【課題】薄型化された炭化シリコン基板による低抵抗化が可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、炭化シリコン基板と、半導体層と、絶縁膜と、補強基板と、第１の電極と、第２の電極とを備えている。半導体層は、炭化シリコン基板の第２の面上に設けられ、素子領域と素子領域よりも端部側の周辺領域とを有する。絶縁膜は、半導体層の周辺領域の表面上に設けられている。補強基板は、周辺領域における絶縁膜上に設けられている。第１の電極は、炭化シリコン基板の第１の面に接して設けられている。第２の電極は、素子領域の表面に接して設けられている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のトランジスタのシリコンピラー上部に活性領域を設ける際に、エピタキシャル成長により前記シリコンピラー上部に形成されるシリコン膜の高さが、前記トランジスタ毎にばらつくことを防ぎ、前記シリコン膜への導電型ドーパントの注入深さを均一にする半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板の主面に柱状のシリコンピラーを形成するシリコンピラー形成工程と、前記シリコンピラーを覆うように第１の絶縁膜を形成する第１絶縁膜形成工程と、前記第１の絶縁膜を上面から除去し、前記シリコンピラー上部の上面及び側面を露出させる第１絶縁膜除去工程と、前記シリコンピラー上部の上面及び側面にエピタキシャル成長法によりシリコン膜を形成するシリコン膜形成工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】高集積化が容易な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置の製造方法は、第１導電形の半導体基板の上面に複数本のトレンチを形成する工程と、前記トレンチの内面上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記トレンチ内の下部にゲート電極を埋め込む工程と、前記トレンチ内の上部に絶縁部材を埋め込む工程と、前記半導体基板の上層部を除去することにより、前記半導体基板の上面から前記絶縁部材を突出させる工程と、前記突出した絶縁部材を覆うように、マスク膜を形成する工程と、前記マスク膜における前記絶縁部材の側面上に形成された部分をマスクとして、前記半導体基板に不純物を注入することにより、第２導電形のキャリア排出層を形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】オフリーク電流の抑制および駆動電流の増大を図ることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体装置において、ゲート電極は、第１および第２のソース・ドレイン領域の間に設けられた第１リセス内に少なくとも一部がゲート絶縁膜を介して埋め込まれて第１および第２のソース・ドレイン領域よりも深い位置まで形成される。チャネルは、素子領域においてゲート絶縁膜に隣接して第１および第２のソース・ドレイン領域の間に形成される。一対の応力付与部は、素子分離領域において、ゲート電極のゲート幅方向に垂直な面内において第１および第２のソース・ドレイン領域の下部のチャネルと重複する領域に設けられ、素子分離領域の構成材料と異なる絶縁材料からなりチャネルに対してゲート幅方向の両側から応力を付与する。 （もっと読む）

【課題】実施形態は、一括して形成することが可能なメモリセルを有し、その直下に制御回路を設けた構成を実現する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態は、基板上に設けられたメモリアレイと、前記基板と前記メモリアレイとの間の前記基板の表面に設けられた制御回路と、を有する半導体装置の製造方法であって、前記制御回路のｐ形半導体領域およびｎ形半導体領域を覆う絶縁層に、前記ｐ形半導体領域に連通する第１のコンタクトホールを形成する工程と、前記第１のコンタクトホールの内部に、前記ｐ形半導体領域に接したコンタクトプラグを形成する工程と、を備える。さらに、前記ｎ形半導体領域に連通する第２のコンタクトホールを前記絶縁層に形成する工程と、前記コンタクトプラグと、前記第２のコンタクトホールの内部に露出した前記ｎ形半導体領域と、に接する配線を形成する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】安定したスイッチング動作を低コストで実行する抵抗変化型不揮発性記憶装置を提供する。
【解決手段】抵抗変化型不揮発性記憶装置は、第１配線３と、第１配線３上に形成された層間絶縁層５３と、層間絶縁膜５３上に形成された第２配線６と、第１配線３と第２配線６との間に形成された抵抗変化型素子１１とを具備する。層間絶縁層５３は、第１配線３と第２配線６とに挟まれるように形成され、第１配線３の幅以下の幅を有するホール９を備える。抵抗変化型素子１１は、第１配線３と接して、ホール９の底部に形成された下部電極１３と、下部電極１３上に形成された抵抗変化層１２と、抵抗変化層１２上に形成された上部電極１１とを備える。下部電極１３、抵抗変化層１２及び上部電極１１は、ホール９の内部に形成される。第１配線３は銅を含み、下部電極１３、１３ａはルテニウム、タングステン、コバルト、白金、金、ロジウム、イリジウム及びパラジウムからなる群から選択される少なくとも一種の金属を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】貫通する開口を備える保護層を基板上に形成し、さらにこの開口の中にゲート電極を形成することによって、トランジスタを作製する。
【解決手段】ゲート電極の第１の部分は、開口の外側に存在する保護層の表面部分で横方向に延在し、ゲート電極の第２の部分は、保護層から間隔を空けて配置され、第１の部分を越えて横方向に延在する。関連したデバイスおよび作製方法も述べられる。 （もっと読む）

【課題】 この実施の形態は、ＳｉＣ半導体基板上に形成されたｎ型半導体領域とｐ型半導体領域を形成した半導体装置において、ｎ型半導体領域とｐ型半導体領域の両領域にまたがって、単一の金属電極用いて同時コンタクトを形成することを目的としている。
【解決手段】 この実施の形態の半導体装置は、導電性材料を用いた第１の電極２４０に、導電型がｐ型の第１の炭化珪素（ＳｉＣ）半導体部２２０と、導電型がｎ型の第２のＳｉＣ半導体部２３０とが接続され、前記第１の電極と前記第１の界面部において炭素（Ｃ）の面密度がピークになるようしている。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム系半導体で形成された半導体層を有する半導体素子において、消費電力を増大させず、かつ、大型化することなく、半導体素子の電極に電圧をかけたときに発生する電流コラプス現象を抑制する。
【解決手段】窒化ガリウム系半導体が積層されて形成された半導体素子と、半導体素子に対して積層方向に形成され、外部からのエネルギーの入力なしで半導体素子に光を照射する自己発光体とを備える半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】ソース領域に３Ｃ−ＳｉＣ構造のＳｉＣを用いて低い寄生抵抗を実現し、高い性能を備える半導体装置を提供する。
【解決手段】実施の形態の半導体装置は、第１のｎ型炭化珪素層と、第１のｎ型炭化珪素層よりもｎ型不物濃度の低い第２のｎ型炭化珪素層を有する半導体基板と、第２のｎ型炭化珪素層に形成される第１のｐ型不純物領域と、第２のｎ型炭化珪素層に形成される４Ｈ−ＳｉＣ構造の第１のｎ型不純物領域と、第２のｎ型炭化珪素層に形成され、第１のｎ型不純物領域よりも深さの浅い３Ｃ−ＳｉＣ構造の第２のｎ型不純物領域と、第２のｎ型炭化珪素層、第１のｐ型不純物領域、第１のｎ型不純物領域の表面にまたがるゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上のゲート電極と、第１のｎ型不純物領域上に形成され、底面部と側面部を備え、少なくとも側面部で第１のｎ型不純物領域との間に第２のｎ型不純物領域を挟む金属シリサイド層と、を備える。 （もっと読む）

【課題】異なる特性の半導体素子を一体に有しつつ、高集積化が実現可能な、新たな構成の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】第１の半導体材料が用いられた第１のチャネル形成領域と、第１のゲート電極と、を含む第１のトランジスタと、第１のゲート電極と一体に設けられた第２のソース電極および第２のドレイン電極の一方と、第２の半導体材料が用いられ、第２のソース電極および第２のドレイン電極と電気的に接続された第２のチャネル形成領域と、を含む第２のトランジスタと、を備えた半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】半導体装置について、小型化を図りつつ、ドレイン耐圧を向上する。
【解決手段】ゲート電極２０と、ゲート電極２０と離間するソース電極２４と、平面視でゲート電極２０からみてソース電極２４の反対側に位置し、かつゲート電極２０と離間するドレイン電極２２と、平面視でゲート電極２０とドレイン電極２２の間に位置し、絶縁膜２６を介して半導体基板１０上に設けられ、かつゲート電極２０、ソース電極２４およびドレイン電極２２と離間する少なくとも一つのフィールドプレート電極３０と、絶縁膜２６中に設けられ、かつフィールドプレート電極３０と半導体基板１０を接続する少なくとも一つのフィールドプレートコンタクト４０と、を備え、平面視でフィールドプレート電極３０は、フィールドプレートコンタクト４０からソース電極２４側またはドレイン電極２２側の少なくとも一方に延伸している。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ基板を用いて形成され、金属シリサイド膜と金属電極との密着性の向上する半導体装置を提供する。
【解決手段】実施の形態の半導体装置は、炭化珪素と、炭化珪素上に形成され、第１の層、第１の層よりも低い炭素比率を有する第２の層を備える金属シリサイドと、金属シリサイド上に形成される金属電極を備え、第２の層が第１の層上に形成され、第２の層が金属電極に接し、第２の層中の金属シリサイドの平均粒径が、第１の層中の金属シリサイドの平均粒径よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】炭化シリコン基板に接するように、オーミック電極となるシリサイド層を形成するに際して、炭化シリコン基板由来の炭素が、オーミック電極内に拡散して表面に析出するのが抑えられ、オーミック電極の上に電極層を密着性良く形成することができる半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の半導体素子の製造方法は、炭化シリコン基板２のオーミック電極形成領域２ａにシリコン層を形成する第１工程と、シリコン層２上に金属層８を形成する第２工程と、熱処理を行うことによって、シリコン層２に含まれるＳｉと金属層８の構成元素とを反応させ炭化シリコン基板２と接するシリサイド層４１を形成する第３工程と、Ｓｉと反応せずに残存した金属層８を除去することによって、シリサイド層４１を露出させる第４工程とによってオーミック電極４を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、製造コストを低減し、さらにゲート電極およびゲートコンタクトの抵抗を低減した半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置は、ゲート電極７の少なくとも上層は、第２金属シリサイド膜としてのＷＳｉｘ膜７２からなり、第１金属シリサイド膜としてのＮｉＳｉ₂膜１８に含まれる第１金属（Ｎｉ）とシリコンとの結合エネルギーが、ＷＳｉｘ膜７２に含まれる第２金属（Ｗ）とのシリコンとの結合エネルギーよりも小さく、ＷＳｉｘ膜７２の組成ＭＳｉｘ（Ｍは第２金属を示す）において、ｘが１．５以上２．０未満であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜のエッチングの際に半導体層がエッチングされることによるコンタク
ト抵抗の増大を防ぎ、書き込み特性及び電荷保持特性に優れた不揮発性半導体記憶装置及
びその作製方法を提供する。
【解決手段】ソース領域又はドレイン領域とソース配線又はドレイン配線との間に導電層
を設ける。また、該導電層は、制御ゲート電極を形成する導電層と同じ導電層からなる。
また、該導電層を覆うように絶縁膜が設けられており、該絶縁膜は該導電層の一部が露出
するコンタクトホールを有する。また、該ソース配線又はドレイン配線は、該コンタクト
ホールを埋めるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】端子部のコンタクトホールのテーパー形状を高い精度で制御する。
【解決手段】酸化物半導体層７ａ、ソース配線１３ａｓ、ドレイン電極１３ａｄを備えた薄膜トランジスタと、第１接続部３ｃ、第２接続部１３ｃおよび第２接続部上に形成された第３接続部１９ｃを備えた端子部とからなる薄膜トランジスタである。第２接続部は、第１および第２絶縁膜５，９に設けられた第１開口部内で第１接続部と接し、第３接続部１９ｃは、保護膜に設けられた第２開口部内で第２接続部と接する。第１開口部は、第１絶縁膜５および第２絶縁膜９を同時にエッチングすることによって形成、第２開口部は、保護膜１５を前記第１および第２絶縁膜とは別個にエッチングすることによって形成される。第２接続部１３ｃは、第１開口部における第１および第２絶縁膜の端面を覆い、かつ、第２開口部における保護膜１５の端面を覆っていない。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールを形成するために用いられたレジスト膜を、硫酸を含むエッチング液を利用して除去することが可能なオーミック電極の形成方法を提供する。
【解決手段】積層電極部２を形成する積層電極部形成工程と、積層電極部２を熱処理するアニール工程と、熱処理後の積層電極部２を被覆部３で被覆して被覆電極部４を形成する被覆電極部形成工程と、被覆電極部４を覆うように半導体層１の表面に絶縁体膜５を形成する絶縁体膜形成工程と、被覆電極部４に対応して開口７が形成されているレジスト膜６を絶縁体膜５の表面にパターニングするレジスト膜形成工程と、レジスト膜６の開口７から露出する絶縁体膜５を除去して被覆電極部４を露出させる露出工程と、硫酸を含むエッチング液を用いてレジスト膜６を除去するレジスト膜除去工程を備えている。被覆部３の材料は、金又は白金である。 （もっと読む）

【課題】薬液の除去性能を高く維持することができる半導体装置の製造方法及び処理装置を提供する。
【解決手段】レジストパターン３をマスクとして絶縁膜２をドライエッチングすることにより開口部４を形成する。絶縁膜２のドライエッチングの際に開口部４の内面に付着した反応生成物５に波長が２００ｎｍ以下の紫外線を照射して、反応生成物５に含まれる有機成分を分解する。薬液を用いて、有機成分の分解後に開口部４の内面に残存している付着物６を除去する。付着物６が除去された開口部４内に導電膜７を形成する。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体層上の層間絶縁膜の開口部が、電界の集中が緩和される形状に安定して精度良く形成された窒化物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体層３０と、窒化物半導体層３０上に配置された第１の絶縁膜４１と、第１の絶縁膜４１上に配置された第２の絶縁膜４２と、窒化物半導体層３０上に互いに離間して配置された第１及び第２の主電極５１，５２と、第１及び第２の主電極５１，５２間で第２の絶縁膜４２上に配置され、第１及び第２の絶縁膜に設けられた開口部を介して窒化物半導体層に接続するフィールドプレート６０とを備える窒化物半導体装置であって、開口部において、窒化物半導体層３０の表面と第１の絶縁膜４１の側面とのなす第１の傾斜角が、窒化物半導体層３０の表面と第２の絶縁膜４２の側面を延長した線とのなす第２の傾斜角よりも小さく形成されている。 （もっと読む）