【課題】広く浅いホローカソードであっても、密度の高いプラズマを形成することが出来、安定して金属被膜を成膜する。
【解決手段】プラズマイオン金属被着装置は、希薄ガス雰囲気に維持される真空チャンバ１内で対向するアノード２とホローカソード３と、これらアノード２とホローカソード３にプラズマ放電のための電圧を印加する電圧印加回路１８と、真空チャンバ１内に原料ガスを供給する原料ガス供給室１０と、ホローカソード３の中に金属被膜を形成する試料７を載せる試料台４とを備える。ホローカソード３のカソード周壁３ｂの上縁からホローカソード３の内側に張り出した円環状の遮蔽壁３ａを設け、このホローカソード３の中に被膜形成用の原料ガスを導入するものである。具体的には、被膜形成用の原料ガスは、ホローカソード３のカソード周壁３ｂ側から試料台４の上のプラズマ領域に導入する。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法により十〜数十ｎｍの厚さのグラフェン積層体を得る。
【解決手段】図１の単結晶グラファイト膜生成装置１００は石英管から成るＣＶＤ反応容器１を水平に固定し、キャリアガスとしてアルゴン（Ａｒ）を左側口１Ｌから導入し、右側口１Ｒから排出するものである。ＣＶＤ反応容器１の中央よりも左側に第１の領域１０を設け、右側に第２の領域２０を設けた。各々独立した加熱装置１５及び２５により所定温度に保つ。第１の領域１０にはショウノウ（camphor）を０．１〜１グラム、第２の領域２０には、一辺２ｃｍの正方形の３枚のニッケル（Ｎｉ）板２１を配置させた。第１の領域を１００℃まで加熱してショウノウ（camphor）を蒸気化させて、７００〜９００℃に保った第２の領域のニッケル（Ｎｉ）板２１上にＣＶＤによりグラファイト膜を形成した。 （もっと読む）

【課題】基材からの保護膜の剥離が十分に抑制され、かつ、十分に高い透明度を有する透光性積層体を提供する。
【解決手段】上記目的を達成する本発明の透光性積層体１は、透光性基材１０と、その透光性基材１０の主面上にプラズマＣＶＤ法により形成されかつ酸化チタンを主成分とする第１保護膜２０とを備え、第１保護膜２０は下記式（１）で表される条件を満足するものである。
６％≦Ａ_Ｃ／（Ａ_Ｔｉ＋Ａ_Ｏ＋Ａ_Ｃ）×１００≦１５％ （１）
ここで、式（１）中、Ａ_Ｃは第１保護膜における炭素原子の含有質量、Ａ_Ｔｉは第１保護膜におけるチタン原子の含有質量、Ａ_Ｏは第１保護膜における酸素原子の含有質量をそれぞれ示す。 （もっと読む）

【課題】複数のウェーハ基板上にラジカルアシストにより同時膜成形するためのプロセスを提供する。
【解決手段】複数のウェーハ基板が所要の膜堆積温度にまで加熱される反応器内に装荷される。酸化物又は窒化物の対イオンの安定化学種源が反応器内に導入される。原位置ラジカル発生反応物がまた、カチオン性イオン堆積源と共に反応器内に導入される。カチオン性イオン堆積源は、複数のウェーハ基板上にカチオン性イオン酸化膜又はカチオン性イオン窒化膜を同時堆積させるのに十分な時間にわたって導入される。堆積温度は、原位置ラジカル発生反応物が存在しない従来型の化学蒸着温度よりも低い。 （もっと読む）

【課題】基板上に炭素層を形成するための方法を提供する。
【解決手段】側壁を含む構造化表面を有する基板が準備される。ガス状炭化水素化合物を含んだ雰囲気から、プラズマが形成される。上記基板は、上記プラズマを用いて処理され、これによって上記基板の上記構造化表面上に炭素層を堆積する。一形態によると、上記ガス状炭化水素化合物内における水素と炭素との比率は、２：１未満である。別の形態によると、上記雰囲気は、水素結合に対して親和性を有するガス状添加化合物を含んでいる。従って、上記プラズマの反応性水素含有量は減少し、これによって上記構造化表面の上記側壁における炭素堆積を改善することができる。 （もっと読む）

【課題】従来の気相結晶成長法を用いて水晶成膜用基板上に形成した水晶ウエハより水晶片を製造する方法では、例えば平板状の水晶成膜用基板主面全面上に所望の厚みの水晶ウエハを形成しても、この水晶ウエハの厚みは、厚い場合でも百数十μｍであり、水晶デバイス内に搭載するサイズの水晶片に機械的な切断加工を施すことが非常に難しい。
【解決手段】水晶片の主面外形形状と同外形形状の平坦面が頂部に形成された凸部が、一方の主面上にマトリックス状に形成されている水晶成膜用基板を用いて、気相結晶成長装置の結晶成長室内に、前記水晶成膜用基板を配置する工程と、水晶成膜用基板に形成したバッファ層の上に水晶片を、気相結晶成長法により成長させる工程と、水晶成膜用基板を結晶成長室内より取り出し、水晶片をバッファ層ごと水晶成膜用基板から個々に分離するする工程とを備えた水晶片の製造方法。 （もっと読む）

【課題】セレン化亜鉛多結晶により形成されたレンズを炭酸ガスレーザ用の光学部品に使用する場合に、被処理物を適切に加工することが容易になるセレン化亜鉛多結晶およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】セレン化亜鉛多結晶をＣＶＤ法により合成する際、亜鉛蒸気生成室４内において発生した、金属亜鉛６からの亜鉛蒸気を、キャリアガスとともに、反応室１２へ供給する。金属セレン９が収容された溶融浴１０内に、アクセプター不純物の原料を収容させた状態で、水素ガスをセレン化水素合成室５へと供給し、セレン化水素合成室５内において合成されたＨ_２Ｓｅガスを、未反応の水素ガスとともに、反応室１２へ供給する。そうすると、反応室１２において、亜鉛蒸気とセレン化水素との反応により、セレン化亜鉛多結晶が合成される際に、セレン化亜鉛多結晶内にアクセプター不純物がドープされたセレン化亜鉛多結晶が合成される。 （もっと読む）

本発明は、得られる基板が０．５マイクロ秒〜１０００マイクロ秒のキャリアライフタイムを有するように、シリコンカーバイド材料を基板上に堆積させる方法であって、ａ．クロロシランガスと、炭素含有ガスと、水素ガスとを含む混合ガスを、基板を含有する反応チャンバ内に導入すること、及びｂ．１０００℃より高いが２０００℃より低い温度に基板を加熱することを含むが、但し、反応チャンバ内の圧力は０．１ｔｏｒｒ〜７６０ｔｏｒｒの範囲に維持されるものとする、シリコンカーバイド材料を基板上に堆積させる方法に関する。本発明はまた、得られる基板が０．５マイクロ秒〜１０００マイクロ秒のキャリアライフタイムを有するように、シリコンカーバイド材料を基板上に堆積させる方法であって、ａ．非塩素化ケイ素含有ガスと、塩化水素と、炭素含有ガスと、水素ガスとを含む混合ガスを、基板を含有する反応チャンバ内に導入すること、及びｂ．１０００℃より高いが２０００℃より低い温度に基板を加熱することを含むが、但し、反応チャンバ内の圧力は０．１ｔｏｒｒ〜７６０ｔｏｒｒの範囲に維持されるものとする、シリコンカーバイド材料を基板上に堆積させる方法に関する。 （もっと読む）

【課題】高蒸着速度を達成するために高いマイクロ波電力レベルを用いることを可能にするプラズマ化学蒸着（ＰＣＶＤ）プロセスを実行するための装置を提供すること。
【解決手段】本発明はプラズマ化学蒸着プロセスを実行するための装置に関し、これによって、ドープシリカまたは非ドープシリカの１つまたは複数の層が細長いガラス基体管の内部に蒸着され得る。本発明は、そのような装置によって光ファイバを製造するための方法にさらに関する。 （もっと読む）

【課題】小型で処理効率の高いプラズマ装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ装置１は、長尺状のワーク１００を長手方向に走行させつつ、ワーク１００の被処理面１００１をプラズマにより処理するプラズマ装置であって、ワーク１００が被処理面１００１を外周側にして巻き付けられるドラム４と、ドラム４の外周面と対向して設けられた電極７と、電極７とドラム４との間に電圧を印加する高周波電源８と、電極７とドラム４との間にガスを供給するガス供給手段９とを備え、電極７とドラム４との間にガスを供給しつつ、電極７とドラム４との間に電圧を印加することにより、当該ガスを活性化してプラズマを生成させ、該プラズマによりドラム４に巻き付けられたワーク１００の被処理面１００１が処理されるよう構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコン酸化膜のウェットエッチング時のエッチングレートのばらつきを抑制す
ることが可能な電気光学装置の製造装置及び電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】電気光学装置用の基板が配置される下部電極２１０及び下部電極２１０に対
向して設けられた上部電極２２０に、それぞれ異なる周波数の電力を供給し、両電極間に
供給されるＴＥＯＳガスをプラズマ化し、ウェハ基板１０ｂ上にプラズマＣＶＤ法により
シリコン酸化膜を形成する平行平板型のプラズマＣＶＤ装置において、上部電極２２０に
供給する高周波電力の値に対する、基板１０ｂが配置される下部電極２１０に供給する低
周波電力の値の比を０．３以下とする。 （もっと読む）

【課題】緻密性及び密着性が高い電解質膜を得ることができ、しかも生産性が高い電解質膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】支持体Ｗの表面に少なくとも２種類の金属を含む電解質膜４を形成する成膜方法において、前記金属を含む溶射用粉体Ｍを用いてプラズマ溶射を行いつつ前記金属を含む有機金属材料を用いてＣＶＤにより成膜を行うことにより前記電解質膜を形成する。このように、ＣＶＤ成膜法と溶射成膜法とを組み合わせることにより、緻密性及び密着性が高い電解質膜を得る。 （もっと読む）

電解槽（１２５）は電解液（１２３）を保持するための容器を備える。導電的にドーピングした単結晶ダイヤモンド陽極電極（１１０）は電解液（１２３）内に位置するように配置されている。導電性陰極電極（１２０）も同様に配置されている。電源（１３０）に接続するために、導体は電極に連結されている。電解液（１２３）が電極を通過して流れるように、容器に電解液入口（１５０）と電解液出口（１５５）が取り付けられている。一実施形態では、陽極電極（１１０）を陰極（１２０）電極の下流に配置し、酸素および／またはオゾンの生成によって水を含む電解液（１２３）が精製されるようになっている。
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【課題】結晶性のより良好な圧電体薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】圧電体薄膜１を第１圧電体薄膜１３と第２圧電体薄膜１５との２回に分けて
形成する。ここで、第１圧電体薄膜１３形成後に熱処理を行うため、第１圧電体薄膜１３
の結晶性が、熱処理前の第１圧電体薄膜１３と比較して向上できる。そして、その後形成
される第２圧電体薄膜１５も熱処理後の第１圧電体薄膜１４に倣って結晶成長し、全体と
して結晶性の向上した圧電体薄膜１を得ることができる。また、第１圧電体薄膜１３，１
４の膜厚が、５ｎｍ以上で１００ｎｍ以下で、圧電体薄膜１全体の膜厚である数μｍと比
較すると薄い。この程度の厚さの薄膜は、結晶の欠陥数自体が少ない。そして、熱処理温
度が３００℃より大きければ、欠陥数が少ないので十分な結晶性を得ることができ、８０
０℃以下であれば、基板１０との熱膨張係数の違いによる薄膜の剥離も少なくできる。 （もっと読む）

【課題】 大面積の単結晶膜を得ることができるルブレン系化合物単結晶の製造方法及び有機半導体素子の製造方法並びに有機半導体素子を提供する。
【解決手段】 ルブレン系化合物単結晶膜を基板上に形成する際に、前記基板を１５０℃以上に保持すると共にこの基板上に前記ルブレン系化合物の気体を供給することにより当該基板上にルブレン系化合物の単結晶を成長させて単結晶膜を得る。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された電子デバイスにダメージを与えることなく且つ装置構成を大掛かりなものとすることなく、基板上へのシリコン系薄膜の密着性を向上させることができ、クラックや剥離が生じ難いシリコン系薄膜を形成できるシリコン系薄膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】絶縁機能またはバリア機能を有するシリコン系薄膜を、基板Ｋ上にＣＶＤ法により形成するシリコン系薄膜の形成方法において、先ず、原料ガスとして、水素元素を含むガスと、シリコン元素を含むガスとを用い、前記基板Ｋ上にプラズマＣＶＤ法により第１薄膜１１を形成し、次いで、窒素元素を含むガスと、シリコン元素を含むガスとを用い、絶縁機能またはバリア機能を有する第２薄膜１２を、前記第１薄膜１１上にＣＶＤ法により形成する。 （もっと読む）

【課題】安定性に優れたダイヤモンド電極、および低コストで該ダイヤモンド電極を製造する方法の提供。
【解決手段】ＣＶＤ工程を２０ｍＢａｒ未満の圧力および２％未満のメタン濃度になるように制御することにより、粒子サイズが１μｍ未満の多結晶ダイヤモンドからなる単一で均一な層を有し、５０％を超えるラマン品質を示すダイヤモンド電極を形成する。また、ＣＶＤ工程の前にナノサイズのダイヤモンドを種結晶として用いる工程を含む。 （もっと読む）

【課題】表面で発生する腐食・エロージョン損傷の抑制に加え、粉じん類の付着堆積にともなう圧縮機の性能低下を抑制する圧縮機翼と、その製造方法と、この圧縮機翼を備えた火力発電用ガスタービンを提供する。
【解決手段】圧縮機翼１の表面付近の一部拡大部分１１は、金属製の基材１２と、この基材１２の表面に形成された炭素と水素とを主成分とするアモルファス状膜１３とを備えてなる。アモルファス状膜１３は、厚さが１μｍ〜５０μｍの範囲、硬さがＨＶ８００〜２２００の範囲、表面の算術平均粗さＲａが０．５μｍ以下、且つ、十点平均粗さＲｚが２．０μｍ以下であることが好ましい。また、アモルファス状膜１３における水素原子の割合が１５〜３１原子％の範囲、残りが炭素原子で組成されているものであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】本発明は低廉、かつ垂直な孔加工ができ、導電線１２を垂直に保持できる構造と該構造を用いたコネクタ１０を提供する。
【解決手段】本目的の導電線１２の垂直保持構造は、プラスチックシート３４に複数の導電線１２が入る複数の挿入孔３６を設けるとともに表裏両面のどちらか一方面側で挿入孔３６内の内壁面の片端側全周に凸部３８を設け、同一のプラスチックシート３４を表裏逆向きになるように２枚重ねることで連設した挿入孔３６内の中央部に凹部４０を形成し、２枚重ね合わせたプラスチックシート３４の挿入孔３６内の内壁面両端側の凸部３８で導電線１２を保持することにより達成できる。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む化合物等の基体上に、極めて平滑な膜を、薄膜から厚膜まで広い膜厚範囲で、マイクロ／ナノ領域に位置選択的に形成することにより、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む化合物等を基礎とした新規マイクロ／ナノデバイスの開発手法を確立する。
【解決手段】レーザーアブレーション膜形成法において、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む化合物等の基体２上に、所定開口サイズのマスク３を配置することにより、基体２上への平滑な膜の形成を位置選択的に行う構成である。また、マイクロ／ナノ領域への膜形成故、基体２をターゲット５に接近させることができ、薄膜のみならず厚膜も形成可能となる。さらに、予め改質が施された基体２上に、位置選択的に膜を形成し、その後改質部分のみを化学エッチングすることにより、新規マイクロ／ナノデバイス構造体が形成できる。 （もっと読む）