【課題】生産性の高いバッチ処理方式を採用しながら、比較的簡単な構成で、基板の表面の全域に亘ってめっき液がより均一に流れるようにして、膜厚や膜形状の面内均一性を高めためっき膜を形成できるようにする。
【解決手段】内部に上方に向かうめっき液の流れを形成しつつめっき液を保持するめっき槽８０と、複数枚の基板Ｗを鉛直方向に並列に保持してめっき槽８０内のめっき液に浸漬させる基板ホルダ８４と、基板ホルダ８４で保持してめっき液に浸漬させた各基板Ｗの周囲をそれぞれ囲繞して、各基板Ｗの外周部に基板表面に沿っためっき液の流れと連続するめっき液の流れを形成する複数枚のガイド板１５０，１５２を有する。 （もっと読む）

【課題】メッキ液から水分蒸発によるメッキ液の濃度および各種成分の状態変化を抑制してメッキレートおよびメッキ膜厚の安定化を図る。
【解決手段】メッキ処理槽２内の処理液の液面上方にある気体中のメッキ処理液の蒸気圧を制御する蒸気圧制御手段としての超音波式加湿機９と、メッキ処理液の液面位置が所定位置になるように蒸気圧制御手段としての超音波式加湿機９を制御して処理液量を調節する電装制御ユニット１１とを有する。 （もっと読む）

【課題】ノーマリオフで動作するとともに、高い耐圧と低いオン抵抗を具備した半導体装置を提供すること。
【解決手段】 半導体装置１では、ドレイン電極２１が第１ヘテロ接合面３２に形成される２次元電子ガス層に対して電気的に接続可能に構成されており、ソース電極２９が第１ヘテロ接合面３２に形成される２次元電子ガス層から電気的に絶縁可能に構成されているとともに第２ヘテロ接合面３４に形成される２次元電子ガス層に対して電気的に接続可能に構成されており、ゲート部２８が第２ヘテロ接合面３４に対向しており、導通電極２５が第１ヘテロ接合面３２及び第２ヘテロ接合面３４に形成される２次元電子ガス層の双方に対して電気的に接続可能に構成されている。第１ヘテロ接合面３２に形成される２次元電子ガス層の電子濃度は、第２ヘテロ接合面３４に形成される２次元電子ガス層の電子濃度よりも濃い。 （もっと読む）

【課題】ＩＩ族酸化物半導体を用いた半導体素子における新規な絶縁層形成技術を提供する。
【解決手段】半導体素子の製造方法は、（ａ）基板上方に、ＩＩ族酸化物半導体層を成長させる工程と、（ｂ）ＩＩ族酸化物半導体層上に、窒素をドープしつつＯリッチ条件での成長を行い抵抗率が１０^５Ωｃｍ以上のＩＩ族酸化物絶縁層を成長させる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】逆方向耐圧を大きくしても順方向電圧の増大、オーミック電極層とのコンタクト抵抗の増大を抑制することが可能なショットキーバリアダイオードを提供する。
【解決手段】ショットキーバリアダイオード１は、ｎ型の導電性を有するＧａ_２Ｏ_３系化合物半導体からなるｎ型半導体層３と、ｎ型半導体層３に対しショットキー接触するショットキー電極層２とを備え、ｎ型半導体層３には、ショットキー電極層２にショットキー接触する電子キャリア濃度が比較的低いｎ⁻半導体層３１と、ｎ⁻半導体層３１よりも高い電子キャリア濃度を有するｎ^＋半導体層３２とが形成されている。 （もっと読む）

【課題】 横方向に可変の仕事関数を有するゲート電極を含む半導体構造体を提供する。
【解決手段】 ＣＭＯＳ構造体などの半導体構造体が、横方向に可変の仕事関数を有するゲート電極を含む。横方向に可変の仕事関数を有するゲート電極は、角度傾斜イオン注入法又は逐次積層法を用いて形成することができる。横方向に可変の仕事関数を有するゲート電極は、非ドープ・チャネルの電界効果トランジスタ・デバイスに向上した電気的性能をもたらす。 （もっと読む）

【課題】高温環境下で半導体装置に長時間逆バイアスを与えた場合であってもリーク電流が増加したり耐圧が低下したりすることのない、スーパージャンクション構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】ｎ⁻型半導体層（第１導電型の半導体層）１１４と、活性領域Ｒ１に形成された複数の柱状埋込層１１８と、活性領域Ｒ１に形成されたショットキーバリアメタル層（第１電極層）１３２と、耐圧領域Ｒ２に形成された複数のガードリング層（環状柱状埋込層）１２４と、耐圧領域Ｒ２及び周辺領域Ｒ３に形成された絶縁層１３０とを備える、スーパージャンクション構造を有する半導体装置であって、周辺領域Ｒ３に形成された第２ガードリング層（第２環状柱状埋込層）１３６と、周辺領域Ｒ３に形成された環状導電層１４２とをさらに備える、スーパージャンクション構造を有する半導体装置１００。 （もっと読む）

【課題】反応室内に原料ガスと還元ガスとを夫々導入し、反応室に設置した基板表面に気相からの析出により成膜する際に液体原料を気化して反応室内に導入する原料ガスとする液体原料の気化方法において、気化室の所定温度下での気化効率を効果的に向上させることができ、その上、反応室内での原料ガスの分圧を高くできるようにする。
【解決手段】気化室２２に通じる原料供給路３２、４２を介して、液体原料を供給すると共に、気化室を臨む原料供給路の導入口周辺からキャリアガスを噴射することで、液体原料を気化室内に噴霧し、この噴霧された液体原料を、所定温度に加熱された気化室内での熱交換により気化し、この気化された原料ガスを当該気化室に開設した排出口から排出する。原料供給路内で液体原料に所定流量で還元ガスを混合して気液混合状態とし、この状態で前記導入口から気化室に噴射する。 （もっと読む）

【課題】ヘテロ接合を利用した新規な保護素子を提供すること。
【解決手段】 半導体装置１０の保護部３６は、配線下層１１Ｂと、配線下層１１Ｂとは異なるバンドギャップを有する配線上層１３を有している。配線上層１３は、第１部位４１と中間部位４３と第２部位４５を含んでいる。配線上層１３と配線下層１１Ｂの接合面に形成される２次元電子ガス層が、第１部位４１と中間部位４３の間で分離されており、第２部位４５と中間部位４３の間で分離されている。第１部位４１と配線下層１１Ｂの接合面に形成される２次元電子ガスが、ドレイン電極２１に電気的に接続されている。第２部位４５と配線下層１１Ｂの接合面に形成される２次元電子ガスが、ソース電極２８に電気的に接続されている。中間部位４３と配線下層１１Ｂの接合面に形成される２次元電子ガスが、ゲート電極２５に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】櫛型形状のソース電極とドレイン電極が交差指状に配置された電極構造を有し、各櫛形電極の先端部での電界集中が緩和された窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極５と電気的に接続され、ゲート電極５とドレイン電極４間で絶縁膜７上に配置されたゲートフィールドプレート５０と、ソース電極３と電気的に接続され、絶縁膜８を介して窒化物半導体層と対向するようにゲートフィールドプレート５０とドレイン電極４間の上方に配置されたソースフィールドプレート３０とを備え、ゲート電極５とドレイン電極４間の距離、ゲートフィールドプレート５０のドレイン側端部とゲート電極５のドレイン側端部間の距離、及びソースフィールドプレート３０のドレイン側端部とゲートフィールドプレート５０のドレイン側端部間の距離の少なくともいずれかが、ソース電極３とドレイン電極４の、歯部分の直線領域よりも歯部分の先端領域において長い。 （もっと読む）

【課題】半導体膜に対するコンタクト層として機能するＩＴＯ膜を有する半導体発光装置において、ＩＴＯ膜と半導体膜との接触の増大を抑制することができる半導体発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体発光装置１は、発光層を含む半導体膜２０と、半導体膜上に設けられたＩＴＯ膜３０と、ＩＴＯ膜３０の上面の一部および側面を覆う酸素吸着性を有する酸素吸着部８０と、ＩＴＯ膜３０の上面に設けられた光反射性を有する反射電極４０と、ＩＴＯ膜３０、酸素吸着部８０および反射電極４０からなる積層体を覆うキャップ層５０と、キャップ層５０上に接合層６１を介して接合された支持基板６０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム（ＧａＮ）系のＨＥＭＴを保護するダイオード構造を備えた半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０のうちＧａＮ層１３に２次元電子ガスが生成される領域が活性層領域４０とされ、基板１０のうち活性層領域４０を除いた領域にイオン注入が施されていることにより活性層領域４０とは電気的に分離された領域が素子分離領域５０とされている。そして、ダイオード６０は素子分離領域５０の層間絶縁膜２０の上に配置されている。このように、基板１０のうちＨＥＭＴが動作する活性層領域４０とは異なる素子分離領域５０を設けているので、１つの基板１０にＧａＮ−ＨＥＭＴとダイオード６０の両方を備えた構造とすることができる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣを含む基板を用いたショットキーダイオードのショットキー界面のドリフト層に結晶欠陥が生じている場合に、逆方向漏れ電流の発生を防ぐことで、半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体基板上のドリフト層２とショットキー電極４とのショットキー接合部を含むショットキーダイオードにおいて、ドリフト層２の上面に達する結晶欠陥１２の上面に、ショットキー電極４を構成する金属に応じて規定される濃度および深さで、アクセプタ不純物を導入してｐ型半導体領域３を形成し、逆方向漏れ電流の増大を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】本明細書では、製造されるショットキーダイオード間の電気特性のばらつきを抑制できる構造を有するショットキーダイオードとその製造方法を提供する。
【解決手段】本明細書が開示するショットキーダイオード１０は、半導体基板１２（Ｎ型拡散層１６）の表面及びその表面より内側の所定範囲にＡｌイオンを注入して金属イオン注入層１８を形成するとともに、Ｎ型拡散層１６と金属イオン注入層１８とをショットキー接合させ、その後、金属イオン注入層１８の表面に金属層２２を形成することによって製造される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を向上させることができる技術を提供する。特に、ゲート電極をメタル材料で構成する電界効果トランジスタを有する半導体装置において、安定した動作特性を得ることのできる技術を提供する。
【解決手段】レジストパターン１２をマスクとしたドライエッチングにより、ゲート電極１３ｎまたはゲート電極１３ｐを形成した後、酸素および水素を含むプラズマ雰囲気中においてアッシング処理を施すことにより、レジストパターン１２を除去し、ゲート電極１３ｎまたはゲート電極１３ｐの側面に付着した反応生成物１４を酸化する。その後、洗浄処理を施して、反応生成物１４を除去する。 （もっと読む）

【課題】太陽電池の発電効率を高めることが可能な、新規かつ改良された光電素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第１導電型を有する半導体基板に前記第１導電型と異なる第２導電型を有する第１ドーピング物質層ＤＰ１を形成する先蒸着段階と、第１ドーピング物質層ＤＰ１が形成された前記半導体基板を加熱する熱拡散段階と、前記熱拡散段階後、第１ドーピング物質層ＤＰ１上に、前記第２導電型を有する第２ドーピング物質層ＤＰ２を形成する後蒸着段階と、前記半導体基板、第１ドーピング物質層ＤＰ１及び第２ドーピング物質層ＤＰ２の一部をレーザＬで局所加熱し、前記半導体基板の第１面上にコンタクト層を形成する局所加熱段階と、前記コンタクト層上に第１電極を形成し、前記半導体基板の前記第１面と対向する第２面上に第２電極を形成する段階と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ノーマリーオフの電気特性を有し、オン電流の高い、酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。また、該トランジスタを用いた高速動作が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】下地絶縁膜と、下地絶縁膜上に設けられた酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介して酸化物半導体膜と重畳して設けられたゲート電極と、少なくともゲート電極を覆って設けられた、開口部を有する層間絶縁膜と、層間絶縁膜上に設けられ、開口部を介して酸化物半導体膜と接する配線と、を有し、少なくとも酸化物半導体膜と配線とが接する領域の、下地絶縁膜および酸化物半導体膜の間に、絶縁膜および絶縁膜上に設けられたバッファ層を有する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】容量素子上の配線層の設計自由度に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板、層間絶縁層、第１トランジスタ、多層配線層、容量素子、金属配線、及び第１コンタクトを備える。基板１上には、層間絶縁層４、５が設けられている。第１トランジスタ３ａは、半導体基板１に設けられており、層間絶縁層内に埋め込されている。第１トランジスタは、少なくともゲート電極３２及び拡散層を有する。層間絶縁層上には、多層配線層が設けられている。容量素子１９は、多層配線層内に設けられている。金属配線（ゲート裏打ち配線）３０は、ゲート電極３２の上面と接しており、層間絶縁層４内に埋設されている。第１コンタクト１０ａは、第１トランジスタ３ａの拡散層に接続しており、層間絶縁層４内に埋設される。金属配線（ゲート裏打ち配線）３０は、第１コンタクト１０ａと同じ材料で構成されている。 （もっと読む）

【課題】ヘテロ構造電界効果トランジスタに関して、電流崩壊、ゲートリークおよび高温信頼性などの課題を解消する。
【解決手段】高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）、金属−絶縁半導体電界効果トランジスタ（ＭＩＳＦＥＴ）あるいはこれらの組み合わせなどの集積回路（ＩＣ）デバイスの装置、方法およびシステムであって、該ＩＣデバイスは、基板１０２上で形成されたバッファ層１０４と、アルミニウム（Ａｌ）と窒素（Ｎ）とインジウム（Ｉｎ）またはガリウム（Ｇａ）の少なくとも１つを含み、バッファ層１０４上に形成されたバリア層１０６と、窒素（Ｎ）とインジウム（Ｉｎ）またはガリウム（Ｇａ）の少なくとも１つとを含み、バリア層１０６上に形成されたキャップ１０８層と、キャップ層１０８に直接連結され、その層上に形成されたゲート１１８と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ボンディング耐性を向上させた炭化珪素半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の炭化珪素半導体装置は、炭化珪素基板１と、炭化珪素基板１上に形成されたｎ型炭化珪素層２と、ｎ型炭化珪素層２の表面近傍に平面視してリング状に形成された低濃度ｐ型ＪＴＥ領域３と、ｎ型炭化珪素層２の表面近傍の低濃度ｐ型ＪＴＥ３の内側に該低濃度ｐ型ＪＴＥ領域３に接触して平面視してリング状に形成された高濃度ｐ型領域４と、高濃度ｐ型領域４上の一部に形成されたｐ型オーミック電極５と、ｐ型オーミック電極５を覆うと共に高濃度ｐ型領域４上及びｎ型炭化珪素層２上に形成されたショットキー電極６と、ショットキー電極６上に形成された第1の電極と、炭化珪素基板のｎ型炭化珪素層が形成されていない側に形成された第２の電極と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）