【課題】吹出し孔の設計の自由度が高く、吹出し孔の設計により調整バルブを必要とすることなくヒータ各部の降温速度を調整することができ、流路構造が単純で、シールの容易化及びコストの低減が図れる熱処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体ｗを多段に収容して所定の熱処理を行うための処理容器２と、該処理容器２の外周を覆って被処理体ｗを加熱する筒状のヒータ３と、該ヒータ３と処理容器２との間の空間２４内の雰囲気を排出する排熱系２５と、上記空間２４内に冷却流体を吹出して冷却する冷却手段２６とを備え、上記ヒータ３は筒状の断熱材１７の内周に発熱抵抗体１８を配設すると共に断熱材１７の外周を外皮２０で覆ってなり、上記冷却手段２６は上記断熱材１７と外皮２０の間に高さ方向に単数もしくは複数形成された環状流路２８と、各環状流路２８から断熱材１７の中心方向もしくは中心斜め方向へ冷却流体を吹き出すべく断熱材１７に設けられた吹出し孔２９とを有する。 （もっと読む）

【課題】バッチ式であっても、処理するウエハの枚数に応じた最小限の処理ガス量で処理を可能にした処理装置とする。
【解決手段】仕切板２１をチャンバ１の上下方向に移動させることで、処理するウエハ８の枚数に応じた一方側の領域４ａを設定し、３方弁１３により、一方側の領域４ａの処理室４に開口する供給配管１１から処理ガスを供給し、他方側の領域４ｂの処理室４に開口する供給配管１１からＮ_２ガスを供給し、処理する枚数のウエハ８に応じた量の処理ガスを使用して処理を行う。 （もっと読む）

【課題】低コストでありながら、耐久性の高いウェハ裏面のパーティクル及び傷を低減するプラズマ処理方法、及び、この方法を適用したプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理するウェハ１６を静電チャック１８上に載置した後、不活性ガスを供給し、不活性ガスにＲＦパワーを掛けることでプラズマを形成し、プラズマからの輻射熱を用いて処理前にウェハ１６を加熱し、ウェハ１６の温度がプラズマ処理時のウェハ熱平衡温度に達したときに、静電チャック１８にウェハ１６を吸着させて保持し、プラズマ処理ガスを導入してプラズマ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】中間層に存在する欠陥に起因するピンホールの発生を抑制し、これにより、大型化しても透過係数比が高い優れた品質のガス分離用のセラミック膜を製造する方法を提供する。
【解決手段】本発明のガス分離用セラミック膜の製造方法は、気化有機ケイ素化合物含有ガスである材料ガスを、基材のガス分離膜を形成する側に供給し、基材の材料ガスを供給する側の反対側に対向ガスを供給して、該基材の材料ガスが供給された表面上にて基材上に酸化ケイ素からなるガス分離膜を形成させるガス分離用セラミック膜の製造方法において、該材料ガスを加熱および加圧しながら該基材表面上に供給することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い変換効率を有し、生産性のよい光電変換装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】第１電極１０２上に、一導電型結晶性半導体粒子密に分散させ、レーザビームの照射等により隣接するもの同士が融着している一導電型の結晶性半導体粒子１０７を形成する。さらに、一導電型の結晶性半導体粒子１０４と接合を形成する一導電型とは逆の導電型の半導体層１０８を形成する。さらに第２電極１１０を設ける。この構成によれば、結晶性半導体粒子１０４において生成されるキャリアの、横方向の移動が阻害されず、この層を単一の単結晶シリコン層で形成した場合とほとんど変わるところがないという有意な効果を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】新方式のＣＶＤ装置において、基板の材質に拘らず金属膜を作製することができる金属膜作製装置を提供する。
【解決手段】金属酸化物を含む基板３３が収容されるチャンバ１と、チャンバ１に設けられる炭素材製の被エッチング部材３４と、チャンバ１の内部にハロゲンを含有する原料ガス２１を供給するノズル１４と、酸素成分手段である基板３３と、チャンバ１の内部をプラズマ化して原料ガスプラズマを発生させガスプラズマ２０で被エッチング部材３４をエッチングすることにより炭素成分と原料ガス２１との前駆体３６を生成するプラズマ発生手段と、基板側の温度を被エッチング部材３４の温度よりも低くすることにより酸素成分手段の酸素成分を含んだ前駆体３６の炭素成分を基板側に成膜させる制御手段とを備え酸素成分を含んだ炭素膜を作製することにより基板３３には不動態である金属酸化物に結合し難い金属膜でも作製出来るようにした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プラズマＣＶＤ法により薄膜を成膜する３次元中空容器の薄膜成膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】円筒型金属製容器１と成膜対象物である３次元中空容器３を収納し、該中空容器３内に金属製原料ガス導入管４が該円筒型金属製容器１の中心軸上に配置され、排気口５と円筒型樹脂製容器２が具備され、該円筒型金属製容器１の天面からマイクロ波エネルギーを注入する手段として該金属製ガス導入管４との兼用を可能とする中心導体４を具備し、さらに該マイクロ波エネルギーによる共振状態を調整するための金属製原料ガス導入管４と同軸線上下部に位置する中心導体Ｂ８を該円筒型金属製容器１の底面に具備し、マイクロ波エネルギーによって得られるプラズマＣＶＤ法により薄膜を成膜することを特徴とする３次元中空容器の薄膜成膜装置である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、成膜時にプラズマ化されたガスの汚れ等でガス供給管の孔がつまることなく中空容器の表面に均一な膜を成膜するプラズマ成膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】マイクロ波エネルギーにより原料ガスをプラズマ化し、中空容器８の表面に薄膜を成膜するプラズマ成膜装置であり、原料ガスを注入するガス供給管５の先端のガス孔角度が中空容器８の底面部位に対して水平方向から３０〜６０°方向に設けられていること、および前記ガス供給管５が周方向に均等に孔を配置し、これが円筒軸に平行に均等の間隔を有しながら周方向に配置された場合、該ガス供給管５の先端の孔径が同径であることを特徴とするプラズマ成膜装置である。 （もっと読む）

【課題】アモルファスシリコン薄膜の光劣化と関連する拡散長の短い核種をより一層排除することができ、また、大面積製膜も可能なプラズマプロセス装置を提供する。
【解決手段】反応容器１と、その容器内に反応ガスを導入するガス導入管６と、容器外へ排ガスを排出するガス排気管４と、容器内に収容した第一電極２及び第二電極３からなる放電用平行電極と、前記電極に電力を供給する電源９とを有してなるプラズマプロセス装置において、第一電極２には、ガス導入管６に連通するガス導入用穴１１及び前記ガス排気管６に連通する排ガス用穴１２の双方を設ける。好ましくは、第一電極２の第二電極３に対向する表面に、多数の凹部を所定パターンで設ける。 （もっと読む）

【課題】
サファイア基板上に水晶をヘテロエピタキシャル水晶薄膜では、カットアングルを補正することができない欠点とサファイア基板と水晶薄膜との熱膨張係数の差で生じる残留応力の問題を解決する。
【解決手段】
任意に傾けたオフ角２°〜４°の水晶基板に５００℃以下の低温でのホモエピタキシャル膜の作製に光ＣＶＤ装置を使用し、無ひずみ加工の状態の水晶基板上にホモエピタキシャル水晶を結晶成長させることで成長方位の制御を可能とし、水晶基板と水晶薄膜とのの間の残留応力が発生しないため長期安定性に優れたＡＴカット水晶振動子や弾性表面波デバイス用水晶エピタキシャル基板を提供できる。本発明の水晶エピタキシャル基板は、大口径のΦ４インチ水晶ウェハを使用する。バッチ処理でこのΦ４インチ水晶ウェハ上に多数のパターンを形成後、ダイシングで個々のチップに分割し、一括処理が可能である。 （もっと読む）

【課題】 簡単な配管構成で，しかも簡単な制御で圧力変動などの影響を受けることなく処理室内の複数部位からガスを供給し，所望の面内均一性を実現可能とする。
【解決手段】 本発明にかかるガス供給装置は，処理ガス供給手段２１０からの処理ガスを流す処理ガス供給配管２０２から分岐して，処理室内の異なる部位からガスを導入する第１，第２ガス導入部３３０，３４０にそれぞれ接続する第１，第２分岐流路２０４，２０６と，処理ガス供給流路から第１，第２分岐流路に分流される処理ガスの分流量を第１，第２分岐流路内の圧力に基づいて調整する分流量調整手段２３０と，所定の付加ガスを供給する付加ガス供給手段２２０からの付加ガスを流す付加ガス供給配管２０８とを備え，第１，第２ガス導入部のいずれか一方は，分岐流路を接続する処理ガス導入部と，付加ガス供給流路を接続する付加ガス導入部とに分けて構成した。 （もっと読む）

【課題】プラズマ発生の性能を高く維持しつつ、電源設備に要する価格を低減すること。
【解決手段】真空チャンバ２内に一対の電極１０，１２が対向配置され両電極１０，１２間にプラズマ発生用電圧が印加されて両電極１０，１２の対向空間にプラズマを発生させるプラズマ発生装置であって、両電極１０，１２が軸方向に所定長さに延び、かつ、両電極１０，１２の電極面１０ａ，１２ａで囲む空間（プラズマ閉じ込め空間）１６の形状が軸方向柱状になっており、両電極１０，１２間に印加するプラズマ発生用電圧電源が低周波の交流電源２０である。 （もっと読む）

【課題】板状試料の温度を制御する際の温度範囲を拡大することができ、静電チャック装置と板状試料との間の熱伝導特性の経時的変動をより小さくすることができる静電チャック装置を提供する。
【解決手段】本発明の静電チャック装置は、板状試料Ｗを静電吸着する基体の誘電体板２１の上面２１ａを静電吸着面とし、この上面２１ａに複数の突起部３１を設け、これら複数の突起部３１のうち一部または全部の突起部３１の頂面３１ａに１つ以上の微小突起部３２を設け、これら微小突起部３２の頂面３２ａにおける板状試料Ｗを載置し該板状試料Ｗと接触する領域を載置面とするとともに、この静電吸着面における載置面の総面積を、上面２１ａの面積の０．０１％以上かつ２％以下としたことを特徴とする。 （もっと読む）

本発明による電気化学反応器用のカソードは、拡散層及び触媒層を含む。これは、拡散層に直接的に接触して分散する二金属又は多金属のナノ粒子を有し、この金属の少なくとも１つは、全体的又は部分的に酸化型であるクロム（Ｃｒ）である。 （もっと読む）

【課題】効率的なエネルギーを印加することのできるガス分離型シャワーヘッドを提供する。
【解決手段】本発明に係るガス分離型シャワーヘッドは、第１のガスと第２のガスとが分離されて供給されるガス供給モジュールと、前記供給された第１のガスと第２のガスとが分離分散されるガス分離モジュールと、複数のホールを備える中空電極(multi hollows cathode)であって、前記分離分散された第１のガスと第２のガスとが前記複数のホールでイオン化され、共通に噴射されるガス噴射モジュールと、を備える。 （もっと読む）

【課題】 不純物濃度傾斜層を用いた高濃度不純物ダイヤモンド薄膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
ダイヤモンド単結晶基板上に、不純物濃度が異なる不純物ダイヤモンド薄膜を複数層設けることにより、ダイヤモンド単結晶基板側から、不純物が順次高くなった傾斜層を作成し、最外層が最高濃度不純物を含むダイヤモンド薄膜である不純物傾斜型ダイヤモンド薄膜及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波プラズマＣＶＤ法を用いて、高濃度の窒素原子がドープされたｎ型半導体ダイヤモンド膜の製造方法を提供する。
【解決手段】メチルアミン、ジメチルアミン、及びトリメチルアミンから選ばれた１種類又は２種類以上のガスを水素で希釈した混合ガス、又はメチルアミン、ジメチルアミン、及びトリメチルアミンから選ばれた１種類又は２種類以上のガスと炭化水素ガスと水素ガスとの混合ガスを原料ガスとして使用し、ガス圧８０Ｔｏｒｒ（１０６６４Ｐａ）以上の条件下で、マイクロ波プラズマ化学気相蒸着法を用いて、基板表面に窒素原子を１０^２０ｃｍ^−３以上含む窒素ドープダイヤモンド膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】結晶成長後に電子線照射やアニーリング等の後処理を施さなくても、結晶品質が良好で低抵抗なＭｇドープのｐ型窒化ガリウム系半導体を低価格で得ることができ、後処理による素子の歩留まり低下を防ぐ方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成されたｐ型窒化ガリウム系半導体の製造方法において、水素及び窒素を含む雰囲気でＶ族原料として実質的にアンモニアのみを使用して、Ｍｇをドープした前記ｐ型窒化ガリウム系半導体１０４を結晶成長させる工程と、前記結晶成長工程後に窒素及び有機窒素原料を主体とし、水素の体積率が４０％以下である雰囲気で冷却する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】
非エピタキシャル晶質及びバルク領域における欠陥の少ない高品質のダイヤモンド薄膜、その製造方法、これを用いたダイヤモンドの表面処理方法、緩衝層形成方法を提供する。
【解決手段】
ダイヤモンド基板上に、炭素源ガスと重水素を含む混合ガスによる化学気相堆積法によるダイヤモンド薄膜であって、非エピタキシャル晶質及びバルク領域における欠陥の少ないダイヤモンド薄膜。
（もっと読む）

【課題】有機金属組成物の提供
【解決手段】ゲルマニウム含有膜の蒸着前駆体として用いるのに好適なゲルマニウム化合物を含有する組成物が提供される。かかる組成物を用いる、ゲルマニウムを含有する膜の堆積方法も提供される。かかるゲルマニウム含有膜は電子装置の製造において特に有用である。 （もっと読む）