本発明は、同時の気相化学堆積およびナノ粒子の真空注入によりナノ複合材料を調製するための方法、そのようにして得られる材料およびナノ粒子、ならびにこれらの用途に関する。 （もっと読む）

水蒸気及び気体に対する良好な透過遮断硬化を有する無機の遮断層を備え、プラスチック成形された包装要素であって、この包装要素には、所望の透過遮断硬化を有する材料を使用して真空中で生成されたコーティングが付与される。この真空コーティングには、磨耗及び腐蝕に対する保護及び機械的安定性の改良のために、オーバーラッカーを施す。 （もっと読む）

【課題】板状の導電性ダイヤモンド電極を、ＣＶＤ法を使用して製造すると、一方の面に非ダイヤモンド構造の炭素質が生成して電極性能を低下させる。この電極を賦活化して電極性能を高く維持する。
【解決手段】導電性ダイヤモンド電極の表面を、励起水素、励起酸素、及び励起アルゴンから選ばれる一種類以上と接触させる。表面に生成している非ダイヤモンド構造の炭素質が励起ガスと接触して、電極表面から除去される。 （もっと読む）

熱拡散器は、少なくとも２つの隣接層を有する。各層は、ｚ方向に沿って熱分解グラファイトからカットされた少なくとも２つの熱分解ストリップを有する。グラファイトのシートのｘｙ面における熱伝導度はｚ方向の熱伝導度より大きい。そのｚ方向のカットによって、元のシートの厚さ方向がカットされたストリップの幅または長さとなるように、それぞれ９０度方位合わせされたストリップが形成される。第１のストリップの側面が、各層において第２のストリップの側面と隣接する。各ストリップのｘｙ面における熱伝導度がｚ方向の熱伝導度より大きいので、熱は、各層における方位されたストリップの隣接の側面を横切って伝導するよりも各ストリップの長さおよび厚さ方向に速く伝導する。第１の層のストリップは、第２の層のストリップの方位から約９０度方位合わせされている。
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【課題】ＰＣＶＤ法によるＳｉＮ膜の成膜後の表面平坦性を向上させる手段を提供する。
【解決手段】反応室内に投入した半導体ウェハに、ＰＣＶＤ法を用いて窒化シリコン膜を成膜する窒化シリコン膜の製造方法において、反応室内に、酸素を残留させた状態で、窒化シリコン膜を成膜するための半導体ウェハを投入する。 （もっと読む）

【目的】亀裂等の欠陥を生じることなしに、基材全面にＳｉＣが成膜形成され、支持具が成膜したＳｉＣ皮膜と一体化することができるＣＶＤ−ＳｉＣの製造方法を提供する。
【構成】基材を該基材に当接する支持具を介して基材保持冶具に載置し、基材面にＣＶＤ反応によりＳｉＣ被膜を成膜する方法において、前記支持具がＣＶＤ反応により得られたＳｉＣ被膜から形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、蒸気成長カーボンナノファイバーのような炭素材料の表面を改質する方法を提供するものであり、その方法では、ケイ素は化学蒸着法を用いて蒸気成長カーボンナノファイバー上に蒸着される。得られるケイ素−炭素合金は再充電可能なリチウムイオン電池のアノードとして用いうる。 （もっと読む）

反射防止シリカ膜を、火炎熱分解蒸着法、好ましくは燃焼化学気相蒸着法を用いて、フロートガラスまたは圧延ガラス製造処理中に生成したガラスリボン上に蒸着する。リボンの温度は２００℃を超える。この方法は、フロート浴またはロールと、焼きなまし炉との間の間隙で行うことができる。膜の耐久性を焼結によって増大し得る。装置は、各バーナーヘッドに隣接位置した抽出ユニットを備えるのが好ましい。さらなる実施形態においては、より低い有効屈折率を有する膜を生成するために、追加の酸素を気相蒸着法に導入する。 （もっと読む）

【課題】 圧縮機摺動部材の大気圧近傍での非晶質硬質炭素皮膜の成膜方法及びその方法で成膜された圧縮機摺動部材及びその非晶質硬質炭素皮膜の成膜装置を提供することを解決すべき課題とする。
【解決手段】 保持電極に圧縮機の摺動部材を圧縮機の摺動部材の摺動面と保持電極の電極面とが略同一面状に収容させ、大気圧近傍で交流電圧を印可して保持電極とガス供給電極体との間にグロー放電プラズマを発生させ、摺動面に非晶質硬質炭素皮膜を成膜する。その際保持電極とガス供給電極体とを相対移動させ、原料ガスの混合比を不活性ガス／炭化水素系ガス＝０／１００〜９９／１とし、放電ギャップ距離を０．５ｍｍ〜１０ｍｍとし、原料ガス流速を１ｍｍ／ｓｅｃ〜１０００ｍｍ／ｓｅｃとする。 （もっと読む）

【課題】圧力損失が小さく、連続再生が可能で、製造コストの低廉な連続再生型粒子状物質フィルタを提供する。
【解決手段】ハウジング４に収容されたＳｉＣフィルタ５と、エンジンから排出される排気ガスをＳｉＣフィルタ５に導くガス導入手段と、該ＳｉＣフィルタ５によって捕捉された粒子状物質を燃焼させるための電熱パネルヒータ７とを備えている。ＳｉＣフィルタ５は、円錐容器形状の炭素質多孔体にＳｉＣををパルスＣＶＩ法によってコーティングすることによって製造されており、粒子状物質の粒子径よりも大きい孔を有する （もっと読む）

【課題】触媒体の劣化を抑制させて生産性を向上させたＣＶＤ装置と、該ＣＶＤ装置を用いて製造する半導体装置及び光電変換装置を提供する。
【解決手段】シャワープレート２４が、チャンバ本体２１の空間Ｓを２つに区画し、成膜を行う第一室Ｓ１と、第一室Ｓ１を除く第二室Ｓ２とを形成する。また、接続端子ホルダ３１が、各接続端子３２をそれぞれ第二室Ｓ２に配置し、触媒体Ｗの両端部を、それぞれ第二室Ｓ２にまで案内する。そして、第一調整バルブＶｃ１が、第一室Ｓ１の圧力を「第一目標圧力」に調整し、第二調整バルブＶｃ２が、第二室Ｓ２の圧力を「第一目標圧力」よりも低圧の「第二目標圧力」に調整する。 （もっと読む）

【課題】 透明性を有すると共に優れたガスバリア性を備え、かつ、温度・湿度依存性が小さく、また、耐衝撃性等の諸物性に優れ、更に、引き裂き性が良好で直線カット性を有すると共にヒ−トシ−ル性樹脂層（ヒ−トシ−ラント）として作用する極めて有用な易引き裂き性を有するガスバリア性積層フィルムを提供することである。
【解決手段】 直線引き裂き性を有する一軸延伸ポリエチレン系樹脂フィルムの一方の面に、プラズマ保護層を設け、更に、該プラズマ保護層の面に、化学気相成長法によるバリア性無機酸化物の蒸着膜を１層ないし２層以上設け、更に、該バリア性無機酸化物の蒸着膜の上に、プライマ−剤層を設けたことを特徴とする易引き裂き性を有するガスバリア性積層フィルムに関するものである。 （もっと読む）

【課題】金属の化学的、電気化学的および磁気的特性を利用した燃料電池用触媒、自動車排ガス処理用触媒等の産業及び環境分野における各種化学反応に対する触媒、電気分解用電極等の各種電気化学反応に対する電極、温度、圧力、ガスセンサ素子等のフォトニクス・エレクトロニクス・情報技術用基礎素材または機能素子などとして使用される、金属ナノ粒子から形成される金属多孔質膜及びその製造法を提供する。
【解決手段】金属多孔質膜は、貴金属元素によってその骨格が構成され、且つ直径１〜４ｎｍの金属ナノ粒子から形成する。又、水素ガス、不活性ガス又はそれらの混合ガスの存在下、有機金属錯体を用いて、化学気相蒸着法により金属多孔質膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】導電性ダイヤモンド膜の被覆手段としてプラズマＣＶＤ法を適用した導電性ダイヤモンド被覆網状電極、その製造方法などを提供する。
【解決手段】高融点金属で形成された網状基材に導電性ダイヤモンド膜をプラズマＣＶＤ法により被覆する網状電極の製造方法である。真空容器２１内に網状基材１を載置した載置台１１を設け、前記載置台１１に載置された網状基材１の外周を取り囲むように高融点金属で形成された外枠１２を前記載置台１１の外周部に設ける。そして前記真空容器２１内に炭素源を含む原料ガスを供給し、前記載置台１１および外枠１２を包み込むようにプラズマを形成して前記網状基材１に導電性ダイヤモンド膜を被覆する。 （もっと読む）

【課題】極めて薄い層であっても層の傾斜が経済的で、手早く正確に調整できる方法を提供する。
【解決手段】層を製造するプラズマＣＶＤ法、ここで、該層の傾斜が被覆プロセス中に少なくとも１つのプラズマ出力パラメーターを変化させることにより該層の成長方向に作られる、において、プラズマパルスＣＶＤ法で出力パルス列としてプラズマ出力を供給し、ここで、該パルス列はパルス振幅、パルス幅およびパルス間隔のパラメーターを有する；さらに該パルス振幅、パルス幅およびパルス間隔の少なくとも１つを変化させることにより、該層の傾斜を調整するステップ。 （もっと読む）

【課題】反射膜と透光膜の適切な組合せにより、これらの成膜条件の変更に基づいて、様々な色相を呈することができる反射体および反射体の製造方法を提供する。
【解決手段】反射体Ｒは、基板２０と、基板２０上の窒化チタンからなる反射膜２２と、反射膜２２上の酸化チタンからなる透光膜２３と、を備え、透光膜２３の厚み、窒化チタンの組成割合、および、酸化チタンの組成割合、に基づいて、反射膜２２により反射される光の色相を変更可能に構成されている。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの発生が少ない耐食性部材、例えばガスノズルを提供すること。
【解決手段】窒化アルミニウム質焼結体からなる基体の表面の一部をなす複数の柱状の窒化アルミニウム結晶粒子を有し、前記柱状の窒化アルミニウム結晶粒子の頂点と、該頂点を中心とした２０μｍ四方における柱状以外の窒化アルミニウム結晶粒子の頂点との最大高低差が４μｍ以上である領域を有すること。 （もっと読む）

体積の大きな構成部品にプラズマ支援によるコーティングおよび表面処理を施す装置および方法を提示する。本装置には、１つまたは複数のポンプを有する真空チャンバ（３、２０、３２）、第１の高周波発生器（５、１７、２８、４０）を有する第１の発振回路、前記第１の発振回路の調整可能なキャパシタンスおよび調整可能なインダクタンス、前記第１の発振回路内へ前記構成部品（１、２１、３１、３９）を組み込むための第１の端子、第２の高周波発生器（１８、２９、４０）を有する少なくとも１つの第２の発振回路、前記第２の発振回路内へ前記構成部品（１、２１、３１、３９）を組み込むための第２の端子、および、前記第２の発振回路の調整可能なキャパシタンスおよび調整可能なインダクタンスが装備されている。本方法では、前記第１および第２の発振回路のインダクタンスおよび／またはキャパシタンスが、前記構成部品（１、２１、３１、３９）に合わせて調節される。
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【課題】１２００℃以上の高温でも熱伝導率が安定しており、かつ焼結による皮膜の割れや剥離が発生しない遮熱コーティング層を備え、耐熱性および耐久性に優れた耐熱部材を提供する。
【解決手段】金属またはセラミックス部材から成る基材１と、この基材１の表面に被覆される遮熱コーティング層４とから成り、上記遮熱コーティング層４が、結合層として機能する金属層２と、この金属層２の上面に被覆された少なくとも１層のセラミックス層３とから構成される耐熱部材において、上記セラミックス層３のうちの少なくとも１層が酸化ハフニウムを主成分とするセラミックス層から成るとともに、このセラミックス層は酸化ハフニウムを８５％以上含有することを特徴とする耐熱部材である。 （もっと読む）

【課題】配向性の高いＰＺＴ薄膜を容易に製造することが可能なＰＺＴ薄膜の製造方法、配向性の高いＰＺＴ薄膜を圧電薄膜として備えた低コストのＢＡＷ共振器およびそれを用いたＵＷＢ用フィルタを提供する。
【解決手段】ＰＺＴ薄膜３０ａの製造にあたっては、結晶成長用基板１の主表面側の成長表面である最表面Ｓｕｒに電子銃２から電子ビームを照射しながらスパッタ法によりＰＺＴ薄膜３０ａを結晶成長させるので、結晶成長時の最表面Ｓｕｒ付近の電子４に起因した電場と最表面Ｓｕｒに向かって飛来するＰＺＴ粒子３の自発分極との相互作用により、自発分極の方向が厚み方向に揃った配向性の高いＰＺＴ薄膜３０ａを結晶成長させることができる。ＢＡＷ共振器における圧電薄膜の形成方法としてＰＺＴ薄膜３０ａの製造方法を利用すれば、ＢＡＷ共振器およびＵＷＢ用フィルタの低コスト化を図れる。 （もっと読む）