【課題】窒化膜の屈折率及び／又は堆積速度の分布の均一性を所定の数値範囲内に収めるとともに、窒化膜の応力の制御性を高める。
【解決手段】本発明の１つの窒化膜の製造装置１００は、チャンバー３０内に配置された基板２０上にプラズマＣＶＤ法によって窒化膜７０（７０ａ）を形成する窒化膜の製造装置１００である。具体的には、この窒化膜の製造装置１００は、窒化膜７０（７０ａ）の形成のために独立に印加する相対的に高い周波数の第１高周波電力及び／又は相対的に低い周波数の第２高周波電力とを用いて得られる、所定の数値範囲内に収まった前述の窒化膜の屈折率の分布及び／又は前述の窒化膜の堆積速度の分布に基づいて、所望（応力が０の場合を含む）の窒化膜７０（７０ａ）の圧縮応力又は引張応力を得るための第１高周波電力が印加される第１期間と第２高周波電力が印加される第２期間とを算出する制御部３９を備えている。 （もっと読む）

【課題】圧力調整弁の二次側圧力の変動を低減して、流量制御機器から排出するガス流量を高精度に検定でき、測定用タンク内の圧力降下率を一定に維持する。
【解決手段】プロセスガス供給源からのガスを第１ライン遮断弁２２と第２ライン遮断弁２３と流量制御機器２４とを経由しプロセスチャンバに供給する複数のプロセスガスライン２と、共用ガス供給源からのガスを第２ライン遮断弁２３と流量制御機器２４とを経由し排出すべく、分岐接続された共用ガスライン１とを有し、共用ガスライン１には、共用遮断弁１２と測定用タンク１３と第１圧力センサ１４１と圧力調整弁１５とを備え、第１ライン遮断弁２２及び共用遮断弁１２を弁閉したとき、測定用タンク１３内におけるガスの圧力降下を第１圧力センサ１４１により測定し流量制御機器２４の流量検定を行うガス流量検定システムにおいて、圧力調整弁１５は、該圧力調整弁１５の二次側圧力を制御する。 （もっと読む）

【課題】成膜処理において、従来に比べて大面積の成膜用基板を、効率よく成膜する。
【解決手段】プラズマを用いた成膜装置は、成膜用基板が配置される成膜空間を備える成膜チャンバと、前記成膜空間に導入された成膜用ガスを用いてプラズマを生成するプラズマ生成ユニットと、を有する。前記プラズマ生成ユニットは、プレートであって、前記プレートの厚さ方向に貫通する複数の貫通孔と、前記貫通孔それぞれの両側の開口の周りに設けられた電極対と、を備えたプラズマ生成プレートと、前記貫通孔それぞれの中でプラズマを生成するために、前記電極対にプラズマ生成電圧を供給する電源と、前記プラズマ生成電圧の供給を前記電極対毎に制御する制御ユニットと、を有する。 （もっと読む）

【課題】基板上にＺｎＯからなる透明導電膜を高効率で製造するＺｎＯ透明導電膜製造装置を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ透明導電膜製造装置(100)は、真空状態に維持されたチャンバー(110)と、チャンバー(110)内を通過するように基板(50)を一方向(A)に搬送するとともに、任意の箇所において停止可能な基板搬送手段(120)と、チャンバー(100)内に配置されたシャワーヘッド(130)と、を備える。シャワーヘッド(130) は、第一の流路と、第一の流路の周囲に形成された第二の流路と、第一の流路及び前記第二の流路を加熱する加熱手段と、を備え、第一の流路及び第二の流路の一方からはＤＥＺｎの気体が、他方からは水蒸気が基板に対して噴霧される。 （もっと読む）

【課題】シリコン系ガスとアミン系ガスとを使用してＳｉＣ等のＳｉＣ系の膜を低温で成膜できる半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラムを提供する。
【解決手段】基板２００を処理室２０１内に収容する工程と、加熱された処理室２０１内へシリコン系ガスとアミン系ガスとを供給して基板２００上にシリコンおよび炭素を含む膜を形成する工程と、を有し、シリコンおよび炭素を含む膜を形成する工程は、処理室２０１内へシリコン系ガスとアミン系ガスとを供給して、シリコン系ガスとアミン系ガスとを処理室２０１内に封じ込める工程と、シリコン系ガスとアミン系ガスとを処理室２０１内に封じ込めた状態を維持する工程と、処理室２０１内を排気する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 簡便な手法・構成で、固体材料ガスを安定した濃度で供給することができるとともに、かさ密度の高い固体材料によって内容積あたりの充填量を多くし、不純物が少ない高純度の固体材料からなる固体材料ガスを供給すること。
【解決手段】 キャリアガスＣにより所定量の蒸発または昇華・供給が可能な固体材料を、大気圧下または減圧下の融点以上沸点以下の温度条件において加熱し、溶融した状態で冷却・固化させて固体試料Ｓを作製する固体試料作製手段を有し、キャリアガスＣが供給される供給部１と、供給されたキャリアガスＣを分散させる分散部２と、固体試料Ｓが設置される試料設置部３と、該試料設置部３において作製された固体材料ガスＧが供出される供出部４と、を有すること。 （もっと読む）

【課題】半導体製造チャンバーにおける複数のガス供給口に対し、等しい濃度比の成分ガスからなる材料ガスを、それぞれ異なる流量に制御して供給する。
【解決手段】各ガス供給口Ｃにそれぞれ接続される複数のガス供給装置１０を具備し、前記各ガス供給装置１０が、各種のガスが個別に流れる複数の成分ガス供給管１と、各成分ガス供給管１を流れるガスの流量をそれぞれ制御する流量制御機構４と、各成分ガス供給管１を束ねる材料ガス供給管２とを具備しており、前記流量制御機構４が、各成分ガス供給管１にそれぞれ上流側から順に設けられた流量制御弁Ｖ、個別圧力センサＰ及び流体抵抗素子Ｒと、前記材料ガス供給管２に設けられた共通圧力センサＰＣと、各成分ガス供給管１を流れるガス流量を、個別圧力センサＰで測定した圧力及び前記共通圧力センサＰＣで測定した圧力から算出し、この算出ガス流量に基づいて流量制御弁Ｖを制御する制御部４１とを具備する。 （もっと読む）

【課題】第１の金属元素および第２の金属元素を含む金属酸化膜を形成する際に、金属酸化膜中の第１の金属元素及び第２の金属元素の組成比の制御性を向上させる。
【解決手段】基板を収容した処理室内に、第１の金属元素を含む第１原料と酸化剤とを供給することで、基板上に第１の金属元素を含む第１の金属酸化膜を形成する工程と、処理室内に、第１原料と第２の金属元素を含む第２原料とを混合した混合原料と酸化剤とを供給することで、基板上に第１の金属元素および第２の金属元素を含む第２の金属酸化膜を形成する工程と、を交互に繰り返すことで、基板上に、第１の金属酸化膜と第２の金属酸化膜とを交互に積層して、第１の金属元素および第２の金属元素を含む第３の金属酸化膜を形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】 より平滑な表面を持ち、かつ、更なる薄膜化を達成することが可能なアモルファスシリコン膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】 下地２を加熱し、加熱した下地２にアミノシラン系ガスを供給し、下地２表面にシード層３を形成する工程と、下地２を加熱し、加熱した下地２表面のシード層３にアミノ基を含まないシラン系ガスを供給し、シード層３上にアモルファスシリコン膜４を、層成長する厚さに形成する工程と、層成長する厚さに形成されたアモルファスシリコン膜４をエッチングし、該アモルファスシリコン膜４の膜厚ｔを減ずる工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】成膜の際のウェーハとサセプタの貼り付きの有無を検出し、歩留り、スループットの向上が可能な気相成長方法及び気相成長装置を提供する。
【解決手段】反応室内にウェーハを導入して、支持部上に載置し、支持部の下部に設けられたヒータにより、ウェーハを加熱し、ウェーハを回転させ、ウェーハ上にプロセスガスを供給することにより、ウェーハ上に成膜し、ウェーハの周縁部における少なくとも円周方向の温度分布を検出し、検出された温度分布に基づき、ウェーハと支持部との貼り付きの有無を判断する。 （もっと読む）

【課題】 被処理物の温度を推定し、装置内の各種状態に影響を受けない温度制御を行う。
【解決手段】 被処理物を加熱する加熱手段と、加熱手段の温度を検出する第１検出手段を有する気相成長装置であって、気相成長装置は、当該気相成長装置の状態を検出する第２検出手段と、第１検出手段で検出された温度と、第２検出手段で検出された状態に基づいて、被処理物の表面温度を推定する温度推定手段と、温度推定手段で推定した表面温度を、予め定められた目標温度になるよう加熱手段を制御する温度制御手段によって解決する。 （もっと読む）

【課題】ダミー処理を極力廃止することができる基板処理時間設定方法を提供する。
【解決手段】他の基板処理装置１１におけるプラズマ処理の終了予想時刻に基づいて、次ロットの当該基板処理装置１１への供給予想時刻が算出され、本ロットの全てのウエハのプラズマ処理の終了予想時刻が算出され、次ロットの供給予想時刻及び本ロットのプラズマ処理の終了予想時刻に基づいて、本ロットの全てのウエハのプラズマ処理の終了後に続く予想アイドル時間が算出され、予想アイドル時間がダミー処理必要アイドル時間以上である場合、本ロットの未処理の各ウエハのプラズマ処理の間に補助アイドル時間が追加されて設定される。 （もっと読む）

【課題】厚みと組成の均一な膜を形成しやすい成膜装置を提供する。
【解決手段】大気圧下においてプラズマＰを生成する。このプラズマＰを被処理物Ｗの表面に膜原料を付着させて成膜する成膜装置Ａに関する。前記膜原料を含有する成膜ガスＣＧを流通させる第１流路５。プラズマ生成ガスＰＧを流通させる第２流路９。前記プラズマ生成ガスＣＧに電界Ｅを印加してプラズマＰを生成させるための電極３。前記第１流路５と前記第２流路９とを合流させるための合流部１４。前記合流部１４から前記膜原料を放出させるための放出口１１とを備える。前記第１流路５から前記合流部１４への前記成膜ガスＣＧの流入方向と、前記合流部１４での前記プラズマＰの流通方向とが略平行となるように前記第１流路５が前記第２流路９内に形成され、前記第１流路５から前記合流部１４への前記成膜ガスＣＧの流入速度が、前記合流部１４での前記プラズマＰの流速よりも高速である。 （もっと読む）

【課題】成膜時に用いる圧力検知用のセンサの劣化をより高効率に抑制することが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜を行なう成膜処理室と、成膜処理室の内部を排気する排気装置ＶＤと、排気装置ＶＤの排気状態を制御する制御装置ＣＴＬと、成膜処理室が成膜を行なう第１状態の際に成膜処理室の内部の圧力を検知する第１のピラニゲージＰＧＡと、成膜処理室の内部を洗浄する第２状態の際に成膜処理室の内部の圧力を検知する第２のピラニゲージＰＧＢとを備えている。上記制御装置ＣＴＬは、第１および第２状態の間で排気装置ＶＤの排気状態を切換える際に用いる媒体を利用して第１および第２のピラニゲージＰＧＡ，ＰＧＢを切換える。 （もっと読む）

【課題】 使用されるレーザビームの波長に制約を受けることなく、被加工物に対して十分な光量を有しかつ任意の断面形状を有するレーザビームを投射することが可能なレーザビーム投射装置を提供すること。
【解決手段】 レーザ光源（１）の出射光をＤＭＤ（２）のミラーアレイに照射し、その反射回折光を集光レンズ（３）と対物レンズ（４）で被加工物（８）に結像させる。ミラーアレイを通過した光が２本に分離しないよう、ＤＭＤ（２）を適切な角度（β）に傾け、ミラーアレイを通過した光が２本に分離することなく、被加工物に効率的に伝送されるように構成する。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置の稼動状態を監視し、エコ運転状態への切り替え損ねを防ぐことが可能な稼動状態監視方法、及び稼動状態監視装置を提供すること。
【解決手段】
エコ運転であるか否かの判定対象となるデータ種別に対応するデータ値と、前記データ種別に対応するデータがとりうる境界を示す境界値と、を予め設定された所定の判定条件に基づいて比較し、前記データ値と前記境界値とを前記判定条件に基づいて比較した結果に応じて所定の動作を実行するようにした。 （もっと読む）

【課題】短時間で、エピタキシャル成長された基板の非接触材料特性評価を行うことのできる装置を提供する。
【解決手段】非接触な材料特性評価を行うための装置は、複数の基板１２を保持するように適合されたウエハキャリア１０と、材料特性評価装置２０、例えば、フォトルミネッセンス分光法を実行するための装置とを備えている。本装置は、載置されている基板１２を含むウエハキャリア１０の少なくとも一部に非接触な材料特性評価を行うように適合されている。 （もっと読む）

【課題】処理容器内にて基板が載置されると共に回転する回転テーブルを備えた熱処理装置において、回転中の回転テーブルにおける基板の温度分布を測定すること。
【解決手段】
処理容器内に設けられた回転テーブルの回転時に当該回転テーブルの一面側を、径方向に沿って繰り返し走査して複数のスポット領域の温度を測定する放射温度測定部と、前記回転テーブル上における放射温度測定部の走査領域に割り当てられたアドレスと放射温度測定部の温度測定値とを対応付けた温度データを記憶するための記憶部と、走査の周期及び回転テーブルの回転数に基づいて特定された各スポット領域のアドレスに温度測定値を書き込むためのデータ作成部と、前記記憶部に書き込まれた温度データに基づいて、基板の温度分布を含む回転テーブルの一面側の温度分布を表示する処理を行うデータ処理部と、を備えるように温度測定装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ−Ｖ族化合物の膜の堆積のために使用される固体有機金属化合物前駆体を連続して均一に供給するガス送達システムを提供する
【解決手段】方法は、固体前駆体化合物を収容する送達装置１０２にキャリアガスの第１の流れ２０２を移送することを含む。キャリアガスの第１の流れ２０２は２０℃以上の温度である。この方法は、送達装置１０２の下流の位置にキャリアガスの第２の流れ２０４を移送することをさらに含む。第１の流れ２０２および第２の流れ２０４は一緒にされて第３の流れ２０６を形成し、この第３の流れ２０６における固体前駆体化合物の蒸気の露点は周囲温度より低い。第１の流れ２０２のフロー方向、第２の流れ２０４のフロー方向および第３の流れ２０６のフロー方向は一方向性であり、かつ互いに対向していない。 （もっと読む）

【課題】キャリアガスの供給側と処理容器側との差圧を小さくすることによりパーティクルの発生を抑制することが可能なガス供給装置である。
【解決手段】原料貯留槽６８内の原料ガスをキャリアガスを用いて処理容器４へ供給する原料ガス供給系を有するガス供給装置６０において、原料貯留槽内へキャリアガスを導入するキャリアガス通路７８と、原料貯留槽と処理容器とを連結してキャリアガスと原料ガスを流す原料ガス通路７０と、原料ガス通路に接続されて圧力調整ガスを供給する圧力調整ガス通路９２と、圧力調整ガスの処理容器への供給を始めると同時にキャリアガスにより原料貯留槽から原料ガスを処理容器内へ供給することを始める第１の工程を開始し、その後、圧力調整ガスの供給を停止する第２の工程を行うように開閉弁を制御する弁制御部１１４とを備える。 （もっと読む）