【課題】 シリコン酸化膜の新規な製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明のシリコン酸化膜の製造方法は、シリコーン化合物を含む液体Ｌ中に生じ内部にプラズマが発生した気泡Ｂを基材Ｓの表面に接触させて、基材Ｓの表面にシリコン酸化膜を成膜することを特徴とする。
本発明のシリコン酸化膜の製造方法によれば、液体状態のシリコーン化合物を原料として用い、液体Ｌ中の基材Ｓの表面にシリコン酸化膜を成膜することができる。 （もっと読む）

【課題】マグネシウムの酸化を引き起こしにくい緩衝膜を用いてより超伝導性のよいホウ化マグネシウムの薄膜が形成できるようにする。
【解決手段】サファイア（酸化アルミニウム）からなり主表面がＣ面とされた基板１０１の上に例えば窒化ガリウム（ＧａＮ）などのガリウムと窒素とから構成された緩衝層１０２が形成され、緩衝層１０２の上に接してホウ化マグネシウムからなる超伝導体層１０３が形成されている。緩衝層１０２は、膜厚２５０ｎｍ程度に形成され、超伝導体層１０３は、膜厚１００〜１２０ｎｍ程度に形成されている。 （もっと読む）

【課題】マイクロプラズマ中に極微量の溶液原料を効率的に霧化・供給させるシステム及びその溶液原料からマイクロプラズマを利用してＣＶＤ法、ＰＣＶＤ法溶射法、蒸着法等により、基板上に反応生成物や材料等をデポジション又は堆積させるための技術を提供する。
【解決手段】マイクロプラズマガス供給ラインの上流又は途中において、同ラインとほぼ直交するように液体を供給し、該液体をマイクロプラズマにより反応、分解又は霧化させ、マイクロプラズマ下流に設置した基体上に反応生成物又は微粒子をデポジットさせることを特徴とするマイクロプラズマデポジション方法。 （もっと読む）

【課題】高揮発性及び高温安定性を有し、穏和な条件下で高品質のニッケル薄膜を形成するのに有用な新規な有機ニッケル化合物の提供。
【解決手段】化(Ｉ)の揮発性ニッケルアミノアルコキシド錯体は有機金属化学気相蒸着法（ＭＯＣＶＤ）により高品質のニッケル薄膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】バリアー性、透明性、対衝撃性、フレキシビリティーに優れたガスバリアー性プラスチック容器とその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、容器の内面にバリアー層を有し、該バリアー層は珪素酸化物と、炭素、水素、珪素及び酸素の中から少なくとも１種あるいは２種以上の元素からなる化合物を少なくとも１種類含有し、前記バリアー層中の前記化合物濃度を、前記容器を構成する基材の界面からバリアー層表面への深さ方向において、連続的に変化させてなる。 （もっと読む）

【課題】基材に施された複数の処理面での界面の密着性が高く、複合ドライ表面改質処理が高効率で実施できる処理方法、装置および表面改質処理物を提供する。
【解決手段】 本発明装置は、装置本体に対し高圧導入端子に切換手段を介して、第１改質装置と第２改質装置を接続し、チャンバーの壁に第３改質装置を接続したものである。装置本体はチャンバーと、ガス導入装置と、真空引きする真空装置と、基材取付台と、該それを台展延面に垂直な軸回りで、チャンバー壁に対し絶縁材を介して回転自在に支持する台支持部と、前記基材取付台に対し摺動ブラシを介して接続され、チャンバー壁に絶縁貫通して取り付けられた高圧導入端子とを含む。基材の加熱を前記第２装置を使用して電子ビーム注入で行って加熱保持し、次に、前記第３装置を使用してアトム窒化および窒化イオン注入併用で窒化し、次に第１装置を使用してＤＬＣ成膜を行う。 （もっと読む）

【課題】高い表面平滑性及び導電性を有するダイヤモンド膜及びその製造方法を提供すること。また、電極材料としてダイヤモンド膜を用いた、高感度かつ低コストの電気化学素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】基体上に合成されてなるダイヤモンド膜であって、Ｘ線回折により得られる結晶面（ミラー指数）が（２２０）と（１１１）とに対応するピークの強度比、すなわち（２２０）／（１１１）が、０．４以下であるダイヤモンド膜を提供する。このダイヤモンド膜は、基板上に、炭化水素、水素、及び窒素源ガスを含む原料ガスを用い、かつ、炭化水素に対する窒素源ガスの流量比が０．０４以上であるＣＶＤ法により製造することができる。 （もっと読む）

【課題】リン原子がドープされたn型(100)面方位ダイヤモンド半導体単結晶膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ダイヤモンド基板が、(100)面方位ダイヤモンドであり、気相成長手段により、水素、炭化水素及びリン化合物を気相中に存在させ、気相中の炭素原子に対するリン原子の比が0.1%以上であり、水素原子に対する炭素原子の比が0.05%以上である条件で(100)面方位ダイヤモンドを基板上にエピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

【課題】 十分な耐食性を有するとともに、優れた耐熱性を有する希土類磁石及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 希土類磁石１は、磁石素体３と、その磁石素体３の表面を被覆する保護層５とを備えている。保護層５は、磁石素体３を覆い希土類元素を含有する第１の層６と、第１の層を覆い希土類元素を実質的に含有しない第２の層７と、第２の層を覆い第１及び第２の層とは異なる組成を有する酸化物層８とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 基体に対する密着性が良好であるばかりか、水分、特にアルカリ水溶液に対する耐性にも優れたプラズマＣＶＤ法による蒸着膜を提供する。
【解決手段】 有機金属化合物と酸化性ガスとを反応ガスとして用いたプラズマＣＶＤ法により基体表面に形成した蒸着膜において、前記有機金属化合物に由来する金属元素（Ｍ）、酸素（Ｏ）及び炭素（Ｃ）の３元素基準で、前記蒸着膜は、炭素濃度が５元素％以上の基体側接着層領域と、炭素濃度が５元素％未満の中間層バリアー領域と、炭素濃度が５元素％以上の表面保護層領域とに区画され、表面保護層領域の外面では、炭素（Ｃ）濃度が酸素（Ｏ）濃度及び金属元素（Ｍ）濃度よりも高く、金属元素（Ｍ）の酸化度ｘが１．３以下であり、且つ金属元素（Ｍ）の結合エネルギーが、前記中間層バリアー領域での金属元素結合エネルギーの平均値よりも１．０ｅＶ以上小さく、中間層バリアー領域では、金属元素（Ｍ）の酸化度ｘが平均して１．８より高く且つ２．４以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
酸化インジウムＩｎ₂Ｏ₃をベースとした可視光応答可能な光触媒材料を提供する。
【解決手段】
本発明の光触媒は、窒化酸化インジウムＩｎＮ_1-xＯ_x（ただし、酸素組成ｘが０＜ｘ＜１の範囲にある）からなる。基板温度４００〜１００℃で作製したｘ＝０.２〜０.９９のＩｎＮ_1-xＯ_x膜について、光吸収端は１.９〜２.７ｅＶであり、可視光を十分に吸収でき、可視光領域においても光触媒活性を有する。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧が低く、かつ逆電圧が十分に高い発光素子を収率良く得ることができるＩＩＩ族窒化物ｐ型半導体の製造方法を提供すること。
【解決手段】ｐ型ドーパントを含むＩＩＩ族窒化物半導体を成長させた後降温する際に、成長終了時の温度と同じ温度にて、成長終了直後からキャリアガスに不活性ガスを用い、かつ窒素源の流量を減少し、その後の降温過程の途中で窒素源の供給を停止することを特徴とするＩＩＩ族窒化物ｐ型半導体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、容器と完全に相似形状の電極を使用する場合と同等の成膜条件を実現して均一なプラズマを発生させ、均一な膜を形成すること、並びに容器形状ごとに外部電極を準備することを不要とし、作業性、ハンドリング性、手間等の効率低下の要因を除くこと、である。
【解決手段】
本発明に係るガスバリア薄膜が成膜されたプラスチック容器の製造方法は、プラスチック容器自体に導電性薄膜を成膜し、この導電性薄膜を外部電極の代替電極として機能させる。これにより、容器の内表面又は外表面の少なくとも一方の表面にガスバリア薄膜が成膜されたプラスチック容器において、ガスバリア薄膜とプラスチック容器との間に導電性薄膜が成膜されているか、或いは、ガスバリア薄膜が成膜されている面の裏面側に導電性薄膜が成膜されている容器を提供する。 （もっと読む）

基板（１３）上に高アスペクト比のエミッタ（２６）を成長させるための装置を提供する。この装置は、チャンバを画定するハウジング（１０）を備え、高アスペクト比のエミッタ（２６）をその上に成長させるための表面を有する基板を保持するために、ハウジングに取付けられ、かつ、チャンバ内に配置された基板ホルダ（１２）を備える。加熱エレメント（１７）は、基板近くに配置され、炭素、伝導性サーメット、及び伝導性セラミックスからなる群から選択された１つ以上の材料である。ハウジングは、高アスペクト比のエミッタ（２６）を形成するために、ガスをチャンバ内へ受け入れるためのチャンバ内への開口部（１５）を画定する。
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【課題】成膜中に生じる被処理基板の反りおよび支持具からの電界による影響を小さくできる基板ホルダが提供される。
【解決手段】基板ホルダ１１は、搭載部品１３と、スペーサ１５と、金属シート２５とを備える。搭載部品１３は、金属製のベース１９と金属製の支持具２１とを含む。ベース１９は、被処理基板Ｗを搭載するための搭載面１９ａを有する。支持具２１は、ベース１９に取り付けられている。この取り付けは、ボルトといった固定具２３を用いて行われる。スペーサ１５は、ベース１９と支持具２１とにより保持されており、また搭載部品１３と共に用いることによって被処理基板Wを保持する。支持基板１７は、搭載面１９ａ上に位置しており、また被処理基板Wに支持する支持面１７ａを有する。金属シート２５は、ベース１９の搭載面１９ａ上に設けられている。 （もっと読む）

【課題】発光素子や電子デバイスの基板として用いることができ危険な原料を使うＳｉをドーパントとすることなくｎ型の自立したＧａＮ基板を提供する。
【解決手段】原料ガスを精製し水や酸素を充分に除去してから所望の量の水あるいは酸素を、原料ガスの、ＨＣｌ、ＮＨ_３あるいは水素ガスに含ませて、塩化物気相成長法（ＨＶＰＥ法）あるいは有機金属塩化物気相成長法（ＭＯＣ法）でＧａＡｓ基板の上にＧａＮをエピタキシャル成長させ、ＧａＡｓ基板を除去し自立膜を得ることにより、酸素濃度に比例したｎ型キャリアをもつｎ型ＧａＮ基板を作成することができる。 （もっと読む）

【課題】 均一性に優れた金属酸化物膜を得る。
【解決手段】 原料ガス供給ノズルを基材表面の法線に対して２５度以上５０度以下の角度で傾けて設置した大気開放型ＣＶＤ装置を使用して成膜する。基材近傍に加湿空気を供給して反応に必要な水分を供給する。さらに、基材近傍を乾燥空気でエアーシールすると良い。金属酸化物膜としては、ＴｉＯ_２とＺｎＯからなる複合金属酸化物膜も得られる。 （もっと読む）

【課題】 基材フィルムと無機酸化物からなる薄膜との密着性に優れ、かつ、酸素ガス、水蒸気等の透過を阻止するバリア性に優れたバリア性フィルムを提供すること。
【解決手段】 少なくとも、基材フィルムと、該基材フィルムの一方の面に設けたバリア性層とからなり、更に、該バリア性層は、少なくとも３室以上の製膜室を使用し、かつ、各室毎に、少なくとも、有機珪素化合物の１種以上からなる製膜用モノマ−ガス、酸素ガス、および、不活性ガスを含有する製膜用混合ガス組成物の各ガス成分の混合比を変えて調製した３以上の製膜用混合ガス組成物を使用し、その各製膜用混合ガス組成物を使用して製膜した３層以上のプラズマ化学気相成長法による炭素含有酸化珪素膜からなり、更に、該各炭素含有酸化珪素膜は、その膜中に炭素原子を含有し、かつ、各炭素含有酸化珪素膜毎に炭素含有量が異なることを特徴とするバリア性フィルムに関するもの。 （もっと読む）

【課題】成膜の精度がプラズマ密度の変化等によって低下するのを防止する。
【解決手段】複数枚のウエハ１を一括処理する処理室３２を形成したプロセスチューブ３１と、処理室３２にジクロロシランガス７３を供給するガス供給管３８と、処理室３２にアンモニアガス７１を供給するガス供給管５０と、処理室３２を排気する排気管３５と、処理室３２にプラズマを励起させる一対の放電電極５７、５７と、プラズマで励起された活性種７２を処理室３２に吹き出す吹出口４９を有するプラズマ室４８とを備えたＡＬＤ装置において、処理室３２内にプラズマ状態を検出する一対の探針６５、６５を配置し、この探針のプローブ電流に基づき処理室３２内のプラズマ状態を測定するプラズマ状態測定回路６９をコントローラ６０に接続する。処理室内のプラズマ状態の変化を常時監視できるので、シリコン窒化膜の精度低下を防止する対策を講ずることができる。
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目的 ホウ素の添加量を多くすることによって十分に抵抗が低いダイヤモンド電極を得ることができ、かつダイヤモンド膜と基板との密着性、電解時の耐剥離性を十分に高めることにより、高性能・高耐久電極の製造方法を提供することを目的としている。構成 本発明の基板および該基板に被覆したダイヤモンド層からなる構造の電極は、基材及び該基材がダイヤモンドで被覆された電極において、該ダイヤモンドがホウ素を含み、該ホウ素の濃度が１００００ｐｐｍ以上、１０００００ｐｐｍ以下であることを特徴とする。また 前記基材が、絶縁体によって形成されていることが好ましい。
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