プラズマ堆積を使用して、プロセスチャンバ内で基板を覆う膜を処理する方法及びシステムが提供される。プラズマは、該プロセスチャンバ内に形成され、該膜を処理するのに適切なプロセスガス混合物が、プロセス条件のセットの下で、該プロセスチャンバ内に流される。該プロセスガス混合物は、ケイ酸塩ガラスを堆積させるために、シリコン含有ガス及び酸素含有ガスを含んでもよく、該ガスは、場合により、具体的に所望される光特性を得るためにドープすることもできる。該プロセス条件を、パラメータの値、該膜の光特性及び該プロセス条件の間の相関関係に従って変更できるように、膜の処理中にパラメータがモニタされる。 （もっと読む）

【課題】トランジスターを劣化させるゲート酸化物ラップアラウンド現象を解消する。
【解決手段】
マスク材料は、タングステン、窒化チタン及び非晶炭素のうちの少なくとも一種を含んでいる。開口部が、マスク材料を通って半導体基板内に至るように形成されている。トレンチ分離材料が、分離トレンチを過剰充填する効果量で形成されている。トレンチ分離材料は、マスク材料のタングステン、窒化チタン及び非晶炭素のうちの少なくとも一種の少なくとも最外側面に至るまで研磨される。タングステン、窒化チタン及び非晶炭素のうちの少なくとも一種は基板からエッチング除去される。 （もっと読む）

本発明は、金属加工物上に防錆性の機能表面を形成する方法において、前記加工物に複数の層を提供し、少なくとも一層が防錆層であるようにする方法に関する。これらの層はプラズマコーティングにより単一工程で提供し、プラズマは化学物質の混合物を含む。 （もっと読む）

非平面状物品は、実質的に均一な厚さ及び実質的に均一な耐摩耗性を有し、ほぼ平均値の±０．２５の間の範囲にある△曇り（％）を有する、プラズマ蒸着した耐摩耗性被覆を含む。
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【課題】シード堆積プロセス１３０において、第一温度でシリコン含有表面上にゲルマニウムのシード層を堆積させることを含む方法。該シード層は、約１モノレイヤーと約１０００Åの間の厚みを有する。該方法はさらに、該シード層堆積後、温度ランププロセス１４０においてゲルマニウムを堆積し続けながら該反応チャンバーの温度を上昇させることを含む。該方法はさらに、バルク堆積プロセス１５０においてゲルマニウムを堆積し続けながら、第二温度範囲で該反応チャンバーを保持することを含む。該第ニ温度範囲は該第一温度より高い。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、見た目に美しい金色の外観を有するコーティングされたガラス製品を提供することである。
【解決手段】 本発明は、ガラス製品上に酸化鉄コーティングを施す方法を定める。製品は、建築用グレイジングとして用いられるのが好ましい。上記方法には、コーティングが蒸着される表面を有する加熱ガラス基材を供給する過程が含まれる。コーティングされる表面に向けてかつその表面に沿って、フェロセン及びオキシダントが送り出され、フェロセン及びオキシダントはガラス基材の表面またはその付近で反応して酸化鉄コーティングを形成する。 （もっと読む）

機能層を作成する方法において、基材がプロセスチャンバー内に導入される工程と、少なくとも１つのプラズマが、例えばプラズマカスケード発生源のような、少なくとも１つのプラズマ発生源（３）により発生される工程と、前記プラズマ（Ｐ）の影響下で、少なくとも１つの第１蒸着材料を前記基材（１）上に蒸着させる工程と、同時に、少なくとも１つの第２材料（６）が、第２の蒸着工程により前記基材に適用される工程と、を備えた方法である。本発明はまた、少なくとも１つのプラズマを発生させる、例えばプラズマカスケード発生源のような少なくとも１つのプラズマ発生源と、蒸着材料を各プラズマ内へ導入する手段と、前記プラズマ発生源と同時に、前記基材上に少なくとも１つの第２蒸着材料を蒸着するように配置された第２蒸着発生源（６）と、を備えた装置である。
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化学蒸着法を用いて炭化ケイ素リングを製造するための改良方法。円筒状管を蒸着基板として用い、円筒状管の内面若しくは円筒状マンドレルの外面又は両方に蒸着した結果として生じる材料をスライス又は切断して所望のリング寸法及び形状にする。結果として生じるリングは、完成品に対して実質的に平坦に配向する結晶成長を有する。また、本発明は、窒素ドープ化炭化ケイ素材料、並びに炭化ケイ素構造体の平面に対して、及び互いに実質的に平行な結晶粒成長軸を有し、さらに結晶粒の結晶粒成長軸に対して実質的にランダムである回転配向を有する炭化ケイ素構造体にも関する。

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【課題】
本発明は、プラズマ・チャンバから構成された直線プラズマ放電開口部（９，２７，２８，３０）及びこの直線プラズマ放電開口部の領域内に多重極磁場装置を有するＥＣＲプラズマ源に関する。少なくとも２つの個々の分波器（３，４）が、中心にある分波器として存在する。これらの分波器（３，４）はそれぞれ、部分プラズマ・チャンバ（１，２，２１，２２，３２，２３）内に配置されている。直線部分プラズマ放電開口部（７，８，２３，２４，３４，３５）及び多重極磁場装置（１０，１１，３８，３９）が、各部分プラズマ・チャンバ（１，２，２１，２２，３２，２３）に沿って存在する。少なくとも２つの直線部分プラズマ放電開口部（７，８，２３，２４，３４，３５）が、ＥＣＲプラズマ源の少なくとも１つのプラズマ放電開口部（９，２７，２８，３０）を形成するように、これらの直線部分プラズマ放電開口部（７，８，２３，２４，３４，３５）は、向き合って配置されている。
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気体透過バリアを原子層蒸着（ＡＬＤ）によってプラスチックまたはガラス基板上に蒸着することができる。ＡＬＤコーティングの使用によって、コーティング欠陥を減らすと共に数十ナノメートルの厚さにおいて桁違いに透過を低減させることができる。これらの薄いコーティングが、プラスチック基板の可撓性および透過性を保持する。かかる物品が、容器、電気および電子用途において有用である。

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【課題】高品質のガラス膜を形成し、信頼性の高い光ファイバプリフォームを形成する方法および装置を提供する。添加物密度の均一な光ファイバプリフォームを提供する方法および装置を提供する。
【解決手段】ガラス管１００内に、プラズマ領域ＰＲを形成し、前記ガラス管を前記プラズマ領域に対して相対的に往復運動させることにより、プラズマ誘起ＣＶＤ法により、前記ガラス管内面にガラス膜を成膜する工程を含む光ファイバプリフォームの製造方法において、前記プラズマ領域に磁界を印加し、プラズマを封じこめつつ、成膜する。 （もっと読む）

【課題】ウエハに形成される薄膜の特性が向上するとともに、特性のバラツキが抑制できる薄膜形成装置を得る。
【解決手段】反応室３にはウエハ５が設置された石英ボート４が配置されている。ガス導入孔８とガス排気孔９が石英チューブ２の内側の管にそれぞれ対向して配置されているので、反応室３内のガスの流れは、図中矢印７で示すように、ウエハ表面と平行な方向に面内均一に形成することができ、Ｓｉウエハ面内の特性バラツキを防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】ファインパターンが得ることが出来、かつ電気的信頼性に優れた、フィルム状積層体を提供する。
【解決手段】耐熱性重合体フィルムの少なくとも片面に、有機金属化合物のプラズマＣＶＤ層および導電体層が逐次形成されたことを特徴とするフィルム状積層体。 （もっと読む）

【課題】 ＣＶＤ法に適する液体イリジウム化合物、これを用いたＣＶＤ用原料、及び該ＣＶＤ用原料を用いたイリジウム薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】 トリス（オクタン−２，４−ジオナト）イリジウム。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンドに匹敵する広い電位窓を有するホウ素炭素窒素系薄膜を用いたセンサーおよび電気化学装置を提供すること
【解決手段】ホウ素、炭素、窒素の少なくとも２原子からなる材料を有することを特徴とする。 （もっと読む）