【課題】接合障壁ショットキーダイオード及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】第１の導電型を有する半導体層と、この半導体層上にあり、半導体層と共にショットキー接合部を形成する金属接点と、半導体層内に半導体領域とを含んでいる。半導体領域と半導体層とが、第１のｐ−ｎ接合部を、ショットキー接合部と並列に形成する。第１のｐ−ｎ接合部は、ショットキー接合部に逆バイアスがかけられたとき、ショットキー接合部に隣接する半導体層内に空乏領域を発生させるように構成され、それによってショットキー接合部を通る逆漏れ電流が制限される。第１のｐ−ｎ接合部は、ショットキー接合部に逆バイアスがかけられたとき、第１のｐ−ｎ接合部のパンチスルーが、ショットキー接合部の降伏電圧よりも低い電圧で起こるように構成される。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させることが可能な半導体素子およびその製造方法等を提供する。
【解決手段】半導体素子は、有機半導体層と、この有機半導体層と接するように配設された電極と、この電極とは別体として形成され、かつ電極と電気的に接続された配線層とを備えている。半導体素子の製造方法は、基板上に、有機半導体層およびこの有機半導体層と接する電極を形成する工程と、この電極と電気的に接続された配線層を形成する工程とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】オン抵抗の十分な低減を可能とする半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１の製造方法は、少なくとも一方の主面を含む領域が単結晶炭化珪素からなる基板を準備する工程と、一方の主面上に活性層２３を形成する工程と、基板の前記一方の主面とは反対側の他方の主面を含む領域を研削する工程と、他方の主面を含む領域を研削する工程において形成されたダメージ層２２Ｃを除去する工程と、ダメージ層２２Ｃが除去されることにより露出した主面に接触するように裏面電極を形成する工程とを備え、一方の主面は｛０００１｝面に対するオフ角が５０°以上６５°以下となっている。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体層上の層間絶縁膜の開口部が、電界の集中が緩和される形状に安定して精度良く形成された窒化物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体層３０と、窒化物半導体層３０上に配置された第１の絶縁膜４１と、第１の絶縁膜４１上に配置された第２の絶縁膜４２と、窒化物半導体層３０上に互いに離間して配置された第１及び第２の主電極５１，５２と、第１及び第２の主電極５１，５２間で第２の絶縁膜４２上に配置され、第１及び第２の絶縁膜に設けられた開口部を介して窒化物半導体層に接続するフィールドプレート６０とを備える窒化物半導体装置であって、開口部において、窒化物半導体層３０の表面と第１の絶縁膜４１の側面とのなす第１の傾斜角が、窒化物半導体層３０の表面と第２の絶縁膜４２の側面を延長した線とのなす第２の傾斜角よりも小さく形成されている。 （もっと読む）

【課題】高性能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係わる不揮発性半導体記憶装置は、第１の方向に積み重ねられる第１及び第２のメモリセルＭＣを有し、第２の方向に延びるフィン型積層構造Ｆｉｎ０〜Ｆｉｎ３と、フィン型積層構造Ｆｉｎ０〜Ｆｉｎ３の第２の方向の一端に接続され、第３の方向に延びる梁５とを備える。フィン型積層構造Ｆｉｎ０〜Ｆｉｎ３及び梁５は、それぞれ、第１の方向に積み重ねられる第１及び第２の半導体層２ａ，２ｂを備え、梁５は、第３の方向の一端に第１及び第２の半導体層２ａ，２ｂに対するコンタクト部を有し、かつ、梁５とフィン型積層構造Ｆｉｎ０〜Ｆｉｎ３の接続部からコンタクト部まで延びる低抵抗領域８を有する。 （もっと読む）

【課題】電流コラプスを十分に抑制することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１と、基板１上方に形成された化合物半導体積層構造２と、化合物半導体積層構造２上方に形成されたゲート電極３、及び平面視でゲート電極３を間に挟む２個のオーミック電極４ａ及び４ｂと、が設けられている。更に、ゲート電極３上方に形成され、ゲート電極３並びにオーミック電極４ａ及び４ｂから絶縁分離されたフィールドプレート６が設けられている。フィールドプレート６のオーミック電極４ａ及び４ｂを互いに結ぶ方向における少なくとも一方の端部は、平面視で、オーミック電極４ａ及び４ｂとゲート電極３との間に位置する。 （もっと読む）

【課題】本実施形態は、窒化物半導体層のクラックがほとんどなく、表面の粗度が極めて優秀であるので、全体的な安定性の向上された窒化物系半導体素子を提供する。
【解決手段】本実施形態の窒化物系半導体素子は、基板と、前記基板上に形成されるアルミニウムシリコンカーバイド（ＡｌＳｉ_ｘＣ_１−ｘ）前処理層と、前記前処理層上に形成されるＡｌがドーピングされたＧａＮ層と、前記ＡｌがドーピングされたＧａＮ層上に形成されるＡｌＧａＮ層とを含む。 （もっと読む）

【課題】被蒸着膜を高精細なパターンで形成することが可能な蒸着用マスクを提供する。
【解決手段】蒸着用マスクは、１または複数の第１開口部を有する基板と、この基板の第１主面側に設けられると共に、各第１開口部と対向して１または複数の第２開口部を有する高分子膜とを備える。蒸着の際には、蒸着材料が第１開口部および第２開口部を順に通過することにより、第２開口部に対応した所定のパターンで被蒸着膜が形成される。基板と高分子膜とを組み合わせて用いることにより、機械的強度を保持しつつも、金属膜のみで構成されている場合に比べ、第２開口部において微細かつ高精度な開口形状を実現できる。 （もっと読む）

【課題】オフ電流を低減した優れた特性を有する薄膜トランジスタを作製する。
【解決手段】ｐ型の逆スタガ型の薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁膜側から、微結晶半導体領域、非晶質半導体領域、及び不純物半導体領域が積層される半導体膜と、一対の配線とが接する領域が、ゲート絶縁膜を介してゲート電極と重畳し、一対の配線の仕事関数と、微結晶半導体領域を構成する微結晶半導体の電子親和力の差である電子のショットキーバリアφＢｎは０．６５ｅＶ以上である。 （もっと読む）

【課題】印刷法による少ない工程数のメリットを生かしつつ、より微細であり、絶縁性の低下がなく、導電部寸法精度の高い、配線部材および電子素子の製造方法を提供することを目的とする。また、配線部材、積層配線、電子素子、電子素子アレイ及び表示装置を提供することを目的とする
【解決手段】基板上にエネルギーの付与により臨界表面張力が変化する材料を含有する濡れ性変化層を形成する工程、紫外領域のレーザーを用いたレーザーアブレーション法により、濡れ性変化層に凹部を形成する工程、凹部に導電性インクを塗布して導電部を形成する工程、を含み、前記濡れ性変化層の凹部のパターン形成と同時に、前記臨界表面張力を変化させて高表面エネルギー領域のパターン形成が行われることを特徴とする配線部材の製造方法、電子素子の製造方法、及び、それにより得られた配線部材、電子素子を提供する。また、電子素子アレイ及び表示装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体膜と電極又は配線との接触抵抗を低減し、かつ半導体膜と電極又は配線と
の被覆率を改善し、特性を向上させた半導体装置を得ることを課題とする。
【解決手段】基板上にゲート電極と、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜と、前記ゲート絶
縁膜上に第１のソース電極又はドレイン電極と、前記第１のソース電極又はドレイン電極
上に島状半導体膜と、前記島状半導体膜及び前記第１のソース電極又はドレイン電極上に
第２のソース電極又はドレイン電極とを有し、前記第２のソース電極又はドレイン電極は
前記第１のソース電極又はドレイン電極と接触しており、前記第１のソース電極又はドレ
イン電極及び第２のソース電極又はドレイン電極が前記島状半導体膜を挟みこんでいる半
導体装置及びその作製方法に関するものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、保護膜の境界面での膜厚を厚くし、はんだが金属膜の下方に侵入し難い半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１０と、
該基板に積層された金属膜３０と、
該金属膜に積層されたはんだ層４０と、
前記基板に積層され、前記金属膜及び前記はんだ層に接するように形成されたポリイミドからなる保護膜５０とを備え、
該保護膜は、前記金属膜と接する界面において、前記基板から離れるにつれて前記金属膜側に迫り出す形状を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｇａ_２Ｏ_３系化合物を半導体として用い、これに適合したショットキー特性が得られる電極を有するＧａ_２Ｏ_３系化合物半導体素子を提供する。
【解決手段】本発明のＧａ_２Ｏ_３系半導体素子は、ｎ型導電性を有するβ−Ｇａ_２Ｏ_３化合物半導体からなるｎ型層と、前記ｎ型層上に形成されたショットキー特性を有する電極とを備え、前記電極は、Ａｕ、Ｐｔ、あるいはＮｉ及びＡｕの積層体のいずれかによって構成される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置においてオーミック特性を良好にし、かつ、酸・アルカリによる腐食に対し高い耐性を有することが可能な技術を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体装置は、不純物が添加された高濃度不純物領域２を有する窒化物半導体層１と、高濃度不純物領域２上に順に積層された下地電極層３及び主電極層４を含む電極１１とを備える。主電極層４は、窒化物半導体層１に対して下地電極層３よりも仕事関数が近い第１金属と、水素よりもイオン化傾向が小さい第２金属とからなる合金を主成分として含む。下地電極層３は、主電極層４よりも窒素との反応性が高い金属を主成分として含み、かつ、第１金属を含む。 （もっと読む）

【課題】改善された光電変換効率を有する太陽電池を提供する。
【解決手段】太陽電池１は、光電変換部１０と、第１の電極２１と、第２の電極２２とを備える。第１の電極２１は、光電変換部１０の一主面１０ａの上に配されている、第２の電極２２は、光電変換部１０の他主面１０ｂの上に、第１の電極２１よりも小面積に配されている。第１の電極２１は、第１の第１電極導電層２１ａと、第２の第１電極導電層２１ｃとを含む。第１の第１電極導電層２１ａは、光電変換部１０の一主面１０ａの上に配されている。第２の第１電極導電層２１ｃは、第１の第１電極導電層２１ａの上に配されている。第１の第１電極導電層２１ａは、第２の第１電極導電層２１ｃよりも高い光反射率を有する。第２の第１電極導電層２１ｃは、第１の第１電極導電層２１ａよりも低い電気抵抗を有する。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ−ＣＭＯＳプロセス時術とコンパチブルなＨＥＭＴ装置の製造法を提供する。
【解決手段】基板１０１を提供するステップと、III族窒化物層のスタックを基板上に形成するステップと、窒化シリコンからなり、スタックの上方層に対して上に位置すると共に当接する第１パッシベーション層３０１を形成し、第１パッシベーション層が、現場でスタックに堆積されるステップと、第１パッシベーション層に対して上に位置すると共に当接する誘電体層を形成するステップと、窒化シリコンからなり、誘電体層に対して上に位置すると共に当接する第２パッシベーション層３０３を形成し、第２パッシベーション層が、ＬＰＣＶＤ、ＭＯＣＶＤ又は同等の手法によって４５０℃より高い温度で堆積されるステップと、ソースドレイン・オーミック接触とゲート電極６０１を形成するステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】グラフェンの特性を生かしつつ、高耐圧デバイスや紫外発光・受光デバイスを実現する。
【解決手段】半導体デバイスを、２次元構造のグラフェン電極２、３と、グラフェン電極のグラフェン端に結合した２次元構造のボロンナイトライド半導体層５とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣを用いて、逆方向特性が良好なショットキーダイオードを高い歩留まりで得る。
【解決手段】図１（ｂ）に示されるように、バリアメタル２１を部分的にエッチングする（電極層エッチング工程）。電極層エッチング工程によってバリアメタル２１がエッチングされた領域における半導体層１０中に、埋め込み絶縁層を形成する（埋め込み絶縁層形成工程）。図１に示される製造方法においては、この埋め込み絶縁層形成工程は、半導体層エッチング工程、絶縁層形成工程、エッチバック工程からなる。 （もっと読む）

【課題】 短チャンネル効果が抑制され、メタルＳ／Ｄを有するＩｎＧａＡｓ−ＭＯＳＦＥＴの低消費電力化をはかり得る化合物半導体装置を製造する。
【解決手段】 ＩｎＧａＡｓをチャネルに用いた化合物半導体装置の製造方法であって、基板上のＩｎＧａＡｓ層１０上に、ゲート絶縁膜１１を介してゲート電極１２を形成した後、ゲート電極１２の両側に露出するＩｎＧａＡｓ層１０上に、厚さ５．５ｎｍ以下のＮｉ膜１４を形成する。次いで、２５０℃以下の温度で熱処理を施すことにより、Ｎｉ膜１４とＩｎＧａＡｓ層１０とを反応させて、ショットキー・ソース／ドレインとなるＮｉ−ＩｎＧａＡｓ合金層１５を形成する。 （もっと読む）

【課題】高抵抗なダメージ層を形成しない窒化物半導体層のエッチング方法と、これを用いた低抵抗なオーミック電極を備える窒化物半導体装置の製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明の窒化物半導体層のエッチング方法は、（ａ）窒化物半導体層に不純物イオンを注入し、その表面から所定深さまで不純物領域を形成する工程と、（ｂ）前記不純物領域を熱処理する工程と、（ｃ）前記不純物領域の前記表面側の所定領域をウェットエッチングで除去する工程とを備える。 （もっと読む）