【課題】 真空成膜装置に含まれる基体を保持するキャリアを工夫することで、磁気記録媒体の成膜工程において基体の温度をそれぞれの成膜工程に適した温度に近づけることが可能となるため、磁気記録媒体の品質の向上を図ることができる。
【解決手段】 本発明による磁気記録媒体としての垂直磁気記録媒体１００の製造方法は、真空成膜装置としてのＤＣマグネトロンスパッタリング装置２００を用いて、ディスク基体１１０上に少なくとも磁気記録層１２２を成膜する成膜工程を含む垂直磁気記録媒体の製造方法であって、成膜工程では、キャリア２０８に取り付けられたグリッパ２１６をディスク基体に接触させてディスク基体を保持し、グリッパは複数の金属からなる積層構造であって、グリッパの表層２１６ａを構成する金属はグリッパの下層２１６ｂを構成する金属より熱伝導率が高いことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】膜硬度が高く、平滑性、耐擦過性、密着性に優れた積層構造を有するハードコート層付積層体を提供する。
【解決手段】樹脂基材の少なくとも一方の面に、無機粒子を含有する２層以上のハードコート層と金属酸化物層とをこの順で積層したハードコート層付積層体において、該２層以上のハードコート層のそれぞれが含有する無機粒子の平均粒径が異なり、かつ該金属酸化物層に向かって無機粒子の平均粒径が小さい層構成であることを特徴とするハードコート層付積層体。 （もっと読む）

【課題】膜質が良好な有機層および無機層を、高い生産効率で成膜することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】本発明の成膜装置は、長尺の基板を長手方向に所定の搬送経路で搬送しながら、基板の表面に有機層を形成し、有機層上に無機層を形成するものである。この成膜装置は、基板を長手方向に所定の搬送経路で搬送する搬送手段と、有機層を基板の表面に形成する第１の成膜手段が設けられた第１の成膜室と、第１の成膜室の搬送経路の下流側に配置されるとともに有機層上に無機層を形成する第２の成膜手段が設けられた第２の成膜室と、第１の成膜室内および第２の成膜室内を所定の圧力に減圧する真空排気手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマビームにより基体を被覆及び表面処理する。
【解決手段】プラズマトーチ（４）を具えた加工室（２）を利用できるようにし、プラズマガスを前記プラズマトーチ（４）を通って送り、その中で電気ガス放電、電磁気誘導又はマイクロ波により加熱して、プラズマビーム（５）を生成させ、前記プラズマビーム（５）を、加工室中に導入した基体（３）上に送り、前記利用できるようにしたプラズマトーチ（４）が固体材料粒子をプラズマ溶射するための電力を有し、前記被覆及び／又は表面処理の間、前記加工室（２）中の圧力が０．０１〜１０ｍｂになり、液状又はガス状の少なくとも一種類の反応性成分を前記プラズマビーム（５）中に注入し、前記基体（３）の表面を被覆し又はそれを処理する。 （もっと読む）

本発明は、基板上の透明バリア層システムに関しており、このバリア層システムには一連の個別層が含まれており、これらの個別層は層Ａおよび層Ｂから交互に構成されており、層Ａと層Ｂとは、水蒸気が透過する際の活性化エネルギが少なくとも1.5kJ/molの差分だけ異なる。
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【課題】半導体加工処理容器内部材は、ハロゲンガスを含む環境でプラズマエッチング加工されると、早期に腐食損傷を受けるとともに、微小なパーティクルを発生して処理容器内を汚染して、半導体の加工生産能力を甚しく低下させる問題がある。
【解決手段】めっき皮膜やＰＶＤ皮膜等からなるアンダーコート層を有する基材の表面に、そのアンダーコート層中に炭素と水素を主成分とする超微小固体粒子を侵入させると共に、該アンダーコート層材表面にも、これらの超微小固体粒子の集合体からなる皮膜を被覆形成してなる半導体加工装置用部材である。 （もっと読む）

【課題】金属カルボニル原料を一酸化炭素とともに供給し、被処理基板上に金属膜を成膜する成膜方法において、前記金属カルボニル原料の過剰な分解を抑制しつつ、金属膜の成膜速度および膜厚の面内均一性を向上する。
【解決手段】成膜方法は、金属カルボニルを含む処理ガスと一酸化炭素を含むキャリアガスとを含む処理ガス流を、前記被処理基板表面を避けて、被処理基板の外周よりも径方向上外側の領域に流し、前記処理ガス流から前記金属カルボニルを前記被処理基板表面へ拡散させ、前記被処理基板表面に金属膜の成膜を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡便な製法により従来よりもバリア性が高い有機無機積層型のバリア性積層体を提供する。
【解決手段】プラスチックフィルム支持体上に、少なくとも１層の有機層と、少なくとも１層の無機層とを有するバリア性積層体を製造する方法において、支持体にバイアスを印加しながら前記有機層をスパッタリング法によって成膜する。 （もっと読む）

追加の生成ステップを含まずに、PECVDによりパターン化されたコーティングを生成する方法について本明細書に説明する。直接蒸着により表面上にモス・アイ状のマクロ構造を生成する方法を提案する。加えて、生成されるマクロ構造は、サブ波長域において表面テクスチャを有する微細構造により調整されうる。結果として、光学的に透明な材料から成るキャリア層を備える保護・反射防止コーティングであって、少なくとも一表面側において、表面の照射入射の光波長に対して反射防止特性を提示するコーティングが生成可能であり、また、超疎水性表面特性をベースとする表面構造も生成可能である。 （もっと読む）

【課題】性能を確保しながらコストを低減することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】貫通穴２が形成された基板１上にＡｌＮ層３、ＧａＮ層４、ｉ−ＡｌＧａＮ層５、ｎ−ＡｌＧａＮ層６及びｎ−ＧａＮ層７を形成する。更に、ソース電極９ｓ、ドレイン電極９ｄ及びゲート電極９ｇを形成し、半導体素子を形成する。その後、ＨＦ溶液中において、貫通穴２に向けて紫外線を照射することにより、ＡｌＮ層３を基板１から分離する。その後、ＡｌＮ層３を除去し、ＧａＮ層４の裏面に絶縁性の基板を貼り合わせる。 （もっと読む）

【課題】 金属酸化物を用いた透明導電膜では、光学設計の為に低屈折率材料を中間にはさんで使用する技術があったが、従来の低屈折率材料は絶縁体であり、低抵抗透明導電膜の形成に課題があった。また低屈折率のカーボン層は厚膜とすると耐衝撃性に課題があった。
【解決手段】 屈折率が１．４０〜１．８０を示す、低屈折率のカーボン層と酸化亜鉛透明導電酸化物層とを交互積層した透明導電性中間層を透明金属酸化物層の中間層に使用することで、導電性・透明性・耐衝撃性に優れた透明導電膜を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ基板をサセプター上に載置し、気相成長する場合に、ＳｉＣ基板がサセプターに固着せず、剥がすときにＳｉＣ基板の損傷を防止することができるＳｉＣ基板を提供する。
【解決手段】本発明のＳｉＣ基板は、第５族元素の炭化物と、第６族元素の炭化物と、第１３族元素の窒化物とからなる群より選ばれる少なくとも１つを含む組成の薄膜を主面に有する気相成長用基板である。この薄膜は、ＴａＣ、ＮｂＣ、ＭｏＣ、ＷＣ、ＣｒＣ、ＧａＮ、ＡｌＮまたはＢＮを含む組成を有する態様が好ましい。 （もっと読む）

【課題】薄膜間の界面が急峻で良質な単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜を成長させることができる単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜の成長方法を提供する。
【解決手段】ＹＳＺ基板やＭｇＯ基板などからなる基板１０１上にパルス・レーザ・デポジション法やスパッタリング法などによりアモルファスオキシカルコゲナイド系薄膜１０２を成長させ、このアモルファスオキシカルコゲナイド系薄膜１０２を反応性固相エピタキシャル成長法により結晶化させることにより単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜１０３を形成する。この単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜１０３上に溶液気化ＣＶＤ法により単結晶オキシカルコゲナイド系薄膜１０４を成長初期からエピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

【課題】厚膜且つ大面積のIII族窒化物系化合物半導体基板を得る。
【解決手段】サファイア基板１０にＴｉＮから成る高融点金属窒化物層２０を形成し（１．Ａ）、ＭＯＣＶＤ法により、４００℃で厚さ７０ｎｍのＡｌＮから成るバッファ層３０を形成し（１．Ｂ）、１１５０℃で厚さ１０μｍのＧａＮから成る第１の半導体層４０を形成し（１．Ｃ）、ＨＶＰＥ法により厚さ３００μｍのＧａＮから成る第２の半導体層５０を形成した（１．Ｄ）。冷却し、濃硝酸と過酸化水素水の混合物であるエッチング液Ｅに浸漬した（１．Ｅ）。ＴｉＮから成る高融点金属窒化物層２０は、チタンイオンと窒素分子に分解し、ＡｌＮから成るバッファ層３０、ＧａＮから成る第１の半導体層４０及びＧａＮから成る第２の半導体層５０から成る積層体１００からサファイア基板１０が剥離した（１．Ｆ）。こうして、III族窒化物系化合物半導体基板１００を得た（１．Ｇ）。 （もっと読む）

【課題】ピエゾ電界の悪影響を派生問題なく効果的に緩和若しくは最小化する。
【解決手段】各非縦方向成長部４の上面では、ｘｙ平面に平行にｒ面が結晶成長し、これらの個々のｒ面は、側壁面１ｂの近傍に若干のボイド５を形成しつつも、ストライプ溝Ｓを完全に覆い隠すまで結晶成長して、最終的には略一連の平坦面が形成される。この時以下の結晶成長条件下で５０分間、非縦方向成長部４のファセット成長を継続する。このファセット成長の条件設定は、継続的かつ順調なファセット成長を促進する上で重要である。また、下記の結晶成長速度は、ｒ面に垂直な方向の結晶成長速度である。
結晶成長温度 ： ９９０〔℃〕
結晶成長速度 ： ０．８〔μｍ／ｍｉｎ〕
供給ガス流量比（Ｖ／III 比）： ５０００ （もっと読む）

【課題】 本発明は、ＣＩＳ系薄膜太陽電池の高抵抗バッファ層を、一連の製造ラインで効率的に生産可能で、廃液等の処理も不要な、生産効率の高いＣＩＳ系薄膜太陽電池の製造方法を得ることを課題とする。
【解決手段】 基板上に裏面電極を製作する工程と、裏面電極上にｐ型ＣＩＳ系光吸収層を製膜する工程と、上記ｐ型ＣＩＳ系光吸収層上に、直接、酸化亜鉛系薄膜からなるバッファ層を製膜する工程と、上記バッファ層上に酸化亜鉛系薄膜からなるｎ型透明導電膜を製膜する工程と、を有し、上記バッファ層製膜工程及び、上記ｎ型透明導電膜製膜工程は、ＭＯＣＶＤ法により行われ、上記ｎ型透明導電膜層製膜工程の原料モル比（[Ｏ]／[Ｚｎ]）よりも、上記バッファ層製膜工程の原料モル比（[Ｏ]／[Ｚｎ]）を高くした。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れるとともに、優れた結晶性が得られるＩＩＩ族窒化物半導体結晶の製造方法及びＩＩＩ族窒化物半導体結晶を提供する。
【解決手段】基板１１上に、少なくともＩＩＩ族窒化物化合物からなる中間層１２を積層し、該中間層１２上に、ＩＩＩ族窒化物半導体結晶を成膜する方法であり、基板１１の温度を２５℃〜１０００℃の範囲とするとともに、処理時間を３０秒〜３６００秒の範囲として、基板１１に対してプラズマ処理を行う前処理工程と、次いで、基板１１上に中間層１２をスパッタ法によって成膜するスパッタ工程が備えられている。 （もっと読む）

【課題】 成膜工程における基板の加熱処理とプラズマ処理を、同じ位置において連続的に実施することができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】 基板６とプラズマ電極用金属板３の間に配置された筒状のアースシールド４と、アースシールド４の基板側端部近傍に移動可能に設けられ、表面が黒色化処理された遮蔽板５（５ａ、５ｂ）とを備えている。プラズマ処理を行わない時には、遮蔽板５がアースシールド４の開口部を覆ってプラズマ電極用金属板３と基板６の間を遮蔽するので、プラズマ放電により加熱された遮蔽板５で基板６を加熱処理することができる。また、プラズマ処理時には、遮蔽板５ａ、５ｂが移動してアースシールド４の開口部を開くため、加熱処理後でも基板を移動させることなくプラズマ電極用金属板３と対向した基板６上にプラズマ処理をすることができる。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性で摩擦の少ない多層構造体を提供することである。
【解決手段】硬質材料個別層と、炭素個別層またはシリコン個別層との交互の層からなる多層構造体であって、前記硬質材料個別層は、金属、金属炭化物、金属ケイ化物、金属炭化ケイ化物、金属ケイ化窒化物、金属炭化物含有炭素、金属ケイ化物含有シリコン、または前記物質の少なくとも２つからなる含有物であり、前記金属は、タングステン、クロム、チタン、ニオブおよびモリブデンの群から選択され、前記炭素個別層は、非結晶水素含有炭素、非結晶水素無含有炭素、シリコン含有炭素、または金属含有炭素からなる、ことを特徴とする多層構造体。 （もっと読む）

本発明は、疎水性の表面を材料上につくり出すための方法と装置に関する。本発明は、構造化しようとする表面に向けて、表面を構造化する粒子スプレーを、表面を構造化するように導くこと；及び構造化された表面を疎水性材料でコーティングすること；を含む。本発明によれば、所定のサイズｄ_２より大きい粒子が、１つ以上のインパクションノズル（７，１１）によって粒子スプレーから分離され、これらの粒子が、構造化しようとする表面（９）に向けて、該粒子が構造化しようとする表面（９）と衝突して、これにより表面上に構造物がつくり出されるように導かれる。次いで、構造化された表面が出発物質の交互表面反応にて処理されるという気体デポジション法によって、構造化された表面がコーティングされる。 （もっと読む）