【課題】太陽電池に使用可能な優れた電気的、光学的特性を有し、且つ耐湿性に優れた太陽電池基板用透明導電膜を有する太陽電池基板及び太陽電池基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による太陽電池基板は、透明基板と、透明基板に形成されるドーパントがドープされた酸化亜鉛（ＺｎＯ）薄膜と酸化亜鉛（ＺｎＯ）薄膜に熱処理によって形成される表面電荷活性化層と、を備えた透明導電膜を含む。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置を作製し、提供することを課題の一とする。
【解決手段】チャネル形成領域を含む半導体層を酸化物半導体膜とする薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体層に接して保護膜となる酸化物絶縁膜を形成した後に、不純物である水分などを低減する加熱処理（脱水化または脱水素化のための加熱処理）を行って、ソース電極層、ドレイン電極層、ゲート絶縁層中、及び酸化物半導体膜中に加え、上下に接して設けられる膜と酸化物半導体膜の界面に存在する水分などの不純物を低減する。 （もっと読む）

【課題】生産性及び性能が向上したＴＦＴ基板及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかるＴＦＴ基板は、厚膜部及び厚膜部よりも膜厚が薄い薄膜部を有するゲート電極２と、厚膜部上及び薄膜部上に形成された半導体能動膜７と、半導体能動膜の内側であって、厚膜部より外側の薄膜部に対応する半導体能動膜７上に形成されたオーミックコンタクト膜８と、ソース電極９及びドレイン電極１０を構成し、オーミックコンタクト膜８の内側に形成された電極膜３０とを備えるものである。 （もっと読む）

【課題】トランジスタを構成する各部材の抵抗を小さくし、トランジスタのオン電流の向上を図り、集積回路の高性能化を図ることを課題の一とする。
【解決手段】単結晶半導体基板上に絶縁層を介して設けられ、素子分離絶縁層によって素子分離されたｎ型ＦＥＴ及びｐ型ＦＥＴを有する半導体装置であって、それぞれのＦＥＴは、半導体材料を含むチャネル形成領域と、チャネル形成領域に接し、半導体材料を含む導電性領域と、導電性領域に接する金属領域と、チャネル形成領域に接するゲート絶縁層と、ゲート絶縁層に接するゲート電極と、金属領域を一部に含むソース電極またはドレイン電極と、を有する。 （もっと読む）

【課題】高速動作に適したＮ型層を用いたＮ型ＴＦＴを液晶容量と、蓄積容量の充電に用いる場合には、リーク電流特性に劣るＮ型層を蓄積容量に用いることとなり、電荷保持特性が低下するという課題がある。またＰ型層を用いたＰ型ＴＦＴを液晶容量と、蓄積容量の充電に用いた場合には、Ｐ型ＴＦＴがＮ型ＴＦＴと比べ移動度が低いことから高速動作が困難となり、ＴＦＴによるスイッチング特性が劣化するという課題がある。
【解決手段】Ｎ型ＴＦＴ９０をスイッチングに用い、Ｐ型電極層４１を保持容量として用い、かつＰ延展部４０と、Ｎ型ドレイン側延展部１ｔとを切り離すことなく形成した。Ｐ延展部４０と、Ｎ型ドレイン側延展部１ｔとの間には段差はなく、コンタクトホール９４を形成するためのエッチング工程を均一な層厚を備えた第１層間絶縁層４に対して行うことができ、エッチングむら等による電気抵抗の増加を防止することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 液晶表示装置の薄膜トランジスタパネルにおいて、Ａｌ系金属からなるゲート電極等がレジスト現像液およびレジスト剥離液によるダメージを受けにくいようにする。
【解決手段】 Ａｌ系金属からなるゲート電極２およびゲート配線３の上面にＡｌ酸化膜２ａ、３ａを形成すると、ゲート電極２およびゲート配線３の上面がレジスト膜４３ａ、４３ｂ、４３ｃ用の現像液および剥離液にさらされることがなく、ゲート電極２およびゲート配線３がレジスト膜４３ａ、４３ｂ、４３ｃ用の現像液および剥離液によるダメージを受けにくいようにすることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体層をゲート電極によって遮光したボトムゲート型薄膜トランジスタのオフ電流を低減する。
【解決手段】ゲート電極層と、第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に接して設けられた前記第１の半導体層よりもキャリア移動度が低い第２の半導体層と、前記ゲート電極層と前記第１の半導体層との間に接して設けられたゲート絶縁層と、前記第２の半導体層に接して設けられた不純物半導体層と、前記不純物半導体層及び前記第１及び第２の半導体層に一部が接して設けられたソース電極及びドレイン電極層と、を有し、前記第１の半導体層のゲート電極層側は全面が前記ゲート電極層によって覆われており、前記第１の半導体層と前記ソース電極及びドレイン電極層が接する部分のポテンシャル障壁は０．５ｅＶ以上である薄膜トランジスタを提供する。 （もっと読む）

【課題】特性の良い半導体素子を有する半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】基板上に、ゲート電極として機能する第１の導電層を形成する工程と、第１の導電層を覆うように第１の絶縁層を形成する工程と、第１の導電層と一部が重畳するように、第１の絶縁層上に半導体層を形成する工程と、半導体層と電気的に接続されるように第２の導電層を形成する工程と、半導体層および第２の導電層を覆う第２の絶縁層を形成する工程と、第２の導電層と電気的に接続される第３の導電層を形成する工程と、半導体層を形成する工程の後、第２の絶縁層を形成する工程の前の第１の熱処理工程と、第２の絶縁層を形成する工程の後の第２の熱処理工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ポリマー絶縁層及び無機層から構成されるゲート絶縁層を有し、溶液により塗布可能な半導体前駆体材料を用いこれに半導体変換処理を行って金属酸化物半導体を有することにより、移動度が高く、閾電圧が低く、且つ、Ｏｎ／Ｏｆｆ特性が良好な薄膜トランジスタの製造方法及び薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】支持体６上にゲート電極５、ゲート絶縁層２、ソース電極３及びドレイン電極４、金属酸化物半導体層１を有する薄膜トランジスタの製造方法において、ゲート絶縁層が、ポリマー絶縁層２ａ該ポリマー絶縁層上の無機層２ｂからなり、無機層２ｂの上に金属酸化物半導体前駆体材料の溶液を用いて金属酸化物半導体前駆体層を形成する工程を有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】微結晶シリコンをチャンネル領域として用い、コンタクト歩留まりを向上させ、良好な特性を備えるトランジスタを有するトランジスタ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】トランジスタ１００は、基板１１と、ゲート電極１１２と、ゲート絶縁膜１１３と、第１の半導体層１１４と、第２の半導体層１１５と、ストッパ膜１１６と、オーミックコンタクト層１１７、１１８と、ドレイン電極１１９と、ソース電極１２０と、を備える。微結晶シリコンを用いた第１の半導体層１１４上に第２の半導体層１１５を積層させた上で、第１の半導体層１１４及び第２の半導体層１１５の側面でオーミックコンタクト層１１７、１１８とコンタクトを取ることにより、コンタクト歩留まりを向上させ、良好な特性を備えるトランジスタを有するトランジスタ基板及びその製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】製造コストを上昇させることなくマイグレーション耐性の向上及び有機半導体の劣化の抑制を実現可能な画像表示パネル及び画像表示装置を提供する。
【解決手段】第一の基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜が積層形成され、ゲート絶縁膜上に空隙を隔ててソース電極及びドレイン電極並びに第二の接着剤が形成され、ソース電極及びドレイン電極の空隙を含む領域に有機半導体層が形成され、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極の一部、及び有機半導体層を覆うように層間絶縁膜が形成され、層間絶縁膜及びドレイン電極と接合されている導電層上に第一の接着剤、第一の接着剤上に形成された画像表示媒体及び第二の接着剤上に無機膜および第二の基板を有する画像表示パネルであって、第二の接着剤は、画像表示媒体と導電層との間に配置された第一の接着層よりも外側に配置され、無機膜及び親水化処理されたゲート絶縁膜と接合形成する。 （もっと読む）

【課題】光によるＴＦＴのオフ電流の増加を抑制する。
【解決手段】基板１０ａに設けられたゲート電極１１ａａと、ゲート電極１１ａａを覆うように設けられたゲート絶縁膜１２と、ゲート絶縁膜１２上にゲート電極１１ａａに重なるように島状に設けられた半導体層１３ａと、半導体層１３ａ上にゲート電極１１ａａにそれぞれ重なるように設けられたソース電極１４ａａ及びドレイン電極１４ｂａとを備えた薄膜トランジスタ５ａが画素Ｇ毎に設けられた薄膜トランジスタ基板２０であって、半導体層１３ａの周端は、ゲート電極１１ａａの周端よりも平面視で内側に位置している。 （もっと読む）

【課題】素子の劣化及び均一度の低下を防止する酸化物薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化物薄膜トランジスタの製造方法は、基板１１０上にゲート電極１２１を形成する段階と、基板１１０上にゲート絶縁膜１１５を形成する段階と、ゲート絶縁膜１１５上にチャネル領域の側面にテーパを有する１次アクティブ層１２４ａを形成し、１次アクティブ層１２４ａ上にソース／ドレイン電極を形成する段階と、ソース／ドレイン電極１２２、１２３の上部に、非晶質酸化亜鉛系半導体からなる２次アクティブ層１２４ｂを、１次アクティブ層１２４ａのテーパと接触するように形成する段階とを含み、１次アクティブ層１２４ａは、ソース／ドレイン電極１２２、１２３のウェットエッチング中に低い選択比でエッチングされることにより、側面にテーパが形成される。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れた半導体装置の製造方法、半導体装置、アクティブマトリクス装置、電気光学装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、基板７の一方の面側に、トランジスタ４のゲート絶縁体層４４を形成する第１の工程と、ゲート絶縁体層４４上に、厚さ方向に貫通する貫通部９１を備える絶縁体層９を形成する第２の工程と、貫通部９１内の底部付近のゲート絶縁体層４４上、および、貫通部９１の周囲の絶縁体層９上に、気相成膜法により同時にかつ互いに接触しないようにそれぞれ電極を形成し、ゲート絶縁体層４４上に形成された電極を用いて、ゲート電極４５を形成するとともに、絶縁体層９上に形成された電極を用いて、画素電極６を形成する第３の工程とを有する。また、平面視で、貫通部９１の開口部の縁が、当該貫通部９１の底部の縁より内側に位置する。 （もっと読む）

いくつかの実施例は、半導体デバイスを提供する方法を含む。当該方法は、
（ａ）フレキシブル基板を提供する段階、（ｂ）フレキシブル基板上に少なくとも１つの材料層を堆積させる段階であって、そのフレキシブル基板上の少なくとも１つの材料層の堆積は、少なくとも１８０℃の温度で生じる、段階、および（ｃ）金属層とａ−Ｓｉ層との間に拡散バリアを提供する段階を含む。他の実施例も本願において開示される。
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【課題】コンタクトエッチングの加工精度を上げて、精度良くコンタクトホールが形成されたＴＦＴ基板及び、そのＴＦＴ基板を工程が煩雑にならずに製造コストが抑制可能なＴＦＴ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】厚膜レジスト部２１と厚膜レジスト部よりも厚みの薄い薄膜レジスト部２２と、開口部２３とからなる膜厚差を有するパターンのレジスト層２０を設け、レジスト層２０の開口部の絶縁膜のエッチングと、レジスト層２０の薄膜レジスト部２２の除去と、薄膜レジスト部２２の下層の絶縁膜のエッチングとを同じエッチング工程で行うことにより、ゲートコンタクトホール８及びシリコンコンタクトホール９を共に形成してＴＦＴ基板１を製造した。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄膜トランジスタのソース領域やドレイン領域へのコンタクトを確実
にした半導体装置を提供するものである。
【解決手段】本発明における半導体装置において、半導体層上の絶縁膜およびゲイト電極
上に形成された第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜の上に形成された第２の層間
絶縁膜と、前記第２の層間絶縁膜、前記第１の層間絶縁膜、および前記絶縁膜に設けられ
たコンタクトホールとを有する。前記第１の絶縁層の膜厚は、前記積層の絶縁膜の合計膜
厚の１／３以下に形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを含むアモルファス酸化物からなる半導体層にダメージを与えず、また、オフ電流の小さい薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを含むアモルファス酸化物からなる半導体層を備え、ゲート電極から見てソース領域又はドレイン領域の手前側にソース電極又はドレイン電極が形成されてなるボトムゲート型薄膜トランジスタを構成する。このような構造を持つ薄膜トランジスタではドレイン電極等の金属層のエッチングによって半導体層がダメージを受けることはない。また、裏面照射によって紫外線の照射された半導体層部分を高導電率化するものであるため、半導体層へのダメージが生じないため信頼性が向上する。また、ソース電極又はドレイン電極によって紫外線が遮光された半導体層の領域は照射前の導電率と同じとなるため、オフ電流の値を小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体層の還元および酸素欠陥による劣化を防止でき、これにより長期に安定した特性を維持可能な薄膜トランジスタを提供することを目的とする。
【解決手段】非晶質酸化物からなる酸化物半導体層７と、この酸化物半導体層７に接して設けられたソース電極９ｓおよびドレイン電極９ｄとを備えている。そして特に、ソース電極９ｓおよびドレイン電極９ｄが、イリジウム（Ｉｒ）または酸化イリジウム（ＩｒＯ₂）を用いて構成されている。また、酸化物半導体層７は、酸化物材料からなる絶縁ゲート絶縁膜５および絶縁膜１１で覆われている。 （もっと読む）

【課題】活性層と半導体層との接触面をホモ接合、あるいはホモ接合に限りなく近づけて、界面のバンド障壁を防止して大きなオン／オフ比を得ることができ、かつ製造コスト及び作業工数を低減できる。
【解決手段】薄膜半導体デバイスが、基板１と、基板１上に積層されたソース及びドレイン電極層３と、ソース及びドレイン電極層３上に積層された結晶性シリコンからなる不純物含有半導体層４と、不純物含有半導体層４上に積層された結晶性シリコンからなる活性層５と、活性層５上に積層されたゲート絶縁膜６と、ゲート絶縁膜６の上に積層されたゲート電極７と、を備え、不純物含有半導体層４と活性層５の接合面において、これらの結晶性を連続にする。 （もっと読む）