【課題】凹部の側壁部側からのめっきの成長を抑制して、ボイドの発生を低減することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一の態様によれば、表面に凹部１ａを有するウェハＷの少なくとも凹部１ａの底部１ｂおよび側壁部１ｃに、シード膜３を形成する工程と、シード膜３上に、少なくとも凹部１ａの底部１ｂに位置するシード膜３の部分３ａが露出しかつ凹部１ａの側壁部１ｃに位置するシード膜３の部分３ｂを覆うようにめっき抑制膜４を形成する工程と、シード膜３に電流を供給して、めっき抑制膜４の形成された凹部１ａに埋め込まれるように電解めっき法によりめっき膜５を形成する工程と、めっき膜５に熱処理を施す工程とを備え、めっき抑制膜４が、シード膜３の構成材料より抵抗率が高くかつめっき膜５の構成材料と異なる材料から構成されることを特徴とする、半導体装置の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】周辺表面を汚染もしくは乱さずに、スパッタリングした銅シード層を堆積させて、所望の形状に刻設する方法を提供する。
【解決手段】底部５１６と、側壁５１４と、上側開口５２６とを有する複数の凹状のデバイス特徴を含む基板上に銅シード層を堆積させる方法であって、ａ）基板表面からのスパッタリングを引き起こす態様において前記凹状のデバイス特徴の基板表面に衝突することなく前記銅シード層の第１の部分を前記基板上にスパッタ堆積するステップと、ｂ）前記銅シード層の第２の部分を前記基板上にスパッタ堆積すると同時に、銅シード層の前記第１の部分の少なくとも一部を、前記複数の凹状のデバイス特徴のそれぞれの底部から対応する側壁へと再配分するステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】 カーボンナノチューブを電極に接点接触させる方法では、実装後に、半導体チップの位置ずれが生じやすい。また、金属結合によって電気的接続を確保する場合に比べて、電気抵抗が高くなり易い。
【解決手段】 第１の基板(10)の表面に第１の電極(12)が形成されている。第１の基板の表面上に、第１の電極の位置に第１の開口(20a)が形成されている絶縁膜(20)が配置されている。第１の開口内に、第１の電極に電気的に接続された金属部材(21)が形成されている。複数のカーボンナノチューブ(55)の一方の端部が金属部材内に埋め込まれ、金属部材に固定されている。 （もっと読む）

【課題】半導体上のバックグラウンドめっきを抑制する方法を提供する。
【解決手段】方法は、高い光透過性を有する相変換レジストを誘電体上に選択的に堆積させてパターンを形成すること、そのレジストで覆われていない誘電体の部分をエッチング除去すること、並びにその誘電体のエッチングされた部分上に金属シード層を堆積させることを含む。次いで、光誘導めっきによって、その金属シード層上に金属層が堆積させられる。 （もっと読む）

【課題】たとえ高抵抗の多孔質体を使用することで、電解めっき等の電解処理に伴って、多孔質体が発熱して電解液が上昇したとしても、電解液の液温を所定の値に維持することで、基板面内に均一な電解処理方法を提供する。
【解決手段】アノード５８を内部に収容するとともに、下端開口部を多孔質体５０で閉塞したハウジング４８を有するアノードヘッド４６と、基板保持部３０で保持した基板の被処理面周縁部に接触して該周縁部をシールするシールリング３４及び該周縁部に接触して被処理面に通電するカソード接点３６を有するカソード部３２と、ハウジング４８内に温度が制御された電解液を該電解液が多孔質体５０と接触するように供給して循環させるアノード側液循環ライン７０と、多孔質体５０が基板Ｗと近接した電解処理位置にあるときに該多孔質体５０と基板Ｗとの間に温度が制御された電解液を供給して循環させる基板側液循環ライン７２を有する。 （もっと読む）

【課題】電気特性に優れ、信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置を少ない工程で作製する方法を提供することを課題とする。
【解決手段】Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜上にチャネル保護層を形成した後、ｎ型の導電型を有する膜と、導電膜を成膜し、導電膜上にレジストマスクを形成する。このレジストマスクと共に、チャネル保護層及びゲート絶縁膜をエッチングストッパーとして利用して、導電膜と、ｎ型の導電型を有する膜と、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜をエッチングして、ソース電極層及びドレイン電極層と、バッファ層と、半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】 銅等の金属配線の電気抵抗低減および安定化を実現し、銅等の金属配線の信頼性を向上させることが可能な金属配線膜の抽出洗浄方法、抽出洗浄処理された金属配線およびこの金属配線を有するデバイスを提供することである。また、配線構造を形成する過程で配線あるいはデバイス構成材料中に取り込まれた不純物を除去し、配線膜の比抵抗値の上昇を防止し、信頼性を高めることのできる金属配線膜の抽出洗浄方法、抽出洗浄処理された金属配線およびこの金属配線を有するデバイスを提供する。
【解決手段】 半導体ウエハー上にめっき法あるいは気相堆積法により形成された金属配線膜を常圧より高圧の二酸化炭素または不活性の気体ないし流体中に一定時間曝して処理する金属配線膜の抽出洗浄方法、抽出洗浄処理された配線およびこの配線を有するデバイスとした。 （もっと読む）

【課題】エレクトロマイグレイション耐性の高いエアブリッジ配線を具備した半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】第１の配線と、第１の配線から空間によって隔てられた状態で、前記第１の配線の上を横切る第２の配線と、前記第１及び第２の配線に接続された半導体素子を具備し、前記第２の配線は、下から順に、タンタル層、タンタルナイトライド層、及び金層が積層されて形成されていること。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、障壁層上にコバルト層を堆積させた後、コバルト層上に銅または銅合金などの導電材料を堆積させるプロセスを提供する。一実施形態では、基板表面上に材料を堆積させる方法であって、基板上に障壁層を形成するステップと、気相成長プロセス（たとえば、ＣＶＤまたはＡＬＤ）中に基板をジコバルトヘキサカルボニルブチルアセチレン（ＣＣＴＢＡ）および水素に露出させて障壁層上にコバルト層を形成するステップと、コバルト層を覆うように導電材料を堆積させるステップとを含む方法が提供される。いくつかの例では、障壁層および／またはコバルト層は、熱プロセス、インサイチュプラズマプロセス、または遠隔プラズマプロセスなどの処理プロセス中にガスまたは試薬に露出させることができる。
（もっと読む）

【課題】多重露光技術において、マスクパタン形成時における工程の複雑化を防止し、設計データに従った均一な形状を形成するためのマスクパタンを効率的に生成する。
【解決手段】目的となる設計データ１０１において、先端部分１０３ａ,１０４ａで所定の離間距離をおいて対向する一対の線状設計パタン１０３，１０４について、設計データ上で仮想的に先端部分１０３ａ,１０４ａ間を接続する補助パタン１０５を配する処理を行い多重露光用マスクパタンを生成する。 （もっと読む）

【課題】微小金属構造を製造すること。
【解決手段】導電率が高められたパターン形成された領域を生成し、または露出させ、次いでこの領域上に、電着を使用して導体を形成することによって、微小金属構造が製造される。いくつかの実施形態では、基板上に微小金属構造が形成され、次いで基板からこの構造を除去するために、基板がエッチングされる。いくつかの実施形態では、付着前駆体ガスを含まない集束ガリウム・イオン・ビームが、シリコン基板上をあるパターンで走査して、導電パターンを生成し、次いでこの導電パターン上に、１種または数種の金属の電気化学付着によって銅構造が形成される。エッチングによってこの構造を基板から取り出すことができ、またはその場で使用することができる。ビームを使用して、トランジスタの活性層にアクセスすることができ、導体を電着させて、トランジスタが機能している間にその動作を感知しまたは変化させるためのリードを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】製造工程数を増加させることなく配線上にキャップメタル膜を選択的に形成することにより、配線間リーク電流の増大及び配線間ショートを抑制する。
【解決手段】絶縁膜に埋め込まれた配線を有する半導体装置の製造方法において、基板上に形成された絶縁膜に溝を形成する工程と、前記溝に導電膜を埋め込む工程と、それぞれに電解液が注入された複数の貫通孔を有する基体を前記導電膜の表面に接触させながら、前記電解液と電気的に接続されたアノードと前記基体表面に露出したカソードとの間に電位差を付与することで、前記導電膜が埋め込まれた前記絶縁膜を表面処理する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 金属相互接続のための共形接着促進材ライナを提供すること
【解決手段】 誘電体層を少なくとも１つのライン・トラフ及び／又は少なくとも１つのビア・キャビティを有するようにパターン化する。金属窒化物ライナをパターン化誘電体層の表面上に形成する。金属ライナを金属窒化物ライナの表面上に形成する。共形銅窒化物層を、原子層堆積（ＡＬＤ）又は化学気相堆積（ＣＶＤ）によって、金属ライナの直接上に形成する。Ｃｕシード層を共形銅窒化物層の直接上に形成する。少なくとも１つのライン・トラフ及び／又は少なくとも１つのビア・キャビティは、電気めっき材料で充填される。共形銅窒化物層とＣｕシード層との間の直接接触は、強化された接着強度を与える。共形銅窒化物層をアニールして、露出した外側部分を連続的なＣｕ層に変換することができ、このことはＣｕシード層の厚さを減すのに用いることができる。 （もっと読む）

【課題】 非常に立上り電圧が低く、かつ、逆方向耐圧が実用上問題のない程度に高い耐圧のダイオードを有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 インジウムを含有するＮ型半導体層１の表面に二次元電子ガスを発生させることが可能で、かつ、その二次元電子ガスの電子をトンネル可能な厚さで酸化インジウム層２が形成され、その酸化インジウム層２上に金属または導電性酸化膜からなる第１電極３が形成され、Ｎ型半導体層（Ｎ型半導体基板）１と電気的に接続して第２電極４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】無駄を省いた状態で、所望とする微細なパターンに電着による膜が形成できるようにする。
【解決手段】まず、容器１５１内に電着液１５２を収容し、電着液１５２の中で、白金からなる対向電極１５３に基板１０１の金属パターン１０４形成面を対向させて配置する。この状態で、定電圧源１５４により、対向電極１５３に正電圧を印加し、シード層１０２に負電圧を印加する。ここで、金属パターン１０５に必要な配線を接続することで、シード層１０２に対する負電圧の印加を行う。このようなカチオン電着により、金属パターン１０４および金属パターン１０５の露出している面（上面）に、電着液１５２中の電着成分が付着（析出）し、電着絶縁膜１０６が形成される。 （もっと読む）

【課題】例えばルテニウム膜をシード層として該ルテニウム膜の表面にダイレクトめっきを行うのに先立って、たとえ３００ｍｍウェーハ等の大型の高抵抗基板であっても、ルテニウム膜表面の不動態層を確実に除去することで、その後のめっき時におけるターミナルエフェクトを改善し、しかも、めっき膜の膜質を改善し、微細配線パターンの内部にボイドのないめっき膜を埋込むことができる電解処理装置及び電解方法を提供する。
【解決手段】貴金属または高融点金属からなるシード層を有する基板Ｗの該シード層と対向する位置に配置されるアノード５２と、電解液６２で満たされた基板Ｗとアノード５２との間に、内部に電解液を含浸させて配置される多孔質体４６と、シード層表面の電場を制御してシード層表面に形成された不動態層を電解処理により電気化学的に除去する制御部５８を有する。 （もっと読む）

【課題】自己集積形成法を用いて、ナノワイヤを所望の配列で接続した微細配線構造を提供する。
【解決手段】微細配線に用いるナノワイヤ構造体が、金を含まない金属材料、および半導体材料から選択される材料からなり、両端に端面を備えたナノワイヤと、端面に形成された金層とを含む。更に、ナノワイヤ構造体は、金層にチオール基を介して接続されたＤＮＡを含む。 （もっと読む）

【課題】めっき液に含まれる構成成分の濃度を演算し、めっき液の調整を適正に行い、めっき処理の品質を維持する。
【解決手段】めっき液に一または複数の添加剤を加えて半導体ウエハにめっき処理を行う工程（ステップＳ１）と、めっき処理の処理状態を示す一または複数のパラメータを測定する工程（ステップＳ３）と、パラメータからめっき液に含まれる構成成分の濃度を演算する工程（ステップＳ４）と、演算された構成成分の濃度が予め定めた閾値以内に収まるように、めっき液の調整処理を行う工程（ステップＳ６）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】性能劣化を招く金属元素の半導体基板への侵入及び拡散を防ぐことのできる半導体基板の製造方法および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体基板の製造方法は、半導体基板１の両面および側面に窒化膜２を形成する工程と、前記窒化膜２上の全面に、シリコンを含む酸化膜３および所定の金属を含む前駆体膜４Ａを積層する工程と、前記酸化膜３と前記前駆体膜４Ａとを反応させることにより、前記シリコンおよび前記所定の金属を含む自己形成バリア膜４を自己整合的に形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】Ｇａを含有するｎ型半導体層に対して低いコンタクト抵抗を実現する。
【解決手段】本発明は、ガリウム（Ｇａ）を含有するｎ型半導体層２０１の表面に形成されるｎ側電極１１０である。電極１１０は、Ｇａ含有率が１原子数％以上２５原子数％以下の金属層２０２を有する。金属層２０２はｎ型半導体層２０１に接している。 （もっと読む）