【課題】ウェハを対象とした半導体試験装置において、簡易にプローブ先端を接地状態として電気長測定を行なえるようにする。
【解決手段】試験対象のウェハと接触するプローブを複数備えた半導体試験装置における、プローブを一端とする信号経路の電気長測定方法であって、電気伝導性領域を有するキャリブレーションウェハの電気伝導性領域を全プローブに接触させ、信号経路の他端から測定信号を入力し、電気伝導性領域との接触部で反射した信号波形を他端側で測定することにより電気長を算出する。 （もっと読む）

【課題】より簡便な方法で、ライフタイム測定までの時間を短縮し、かつ、高精度でバラツキの少ないライフタイム値を得ることができるシリコンウェーハのライフタイム評価方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハの表面にゲート酸化膜を形成して、水銀プローブ法によりライフタイムを評価する方法において、フタル酸エステル化合物を容器内に収容した後、その中に前記ウェーハを入れることにより、前記ゲート酸化膜表面にフタル酸エステル化合物を付着させた後にライフタイムの測定を行う。 （もっと読む）

【課題】プローブで発生した熱を効率よく放散し、プローブの温度上昇を効果的に抑制することにある。
【解決手段】電気信号を通すプローブは、配線基板の接続電極に取り付けられる接続領域を有する外面を備えるプローブの本体部と、前記本体部に埋設され、前記本体部の前記外面から一部を露出する少なくとも１つの伝熱部と、前記伝熱部の露出する前記一部に接し、前記接続領域を除く前記外面の少なくとも一領域を覆う膜状の放熱部とを含む。前記本体部は導電性材料からなり、前記伝熱部及び前記放熱部は、前記導電性材料よりも伝熱性の高い材料からなる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板において、表面再結合速度およびバルクライフタイムを分離評価する方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】半導体基板において、３種類の半導体基板に対してそれぞれの一次モードのライフタイムτ_１１、τ_２１、τ_３１を測定し、得られたτ_１１、τ_３１および数式（１）乃至数式（３）を用いて、第１乃至第３の相関曲線を得て、第３の相関曲線にτ_２１を代入し、バルクライフタイムτ_ｂを得ることができる。また、第１および第２の相関曲線に得られたτ_ｂを代入し、表面再結合速度Ｓ_０およびＳ_１を得ることができる。




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【課題】実際の強誘電体メモリセルについて疲労特性を直接に測定する試験方法を含む半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板上に形成された強誘電体キャパシタの疲労特性の面内分布を取得する第１の工程と、前記面内分布に基づいて、半導体装置を製造する第２の工程と、を含み、前記第２の工程は、前記半導体装置が形成される基板上に複数の強誘電体キャパシタを形成し、前記第１の工程で取得された疲労特性の面内分布から、前記半導体装置が形成される基板上の特定領域を指定し、前記特定領域に形成された前記強誘電体キャパシタについて疲労特性を測定し、前記特定領域の強誘電体キャパシタについて測定した前記疲労特性に基づき、前記特定領域の強誘電体キャパシタについて良否判定を行い、前記良否判定の結果が良であれば、前記複数の強誘電体キャパシタの全てについて良と判定する。 （もっと読む）

【課題】平坦度調節部材及びこれを備えるプローブカードに関する。
【解決手段】検査対象物のパターンと接触可能な複数のプローブピンが下面に突出具備される第１基板１１０と、第１基板の上部に備えられ、第１基板１１０と電気接続手段を介して電気的に連結される第２基板１４０と、第１基板と第２基板との間に備えられ平坦度を調節するための平坦度調節部材と、を含み、平坦度調節部材は、第１基板１１０の上面に接着される固定ボルト１２０と、第２基板１４０を上部から貫通して固定ボルト１２０と結合する調整ボルト１７０と、を含み、第１基板１１０の上面のうち固定ボルト１２０が接着される部分には、第１基板１１０と固定ボルト１２０との間の結合力を増大させる固着力強化部１１０ａが形成されるプローブカードを開示する。 （もっと読む）

【課題】基板の微細化及び複雑化に対応でき、検査時には強い押圧力を且つ非検査時には弱い押圧力を提供できる微細な接触子及び検査用治具の提供。
【解決手段】複数の検査点を有する被検査物と、電気的特性を検査する検査装置とを電気的に接続する検査用治具であって、検査装置と接続される電極部を複数備える電極体と、電極部と検査点を接続する検査用接触子と、検査用接触子は、両端に開口部を有し、先端開口部が電極部の表面と当接する導電性の筒状部材と、筒状部材の後端開口部から突出されるとともに該筒状部材内部に配置され、先端が検査点に接触する導電性の棒状部材と、筒状部材と棒状部材を電気的に接続する固定部とを備え、筒状部材は、筒状部材の壁部に長軸方向に伸縮する螺旋状の切欠が形成される第一切欠部と、第二切欠部を有し、第一切欠部又は第二切欠部のいずれかが、棒状部材が検査点に当接して検査が実施される際に、収縮の限界に達している。 （もっと読む）

【課題】ウェーハに対して所望のプラズマエッチングが行われたか否かを確認できるようにする。
【解決手段】ウェーハ１０を保持する測定テーブル２と、ウェーハ１０の外周部の形状確認をするための形状測定手段３とを有し、形状測定手段３が測定テーブル２の上方に位置し、形状測定手段３と測定テーブル２とを相対的に移動させることにより形状測定手段３がウェーハの形状を測定するプラズマエッチング確認装置１を用い、プラズマエッチング処理後のウェーハ１０の形状に基づき、プラズマエッチングの良否を判定する。 （もっと読む）

【課題】測定経路端を接地して電気長を測定する場合に、経路に断線があっても測定結果を得られるようにする。
【解決手段】測定経路端を接地して電気長を測定する半導体試験装置であって、測定経路に測定信号を出力する信号発生手段と、測定経路から分岐して入力される入力信号と、任意の閾値電圧とを比較する比較手段と、信号発生手段に測定信号を出力させ、比較手段の入力信号が第１閾値電圧以上となってから第２閾値電圧以下となるまでの時間を計測し、所定時間内に計測された場合には、計測された時間に基づいて測定経路の電気長を算出し、所定時間内に計測されなかった場合には、比較手段の入力信号が第１閾値電圧以上となってから、第１閾値電圧よりも高い第３閾値電圧以上となるまでの時間を計測して、測定経路の異常箇所までの電気長を算出する電気長測定制御手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、イオン注入された表層よりも深層の影響をより低減し、イオン注入量をより精度よく測定し得るイオン注入量測定装置および該方法を提供する。
【解決手段】本発明のイオン注入量測定装置Ｄａは、光源部１ａおよび変調部２ａによってイオン注入された半導体である測定対象のイオン注入半導体ＳＭにおけるバンドギャップ以上のエネルギーを有するとともに、強度を周期的に変調した励起光をイオン注入半導体ＳＭに照射し、測定波生成部６で生成された測定波をイオン注入半導体ＳＭに照射し、検出部１０ａによってイオン注入半導体ＳＭで反射された測定波の反射波を検出し、イオン注入量演算部１４２ａによって、検出部１０ａの検出結果に基づいて、前記励起光の変調周波数の変化に対する前記反射波の強度の変化である前記反射波の変調周波数依存特性を求め、この求めた前記反射波の変調周波数依存特性に基づいてイオン注入量を求める。 （もっと読む）

【課題】薄板化したウェハに対して、ハンドリングミスを起こすことなく安定的に支持・搬送して、デバイスの電気特性試験を容易・確実に行えるようにする。
【解決手段】ウェハ７３の表面に粘着テープ７２を貼り付け、ダイシングフレーム７１にウェハ７３を保持したまま、ダイシングフレーム７１を搬送可能な状態に形成する。この場合、粘着テープ７２は、ウェハ７３のパターン形成面７４側に貼り付けられ、ウェハ７３の外縁部が残存するように剥離して、パターン形成面７４を露出させる。また、粘着テープ７２には、剥離用のプリカットライン７５が形成されており、プリカットライン７５に沿って粘着テープ７２を簡単に剥離できる。 （もっと読む）

【課題】被検体との低付着性を実現するとともに、長期間に亘って安定な導電性を保つことができ、特に、約８５℃程度の高温での繰返し接触や、大気中で長期間放置された後も、被検体との低付着性を実現すると共に、接触抵抗の上昇を抑制し得、長期間に亘って安定な電気的接触を保つことのできる電気的接点部材を提供する。
【解決手段】電気的接点部材は、被検体に繰返し接触する電気的接点部材であって、被検体と接触する電気的接点部材の表面は、Ｐｄを含有する炭素被膜で構成されている。 （もっと読む）

【課題】開口部が周期的に形成されている半導体ウェハを検査することができる検査装置、検査方法、及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様にかかる検査装置は、一方の面に開口部１４が周期的に形成された半導体ウェハ１０の検査装置であって、半導体ウェハ１０の一方の面と反対側の他方の面の法線から傾斜した入射方向３１に向けて光を出射し、他方の面を照明可能な照明装置２２と、照明装置２２から入射方向に出射された光の正反射方向の近傍位置に配置され、照明領域の長手方向に沿って配列された受光画素で半導体ウェハ１０からの光を受光する検出器２３と、半導体ウェハ１０と照明領域の位置を相対移動して走査を行うステージ２１と、を備えた検ものである。 （もっと読む）

【課題】 窒素がドープされた低酸素濃度のシリコン単結晶ウェーハに存在する、特にサイズが小さい結晶欠陥を検出することのできる結晶欠陥の検出方法を提供する。
【解決手段】 窒素をドープした初期酸素濃度８ｐｐｍａ（ＪＥＩＤＡ）以下のシリコン単結晶ウェーハに存在する結晶欠陥の検出方法であって、前記シリコン単結晶ウェーハに酸素雰囲気下にて熱処理を行うことにより、前記結晶欠陥内に酸素を注入し、欠陥サイズが２５ｎｍ以下の結晶欠陥を顕在化して検出可能にする工程と、前記熱処理後のシリコン単結晶ウェーハの結晶欠陥を検出する工程とを含み、前記熱処理時における、前記シリコン単結晶ウェーハの酸素固溶度と初期酸素濃度の比率を、α＝酸素固溶度／初期酸素濃度としたとき、αを１以上３以下の範囲になるように前記熱処理における熱処理温度を設定する結晶欠陥の検出方法。 （もっと読む）

【課題】
進行波型光変調器の製造工程において、電極の屈折率を簡便且つ正確に測定することが可能であり、検査に必要な検査用電極もより小さな電極パターンとすることが可能な検査用電極付きウエハ及びその電極の屈折率測定方法を提供すること。
【解決手段】
電気光学効果を有するウエハ１に、複数の光導波路２と、該光導波路に沿って信号電極及び接地電極が配置されてなる、該電極間に電気信号を進行させて該光導波路を伝搬する光を制御するための複数の進行波型制御電極と、該ウエハの一部に形成された検査用電極（３，３１）とを有する検査用電極付きウエハにおいて、該検査用電極は、該信号電極と同一延伸方向に延びる共振型電極（３，３１）を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板に形成されているフォトデバイスの光励起キャリア発生領域を非接触で検査する技術を提供する。
【解決手段】検査装置１００は、フォトデバイスが形成された太陽電池パネル９０を検査する。検査装置１００は、パルス光ＬＰ１１を太陽電池パネル９０の受光面９１Ｓ側から照射する照射部１２と、該パルス光ＬＰ１１の照射に応じて発生するテラヘルツ波パルスＴＬ１の電界強度を検出する検出部１３（検出器１３２）とを備える。 （もっと読む）

【課題】 狭ピッチ多ピンの格子状配列型パッドに適応可能なプローブカードを提供すること。
【解決手段】 垂直プローブ部とプローブのバネ構造部と回路基板までの導電部を樹脂フィルム上に１つ又は複数配置した第１のプローブ群と、前記第１のプローブ群と同一又は異なる配置のプローブ群を有する第２、第３、第４等のプローブを適切な間隔で積層し、前記プローブ付樹脂フィルム上のプローブの端子配列方向が、ウェハ上のチップのパッドのＸＹ方向配列に対して所定の角度を有することにより、所望の格子配列のパッド接続部を有する。 （もっと読む）

【課題】検査対象からの反射光角度の変化に基づいて基板の欠陥を精度よく検査することができる検査装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係る検査装置は、赤外光を出射する光源１１と、光源１１から出射される赤外光を平行光としてウエハ３０に略垂直に入射させ、当該ウエハ３０からの反射光を導く光学系と、光学系により導かれる反射光のうち、正反射光以外の光を検出するＩＲカメラ１９、２０とを備え、光源１１からの赤外光を導光する光ファイバ１３の出射端面面は、光学系の瞳位置に配置されている。 （もっと読む）

【課題】歩留まりを向上可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供すること。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置の製造方法が提供される。半導体装置の製造方法は、半導体基板上に形成される検査用トランジスタおよび製品用トランジスタのソースおよびドレインを活性化させるアニール処理を行うアニール工程と、アニール工程後における検査用トランジスタのゲート、ソースおよびドレインをシリサイド化させる検査用サリサイド工程と、検査用サリサイド工程後における検査用トランジスタの特性を測定する測定工程と、測定工程によって測定された特性と所望の特性との差分とに基づいて製品用トランジスタの特性を所望の特性へ近付ける特性調整アニール処理を行う特性調整アニール工程と、特性調整アニール工程後における製品用トランジスタのゲート、ソースおよびドレインをシリサイド化させる本サリサイド工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】欠陥座標に含まれている誤差を低減可能な光学式検査装置を提供する。
【解決手段】チャンネルが配列されたラインセンサと、ウエハをステージに載せてラインセンサに対して移動させる移動手段と、行列の行毎に１つ且つ列毎に１つ擬似欠陥ダイが形成され擬似欠陥ダイには複数の擬似欠陥が列方向に一列に形成されている座標管理用ウエハを検査したのを受けてチャンネル上に結像した擬似欠陥のステージ上の位置を擬似欠陥ステージ座標Ｘｓ０として検出するステージ位置検出手段と、擬似欠陥ステージ座標Ｘｓ０を擬似欠陥ダイ座標に変換する座標変換手段と、設計座標に対する擬似欠陥ダイ座標の差分ΔＸを算出する差分算出手段と、擬似欠陥ステージ座標Ｘｓ０に対して差分ΔＸが一定の振幅Ａ１で振動し直線Ｌ１に沿って増加又は減少する座標誤差特性パターンＣＰ１を取得する特性パターン取得手段とを有する。 （もっと読む）