【課題】成膜速度を増大し、大面積のフィルムに成膜することができ、かつ、緻密な成膜を得ることができる成膜装置を提供すること。
【解決手段】本発明の成膜装置は、プラズマリニアソース７を有するプラズマ化学気相成長手段と、プラズマリニアソース７と所定間隔をおいて配置されているイオンエッチングローラー５を有するイオンエッチング処理手段と、プラズマリニアソース７とイオンエッチングローラー５との間においてフィルム３を通過させるフィルム搬送手段と、を具備する。前記プラズマ化学気相成長手段は、プラズマリニアソース７により発生する誘導結合プラズマによってフィルム３に成膜を行い、この成膜と同時に前記イオンエッチング処理手段はイオンエッチングローラー５からのイオンによってフィルム３にイオンエッチング処理を行う。 （もっと読む）

タービン、特にガスタービンの燃料伝導が可能なコンポーネント（３、２０）の表面（２３）をコーティングするためのプロセスであって、前記表面（２３）は、開示されているように、化学気相堆積により、最初に窒化チタン層（２１）でコートされ、続いてα−酸化アルミニウム層（２２）でコートされる。さらに、タービンコンポーネント（３、２０）、例えばガスタービンのコンポーネントは、ベース材料及び燃料伝導が可能な表面（２３）を備えることが記載されている。前記表面（２３）は、窒化チタンを含む中間層（２１）及びα−酸化アルミニウムを含む被覆層（２２）を有する。
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【課題】ＳＥＭにより検鏡される電気的絶縁試料の表面に金属薄膜を成膜する際に、簡易な方法により電気的絶縁試料に対して金属薄膜を高い密着度で成膜し、ＳＥＭから照射される電子線による電気的絶縁試料の帯電を低減して二次電子放出を効率的に行うと共に放出方向を一定にして電気的絶縁試料の表面を高精度、かつ鮮明に検鏡する。
【解決手段】電気的絶縁試料の表面に金属薄膜を成膜するに先立って、チャンバー内に炭化水素ガスを導入した状態で両電極間に電圧を印加してグロー放電を発生させて炭化水素成分をイオン化して電気的絶縁試料の表面に炭化水素膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】ロール・ツー・ロールの製造装置を用いてプラズマＣＶＤによってガスバリア膜を成膜するガスバリアフィルムの製造において、目的とするガスバリア性を有するガスバリアフィルムを安定して製造することを可能にする。
【解決手段】成膜前に、基板表面に５０Ｎ／ｍ²以上の面圧を与える部材が配置され、かつプラズマＣＶＤによる成膜圧を６０Ｐａ以上とすることにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】酸化珪素膜をバリア層に用い、透明性、バリア性に優れた透明バリアフィルム、およびこの透明バリアフィルムを効率的に製造可能な製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の透明バリアフィルムは、プラスチック基材２の片面または両面に、少なくとも３層以上の高密度酸化珪素膜３ａと低密度酸化珪素膜３ｂを順次積層してなるバリア層３を有する透明バリアフィルム１であって、高密度酸化珪素膜成膜時に、炭素含有前駆体を核とした膜を形成後に酸素を含む反応性ガスプラズマで処理する成膜方法を用いる。 （もっと読む）

サブリソグラフィック寸法又は高アスペクト比を含む小寸法を有する開口内に均一で均質に電極材料を形成する方法を提供する。この方法は、内側に形成された開口を有する絶縁層を提供し、開口上及び開口内に均質な導電又は準抵抗材料を形成するステップを含んでいる。この方法は、金属窒化物、金属アルミニウム窒化物及び金属ケイ素窒化物電極組成を形成するＣＬＤ又はＡＬＤプロセスである。この方法は、アルキル、アリル、アルケン、アルキン、アシル、アミド、アミン、イミン、イミド、アジド、ヒドラジン、シリル、アルキルシリル、シリルアミン、キレーティング、ヒドリド、サイクリック、カルボサイクリック、シクロペンタジエニル、ホスフィン、カルボニル又はハライドから選択された１以上のリガンドを含む金属前駆体を利用する。公的な前駆体は、一般式ＭＲｎを有し、Ｍは金属、Ｒは上述のリガンド、ｎは主要な金属原子に結合したリガンドの数に対応している。Ｍは、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｐｒ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎｉ又は他の遷移金属である。
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【課題】透明基板上に透明導電酸化物層を有する透明導電膜において、導電性を低下させずに光線透過率が向上する透明導電膜を提供する。
【解決手段】少なくとも１層からなる透明導電酸化物層１上に、該透明導電酸化物の片面または両面にはカーボン層２が形成され、該カーボン層が、メタン・二酸化炭素・水素のうちから選択した１種類以上のガスを用いて高周波プラズマＣＶＤ法により製膜され、且つ各ガスの体積が下式のいずれか１つを満たすことを特徴とする透明導電膜の製造方法。
０．７≦メタン／（メタン＋水素）≦１．０
０．６≦メタン／（メタン＋二酸化炭素）≦１．０
０．０４≦二酸化炭素／（水素＋二酸化炭素）≦０．１０ （もっと読む）

【課題】低抵抗値であり高剛性のダイヤモンド電子素子を提供する。
【解決手段】第１の表面Ｍ１と第１の表面Ｍ１の反対側にある第２の表面Ｍ２とを有し、第１の表面Ｍ１から第２の表面Ｍ２に貫通する一または複数のコンタクトホール１２の形成されたダイヤモンド基板２と、ダイヤモンド基板２の第１の表面Ｍ１上に設けられ、ダイヤモンドを含むｐ型のバルク層８またはバルク層２０と、バルク層８またはバルク層２０上に設けられ、ダイヤモンドを含むドリフト層１０と、ドリフト層１０上に設けられたショットキー電極１６と、コンタクトホール１２内に設けられ、バルク層８またはバルク層２０に接続されたオーミック電極１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】結晶品質の良いＩＩＩ族窒化物単結晶の自立基板を製造する方法を提供することである。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物からなる下地膜２を基板１上に気相成長法により形成する。下地膜２上に、フラックス法で育成されたＩＩＩ族窒化物単結晶６よりも硬度の低い中間層３を気相成長法で形成する。中間層３上に、ＩＩＩ族窒化物単結晶からなる種結晶膜５を気相成長法によって形成する。ＩＩＩ族窒化物単結晶６を種結晶膜５上にフラックス法によって育成する。ＩＩＩ族窒化物単結晶６を基板１から剥離させることによって自立基板を得る。 （もっと読む）

【課題】 大気プラズマ溶射法で、Ｙ_２Ｏ_３の溶射膜を備えたプラズマエロージョンに強いプラズマ処理容器内部材の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明のプラズマ処理容器内部材の製造方法は、１組のアノード１１とカソード１２を有するプラズマ溶射装置を用いて従来と同じ方法で気孔率５％以上のＹ_２Ｏ_３の溶射膜２１を形成する。その後、この溶射膜２１の上に、気孔率が５％未満のＹ_２Ｏ_３の溶射膜２２を形成する。気孔率が５％未満の溶射膜の形成方法は、つぎの通りである。１組のアノードとカソード間で放電し、作動ガスを供給して発生するプラズマに、粒径が１０〜４５μｍのＹ_２Ｏ_３の粉末状素材を供給する。粒径を通常のプラズマ溶射の場合より小さくすることで、気孔率が５％未満のＹ_２Ｏ_３の溶射膜２２を形成することができる。 （もっと読む）

本発明は、原子層堆積法を用い、基板上にリチウム含有層を形成するための方法を開示する。この方法は、基板上への堆積のために、反応チャンバを通してリチウム前駆体を逐次パルス供給することを含む。酸化性パルス供給及び、又は他の金属含有前駆体パルス供給をさらに用いると、薄膜電池に使用するのに適する電解質が製造され得る。 （もっと読む）

【課題】発光効率や寿命などの特性を向上させた発光素子などの半導体装置を工業的に安価に得ることが可能な２インチ以上の大口径ＧａＮ基板、当該ＧａＮ基板の主表面上にエピタキシャル層を形成したエピタキシャル層付き基板、半導体装置およびＧａＮ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】主表面を有するＧａＮ基板１であって、低欠陥結晶領域５２と、当該低欠陥結晶領域５２に隣接する欠陥集合領域５１とを備える。低欠陥結晶領域５２と欠陥集合領域５１とは主表面から当該主表面と反対側に位置する裏面にまで延在する。主表面の法線ベクトルに対し、面方位［０００１］がオフ角方向に傾斜している。 （もっと読む）

【課題】大きな変形を伴う基材の表面に形成した場合においても、剥離及びクラックが発生しにくく且つ耐蝕性が高い炭素質薄膜を実現できるようにする。
【解決手段】炭素質薄膜は、基材の表面に形成され、炭素同士が結合したＣ−Ｃ成分及び炭素とシリコンとが結合したＳｉＣ成分を含む膜本体を備えている。膜本体の表面における酸化シリコン成分の比率は、０．０５以下である。 （もっと読む）

【課題】 Ｎｉ基、Ｆｅ基、Ｃｏ基耐熱合金の高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】 工具基体の表面に、Ｔｉ化合物層からなる下部層と、ＴｉとＡｌの複合炭窒酸化物層からなる中間層と、Ａｌ_２Ｏ_３層からなる上部層で構成された硬質被覆層を形成してなる表面被覆切削工具において、上記ＴｉとＡｌの複合炭窒酸化物層を、電界放出型走査電子顕微鏡を用い、層の縦断面研磨面の法線に対して、（００１）面および（０１１）面の法線がなす傾斜角を測定し、（００１）面の法線同士および（０１１）面の法線同士の交わる角度が２度以上の場合を粒界と設定した上で、測定領域において粒界として識別される結晶粒相互間の界面のうち、（００１）面の法線同士、および（０１１）面の法線同士の交わる角度が１５度以上の粒界の長さＧＢＬと、測定したＴｉとＡｌの複合炭窒酸化物層の層厚Ｔの比の値ＧＢＬ／Ｔが２５０〜５００であるＴｉとＡｌの複合炭窒酸化物層で構成する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池モジュールを構成する充填材との良好な密着性を有し、かつ耐候性、耐水性、防湿性等の諸特性に優れ、難燃性にも優れた安価な太陽電池用裏面保護シートに有用な積層体を提供する。
【解決手段】フッ素系樹脂フィルム（１０１）の少なくとも一方の面に、有機化合物層、無機化合物層（１０４）を順次設けてなり、前記有機化合物層は、少なくとも付加重合官能基を有するフッ素化合物を含み、かつ、前記フッ素系樹脂フィルム上に形成された有機化合物層Ａ（１０２）と、分子量が１５０〜６００のトリアルコキシシリル基を有する（メタ）アクリル化合物を含み、かつ、前記無機化合物層と接する側に形成された有機化合物層Ｂ（１０３）と、を含み、前記有機化合物層および無機化合物層は、真空雰囲気下において蒸着法を用いて形成されたものである積層体。 （もっと読む）

【課題】水素と水素以外の複数種の分子との分離選択性が高い水素分離膜を提供する。
【解決手段】水素分離膜は、シリカ源は少なくとも１つ以上のメトキシ基と少なくとも１つ以上の嵩高い基を有するシラン類、テトラアリールオキシシラン類からなる群から選択される少なくとも１種を用い、酸素と不活性ガスとからなる混合ガスと気化させたシリカ源とを化学蒸着法によって多孔質基材の細孔を一部閉塞するように又は狭めるようにシリカを製膜させてなる。水素分離膜の孔径制御方法は、反応器内の多孔質基材１１を一定温度に保ち酸素ボンベ２０から反応器の側面導入口４２に酸素を供給するとともに、不活性ガスにより気化させた気化シリカ源とを側面導入口４２から反応器に導入させ、他端口４６より吸引し反応器内を減圧にし、多孔質基材１１の片側ともう一方側とに差圧を設け多孔質基材１１の細孔内にシリカ膜を製膜する。 （もっと読む）

【課題】表面全体にわたる十分な厚さの内部空洞壁のコーティングを得ることを可能にすること。
【解決手段】本発明は、金属ターボ機械部品の高温酸化保護用の気相堆積によるアルミ被覆プロセスに関し、上記部品（１）は空洞を含み、金属構成要素（９）が上記部品の開口部（５）から導入されて組み立てられる。
このプロセスに従って、ハロゲンとアルミニウムを含む金属ドナーの間の反応によってハロゲン化物が形成され、次いで、ハロゲン化物はキャリアガスによって運ばれて上記金属部品に接触し、金属構成要素（９）はプロセスの実施の前に最初にアルミニウムドナーとして働くためにアルミニウムで表面富化にされている。
本発明は、特にライナーを組み込むノズル案内翼に適用される。 （もっと読む）

【課題】低温成膜でも、高密度で優れた水蒸気バリア性を有する窒化シリコン膜を形成する。
【解決手段】原料ガスとして、シランガス、アンモニアガス、および、不活性ガスを用い、かつ、不活性ガスの流量を、シランガスおよびアンモニアガスの総流量の１〜１０倍とし、ＩＣＰ−ＣＶＤ法によって窒化シリコン膜を形成することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯナノロッドが基板表面に対して垂直性を維持しつつ、直径を２０ｎｍ以下まで細径化させることが可能なＺｎＯナノロッドの堆積方法を提供する。
【解決手段】所定圧力に調整されたチャンバ内に基板１３を設置し、チャンバ１１内への酸素原子を含む化合物で構成される気体又は蒸気と、亜鉛を含む有機金属ガスとを供給し、基板１３を４５０℃±１０％で加熱することにより、ＺｎＯからなる台柱を基板１３上に形成させ、次に基板１３を７５０℃±１０％まで昇温させ、当該温度にて所定時間保持することにより、台柱上端からＺｎＯナノロッドを成長させる。 （もっと読む）

【課題】 均熱性に優れると同時に、スループット向上の要求を満たし得る冷却速度及び昇温速度を達成でき、特に冷却速度に優れている半導体製造装置用ウエハ保持体、並びにそれを搭載した半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 半導体製造装置用ウエハ保持体は、ウエハを加熱するための抵抗発熱体１と、抵抗発熱体１を挟み込む上側冷却モジュール２ａと下側冷却モジュール２ｂとを有し、筒状支持部材３で支持されている。冷却モジュール２ａ、２ｂは、内部に冷媒用の流路を有するか、若しくは流路となる冷却管を備えていることが好ましい。 （もっと読む）