ダイヤモンド成長表面の温度が９００〜１，４００℃の範囲であり、かつこのダイヤモンドがヒートシンクに取り付けられた方法により製造された単結晶ＣＶＤダイヤモンド。ダイヤモンドの成長は、単位Ｈ₂当たりＣＨ₄が８％超の、１５０トル超の雰囲気の成膜チャンバー内でマイクロ波プラズマＣＶＤ法により行われる。このダイヤモンドは、レーザー用ヒートシンクとして使用できる。周波数変換器として、単結晶ダイヤモンドを含むラマンレーザー変換器用χ⁽³⁾非線形結晶質としての別の用途がある。
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本発明は、単結晶ダイヤモンドの平面によって形成された機能性表面を含むダイヤモンド電子デバイスであって、単結晶ダイヤモンドの平面は、Ｒ_ｑが１０ｎｍ未満であり、以下の特性：（ａ）表面が、合成による形成後に機械的処理されていないこと；（ｂ）表面が、エッチングされた表面であること；（ｃ）表面を破壊するダイヤモンドの転位の密度が、０．０１４ｃｍ^２を超える面積に対して測定された場合に４００ｃｍ^−２未満であること；（ｄ）表面が、１ｎｍ未満のＲ_ｑを有すること；（ｅ）表面が、その真下に電荷担体の層を有する領域であって、該表面の領域が、水素末端｛１００｝ダイヤモンド表面領域のような導電性と通常呼ばれる領域を有すること；（ｆ）表面が、その真下に電荷担体の層を有さない領域であって、酸素末端｛１００｝ダイヤモンド表面のような絶縁性と通常呼ばれる領域を有すること；及び（ｇ）表面が、１つ又は複数の金属被覆領域の下のダイヤモンド表面に電気的接触を与える１つ又は複数の金属被覆領域を有することのうちの少なくとも１つを有するダイヤモンド電子デバイスに関する。 （もっと読む）

【課題】半導体リソグラフィープロセスや大型光学部品、半導体材料、放熱基板等に好適な大型ダイヤモンド基板、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板上に単結晶ダイヤモンド種基板１が配置されたダイヤモンド基板であって、シリコン基板に凹部が存在し、この凹部上に主面の面方位が（１１１）である単結晶ダイヤモンド種基板１が配置されており、シリコン基板の凹部以外の表面上に（１００）配向もしくは（１１０）配向の気相合成ダイヤモンド層８が設けられており、単結晶ダイヤモンド種基板１とシリコン基板が（１００）配向もしくは（１１０）配向の気相合成ダイヤモンド層８を介して接合され、ダイヤモンド層８と単結晶ダイヤモンド種基板１とが表面近傍で密着し、両者の表面が実質的に平坦化且つ一体化されているダイヤモンド基板。 （もっと読む）

【課題】 ウエハ保持体を支持した筒状支持部材をチャンバーに取り付ける際に、確実に取り付けることができ、高い信頼性を有するウエハ保持体の取り付け構造を提供する。
【解決手段】 ウエハ保持体を支持した筒状支持部材１の下端部を支持し且つその下端部外周の少なくとも一部を覆う筒状部３ａを有する支持部品３と、支持部品３と筒状支持部材１の間に配置され且つ筒状支持部材１の下端部外周に設けたフランジ部１ａの上に取り付けられたリング状固定部材４とを備え、リング状固定部材４の外周に形成した雄ネジを支持部品３の筒状部３ａに形成した雌ネジに螺合すると共に、支持部品３の下端突出部３ｂをチャンバー２に取り付ける。 （もっと読む）

【課題】 ウエハを均一に加熱することができるだけでなく、ウエハ保持体の破損を防止することができる、信頼性の高いウエハ保持体の支持構造を提供する。
【解決手段】 セラミックス焼結体中または表面に電気回路を埋設したウエハ保持体１を筒状支持部材３で支持する支持構造であって、ウエハ保持体１にネジ山が形成されたフランジ部品２が複数のネジ４で取り付けられており、このフランジ部品２のネジ山に筒状支持部材３に設けたネジ山が螺合されている。フランジ部品２に螺合された筒状支持部材３は、回り止めピン５によって固定されている。 （もっと読む）

【課題】薄膜形成や平坦化処理において薄膜の応力を制御できる薄膜形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】処理中の基板の曲率半径を測定しながら薄膜形成や平坦化処理を実施して処理の終点を検出し、薄膜形成や平坦化処理を終了する。 （もっと読む）

【課題】冷陰極材料に用いた場合にその冷陰極のＩＶ特性を改善できる炭素膜を成膜することができる成膜装置を提供すること。
【解決手段】真空成膜室６と、この真空成膜室６内に配置され内部に直流プラズマを発生し当該内部に配置した基板（導電性ワイヤ）１０表面に成膜するための筒状陰極８とを備え、上記直流プラズマによりガスが分解して成膜が行われる過程で筒状陰極８に周期的にパルス状正電圧Ｖ２を印加する。 （もっと読む）

【課題】ＰＣＶＤ堆積プロセスを実施するための装置および方法を提供すること。
【解決手段】本装置は、１つまたは複数のドープされた、またはドープされていないガラス層をガラス基体チューブの内部上に被覆するものであり、内壁および外壁を有するアプリケータと、アプリケータ中に開口したマイクロ波ガイドとを含み、アプリケータは、円柱軸のまわりに延在して、内壁に隣接する導管を備え、その導管を通ってマイクロ波ガイドを介して供給されるマイクロ波が出射することができ、円柱軸の上に、基体チューブは、配置することができ、一方アプリケータは、円柱軸の上に延在する加熱炉によって、完全に囲繞される。 （もっと読む）

【課題】 安定した膜質の金属酸化物膜を低コストで成膜させる金属酸化物成膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 金属酸化物成膜装置１０は、基材２の表面に金属酸化物を成膜させる原料ガスを発生する気化器４と、基材２を収容し、気化器４により発生した原料ガスを基材２の表面に蒸着させる反応容器６と、反応容器６へ原料ガスを搬送する空気を供給する空気吸込み口８と、空気の湿度を調整するエアドライヤ１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】単結晶シリコンロッドの製造方法及び単結晶シリコンロッド構造体を提供する。
【解決手段】基板上に絶縁層を形成する工程と、絶縁層にホールを形成する工程と、ホール内にシリコンを選択成長させる工程と、ホール及び絶縁層上にシリコン層を形成する工程と、シリコン層にホールに対して非放射状方向にロッドパターンを形成する工程と、シリコン層を溶融させてホールに対応する位置に結晶核が生成されるように、ロッドパターンが形成されたシリコン層上にレーザビームを照射してシリコン層を結晶化する工程と、を含む単結晶シリコン製造方法である。これにより、欠点のない単結晶シリコンロッドを形成しうる。 （もっと読む）

【課題】マスク層を用いる事に起因する種々の問題を回避し、かつ製造工程の簡略化を図ること。
【解決手段】(ａ)図に示すように、成長面が凹凸面とされた基板１を用いる。この基板を用いて気相成長した場合、凹凸形状が、横方向成長を抑え、Ｃ軸方向の成長を促進する働きとなり、ファセット面形成に可能な素地面となる。従って(ｂ)図に示すように、凸部にはファセット面が形成された結晶が成長し、凹部にも結晶が成長した状態となる。さらに結晶成長を続けると凸部、凹部から成長した膜がつながって、やがて(ｃ)図のように凹凸面を覆い平坦化する。この場合、ファセット面が形成された凸部上部には低転位領域が形成され、作製した膜の高品質化が図れている。 （もっと読む）

【課題】良好なプロトン伝導体であり、電池を作製する方法に対して感度が高すぎることのない電解質材料、およびそのような材料を作製する方法を提供する。
【解決手段】本発明の材料は、燃料電池の電解質（３０６）を構成するのに適した材料であって、炭素（Ｃ）、フッ素（Ｆ）、酸素（Ｏ）および水素（Ｈ）、およびケイ素（Ｓｉ）を含む疎水性マトリックスを有する。本発明の材料は、その材料を含む電解質の性能を、およびその結果としてそのような電解質を組み込んだ燃料電池の性能を改良するのに役立つ。本発明はさらに、蒸着速度があまり制限されないそのような材料を作製する方法に関する。 （もっと読む）

【課題】結晶品質に優れ、かつクラックのないＡｌＮ系III族窒化物単結晶厚膜を作製する方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャル基板上に、ＨＶＰＥ法によってＡｌＮ系III族窒化物厚膜を得る場合に、通常の成長条件で厚膜層の形成を行う第１の工程と、その時点で形成されている厚膜層を第１の工程における厚膜層の形成温度Ｔ１以上の高温状態Ｔ２で保持することを主目的とする第２の工程とを適宜のタイミングで切り替えつつ繰り返し行うようにする。これにより、それぞれの第１の工程において厚膜層に内在する歪を第２の工程で逐次に緩和させつつ厚膜層を形成することができる。厚膜層の形成後に面内方向に作用する引張応力を、あらかじめ緩和させた状態の厚膜層を形成することができるので、厚膜層におけるクラックの発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】元素分析前処理用容器であって、耐熱性と、耐酸性等の耐薬品性に優れ、かつ高純度な元素分析前処理用容器を提供する。また、ＩＣＰ法による分析装置で用いられる誘導結合プラズマトーチであって、精密な元素分析を可能とし、かつ耐久性に優れる誘導結合プラズマトーチ、及びこれを具備するＩＣＰ法による元素分析装置を提供する。
【解決手段】元素分析の前処理で使用される容器であって、該容器が、化学気相成長（ＣＶＤ）法によって製造されたセラミック容器であることを特徴とする元素分析前処理用容器。また、少なくとも、誘導コイルとノズルを具備する、ＩＣＰ法による元素分析装置で用いられる誘導結合プラズマトーチであって、前記ノズルが、ＣＶＤ法によって製造されたセラミックノズルであることを特徴とする誘導結合プラズマトーチ。 （もっと読む）

【課題】ガラス生産プロセス中にフロートバス内で移動しているガラスリボン上に、少なくとも１３０Å／秒の高い堆積速度で、相当の厚さの金属酸化物コーティング、特に酸化スズコーティングを堆積する化学蒸着方法及び、該方法により被覆されたガラスを提供する。
【解決手段】被覆される金属酸化物に対応する金属の四塩化物、酸化スズコーティングに際しては四塩化スズを用い、酸素源としては有機酸素含有化合物、好ましくはβ水素を有するアルキル基を有するエステルを用いる。 （もっと読む）

【課題】少なくとも１つの内部通路を有する基体、例えばタービンの内部を耐熱性の物質で均一に被覆させる方法と装置を提供する。
【解決手段】反応容器２の反応空間２１に設置した基体、例えばタービン内部について外部供給源７から供給したアルミニウム系加工用ガスを内部発生器４に通して反応性を高め、反応性を高めたガスを各通路につき各々調節した流量で通過させることにより基体１０内部にアルミニウムを蒸気相から化学的蒸着させて均一に被覆する方法および装置。 （もっと読む）

【課題】本発明は集束イオンビーム用ガス導入装置に関し、試料への加工性能を向上させることができる集束イオンビーム用ガス導入装置を提供することを目的としている。
【解決手段】集束イオンビームを用いてイオンビーム支援エッチング又はビーム支援堆積を行なうことが可能な装置において、イオンビーム鏡筒の下に複数の流体送出システムとしてのパイプ８を複数有し、該パイプ８の出口であるノズル８ａ同士が１次イオンビーム１７の軸と対称で内部を通過する流体が試料１８面に向かう形状で構成され、該パイプ８への導入ガスの噴射条件を個別に制御できる構成であり、該パイプ同士間を連結する機構を有して構成される。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板Ｗの自然酸化膜を低温で除去することが可能であり、単結晶のＳｉＧｅ膜を成長させることが可能な、膜形成装置３を提供する。
【解決手段】シリコン基板Ｗ上の自然酸化膜を揮発性物質に変換するための三フッ化窒素ガス供給手段３５および水素ラジカル供給手段３０と、シリコン基板Ｗを加熱する手段と、を備えたエッチング室２０と、シリコン基板Ｗ上にＳｉＧｅ膜を成長させるための原料ガスの供給手段５０を備えたＳｉＧｅ成長室４０と、エッチング室２０からＳｉＧｅ成長室４０に対して、シリコン基板Ｗを管理雰囲気下で移送する基板移送室１６と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】界面破壊現象が発生しない炭素ナノチューブ配線の形成方法及びこれを利用した半導体素子配線の形成方法が開示されている。
【解決手段】基板上に酸化金属膜を形成した後、前記酸化金属膜上に前記酸化金属膜の表面を露出させる開口を含む絶縁膜パターンを形成する。前記開口に露出された前記酸化金属膜を炭素ナノチューブの成長が可能な触媒金属膜パターンに形成する。前記触媒金属膜パターンから炭素ナノチューブを成長させて炭素ナノチューブ配線を形成する。前述した炭素ナノチューブ配線の形成方法は、前記絶縁膜パターンと触媒金属膜パターンとの間で炭素ナノチューブが成長する現象を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】導波管の外周部及び中央部の表面波電界強度を強化して径方向の分布を調整し、表面波電界強度の高度の均一性を実現するプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理室１０１を真空に排気して処理用ガスを導入した後、マイクロ波をプラズマ処理室１０１に導入してプラズマを発生し被処理基体１０２を処理するプラズマ処理装置（プラズマ処理方法）において、スロット付無終端環状導波管（導波管）１０８の内側円弧状スロット１１４ａの中心線と外側円弧状スロット１１４ｂの中心線との間隔Ｌｓを誘電体窓１０７の表面を伝播するマイクロ波の表面波の半波長の偶数倍にする。外側円弧状スロット１１４ｂの中心線と誘電体窓１０７の外周との間隔Ｌｅをマイクロ波の表面波の半波長の奇数倍にする。 （もっと読む）