【課題】銅ダマシン配線上への誘電体層の形成において、導電材料と誘電体層間の密着性を向上する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】オルガノシロキサンからなる第２誘電体層１１８に、ＴａＮからなる金属バリア層１２４とＣｕからなる導電性金属特徴部１２６を形成する。平坦化後アンモニアプラズマ処理還元により表面の酸化物を除去する。連続して真空を破壊せずに、トリメチルシランからなる有機ケイ素化合物を導入し、プラズマプロセスによりＳｉＣＮ膜１３０を形成し、さらに連続してＳｉＣ膜１３２を堆積する。酸化物の除去から誘電体層の形成までインサイチュで行うことが可能である。 （もっと読む）

【課題】形成される膜の膜質および膜厚が均一となるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明のプラズマ処理装置１は、処理室２内に配設された第１の電極３と、第１の電極３に対向し、基板１０を保持できる第２の電極４と、処理室２内から排気を行なう排気手段と、処理室２内にガスを供給するガス供給手段と、を備え、第１の電極３は、第２の電極４に対向する側に凸部４１を有し、凸部４１の先端部にガス供給口４２が形成されたものであって、複数の凸部４１（４１ａ〜４１ｅ）の先端部の幅が、第１の電極３の中央部に比べ、外周部の方が小さい。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜のヘイズ率を高くしても、その表面の表面粗さの上昇を抑制できる透明導電膜付きガラス板を提供する。
【解決手段】ガラス板１１と、ガラス板１１上に形成された透明導電膜１５と、を備え、透明導電膜１５が透明導電層（透明導電層Ａ）１３と透明導電層（透明導電層Ｂ）１４を有し、透明導電層Ｂ１４が透明導電層Ａ１３の上に形成され、透明導電膜１５が複数の空孔１３ａ（１３ｂ）を含み、複数の空孔１３ａ（１３ｂ）の各々が、透明導電層Ａ１３の表面における凹部１３ｈを透明導電層Ｂ１４塞いだものである、透明導電膜付きガラス板１０、を提供する。透明導電膜ガラス板１０は、透明導電層Ａ１３の表面の一部の領域をエッチングによって膜厚方向に後退させるとともに、当該一部の領域を塞ぐように透明導電層Ａ１３の上に透明導電層Ｂ１４を形成することで得ることができる。 （もっと読む）

【課題】高温でも耐酸化性や摩擦摺動特性等に優れる被覆部材を提供する。
【解決手段】
本発明の被覆部材は、基材と、この基材の少なくとも一部を被覆しＳｉ、Ｈおよび残部であるＣからなる非晶質炭素膜（ＤＬＣ−Ｓｉ膜）とを有する被覆部材であって、その非晶質炭素膜は、表面近傍のＳｉ濃度が基材との界面近傍のＳｉ濃度よりも高いことを特徴とする。本発明に係る非晶質炭素膜は、表面近傍でのＳｉ濃度が高いことにより高温域でも硬質性が保持されると共に、基材との界面近傍でのＳｉ濃度が低いので、適度な靱性を有して高温域でも高い密着性を発現する。これらが相乗的に作用して、本発明の被覆部材は安定した耐熱性を発現する。本発明に係るＤＬＣ−Ｓｉ膜は、表面側のＳｉ濃度が８〜３０原子％であり、基材側のＳｉ濃度が漸増する傾斜組成であると好適である。 （もっと読む）

【課題】高いガスバリア性能を有するガスバリアフィルムを形成するための成膜方法、およびこれらの成膜方法を用いて形成されたガスバリアフィルムを提供する。
【解決手段】成膜方法は、長尺の基板をドラムの表面の所定の領域に巻き掛け、所定の搬送方向に搬送しつつ、所定の真空度のチャンバ内で基板の表面に無機膜を形成する方法であり、チャンバ内に基板の表面に無機膜を形成する成膜部と、水分を吸着する機能を有する金属を基板以外のものに蒸着する蒸着部とが設けられており、成膜部により基板の表面に無機膜を形成する前、および無機膜の形成中の少なくとも一方のタイミングで蒸着部による蒸着を行う。 （もっと読む）

【課題】高速高送りミーリング切削加工において、硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具およびその製造方法を提供する。
【解決手段】工具基体表面に、Ｔｉ化合物層あるいは（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎ層を下部層として形成し、その上に、ダイナミックオーロラＰＬＤ法により、（００１）面配向のＹＳＺからなる密着層、結晶構造がコランダム構造からなり（０００１）面配向の（Ｃｒ，Ａｌ）_２Ｏ_３あるいはＣｒ_２Ｏ_３からなる中間層、ＭＯＣＶＤ法により結晶構造がコランダム構造からなり（０００１）面配向のα−Ａｌ_２Ｏ_３からなる上部層、をそれぞれ形成した表面被覆切削工具。 （もっと読む）

【課題】高速高送りターニング切削加工において、硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具およびその製造方法を提供する。
【解決手段】工具基体表面に、Ｔｉ化合物層あるいは（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎ層を下部層として形成し、その上に、ダイナミックオーロラＰＬＤ法により、（００１）面配向のＹＳＺからなる密着層、結晶構造がコランダム構造からなり（０００１）面配向の（Ｃｒ，Ａｌ）_２Ｏ_３あるいはＣｒ_２Ｏ_３からなる中間層、ＭＯＣＶＤ法により結晶構造がコランダム構造からなり（０００１）面配向のα−Ａｌ_２Ｏ_３からなる上部層、をそれぞれ形成した表面被覆切削工具。 （もっと読む）

【課題】基板上に｛１００｝配向性のABO₃型ペロブスカイト型酸化物からなる誘電層を有し、インクジェットヘッド用の圧電体等に好適に用いることのできる誘電体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板５上に、（１１１）配向性の金属自然配向膜３６と、金属自然配向膜３６上に該金属自然配向膜３６に接して設けられた、｛１００｝配向性のＬａがＡサイトに入ったABO₃型ペロブスカイト型酸化物からなる第１の下部電極３１と、第１の下部電極３１上に該第１の下部電極３１に接して設けられた、｛１００｝配向性の（Ｓｒ_x，Ｃａ_y，Ｂａ_z）ＲｕＯ₃（但しｘ＋ｙ＋ｚ＝１）系ABO₃型ペロブスカイト型酸化物からなる第２の下部電極３２と、第２の下部電極３２上に該第２の下部電極３２に接して設けられた、｛１００｝配向性のABO₃型ペロブスカイト型酸化物からなる誘電層７と、該誘電層上に設けられた上部電極８とを設けて誘電体を構成する。 （もっと読む）

【課題】誘電体被覆電極及びプラズマ放電処理装置を提供する。
【解決手段】導電性母材（中空のステンレスパイプ）３６ｂ，３６Ｂを誘電体３６ａ，３６Ａで被覆した角柱型の誘電体被覆電極３６ｃ，３６Ｃであって、誘電体３６ａ，３６Ａの空隙率が１０体積％以下である。具体的には、セラミックスの溶射を空隙率１０体積％以下まで緻密に行い、更にゾルゲル反応により硬化する無機質の材料にて封孔処理を行う。ここでゾルゲル反応の促進には、熱硬化やＵＶ硬化が良く、更に封孔液を希釈し、コーティングと硬化を逐次で数回繰り返すと、よりいっそう無機質化が向上し、劣化の無い緻密な電極が出来る。 （もっと読む）

【課題】高いガスバリア性が必要とされる場合に好適に用いることができる透明なガスバリア性積層フィルムを提供する。
【解決手段】基材層１の少なくとも片面に、アンカー層２と、ＳｉＯｘＣｙ（ｘは１．５以上２．０以下、ｙは０以上０．５以下）で表される酸化珪素からなるガスバリア層３と、オーバーコート層４とが順次形成され、基材層１の屈折率ｎ１、アンカー層２の屈折率ｎ２、ガスバリア層３の屈折率ｎ３、オーバーコート層４の屈折率ｎ４が、ｎ１＞ｎ２＞ｎ３＞ｎ４で表され、それぞれ１．４≦ｎ２≦１．７、１．３≦ｎ３≦１．６、１．２≦ｎ４≦１．５であり、アンカー層２の厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、ガスバリア層３の厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、オーバーコート層４の厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であるガスバリア性積層フィルム。 （もっと読む）

【課題】 各膜の組成が異なる積層膜を、極めて効率よく、しかも酸化等の不都合が生じることなく形成することができる積層膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】 処理室内に基板１を配置し、処理室に、少なくとも、金属カルボニルを含有する原料を含む成膜原料を導入し、ＣＶＤにより基板１上に金属カルボニル中の金属を含む複数の膜６ａ、６ｂを含む積層膜を形成する積層膜の形成方法であって、上記積層膜に含まれる膜は、同一処理室内で、原料種および／または成膜条件を異ならせて連続成膜され、上記膜の組成が異なる積層膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】電気クロムめっき膜をアンダーコートとしてその上に積層される高品質ＤＬＣ膜の密着性を向上させること、とくに膨れ現象を発生させることのないＤＬＣ膜被覆部材とそれの製造方法を提案することにある。
【解決手段】金属製基材と、その表面に被覆形成された、被熱処理電気クロムめっき膜と、そのめっき膜表面に被覆形成されたＤＬＣ膜とからなるＤＬＣ膜被覆部材およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】結晶粒界の少ない炭化タンタル被覆膜を有する炭化タンタル被覆炭素材料を得る。
【解決手段】炭素基材上に炭化タンタル被覆形成工程により炭化タンタル被覆膜を形成する炭化タンタル被覆炭素材料の製造方法であり、炭素基材の表面にタンタル被覆膜を形成するタンタル被覆膜形成工程とタンタル被覆膜を浸炭処理する浸炭処理工程とを経て第１炭化タンタル被覆膜を形成する第１炭化タンタル被覆膜形成工程と、前記第１炭化タンタル被覆膜上に新たな第２炭化タンタル被覆膜を形成する第２炭化タンタル被覆膜形成工程を有する。 （もっと読む）

【課題】後工程のダメージがなく、優れた特性を有する強誘電体キャパシタを提供する。
【解決手段】実施形態に係わる半導体装置の製造方法は、半導体基板の上方に、誘電体膜を下部電極と上部電極とで挟んでなるキャパシタ（２００，３００，４００）を形成する第１の工程と、Ｏ_３とＴＥＯＳを原料としたＣＶＤ法により、キャパシタ（２００，３００，４００）を覆う酸化膜（１２２，１２５，１２８）を形成する第２の工程と、ＡＬＤ法により、酸化膜（１２２，１２５，１２８）上に保護膜としてのＡｌ_２Ｏ_３（１２３，１２６，１２９）膜を形成する第３の工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】高いＳＮＲを確保しつつ摺動耐久性を向上させることで、信頼性の向上および更なる高記録密度化の達成を図る。
【解決手段】本発明にかかる垂直磁気記録媒体の製造方法の構成は、基板上に少なくとも、ＣｏＣｒＰｔ合金を主成分とする磁性粒子と酸化物を主成分とする非磁性の粒界部とからなる主記録層を成膜する主記録層成膜工程と、主記録層上にＲｕ合金またはＣｏ合金を主成分とする分断層を成膜する分断層成膜工程と、分断層成膜工程の後に基板に加熱処理を施す第１加熱工程と、第１加熱工程の後にＣｏＣｒＰｔを主成分とする材料からなる補助記録層を成膜する補助記録層成膜工程と、補助記録層成膜工程の後に基板に加熱処理を施す第２加熱工程と、第２加熱工程の後にＣＶＤ法によりカーボンを主成分とする保護層を成膜する保護層成膜工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】工具基体表面に対し、すぐれた密着性を有し、ＣＦＲＰ、Ａｌ合金等の難削材の高速切削加工で、すぐれた耐剥離性、耐摩耗性を発揮するダイヤモンド被覆超硬合金製切削工具を提供する。
【解決手段】超硬合金からなる工具基体表面に、ＷＣ層からなる下地層とダイヤモンド層からなる上部層とを蒸着形成したダイヤモンド被覆超硬合金製切削工具において、電界放出型走査電子顕微鏡を用いて、下地層、上部層の各結晶粒の（１１１）面の法線が基体表面の法線に対してなす傾斜角を測定し、傾斜角度数分布グラフを作成した場合、ＷＣ層については、０〜１０度の範囲内の傾斜角区分に最高ピークが存在し、かつ、該角度範囲内に存在する度数の合計が、度数全体の７０％以上の割合を占め、また、ダイヤモンド層については、０〜１０度の範囲内の傾斜角区分に最高ピークが存在し、かつ、該角度範囲内に存在する度数の合計が、度数全体の８０％以上の割合を占める。 （もっと読む）

本発明は、アルミニウムドープされた酸化亜鉛で基板をコーティングする方法であって、固体ターゲットのアトマイゼーションによって、酸化亜鉛、またはドープされた、特にアルミニウムドープされた酸化亜鉛を含有する５ｎｍ〜４００ｎｍ厚の核形成層を基板表面上に形成するステップと、アルミニウムドープされた酸化亜鉛を含有し、核形成層上に準エピタキシャルで継続成長するトップ層を形成するステップと、トップ層を湿式化学エッチングするステップとを含む方法に関する。 （もっと読む）

【課題】効率的にぺロブスカイト構造酸化物薄膜の結晶方位制御ができ、容易に高品位の正方晶系ぺロブスカイト構造酸化物薄膜を提供し得る方法を提供する。
【解決手段】蛍石型の結晶構造を有する金属フッ化物を主成分とする基板の（１１１）面上または（１００）面上に、正方晶系の結晶構造を有し、かつ（００１）、（１０１）または（１１１）の単一結晶配向を有するぺロブスカイト構造酸化物薄膜を作製する（ただし、（１００）面上に、（００１）の単一結晶配向を有する場合を除く）。蛍石型の結晶構造を有する金属フッ化物を主成分とする基板は、金属サイトまたはＦサイトの一部を他の元素で置換して格子定数を制御されていてもよい。 （もっと読む）

【課題】酸化膜とＣＶＤ膜との密着性を高めて界面特性の優れた膜の作製を実現する。
【解決手段】処理チャンバ２０５内において、処理基板に対してオゾン含有ガスのみを供給して処理基板上に酸化膜を形成する酸化工程と、この酸化工程を経た処理基板に対してＣＶＤ原料ガスとオゾン含有ガスとを供給して当該処理基板上に前記原料ガスの成分の酸化物からなる酸化膜を形成させるＣＶＤ工程とが実行される。前記ＣＶＤ工程の初期段階の製膜速度は前記酸化工程の製膜速度よりも小さく制御される。また、前記ＣＶＤ工程を経た処理基板をオゾン含有ガスの雰囲気または紫外光領域の波長を有する光が照射されたオゾン含有ガスの雰囲気に曝すアニール工程と、このアニール工程を経た処理基板を前記ＣＶＤ工程に供する工程とを有するとよい。前記アニール工程を経た処理基板を前記ＣＶＤ工程に供する工程を複数繰り返すとなおよい。 （もっと読む）

本発明は、第１有機物層（２）と第１無機物層（４）によってフレキシブル基板（１）をコーティングするための装置に関するものである。本発明による装置は、第１および第２チャンバ（１０，２０）と、雰囲気分離スロット（３０）と、を備えている。第１チャンバ（１０）内には、前駆体またはオリゴマーまたはポリマーネットワークと重合開始剤とを含有した混合物でフレキシブル基板をプリントするプリント設備（４０）が配置されている。第１チャンバ（１０）内には、成膜された混合物を硬化させて第１有機物層（２）を形成する硬化設備（５０）が配置されている。第２チャンバ（２０）内には、基板（１）上に第１無機物層（４）を成膜する気相蒸着設備（６０）が配置されている。装置は、基板（１）を設備（４０，５０，６０）に沿って案内するための設備（７０）を備えている。
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