【課題】半導体装置の反りを抑制しながら、衝撃によるクラック等の破壊を防止することを目的とする。
【解決手段】動作領域Ｅの形成面ｓｆ１に対する裏面ｓｆ２に形成された凹部２０ａ内にさらに凹部２０ｂを設けて、凹部２０の内部に段差を設ける構成とすることにより、凹部２０の側面の付け根部分の厚みＷ４を厚くすることができ、半導体基板１０の寸法を抑えつつ横からの応力に対する強度が向上し、反りを抑制しながら、衝撃によるクラック等の破壊を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素半導体層に設けられたリセス底部の不純物領域を含む終端構造の形成において、リセスの底端部に発生したノッチを除去あるいは緩やかな形状にする。
【解決手段】ガードリング６の形成領域のＳｉＣドリフト層２にリセス７を形成したとき、リセス７の底端部に尖ったノッチ１１が現れる。リセス７の形成後、リセス７の内部を含むＳｉＣドリフト層２の表面を熱酸化して酸化層１２を形成し、当該酸化層１２をエッチングにより除去すると、ノッチ１１は緩やかな形状になる。 （もっと読む）

【課題】基板の反りとドレイン抵抗を低減させながら、半導体装置側面のバリや半導体装置の損傷を抑制することを目的とする。
【解決手段】半導体基板１裏面の表面電極であるソース電極２、ドレイン電極３の裏面に相当する領域に窪み部６を設け、ダイシング領域以外の窪み部６や窪み部６間に金属層５を形成することにより、基板の反りとドレイン抵抗を低減させながら、半導体装置側面のバリや半導体装置の損傷を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】タングステン膜を使用した部分の抵抗を低減した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法では、基板内に設けた開口部内、又は基板上にタングステン膜を形成する。タングステン膜の形成後、エッチバック又はエッチングを行う前にタングステン膜に対してアニール処理を行う。これにより、タングステン膜の結晶状態を変化させる。 （もっと読む）

【課題】携帯電話などのフロントエンドモジュールに使用されているハイパワーアンプは、シリコン系ＣＭＯＳ集積回路をベースとするデバイスであるが、その出力段に多数のＬＤＭＯＳＦＥＴセルを集積し、通常、複数のＬＤＭＯＳＦＥＴを構成したＬＤＭＯＳＦＥＴ部を有する。このＬＤＭＯＳＦＥＴセルにおいては、裏面のソース電極と表面のソース領域との間の抵抗を低減するために、半導体基板に高濃度にボロンドープされたポリシリコンプラグが埋め込まれている。このポリシリコンプラグは、熱処理に起因する固相エピタキシャル成長により収縮し、シリコン基板に歪が発生する。
【解決手段】本願発明は、ＬＤＭＯＳＦＥＴ等の半導体装置の製造方法において、基板の表面からエピタキシャル層を貫通するホールを形成し、ポリシリコンプラグを埋め込むに際して、ホールの内面に薄膜酸化シリコン膜が存在する状態で、ポリシリコン部材の堆積を行うものである。 （もっと読む）

【課題】ダイオードを含む半導体装置において、ダイオードの逆回復挙動とオン状態特性とのトレードオフを改善する。
【解決手段】半導体装置２００は陰極２１６と陽極２１８を含む。陽極は第１のｐ型半導体陽極領域２０４と第２のｐ型半導体陽極領域２０６を含む。第１のｐ型半導体陽極領域２０４は陽極接触領域２１８に電気的に接続される。第２のｐ型半導体陽極領域２０６は、第２のｐ型陽極領域と陽極接触領域２１８間を電気的に接続または切断するように構成された、ＭＯＳＦＥＴ２２８等のスイッチを介し陽極接触領域２１８に電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】ソフトリカバリ特性を維持する逆回復電荷を低減した高速リカバリダイオードを提供する。
【解決手段】整流装置１００は、第１の極性の基板と、基板に結合された第１の極性の低濃度ドープ層１８０と、低濃度ドープ層と共に配置された金属層１４０とを備える。超高速リカバリダイオードは、互いに離間され、低濃度ドープ層内に形成され、第２の極性のドーピングを備える複数のウェル１５０を含む。複数のウェルは金属層１３０に接続する。超高速リカバリダイオードは、複数のウェルのウェル間に位置し、低濃度ドープ層より高濃度に第１の極性がドープされた複数の領域１６０をさらに含む。 （もっと読む）

【課題】工程数を削減して生産性を向上できる構造の半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体層１にトレンチ２０を形成する工程と、トレンチ２の内壁およびトレンチ２外の表面を覆うように半導体層１上に絶縁膜３を形成する工程と、トレンチ２を埋め尽くし、トレンチ２外の絶縁膜３上に堆積されるように導電性のポリシリコン膜４を形成する工程と、トレンチ２内、およびトレンチ２外の絶縁膜３上の所定領域にポリシリコン膜４が残るように、当該ポリシリコン膜４を選択的に除去するポリシリコンエッチング工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】発光効率の向上を図ることができる発光素子、これを含む発光素子ユニットおよび発光素子ユニットを樹脂パッケージで覆った発光素子パッケージを提供すること。
【解決手段】発光素子１では、第１導電型半導体層３上に、発光層４、第２導電型半導体層５、透明電極層６、反射電極層７および絶縁層８が、この順で積層されていて、絶縁層８上には、第１電極層１０と第２電極層１２とが分離絶縁された状態で積層されている。発光素子１は、平面視において離散して配置されて絶縁層８から連続して反射電極層７、透明電極層６、第２導電型半導体層５および発光層４を貫通し、第１導電型半導体層３に到達する複数の絶縁管層９と、第１電極層１０から連続し、絶縁層８および絶縁管層９を通って第１導電型半導体層３に接続された第１コンタクト１１と、第２電極層１２から連続し、絶縁層８を貫通して反射電極層７に接続された第２コンタクト１３とを含む。 （もっと読む）

【課題】電流電圧特性を維持しつつ、アノード電極６の剥離に対する機械的強度を向上させる。
【解決手段】異種材料接合型ダイオードは、半導体基体１と、半導体基体１の上に形成された第１導電型のドリフト領域２と、ドリフト領域２の主表面に接合された、ドリフト領域２とは異なる種類の材料からなるアノード電極６と、半導体基体１に接続されたカソード電極７とを備える。ドリフト領域２とアノード電極６との接合によりダイオードが形成されている。アノード電極６の主表面のうち、ドリフト領域２に接している側の主表面に、嵌合構造（３、Ｇ１）が形成されている。 （もっと読む）

【課題】電流コラプスの発生を抑制できるIII族窒化物半導体トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＦＥＴ１では、第１窒化物半導体層１０３の上に第２窒化物半導体層１０４が設けられ、少なくとも一部が第２窒化物半導体層１０４に接するようにソース電極１０６およびドレイン電極１０７が設けられている。第２窒化物半導体層１０４の上面においてソース電極１０６とドレイン電極１０７との間に位置するように凹部１１０ａが形成されており、ゲート電極１０８が凹部１１０ａの開口を覆うように凹部１１０ａの上方に設けられている。 （もっと読む）

【課題】耐圧が高く破壊等が生じにくい、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】基板上に形成された第１の半導体層１２と、前記第１の半導体層上に形成された第２の半導体層１４と、所定の領域の前記第２の半導体層の一部または全部を除去することにより形成されているゲートリセス２２と、前記ゲートリセス及び第２の半導体層上に形成されている絶縁膜３１と、前記ゲートリセス上に絶縁膜を介して形成されているゲート電極３２と、前記第１の半導体層または前記第２の半導体層上に形成されているソース電極３３及びドレイン電極３４と、を有し、前記ゲートリセスの底面は、中央部分２３ａが周辺部分２３ｂに対し高い形状であることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】ｐ型III族窒化物半導体８をドライエッチングして形成した平坦表面に電極を形成してもオーミック接触させることができない。
【解決手段】ｐ型III族窒化物半導体８の電極形成範囲をドライエッチングして溝８ｄを形成し、その溝８ｄに金属２０を充填して電極を形成する。ｐ型III族窒化物半導体８のドライエッチング面は、エッチングによって生じた欠陥によってｎ型化しているために、平坦平面にドライエッチングしておいて電極を形成するとオーミック接触しない。溝８ｄを設けておくと、欠陥が少ない溝８ｄの側面においてｐ型III族窒化物半導体８と電極がオーミック接触し、半導体と電極の接触抵抗が低減する。 （もっと読む）

【課題】微細化されたＮ＋型ソース層とソース電極のコンタクト抵抗が低減されたパワーＭＯＳトランジスタの実現を図る。
【解決手段】Ｎ型ドリフト層２の表面にＰ型ボディ層６を形成し、該Ｐ型ボディ層６の表面にＮ＋型ソース層７を形成する。Ｎ＋型ソース層７上を被覆する層間絶縁膜８に第１のコンタクトホール９を形成し、Ｎ＋型ソース層７の一部を露出する。第１のコンタクトホール９の底面に露出したＮ＋型ソース層７の表面からＰ型ボディ層６内まで第２のコンタクトホール１０を形成する。第２のコンタクトホール１０の底面に露出したＰ型ボディ層６の表面にＰ＋型コンタクト層１１を形成する。第１のコンタクトホール９の底面にフォトリソグラフィ工程のマスク合わせ精度のばらつき幅より小さい幅のＮ＋型層７ａを形成し、第１、第２のコンタクトホール９、１０内をタングステン層１２等で埋設する。 （もっと読む）

【課題】ファインゲート構造を採用してゲート電極の微細化を図るも、ゲート電極の周辺における電界集中によるデバイス特性の変動・劣化を防止する、信頼性の高い化合物半導体装置を実現する。
【解決手段】ゲート電極８は、ファインゲート構造の幹状の下方部分８ａと、下方部分８ａの上端から当該上端よりも幅広に傘状（オーバーハング形状）に拡がる上方部分８ｂとが一体形成されており、下方部分８ａは、下端を含む第１の部分８ａａと、第１の部分８ａａ上の第２の部分８ａｂとを有し、保護壁７は、第１の部分８ａａの両側面のみを覆うように形成されている。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体装置において、高温且つ高電圧下のスイッチング時においても電流コラプスによるオン抵抗の増大が生じないようにする。
【解決手段】基板１上には、バッファ層２、ＧａＮからなるチャネル層３及びアンドープＡｌＧａＮからなるバリア層４が順次形成されている。チャネル層３は、該チャネル層３の下部にｐ型不純物層３ａを有し、その上にアンドープ層３ｂを有している。バリア層４及びチャネル層３の端部が除去されており、露出したバリア層４及びチャネル層３の側面と接するように、それぞれソース電極５及びドレイン電極６が設けられている。バリア層４上におけるソース電極５とドレイン電極６との間の領域にはゲート電極７が設けられている。 （もっと読む）

【課題】オーミック電極のコンタクト抵抗を低減する。
【解決手段】半導体装置は、第１の窒化物半導体層１３上に形成され第１の窒化物半導体層１３よりバンドギャップが大きい第２の窒化物半導体層１４と、第２の窒化物半導体層１４を貫通して第１の窒化物半導体層１３の一部を除去する形状の凹部と、凹部を埋め込む電極１７とを備える。第１の窒化物半導体層１３の第２の窒化物半導体層１４との界面直下に２次元電子ガス層１３ａを有する。電極１７と第２の窒化物半導体層１４とは第１のコンタクト面１６ａにて接する。電極１７と２次元電子ガス層１３ａの部分とは、第１のコンタクト面１６ａの下に接続された第２のコンタクト面１６ｂにて接する。第１のコンタクト面１６ａは凹部の幅が下から上に広くなる形状である。接続箇所において、第２のコンタクト面１６ｂは、第１のコンタクト面１６ａよりも第１の窒化物半導体層１３の上面に対して急峻である。 （もっと読む）

【課題】縦型トランジスタの特性を悪化させることなく縦型トランジスタの設置面積を削減できる高集積化に適した半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】一定の間隔を空けて配置された複数のピラー３０が備えられ、複数のピラー３０が、縦型トランジスタＴのチャネルとして機能する半導体層からなるチャネルピラー１と、不純物拡散層からなり、前記チャネルピラー１の下部に接続されて縦型トランジスタＴの一方のソースドレインとして機能する下部拡散層４に電気的に接続された引き上げコンタクトプラグ２とを含む半導体装置とする。 （もっと読む）

【課題】制御性の良い製造方法のみで形成することができる高周波数動作が可能なノーマリオフ型の窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】ソース電極５とドレイン電極６との間の電子供給層４上に、電子供給層４とショットキー接触する浮遊電極８を配置し、この浮遊電極８上に絶縁膜を介してゲート電極７を配置する。さらに、ソース電極５とドレイン電極６との間の電子供給層表面を珪素膜１１で被覆する。そして、ゲート電極７に正バイアス印加し、浮遊電極８に電子を蓄積される。 （もっと読む）

【課題】スイッチング損失を低減した半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、ベース層と、ベース層上に設けられた第２導電形半導体層と、第２導電形半導体層の表面からベース層側に向けて延び、ベース層には達しない複数の第１のトレンチの内壁に設けられた第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜を介して第１のトレンチ内に設けられると共に第２導電形半導体層の表面に接する第１の電極とを備えている。第２導電形半導体層は、第１のトレンチで挟まれた第１の第２導電形領域と、第１の第２導電形領域とベース層との間および第１のトレンチの底部とベース層との間に設けられ、第１の第２導電形領域よりも第２導電形不純物量が少ない第２の第２導電形領域とを有する。 （もっと読む）