磁気記録媒体は、基板と、基板上に形成された下部電極層と、下部電極層上に形成された陽極酸化アルミナ膜（１３）と、陽極酸化アルミナ膜（１３）の上部表面及び細孔（１４）の内壁に形成された炭素層（１５）と、細孔（１４）の炭素層（１５）を介して内部に形成された磁性粒子（１６）と、炭素層（１５）及び磁性粒子（１６）の表面に形成された潤滑層などから構成される。炭素層（１５）により陽極酸化アルミナ膜（１３）の表面及び細孔（１４）の内壁を覆うことにより、陽極酸化アルミナ膜（１３）を保護して、耐蝕性及び耐久性に優れた磁気記録媒体を実現する。
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【課題】 過酷な耐蝕性試験でも反射率が劣化することがないＡｇ系反射膜およびその作製方法の提供。
【解決手段】純Ａｇ膜や、ＡｇＡｕ系、ＡｇＡｕＳｎ系、ＡｇＰｄ系、ＡｇＰｄＣｕ系の合金膜に、極薄のキャップ層として、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＩＺＯおよびＳｎＯ_２の金属酸化物、Ｓｉ、Ａｌ、ＴｉおよびＴａの酸化物、ならびにＳｉ、Ａｌ、ＴｉおよびＴａの窒化物から選ばれた材料で構成された膜厚３〜５０ｎｍの膜を積層して２層膜とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、アルカリ性溶液に浸しても基材とガスバリア層の剥離がなく、かつ安定したバリア性能を保つことのできる積層体、及びその製造方法を提供するものである。
【解決手段】 高分子樹脂基材上にガスバリア層、窒化珪素薄膜が形成されてなる積層体であって、ｐＨ１４以上のアルカリ性溶液に１分間浸漬した後の、ＪＩＳＫ５６００−５−６に規定する密着強度試験で１ｍｍのカット間隔で剥離がないことを特徴とするガスバリア積層体とするものである。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜に代表される薄膜をガラス板上の一部に選択的に堆積させる新たな方法を提供する。
【解決手段】ガラス板１上の所定領域に形成された成長起点３のみから薄膜が成長を開始するように成分を調整した原料ガスを用いた化学蒸着（ＣＶＤ）法により、薄膜（例えば酸化錫膜等の透明導電膜）を上記所定領域に選択的に成長させる。成長起点３は微粒子であってもよい。 （もっと読む）

【課題】本発明は上記問題点を解決するためになされたものであり、水蒸気透過率が５×１０^-3ｇ／ｍ²／ｄａｙ以下及び／又は酸素透過率が５×１０^-3ｃｃ／ｍ²／ｄａｙ以下、さらには、ＥＬ基板に求められる水蒸気透過率１×１０^-6ｇ／ｍ²／ｄａｙ以下、酸素透過率１×１０^-3ｃｃ／ｍ²／ｄａｙ以下のバリアフィルムを安価に提供するものである。
【解決手段】樹脂フィルムの両面に、５ｎｍ〜１００ｎｍ厚の酸化珪素膜からなるバリア層と、さらにその外側に０．１〜３μｍ厚のアクリレート又はメタクリレート膜からなる保護層とを設けた両面に単膜のバリア層を形成した構造のバリアフィルムであって、バリア層及び保護層が真空成膜により形成されたバリアフィルムの水蒸気透過率が５×１０^-3ｇ／ｍ²／ｄａｙ以下及び／又は酸素透過率が５×１０^-3ｃｃ／ｍ²／ｄａｙ以下となるバリアフィルムである。 （もっと読む）

オプトエレクトロニクスまたはエレクトロニクス機器に使用されるテンプレート型基板は、Ａ）アルカリ金属（Ｉ族元素、IUPAC 1989）の少なくとも１種を含有する窒化物バルク単結晶層、及びＢ）気相エピタキシャル成長法で形成した窒化物層を備え、層Ａ）及びＢ）は層Ａ）の非Ｎ極性面及び層Ｂ）のＮ極性面で結合する。ゆえに、
形成したテンプレート型基板は良好な欠陥密度を有し、（０００２）面からのＸ線ロッキングカーブの半値幅が８０以下という良好な値であり、形成した基板は、ＭＯＣＶＤ、ＭＢＥおよびＨＶＰＥといった気相から形成するエピタキシ基板に非常に有用であり、レーザダイオードや高出力ＬＥＤといった良好なオプトエレクトロニクス機器やＭＯＳＦＥＴといった良好なエレクトロニクス機器を製造できる。
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【課題】環境温度の上昇、また昇温と降温の繰り返しなどの条件下において、被覆されたＤＬＣ膜の亀裂や剥離の発生を抑制する半導体加工装置用部材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、被覆層を１層以上有する金属製基材からなる半導体加工装置用部材であって、前記被覆層の最外層が水素含有量１８〜４０ａｔ％のダイヤモンドライクカーボン層である。また、本発明の半導体加工装置用部材の製造方法は、金属製基材表面又は被覆層を１層以上有する金属製基材の最外層に、炭化水素含有ガス雰囲気下で、パルス幅が１μＳ〜２０ｍＳ、印加電圧が−１〜−５０ｋＶ、パルス繰り返しが１０００〜８０００ｐｐｓのパルス電圧を印加することにより発生するプラズマによってアモルファスカーボンを析出させるものである。 （もっと読む）

【課題】 人工関節用インプラントの耐久性を高める。
【解決手段】 炭化水素ガス及び有機シリコンガスの混合ガスのプラズマを使用し、炭化水素ガスのガス種とイオン注入電圧とを変化させて、イオン注入及びＣＶＤを組み合わせた複合プロセスにより、インプラント基材（１ａ）の表面にＤＬＣ膜（５）を成膜する。人工関節用インプラントのＤＬＣ膜の界面接着強度を高め、摩擦係数を低減することができ、従って、人工関節の強度、耐久性を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板や炭化珪素基板などの窒化物半導体とは格子不整合な材料からなる基板の上に、再現性よく品質の高い窒化物半導体の結晶層が形成できるようにする。
【解決手段】まず、サファイア基板１０１の上に、例えばスパッタ法により、Ａｌ₂Ｏ₃層１０２、ＡｌＯ_xＮ_y層１０３、ＡｌＮ層１０４が形成された状態とする。この後、ＡｌＮ層１０４の上に、亜鉛がドープ（２×１０¹⁸ｃｍ^-3）されたｐ形のＧａＮ（結晶）からなるバッファ層１０５が形成された状態とする。例えば、有機金属気相成長法によりバッファ層１０５が形成できる。 （もっと読む）

少なくとも滑り面の一定部分に少なくとも支持コート層と滑りコート層とからなる被覆コート層が析出被着された、滑り軸受に使用するための銅または銅含有合金からなる軸受材料であって、滑りコート層は硬質コート層であって、ダイヤモンドタイプの炭素を含有してなる軸受材料。 （もっと読む）

処理チャンバ内のセラミック基板ヒータ上の基板を処理する方法である。この方法は、処理チャンバ内のセラミック基板ヒータ上に保護コーティングを形成する段階、前記コーティングされたセラミック基板ヒータ上で基板を処理する段階、を含む。前記処理する段階は、前記セラミック基板ヒータ上で処理される基板を提供する段階と、前記基板を処理ガスで露光することによって前記基板上で処理を行う段階と、前記処理された基板を前記処理チャンバから取り外す段階と、を含む。
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本発明は、ＩＶＢ族、ＶＢ族、又はＶＩＢ族の少なくとも１つの元素を含む第一中間層と、前記第一中間層の上に堆積した、ダイヤモンド様ナノコンポジット組成物を含む第二中間層と、前記第二中間層の上に堆積したダイヤモンド様炭素層とを備えた積層構造物に関する。本発明は、更に、そのような積層構造物で被覆された基材を高剪断用途及び／又は高衝撃用途に使用することに関するとともに、そのような積層構造物で基材を被覆する方法に関する。 （もっと読む）

【課題】 間欠的なプリカーサガスフロープロセスを使用して金属層を形成する方法を提供することである。
【解決手段】 間欠的なプリカーサガスフロープロセスを使用して基板上に金属層を形成する方法は、提供される。方法は、金属−カルボニルプリカーサガスのパルスに基板を曝すと共に、還元ガスに基板を曝すことを含む。所望の厚さを有する金属層が基板上に形成されるまで、プロセスは実行される。金属層は、基板上に形成されることができ、または、交互に、金属層は、金属核生成層上に形成されることができる。 （もっと読む）

後の堆積、特に原子層堆積（ＡＬＤ）によるゲート絶縁体堆積のための調製において、ゲルマニウム表面（２００）を処理するための方法が提供される。堆積の前に、該ゲルマニウム表面（２００）は、プラズマプロダクトを用いて反応されるか、又は気相反応物を用いて熱的に反応される。表面処理の例は、ＡＬＤ反応物により容易の吸着する酸素ブリッジ、窒素ブリッジ、−ＯＨ、−ＮＨ、及び／又は−ＮＨ_２末端を残す。該表面処理は、該反応物の該ゲルマニウムバルクへの深い浸透を回避するが、核形成を改良する。

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【課題】 磁気記録媒体表面に塗布される潤滑層において、潤滑剤が保護層に結合するのを阻害する不純物を除くことにより、結合潤滑層を厚くする方法であって、蒸着速度を制御することができる量産にも適した磁気記録媒体の製造方法、並びに製造装置を提供することである。
【解決手段】 基板上に各種の下地層、磁気記録層、保護層および潤滑層が積層された磁気記録媒体を製造する方法において、前記保護層および前記潤滑層を、それぞれ保護層を形成する真空槽および潤滑層を形成する真空槽で連続して形成し、前記保護層を形成する真空槽と前記潤滑層を形成する真空槽とが相互に遮断されており、前記保護層および前記潤滑層を孤立した状態で形成することを特徴とする方法。 （もっと読む）