローラー５からのイオンによってフィルム３にイオンエッチング処理を行う。 （もっと読む）

【課題】全面均一平坦シード層を用い、かつｐ型半導体層のキャリア濃度を増大化させ、信頼性の高い高輝度のＬＥＤ等を得る。
【解決手段】サファイア基板１１表面に、シード層１２として、縦断面ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）写真の２００ｎｍ観察視野において結晶粒界が観察されないＡｌＮ結晶膜を形成させ、ついでＩＩＩ族窒化物半導体からなる、ｎ型半導体層１４、発光層１５およびｐ型半導体層１６を積層してなるＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体２０を製造するに際し、下記（Ａ）〜（Ｄ）から選ばれる少なくとも１種の方法を用いてｐ型半導体層のキャリア濃度を増大化させる。(Ａ）ｐ型半導体層の成膜をN₂主体のキャリアガスを用いて行なう。（Ｂ）ｐ型半導体層の成膜終了後の冷却中の雰囲気をN₂主体にする。(Ｃ）得られたＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体を熱処理する。(Ｄ）得られたＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体をN₂プラズマ処理する。 （もっと読む）

【課題】配線のエレクトロマイグレーション耐性を向上させる。
【解決手段】めっき法を用いてＣｕ配線２０を形成する際、まず第１の電流密度の条件で第１の平均粒径を有する第１の金属膜を形成し、次いで、第１の電流密度よりも高い第２の電流密度の条件で第１の平均粒径よりも大きい第２の平均粒径を有する第２の金属膜を形成する。その後、第１，第２の金属膜の上部に所定元素を導入し、導入後、第１，第２の金属膜上にキャップ膜を形成する。
【選択図】図５
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【課題】光電変換装置の高効率化と生産性向上の両立を図る。
【解決手段】一導電型の不純物元素が添加された不純物半導体層と、一導電型とは逆の導電型の不純物元素が添加された不純物半導体層との間に、被膜の成膜方向に向かって成長する第１の結晶領域と第２の結晶領域とを含む半導体層を有する。一方の不純物半導体層との界面から第１の結晶領域が成長しており、一方の不純物半導体層との界面から離れた位置から他方の不純物半導体層との界面に向かって第２の結晶領域が成長している。非晶質構造の中に存在している第１の結晶領域と第２の結晶領域とを含む半導体層で、光電変換を行う領域の主要部を構成する。 （もっと読む）