【課題】自動検査、特に、製造欠陥の解析の方法及びシステムを提供する。
【解決手段】欠陥解析方法は、検査パラメータ値のそれぞれの範囲によって特徴付けられる複数の欠陥部類に対する単一部類分類子を識別する段階を含む。各単一部類分類子は、それぞれの部類に対して、検査パラメータ値に基づいてそれぞれの部類に属する欠陥を識別し、一方でそれぞれの部類に入っていない欠陥を未知欠陥として識別するように構成される。検査パラメータ値に基づいて複数の欠陥部類のうちの１つに各欠陥を割り当てるように構成された多重部類分類子が識別される。検査データが受信され、欠陥を欠陥部類のうちの１つに割り当てるために、単一部類及び多重部類分類子の両方が適用される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、テスト時に半導体の終端部での放電を防止することが可能な半導体テスト治具を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明による半導体テスト治具は、プローブピン３と、プローブピン３を平面視で囲むように設けられた絶縁物２とが配設された土台１と、土台１のプローブピン３および絶縁物２が配設された側の面に対向して配置され、土台１側の面上に被検体４を載置することが可能なステージ６とを備え、ステージ６に被検体４を載置して土台１とステージ６とが接近する方向に移動する際、プローブピン３が被検体４に形成された電極と接触すると共に、絶縁物２が被検体４に接触することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 測定対象のパターンを、その外形によって特定することが困難である場合に、外形及び明るさ以外の情報によって測定対象パターンを特定する技術を提供する。
【解決手段】 走査型電子顕微鏡を用いて、測定対象物の二次元画像を取得する。取得された二次元画像から、測定対象候補として、相互に隣接している２つのパターンを抽出する。測定対象候補の２つのパターンの内部の領域の各々の表面粗さを算出する。算出された表面粗さに基づいて、測定対象候補の２つのパターンのうち一方を、測定対象パターンとして採用する。採用された測定対象パターンの寸法を測定する。 （もっと読む）

【課題】検査時におけるゲート電極パッドへのストレスを低減し得る半導体装置を提供する。
【解決手段】一実施形態に係る半導体装置は、ＭＯＳＦＥＴ構造を有する複数の単位セルを含む半導体装置であって、各単位セルのＭＯＳＦＥＴ構造が有するゲート電極に電気的に接続されるゲート電極配線２４と、ゲート電極配線に電気的に接続されており各ゲート電極を外部接続するためのゲート電極パッド３０と、ゲート電極配線に電気的に接続されており検査用プローブが接触されるプローブ用電極パッド５８とを備える。 （もっと読む）

【課題】従来のプローブカードでは、セラミック基板の両面を高精度に形成しなければならない。
【解決手段】電子部品に電気信号を授受するための複数のプローブを有するプローブユニット７と、プローブユニット７が設けられた第１面１２ａを有し、且つ、前記複数のプローブに電気的に接続する第１配線が設けられたプローブ基板５と、プローブ基板５の第１面１２ａ側に設けられ、前記第１配線に電気的に接続する第２配線を有するメイン基板３と、を有し、メイン基板３は、第１面１２ａに対して平面視で、プローブユニット７を囲む領域の外側に設けられている、ことを特徴とするプローブカード。 （もっと読む）

【課題】基板抵抗にかかわらずシリコンウェーハにおける酸素析出物の有無および面内分布を高精度に評価するための手段を提供すること。
【解決手段】評価対象シリコンウェーハに対して該シリコンウェーハ表面においてフォトルミネッセンス強度の面内分布を示す第一の面内分布情報を取得すること、上記第一の面内分布情報取得後の評価対象シリコンウェーハに対して熱酸化処理を施した後、該シリコンウェーハ表面においてフォトルミネッセンス強度の面内分布を示す第二の面内分布情報を取得すること、第一の面内分布情報と、第二の面内分布情報に１未満の補正係数による補正を加えて得られた第三の面内分布情報との差分情報を得ること、および、得られた差分情報に基づき、評価対象シリコンウェーハにおける酸素析出物の有無および酸素析出物の面内分布からなる群から選ばれる評価項目の評価を行うこと、を含むシリコンウェーハの評価方法。 （もっと読む）

【課題】完成前の加工段階では良好な加工性を備え、完成品状態で十分な硬度を有するプローブピンを提供する。
【解決手段】Inまたは/およびSn：0.2〜1.2mass%、Pd：35〜50mass%、Cu：25〜40mass%、Ag：15〜40mass%および不可避不純物からなる合金を、55〜99.6%の加工率[加工率(%)=((加工前の断面積−加工後の断面積)/加工前の断面積)×100とする]でプローブピン用材料に加工する。280〜440のビッカース硬さを有し上記加工率のプローブピン用材料を、所望の形状に加工した後、300〜500℃で加熱、析出処理する。 （もっと読む）

【課題】ウエハとマスクのように同等の回路パターンが形成されているが形状が異なる試料を一つの装置で検査することができる検査装置または検査方法を提供する。
【解決手段】検査装置が、形状が異なる複数の試料に対応した複数の搬送ホルダを備えることにより、同一試料室で異なる試料の検査を可能とする。更に、双方の試料に対する検査結果を照合する機能を備えることにより、欠陥と欠陥が生じる原因との関係を容易に解析できるようにする。 （もっと読む）

【課題】検査データから解析対象箇所を選択する場合、全体の中で重要性の高い欠陥が解析対象にならなかった。また、欠陥に対してマーキングを一定の位置で行うと、欠陥の形状や大きさにより、欠陥自体に影響を与え、後段の解析装置での解析に支障をきたすという問題があった。更に、ノンパターンウェーハの場合には、ＳＥＭで欠陥が見えない場合、マーキングができなかった。
【解決手段】重要性の高い欠陥が解析対象を選択するため、レビューＳＥＭの自動分類結果を用いて、解析対象欠陥を選択する。また、欠陥自体に影響を与えないため、欠陥毎に距離を変えてマーキングを行う。このため、ＡＤＲまたはＡＤＣで欠陥の形状，サイズを認識して、影響範囲を考慮した距離を追加した距離にマーキングする。更に、ＳＥＭで観察できない欠陥の場合、光学顕微鏡での観察結果を用いてマーキングする。 （もっと読む）

【課題】 被検査画像から微小欠陥を検出するとともに、当該欠陥の色の違いを識別することができる外観検査装置および外観検査方法。
【解決手段】 被検査基板を撮像部３０で撮像することで被検査画像を取得する。被検査画像に対して微分処理部４１２は水平方向に微分演算処理を行う。そして、微分処理部４１２は、水平方向の微分処理結果に対して、さらに垂直方向に微分演算処理を行い欠陥候補検出画像４２３を生成する。欠陥検出部４０３が欠陥候補検出画像４２３中の欠陥候補と、欠陥候補が示す特徴を記録した欠陥識別情報４２８とを比較することで、欠陥を検出するとともに、検出された欠陥が白欠陥であるか黒欠陥であるか識別することができる。 （もっと読む）

【課題】多数の内部回路を同時に動作させることで、半導体装置の電源電圧が降下する場合がある。その結果、本来は良品である半導体装置が不良品と判定され、歩留りが悪化するという問題がある。そのため、電圧降下の影響を考慮し、試験規格を補正する半導体試験装置及び半導体試験方法が望まれる。
【解決手段】半導体装置は、被試験対象の半導体装置上の第１の測定点における第１の電圧の測定が可能な第１のプローブと、第１の測定点とは異なる第２の測定点における第２の電圧の測定が可能な第２のプローブと、予め定められている試験規格電圧では、半導体装置が動作しない場合に、第１及び第２の電圧に基づいて試験規格電圧を補正する制御部と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】高電子エネルギベースのオーバーレイ誤差測定方法及びシステムを提供する。
【解決手段】方法、システム、及びコンピュータ可読媒体を提供する。本方法は、被検物の第１の層の第１の区域を表す第１区域の情報を取得するか又は受け取る段階であって、被検物が、第１の層の下に埋め込まれて第２の区域を含む第２の層を更に含む段階と、第１の区域と相互作用するように１次電子ビームの電子を誘導する段階と、第２の区域と相互作用するように１次電子ビームの電子を誘導する段階と、第１及び第２の区域のうちの少なくとも一方から散乱又は反射された電子に応答して検出信号を発生させる段階と、検出信号と第１区域の情報とに基づいて、第１区域の少なくとも１つの特徴部と第２区域の少なくとも１つの特徴部の間の少なくとも１つの空間関係を判断する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】ウェハを外周で保持する機構では、ウェハが自重で撓む場合がある。そこで平面度を保持するためにウェハとウェハ下の保持台との間に空気を供給する方法がある。しかし、この方法では異物がウェハに付着する場合がある。
【解決手段】ウェハの平面度を保持するためにウェハ、及びウェハ下の保持台に負電圧をかける。この静電力によってウェハに上向きの力を与え、平面を保持する。また、この方法により負に帯電した異物の付着を防止する。 （もっと読む）

【課題】 プローバーテストの製品への影響をさらに軽減して、より一層信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置１００を、半導体基板１０ａと、半導体基板１０ａの一方の面上に形成された絶縁膜１０ｂと、縦孔配線部３０と、金属膜１１と、導電性保護膜１２とを備える構成とする。金属膜１１は、絶縁膜１０ｂ内に形成され、縦孔配線部３０と電気的に接続される。そして、導電性保護膜１２は、絶縁膜１０ｂ内において金属膜１１に接して形成され、かつ、金属膜１１の膜面において製造途中で行うプローバーテスト時のプローブの接触領域を含む領域に形成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、低コストかつ短時間でデバイスの高周波特性を測定する高周波特性測定装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本願の発明に係る高周波特性測定装置は、実装前のデバイスにプローブ針を当てて高周波特性を測定する高周波特性測定装置であって、入力整合回路が形成された入力整合回路基板と、該入力整合回路基板と電気的に接続された第１同軸コネクタと、該入力整合回路基板と電気的に接続された複数の第１プローブ針と、出力整合回路が形成された出力整合回路基板と、該出力整合回路基板と電気的に接続された第２同軸コネクタと、該出力整合回路基板と電気的に接続された複数の第２プローブ針と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
ステップ・アンド・リピート式の高解像度ＳＥＭを用いて予め定められた危険点を検査し、危険点での欠陥発生頻度を統計的かつ信頼性を持って推定する半導体デバイスの欠陥検査方法及びそのシステムを提供する。
【解決手段】
デザインデータ上で欠陥タイプ別に検査点を指定し、この指定された検査点の中から予め指定された数の検査点を欠陥タイプ別に選択し、この選択した欠陥タイプ別に予め指定された数の検査点を撮像してこの検査点における欠陥を検出し、欠陥タイプ別に撮像した検査点の数に対する検出した欠陥の数の比である欠陥比率とこの欠陥比率の信頼区間を算出し、この算出した欠陥タイプ別の欠陥比率の信頼区間と予め設定した基準値とを比較し、この基準値を超える欠陥発生比率をもつ欠陥タイプを求める半導体デバイスの欠陥検査方法及びそのシステムとした。 （もっと読む）

【課題】 屈曲部に柔軟性を持たせたバーチカルプローブと、このバーチカルプローブを備えた狭小ピッチ対応のプローブヘッドを提供する。
【解決手段】 プローブヘッド１は、プローブハウジング２と、傾斜して配置されたバーチカルプローブ３とを備え、プローブハウジング２の上面２ａには複数の第１のスルーホール２ｂ、２ｂ…が設けられて、底面２ｆには第２のスルーホール２ｅ、２ｅ…が設けられ、第１のスルーホールおよび第２のスルーホール間に空洞部２ｍが形成され、これらの間にバーチカルプローブが挿着され、プローブ上部３ａおよびプローブ下部３ｂの幅より狭くなった屈曲部３ｅが設けられ、プローブ下部にはプローブ先端３ｄ側に向かって幅３ｇを更に狭くする段差３ｆを備え、段差がプローブハウジングの第２のスルーホールの淵部２ｇに係止され、バーチカルプローブは屈曲方向に変形して上下に伸縮して良好な電気的接続をする。 （もっと読む）

【課題】 狭小な電極パッドが狭ピッチで配置された半導体デバイスの電気的特性試験が可能な電気的接触子ユニットを提供する。
【解決手段】 コンタクトプローブ１ａ（１ｂ）は、一端にコンタクト部１０が形成されたコンタクト軸１１と、コンタクト軸１１から互いに反対方向へ分岐し、ガイド板３（４）に当接する一対のアーム部１２ａ（１２ｂ）とを備えている。このため、コンタクト部１０を検査対象物に接触させることによって受ける圧力を一対のアーム部１２ａ（１２ｂ）に分散させ、弾性変形したアーム部１２ａ（１２ｂ）の反発力のうち、ガイド板３（４）に平行な成分を打ち消すことにより、コンタクト部１０のスクラブ量を抑制することができる。従って、十分なオーバードライブ量と、適度なスクラブ量とを確保し、コンタクト部１０が検査対象物の電極パッドから外れるのを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】太陽電池ウェハの表面及び裏面の形状のみならず、太陽電池ウェハの厚みを高速に算出する。
【解決手段】光源１２１，１３１は太陽電池ウェハの表面及び裏面に光切断線ＣＬを照射する。カメラ１２２，１３２は太陽電池ウェハが所定距離搬送される都度、測定試料５００の表面及び裏面の光切断線画像を連続撮像する。計測データ算出部１２３，１３３は角光切断線画像から光切断線ＣＬが現れている重心座標を表面計測データ及び裏面計測データとして算出する。高さデータ算出部１４３は、表面計測データ及び裏面計測データから太陽電池ウェハの表面及び裏面の高さデータを算出する。厚みデータ算出部１４６は、太陽電池ウェハの表面及び裏面の高さデータから太陽電池ウェハの厚みデータを求める。 （もっと読む）

【課題】複数の接触端子と複数のチップ電極の接触圧力のばらつきを低減する。
【解決手段】薄膜シート（第１シート）２は、複数のコンタクタ（接触端子）３が形成された主面（接触端子形成面）２ａ、および主面２ａの反対側に位置する裏面２ｂを有する。また、薄膜シート２には、主面２ａと裏面２ｂの間に複数の配線２３、ダミー配線２６が配置される。複数のコンタクタ３が配列されるコンタクタ群（第１接触端子群）の端部に配置されるコンタクタ３ｅとダミー配線２６の間には、薄膜シート２の主面２ａから裏面２ｂまでを貫通する開口部から成るスリット２ｄが、配線２３に沿って形成されている。 （もっと読む）