【課題】半導体基板の表面のＡｌ層の表面が荒れることを抑制しつつ、リフトオフの後に溶解層が剥離せずに残ることを防止し得る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１２の表面にＡｌ層１４を形成し、Ａｌ層１４の表面にＴｉＮ層１６を形成し、ＴｉＮ層１６の表面の一部に絶縁層２０を形成し、ＴｉＮ層１６と絶縁層２０の表面に溶解層を形成し、溶解層の表面にレジスト層を形成し、溶解層とレジスト層の一部を除去して溶解層開口部を形成してＴｉＮ層１６の一部を露出させ、レジスト層の表面、及び、露出したＴｉＮ層１６の一部の表面にＴｉ層３０及びＮｉ層４０を形成し、アルカリ溶液によって溶解層を溶解させることにより、溶解層とともに、レジスト層とその表面に形成されたＴｉ層及びＮｉ層を除去する。 （もっと読む）

【課題】有機半導体層の上面の層の形状不良を抑えることが可能な半導体素子およびこれを備えた電子機器を提供する。
【解決手段】有機半導体層と、有機半導体層の上面に設けられた層とを有し、この層の外形線は、有機半導体層の外形線よりも内側にある半導体素子。この半導体素子を備えた電子機器。 （もっと読む）

【課題】微細なパターンと比較的サイズが大きめのパターンとを有するパターン形成方法で、サイズが大きめのパターンを従来に比して精度良く形成することができるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、加工対象上の芯材膜３１に開口を形成した後、マスク膜３２をコンフォーマルに形成する。マスク膜３２をエッチバックして芯材膜３１の側面に第１の幅のマスク膜３２を残す。開口の形成領域以外の領域にレジストパターン３５ａを形成し、これをマスクに芯材膜３１をエッチングする。さらに、芯材膜３１をスリミングして第１の幅より小さい第２の幅のラインアンドスペース状のパターンを形成する。側壁膜をコンフォーマルに形成した後、エッチバックし、さらに芯材膜３１を除去して、加工対象上に側壁膜からなる側壁パターンを形成する。そして側壁パターンで加工対象をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】短チャネル効果を抑制させつつ微細化を行い、低消費電力化した半導体装置を提供する。
【解決手段】溝部および該溝部を挟んで形成された一対の低抵抗領域を有する半導体基板と、半導体基板上の第１のゲート絶縁膜と、第１のゲート絶縁膜を介し、溝部と重畳するゲート電極と、ゲート電極を覆って設けられた第２のゲート絶縁膜と、第２のゲート絶縁膜上の、溝部を挟んで設けられた一対の電極と、一対の電極と接する半導体膜と、を有し、一対の低抵抗領域の一方と、一対の電極の一方が電気的に接続されている積層されたトランジスタを形成し、一方はｎ型半導体からなるトランジスタであり、他方はｐ型半導体からなるトランジスタにより形成させることによって、相補型ＭＯＳ回路を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板に定形された形態部の内部に、表面が平坦化された導電性材料を形成する方法を提供する。
【解決手段】平坦化表面を形成する方法であって、狭小形態部と幅広形態部が形成された基板上に、第１のプロセスでは電気めっき法により狭小形態部および幅広形態部の少なくとも一部を充填し、第１の層を形成し、第２のプロセスでは無電解めっき法により幅広形態部のに対応する第１の層中の孔および第１の層上に第２の層を充填形成し、表面が平坦な上層部１１０を形成する。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を持つ、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを有する、信頼性の高い半導体装置の作製方法の提供を目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタを有する半導体装置の作製において、酸化物半導体膜を形成した後、水分、ヒドロキシ基、または水素などを吸蔵或いは吸着することができる金属、金属化合物または合金を用いた導電膜を、絶縁膜を間に挟んで酸化物半導体膜と重なるように形成する。そして、該導電膜が露出した状態で加熱処理を行うことで、導電膜の表面や内部に吸着されている水分、酸素、水素などを取り除く活性化処理を行う。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物中の酸素欠損を低減し、電気的特性の安定した半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた第１の金属酸化物膜と、第１の金属酸化物膜に接して設けられたソース電極及びドレイン電極と、ソース電極及びドレイン電極上に設けられたパッシベーション膜と、を有し、パッシベーション膜は、第１の絶縁膜と、第２の金属酸化物膜と、第２の絶縁膜とが順に積層された半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜を用いたトランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】酸化物半導体膜を用いた半導体装置であるトランジスタにおいて、酸化物半導体膜から水素を捕縛する膜（水素捕縛膜）、および水素を拡散する膜（水素透過膜）を有し、加熱処理によって酸化物半導体膜から水素透過膜を介して水素捕縛膜へ水素を移動させる。具体的には、酸化物半導体膜を用いたトランジスタのゲート絶縁膜を、水素捕縛膜と水素透過膜との積層構造とする。このとき、水素透過膜を酸化物半導体膜と接する側に、水素捕縛膜をゲート電極と接する側に、それぞれ形成する。その後、加熱処理を行うことで酸化物半導体膜から脱離した水素を、水素透過膜を介して水素捕縛膜へ移動させることができる。 （もっと読む）

【課題】配線信頼性が向上される。
【解決手段】半導体基板上に配線層１１と層間絶縁膜１２とが順に形成され、層間絶縁膜１２にトレンチ溝１３とトレンチ溝１３中に配線層１１に達するビア孔１４とが形成され、トレンチ溝１３内、ビア孔１４内および層間絶縁膜１２上に、チタン、ジルコニウムおよびマンガンのうちのいずれか、もしくはこれらの合金である金属膜１５が成膜され、スパッタ法を用いて、ビア孔１４の底部の金属膜１５をエッチングするとともに、トレンチ溝１３の底部および側壁とビア孔１４の側壁に、タンタル、タングステンのいずれか、もしくはこれらの合金である金属膜１６が成膜されて、さらに、ビア孔１４の側壁にそれぞれの金属によって新たな金属膜が生成され、ビア孔１４とトレンチ溝１３とを導電性材料１７ａで埋め込んだ配線層が形成されるようになる。 （もっと読む）

【課題】微細なパターンを含む半導体装置の信頼性を向上する。
【解決手段】本実施形態の半導体装置は、素子形成領域１００内の半導体素子と、素子形成領域１００内から引き出し領域１５０内に延在する複数の配線ＷＬと、引き出し領域１５０内の配線ＷＬに接続されるコンタクト部３９と、を具備し、配線ＷＬは、ｎ番（ｎは１以上の整数）の側壁膜のパターンに対応する（ｎ＋１）番目の側壁膜のパターンに基づいて形成され、配線ＷＬの配線幅ＷＷ又は素子形成領域１５０内の配線間隔ＷＤに対応する第１の寸法は、リソグラフィの解像度の限界寸法より小さく、露光波長がλ、レンズの開口数がＮＡ、プロセスパラメータがｋ１で示される場合、第１の寸法は、（ｋ１／２^ｎ）×（λ／ＮＡ）以下であり、引き出し領域内で互いに隣接する配線ＷＬの間隔ＷＣ２に対応する第２の寸法は第１の寸法より大きい。 （もっと読む）

【課題】高集積化を図ることができる半導体装置の製造方法を提供することである。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板に第１の方向に延びる複数の溝を形成する工程と、前記溝の内面上及び前記半導体基板の上面上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に、前記溝を埋めるように、第１の導電層を堆積する工程と、前記第１の導電層上に第２の導電層を堆積する工程と、前記第２の導電層上における前記溝の直上域の一部を含む領域にハードマスクを形成する工程と、前記ハードマスクをマスクとして前記第２の導電層をエッチングすることにより、前記ハードマスク及び前記第２の導電層を含む柱状体を形成する工程と、前記柱状体における前記溝の幅方向に面する２つの側面上に、電極加工側壁を形成する工程と、前記柱状体及び前記電極加工側壁をマスクとしてエッチングすることにより、前記第１の導電層における露出した部分の上部を除去し下部を残留させる工程と、前記電極加工側壁を除去する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】樹脂基板上に設けたボトムゲート型薄膜トランジスタにおいて、製造プロセスを簡略化することにより、高品質で低コストの薄膜トランジスタとその製造方法及び画像表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ボトムゲート型の薄膜トランジスタは、樹脂基板と、樹脂基板の同一面上に設けられたゲート電極と絶縁性密着層と、ゲート電極と絶縁性密着層との上に設けられたゲート絶縁層とを、少なくとも備える。また、ゲート電極は、金属を含む。また、絶縁性密着層は、ゲート電極に含まれる金属のオキシ水酸化物を含むことを特徴とする。また、金属は、Ａｌを含む金属であり、ゲート電極の膜厚は、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】高集積化を図ることができる半導体装置及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に設けられ、相互に平行に延びる複数本の積層体であって、前記半導体基板上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極と、前記ゲート電極上に設けられた絶縁膜と、を有する積層体と、前記ゲート電極の上端部の側面を覆い、前記ゲート電極における前記ゲート絶縁膜に接する部分の側面は覆わない絶縁側壁と、前記半導体基板上に設けられ、前記積層体を覆う層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜内における前記積層体の相互間に設けられ、前記半導体基板に接続されたコンタクトと、を備える。 （もっと読む）

【課題】パターンの微細化、特に、ＳＲＡＭのセル面積を縮小するためには、隣接ゲートの端部間距離を縮小することが重要となる。しかし、２８ｎｍテクノロジノードにおいては、ＡｒＦによる単一回露光でパターンを転写することは、一般に困難である。従って、通常、複数回の露光、エッチング等を繰り返すことによって、微細パターンを形成しているが、ゲートスタック材にＨｉｇｈ−ｋ絶縁膜やメタル電極部材が使用されているため、酸化耐性やウエットエッチ耐性が低い等の問題がある。
【解決手段】本願発明は、メモリ領域におけるｈｉｇｈ−ｋゲート絶縁膜およびメタル電極膜を有するゲート積層膜のパターニングにおいて、最初に、第１のレジスト膜を用いて、隣接ゲート電極間切断領域のエッチングを実行し不要になった第１のレジスト膜を除去した後、第２のレジスト膜を用いて、ライン＆スペースパターンのエッチングを実行するものである。 （もっと読む）

【課題】高電子移動度トランジスタの耐圧を高くする。
【解決手段】第１の高電子移動度トランジスタ４と、負の閾値電圧を有する第２の高電子移動度トランジスタ６とを有し、第２の高電子移動度トランジスタ６のソースＳ２は、第１の高電子移動度トランジスタ４のゲートＧ１に接続され、第２の高電子移動度トランジスタ６のゲートＧ２は、第１の高電子移動度トランジスタ４のソースＳ１に接続されている。 （もっと読む）

【課題】微細化が容易で、短チャネル効果が生じにくい半導体装置を提供する。
【解決手段】トランジスタのチャネル長方向の断面形状において、アスペクト比の大きいゲート電極上に半導体層を形成することで、トランジスタを微細化しても短チャネル効果が生じにくいチャネル長を確保できる。また、半導体層と重畳し、ゲート電極より下層に絶縁層を介して下部電極を設ける。下部電極と重畳する半導体層は、下部電極の電位（電界）により導電型が付与され、ソース領域及びドレイン領域が形成される。半導体層の、ゲート絶縁層を介してゲート電極と対向する領域は、ゲート電極がシールドとして機能し、下部電極の電界の影響を受けない。すなわち、不純物導入工程を用いることなく、自己整合によりチャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域を形成することができる。これにより、微細化が容易で、短チャネル効果が生じにくい半導体装置が実現できる。 （もっと読む）

【課題】パターンの微細化、特に、ＳＲＡＭのセル面積を縮小するためには、隣接ゲートの端部間距離を縮小することが重要となる。しかし、２８ｎｍテクノロジノードにおいては、ＡｒＦによる単一回露光でパターンを転写することは、一般に困難である。従って、通常、複数回の露光、エッチング等を繰り返すことによって、微細パターンを形成しているが、ゲートスタック材にＨｉｇｈ−ｋ絶縁膜やメタル電極部材が使用されているため、酸化耐性やウエットエッチ耐性が低い等の問題がある。
【解決手段】本願発明は、メモリ領域におけるｈｉｇｈ−ｋゲート絶縁膜およびメタル電極膜を有するゲート積層膜のパターニングにおいて、ハードマスクに対して、２枚のレジスト膜を用いて、ライン＆スペースパターンおよび隣接ゲート電極間切断領域パターンのパターニングを実行し、パターニングされたハードマスクを用いて、ゲート積層膜のエッチングを実行するものである。 （もっと読む）

【課題】露光マスク数を削減することでフォトリソグラフィ工程を簡略化し、酸化物半導
体を有する半導体装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネルエッチ構造の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する半導体装置の作
製方法において、透過した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって
形成されたマスク層を用いて酸化物半導体膜及び導電膜のエッチング工程を行う。エッチ
ング工程において、第１のエッチング工程は、エッチングガスによるドライエッチングを
用い、第２のエッチング工程はエッチング液によるウエットエッチングを用いる。 （もっと読む）

【課題】消費電力が低く、かつ、動作時の電流値が高い半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体装置は、第１導電型の基板上のソース領域に形成された第２導電型の第１の不純物拡散層と、前記基板上のポケット領域に形成された第１導電型の第２の不純物拡散層と、前記基板上のドレイン領域に形成された第１導電型の第３の不純物拡散層と、前記第１乃至第３の不純物拡散層の表面上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲートと、を含む。前記ポケット領域は前記ソース領域に隣接し、リセスを有するように形成される。前記ゲートは、前記ゲート絶縁膜を介して前記リセスを埋め込むように前記ゲート絶縁膜上に形成される。 （もっと読む）

【課題】高輝度化を図ることができる半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体発光素子は、構造体と、第１電極層と、電極層と、無機膜と、を備える。構造体は、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、第１半導体層と第２半導体層との間に設けられた発光層と、を有する。電極層は、構造体の第２半導体層の側に設けられる。電極層は、金属部と、複数の開口部と、を有する。金属部は、第１半導体層から第２半導体層に向かう方向に沿った厚さが１０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下である。開口部は、前記方向に沿って金属部を貫通し、円相当直径が１０ｎｍ以上、５μｍ以下である。無機膜は、前記方向に沿った厚さが２０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下で、金属部の表面及び開口部の内面を覆うように設けられ、発光層から放出される光に対して透過性を有する。 （もっと読む）