PECVDによる基板表面の被覆方法を提供し、当該方法は、有機ケイ素前駆体と随意にO2からなるガス状反応物質からプラズマを生成する手法からなる。当該被覆材の潤滑性、疎水性および/または遮断性は、ガス状反応物質内のO2対有機ケイ素前駆体の比率の設定により、および/またはプラズマ生成に使用する電力の設定により決定される。特に、前述方法により生成される潤滑性被覆材を提供する。前述方法により被覆される容器、および非被覆容器表面の機械的および/または化学的作用から前述の被覆容器内に含有されるまたは収受される化合物または組成物を保護するためのかかる容器の使用法も提供する。
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【課題】成膜処理時の成膜状況に応じてシート状基材を温度制御して、薄膜部材の品質をより向上させた薄膜部材の製造装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】成膜ロール６の胴部６０の外周表面６０ａにシート状基材２を密着させた状態で回転搬送させながら、シート状基材２の表面に薄膜を形成してシート状の薄膜部材を製造する薄膜部材の製造装置において、成膜ロール６は、シート状基材２の表面に成膜処理を行う成膜処理部４の対向位置に配設され、胴部６０の表面内側の軸心方向に沿って、かつ胴部６０の円周方向に配設された複数の媒体路６４・６４・・・と、成膜処理部４に対して近い回転位相部分と遠い回転位相部分とで、胴部６０の単位回転位相あたりの媒体路６４・６４・・・への温調媒体の供給量を変更して、前記胴部の外周表面の温度を所定の回転位相ごとに温調する温調機構と、を具備してなる。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性に優れかつ高強度である高品質な炭化珪素膜を低温で成長させることが可能な半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体基板の製造方法は、少なくとも一面が単結晶シリコン膜で形成された基板上に炭化珪素膜を積層してなる半導体基板の製造方法であって、前記炭化珪素膜の形成工程が、炭素源としてネオペンタンガスを用い、シリコン源としてジシランガス又はトリシランガスを用いて、ＣＶＤ法により、前記基板の一面に炭化珪素膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】様々な半導体加工用部品とこうした半導体加工用部品を形成する方法を提供する。
【解決手段】半導体加工用部品はＳｉＣで形成され、および、この半導体加工用部品の外側表面部分が、内部不純物レベルの１０倍以下である表面不純物レベルを有する。半導体加工用部品を処理する方法は、この半導体加工用部品を高温度においてハロゲン気体に曝露することと、酸化物層を形成するために半導体加工用部品を酸化させることと、この酸化物層を除去することとを含む。 （もっと読む）

ウェブ基板原子層堆積システムは、複数の処理チャンバを通して、ウェブ基板の表面を搬送する、少なくとも１つのローラを含む。複数の処理チャンバは、ウェブ基板の表面を第１の前駆体ガスの所望の部分圧力に曝露し、それによって、ウェブ基板の表面上に第１の層を形成する、第１の前駆体反応チャンバを含む。パージチャンバは、パージガスによって、ウェブ基板の表面をパージする。真空チャンバは、基板の表面からガスを除去する。第２の前駆体反応チャンバは、ウェブ基板の表面を第２の前駆体ガスの所望の部分圧力に曝露し、それによって、ウェブ基板の表面上に第２の層を形成する。
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本発明は、ガス分配装置およびこれを備える基板処理装置に関するものであり、少なくとも２種以上のプロセスガスを相異なるルートを介して基板の上に噴射する第１のガス分配部と、少なくとも２種以上のプロセスガスの分解温度の平均よりも高い分解温度を有するプロセスガスを基板の上に噴射する第２のガス分配部と、を備え、第１のガス分配部は少なくとも２以上に分割されて第２のガス分配部を中心として配置され、互いに結合および分離可能なガス分配装置およびこれを備える基板処理装置を提供する。
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【課題】応力腐食割れの進展をさらに抑制することができる原子力プラントの構成部材の応力腐食割れ抑制方法を提供する。
【解決手段】ダイヤモンド皮膜形成装置１１は炉心シュラウド５の溶接部９に対向して位置決めされ、チャンバー１２が溶接部９を覆って炉心シュラウド５の外面に押し付けられる。メタンを含む原料ガスが、原料ガス供給管１８により原料ガス導入装置１５内のプラズマ室１６に供給される。マイクロ波発生器３１で発生したマイクロ波がプラズマ室１６内の原料ガスに照射され、原料ガスの一部がプラズマになる。プラズマを含む原料ガス２０が空間４６内に噴出される。プラズマ状態の下で原料ガス中のメタンが分解し、反応性に富む化学種が生成され、ダイヤモンドの結晶が合成される。原料ガスが当てられた炉心シュラウド５の溶接部９の外面にダイヤモンド皮膜１０が形成される。 （もっと読む）

【課題】従来技術と比較して、室温で十分に高いキャリア濃度を有するダイヤモンド半導体及び作製方法を提供すること。
【解決手段】ダイヤモンド基板１１（図５（ａ））上にマイクロ波プラズマＣＶＤ装置を用い、メタンを反応ガスとし、基板温度７００℃でダイヤモンド薄膜１２を１ミクロン積層する（図５（ｂ））。ダイヤモンド薄膜１２にイオン注入装置を用い、不純物１（ＶＩ族又はＩＩ族元素）を打ち込む（図５（ｃ））。その後、不純物２（ＩＩＩ族又はＶ族元素）を打ち込んだが（図５（ｄ））、注入条件は、打ち込んだ不純物がそれぞれ表面から０．５ミクロンの厚さの範囲内で、１×１０¹⁷ｃｍ^-3となるようにシミュレーションにより決定した。その後、２種類のイオンが注入されたダイヤモンド薄膜１３をアニールすることにより（図５（ｅ））、イオン注入された不純物の活性化を行い、ダイヤモンド半導体薄膜１５を得た（図５（ｆ））。 （もっと読む）

【課題】固定電極での生成物の落下による欠陥の発生の無い、高品質なダイヤモンド等の気相成長膜を得ることができる直流プラズマＣＶＤ装置及びその装置を用いた高品質ダイヤモンドの製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、固定電極と、基板を載置するための電極を兼ねる基板ステージと、を有する直流プラズマＣＶＤ装置であって、前記固定電極の中心から鉛直方向に延ばした線上に前記基板ステージが位置せず、かつ前記基板ステージ中心と前記固定電極中心とを結ぶ直線と、前記鉛直方向に延ばした線との成す角が、９０°以下であることを特徴とする直流プラズマＣＶＤ装置。 （もっと読む）

【課題】意図しない不純物の混入を防ぎ、高温でもｐ型不純物を十分ドープすることができる酸化亜鉛系半導体、酸化亜鉛系半導体の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】基板１上に、少なくとも亜鉛を含むハロゲン化II族金属ガスと酸素含有ガスを混合した反応ガスを導入し、また、基板１上にｐ型不純物原料ガスとしてＶ族の水素化物ガスを導入する。このようにして、基板１上にｐ型不純物がドープされた酸化亜鉛系半導体層２を結晶成長させる。 （もっと読む）

【課題】２つの基材同士を、高い寸法精度で強固に、かつ低温下で効率よく接合することができる接合体の形成方法、および、２つの基材同士が高い寸法精度で強固に接合してなる信頼性の高い接合体を提供すること。
【解決手段】本発明の接合体の形成方法は、第１の基板（基材）２１および第２の基板（基材）２２上に、それぞれ、化学的気相成膜法を用いて、主として銅で構成される接合膜３１、３２を形成する工程と、接合膜３１、３２同士が対向するようにして、第１の基板２１および第２の基板２２同士を接触させた状態で、第１の基板２１および第２の基板２２間に圧縮力を付与して、接合膜３１、３２同士を結着させることにより接合体を得る工程とを有するものである。 （もっと読む）

【課題】元来有する細孔機能を維持しながら担持された金属が有する機能を発現可能なミクロポーラス炭素系材料を提供する。
【解決手段】ミクロポーラス炭素系材料５であって、０．７ｎｍ以上２ｎｍ以下の範囲内の３次元の長周期規則構造と、ミクロ細孔２ａとを有するミクロポーラス炭素系材料であって、ミクロ細孔２ａ表面に遷移金属４が担持されている。この材料を、遷移金属を含む多孔質材料の表面及びミクロ細孔内に有機化合物を導入し、この有機化合物を化学気相成長法により炭化して遷移金属を含むミクロポーラス炭素系材料と多孔質材料の複合体を得る工程と、多孔質材料を除去する工程とを有する方法、又は多孔質材料の表面に有機化合物を導入して化学気相成長法によりミクロポーラス炭素系材料を得て、このミクロポーラス炭素系材料を遷移金属塩溶液中に浸漬・含浸し、ミクロポーラス炭素系材料の表面に遷移金属を担持する方法により得る。 （もっと読む）

【課題】発光効率が低下するのを抑制することが可能な発光素子を提供する。
【解決手段】この２波長半導体レーザ素子１００（発光素子）は、（０００１）面からなる平坦部１０ａと、（１、１、−２、１０）面からなる傾斜部１０ｂとを含むｎ型ＧａＮ基板１０と、平坦部１０ａの表面上に形成される発光層３３を含む青色半導体レーザ素子部３０と、傾斜部１０ｂの表面上に形成されるとともに青色半導体レーザ素子部３０と異なる波長を発振する発光層５３を含む緑色半導体レーザ素子部５０とを備える。そして、青色半導体レーザ素子部３０および緑色半導体レーザ素子部５０は、それぞれ、窒化物系半導体からなる発光層３３および５３により構成されている。 （もっと読む）

本発明は、流動床内に設置された球状または同様の形状の担体粒子上への化学種の気相堆積のためのデバイスであって、球状または同様の形状の担体粒子（２）を受容するために、漏斗状に形成された流動化要素（８）が収容される、第１の流動床チャンバ（１）と、担体粒子（２）上に堆積される化学種の蒸気相の前駆体の供給および第１のチャンバ（１）の方向への流動化ガスの運搬の両方を意図した、第１のチャンバ（１）と流体連通した第２のチャンバ（３）と、蒸気相前駆体および流動化ガスの流動化要素（８）内の分布を制御するための、流動化要素（８）への入口に配置された管体（９）とを備え、分配管体（９）は、１つまたは複数の外部溝または陥凹部（９２）を含み、１つまたはそれぞれの溝（９２）は、第１のチャンバ（１）内で流動化ガス渦流を生成するために、管体（９）の長手方向軸に沿って配向した第１の部分と、前記軸の周りに螺旋状に巻回された第２の部分とを備えることを特徴とする、デバイスを提供する。 （もっと読む）

【課題】パージガスがシャワーヘッド内部を経由しないで、成長室に吐出されることにより、シャワーヘッドのカバープレート側の表面に原料ガスが付着することがなく、シャワーヘッド作製にかかる時間、手間、およびコストを低減し、かつメンテナンス性に優れた気相成長装置および気相成長方法を提供する。
【解決手段】シャワーヘッド２０とカバープレート３０との間には、パージガスが導入されるパージガス分配室３２ａが設けられ、パージガス分配室３２ａには、シャワーヘッド２０の複数の原料ガス流路２１ｂとカバープレート３０のプレート原料ガス流路３１ｂとを互いに連通する連通管３１ｄが設けられている。カバープレート３０のプレート原料ガス流路３１ｂを除く領域には、パージガス分配室３２ａのパージガスを成長室７に供給するプレートパージガス流路３２ｂが設けられている。 （もっと読む）

容器の内部表面上に防護材料および／または潤滑剤材料を付着させるシステム、装置および方法が提供され、そのようなシステムは、チャンバを有する容器と、チャンバ内に延びる一部分を有するガス入口ダクトを介して、モノマーガスを供給するためのガス供給源と、少なくとも１つの反応性部分を含む反応性ガスを形成させるように、モノマーガスの少なくとも一部分を光分解させるおよび／または熱分解させる光分解源および／または熱分解面と、任意選択で容器の内部表面上に反応性部分の堆積および重合を促進させるために、容器の内部表面を熱分解面の温度より低い温度に維持するための温度制御器と、容器の開端部または第２の端部のところの、チャンバから余剰の反応性ガスを除去するための出口ダクトとを含む。
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【課題】最高動作温度が高くドレイン電流密度が大きい、かつ、長時間の大電力動作にも耐える信頼性のある、実用的なダイヤモンドＦＥＴを提供すること。
【解決手段】ダイヤモンド結晶１を用意し、マイクロ波ＣＶＤ装置のリアクター内で水素プラズマ（Ｈで表す）を照射し、水素を含む表面層２を形成する（図１（ａ））。第1の表面層２上の一部の領域に、空間的に分離して、厚さ６００ｎｍの金薄膜３１、３２を蒸着する。これは、各ソース電極３１、ドレイン電極３２になる。ソース電極３１とドレイン電極３２との間に、空間的に分離して、Ａｌ薄膜４を蒸着する（図１（ｃ））。このＡｌ薄膜４はゲート電極４になる。試料にＮＯ_２を供給し、第１の表面層２上に第２の表面層５を形成する（図１（ｄ））。露出した第２の表面層５全体を覆うように保護層６を第２の表面層５上に堆積させる（図１（ｅ））。 （もっと読む）

【課題】相変化膜の形成方法及び装置、これを利用した相変化メモリ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、相変化膜の形成方法及び装置、これを利用した相変化メモリ素子の製造方法に関し、チャンバにソースを供給し、そして前記チャンバから前記ソースをパージし、前記ソースの供給及びパージによって前記チャンバの圧力を変動させることを特徴とする。本発明によると、所望の組成と厚さによる組成分布により、優れた相変化膜を形成することができるようされる。 （もっと読む）

本発明は、ＹＳＺ／Ｘ／ＹＳＺ材料であって、ＸがＹＳＺとは異なる材料である少なくとも３層のスタックを、基板上に、ＣＶＤ（化学気相堆積）堆積する段階を含む、ＳＯＦＣ電池用電解質の製造方法に関する。
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【課題】ホウ素ドープダイヤモンド粒子の製造を容易化するために適用することができる、ホウ素ドープダイヤモンドの製造方法、ホウ素ドープダイヤモンド及び電極を提供すること。
【解決手段】ＣＶＤ法を用い、ホウ素ドープダイヤモンドを、タングステン又はその酸化物が少なくとも表面の一部に露出した基板上に成長させることを特徴とするホウ素ドープダイヤモンドの製造方法。前記基板の表面粗さは、０．５μｍ以下であることが好ましい。前記基板として、タングステン又はその酸化物から成る領域と、タングステンを含まない領域とが混在するものを用いることができる。 （もっと読む）