【課題】ウェハ検査において異物や欠陥を見つけた場合に、これら異物等の発生原因を探求するための電子顕微鏡を用いたウェハエッジ観察に関する好適な方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェハＷＦを保持する試料ステージ２４と、半導体ウェハに電子線を照射する電子光学系１８〜２２と、当該電子線の照射により得られる二次電子あるいは反射電子を検出する検出器１５，２３と、傾斜可能なカラム１６とを備え、半導体ウェハのエッジ上におけるレシピあるいは位置情報に従って定まる位置に、試料ステージ２４によってカラム８の撮像視野を移動し、半導体ウェハのエッジにカラム１６を傾斜させた状態で電子線を照射して走査電子顕微鏡画像を撮像する。 （もっと読む）

【課題】欠陥画像取得時間を短縮することが可能な欠陥観察方法および欠陥観察装置を提供する。
【解決手段】複数の画像取得条件から選択した任意の画像取得条件を用いて検査対象である試料の表面を撮像して欠陥画像を取得する画像取得工程と、前記画像取得工程にて取得した欠陥画像を処理して、該試料の表面上の欠陥位置を算出する欠陥位置算出工程と、前記欠陥位置算出工程にて算出した欠陥位置の確からしさである欠陥検出確度を求める欠陥検出確度算出工程と、前記欠陥検出確度算出工程にて求めた欠陥検出確度が予め定めた条件を満たすかどうかを判定する終了判定工程と、を備え、前記終了判定工程にて該条件を満たすと判断するまで、前記複数の画像取得条件から画像取得条件を選択し直し、前記画像取得工程と前記欠陥位置算出工程と前記欠陥検出確度算出工程と前記終了判定工程とを繰り返す。 （もっと読む）

【課題】現在の手動検査プロセスを置き換える自動化検査システムおよび方法を提供すること。
【解決手段】自動化欠陥検査システム（１０）が発明され、これはパターン化されたウェハ、全ウェハ、破損ウェハ、部分ウェハ、ワッフルパック、ＭＣＭなどを検査するために使用される。この検査システムは、特に、スクラッチ、ボイド、腐食およびブリッジング、などの金属化欠陥、ならびに拡散欠陥、被覆保護層欠陥、書きこみ欠陥、ガラス絶縁欠陥、切込みからのチップおよびクラック、半田隆起欠陥、ボンドパッド領域欠陥、などの欠陥のための第二の光学的ウェハ検査のために意図され、そして設計される。 （もっと読む）

【課題】微細な欠陥の検出を容易に行うことができるパターン検査装置、およびパターン検査方法を提供することである。
【解決手段】実施形態に係るパターン検査装置は、被検査体に向けて光を出射する光源と、前記被検査体からの光を検出する検出部と、前記検出部からの出力に基づいてパターン検査を行う検査部と、を備えている。そして、前記光源は、前記光の波長を変化させる。また、前記検査部は、前記検出部からの出力に基づいて回折像を作成し、最も鮮明な回折像に関する光の波長と、対比する回折像に関する光の波長と、を比較することで、前記パターン検査を行う。 （もっと読む）

【課題】高い信頼性を有する半導体チップテスト方法及び半導体チップテスト装置を提供する。
【解決手段】（ａ）所定の関連を有する所定枚数の半導体ウェハ上に形成された各半導体チップについて、ウェハ状態またはチップ状態でその電気的特性を検査し、良否判定する工程と、（ｂ）前記所定枚数の半導体ウェハ上の前記半導体チップの前記判定結果から、前記判定結果がＮＧである前記半導体チップの割合を、前記半導体チップの前記半導体ウェハ上の位置を示すウェハアドレス毎に不良率として算出する工程と、（ｃ）前記不良率が閾値以上と算出された前記ウェハアドレスに係る前記半導体チップについて、前記判定結果が良の場合に当該判定結果を否に更新する工程とを備える半導体チップテスト方法及び装置。 （もっと読む）

【課題】パターンの重要度を考慮しつつ効率的な欠陥検査を可能にする欠陥検査方法およびプログラムを提供する。
【解決手段】欠陥検査方法は、走査対象領域を特定する手順と、走査効率を算出する手順と、走査対象領域を優先順位付けする手順と、走査線の走査経路を決定する手順と、決定された前記走査経路に従って前記走査線を走査させる手順と、を持つ。走査対象領域は、検査対象領域を走査するための複数の走査線からなる予備的走査経路を設定し、設定された前記予備的走査経路を用いて特定される。走査効率は、特定された前記走査対象領域のそれぞれについて算出される。前記走査対象領域の優先順位付けは、得られた前記走査効率から行われる。走査線の走査経路は、得られた前記優先順位から前記複数の走査線の一部を間引いて決定される。 （もっと読む）

【課題】パワーデバイスの静特性及び動特性の双方をウエハレベルで測定することができ、特に静特性に使用される測定ラインに影響されることなく、パワーデバイスの動特性をウエハレベルで確実に測定することができるプローブ装置を提供する。
【解決手段】本発明のプローブ装置１０は、複数のパワーデバイスが形成されたウエハＷを載置する移動可能な載置台１２と、載置台１２の上方に配置された複数のプローブ１４Ａを有するプローブカード１４と、載置台１２の載置面とその外周面に形成された導体膜電極１３と、導体膜電極１３とテスタ１７とを電気的に接続する測定ライン１６と、を備え、載置台１２上のパワーデバイスの電気的特性をウエハレベルで測定するプローブ装置であって、第２の測定ライン１６には、導体膜電極１３とテスタ１７の間で測定ライン１６の電路を開閉するスイッチ機構１８を設けたものである。 （もっと読む）

【課題】マルチコアプロセッサ１２を用いても画像処理の処理性能をスケーラブルに向上させることが可能な欠陥検査装置を提供する。
【解決手段】表面にパターンが形成された試料を撮像する撮像手段と、撮像手段で撮像された画像データを、複数の画像ブロックに分割する分割手段４ｂと、複数の画像ブロックに対してパターンの欠陥を検出する欠陥検出処理を並列に行う並列処理手段５とを備え、並列処理手段５には複数のコア１３、１４を有するマルチコアプロセッサ１２を複数使用する。マルチコアプロセッサ１２毎に、画像ブロックの欠陥検出処理が行われる。複数のコア１３、１４は、画像ブロックの欠陥検出処理を行う演算コア１３と、画像ブロックを分割手段４ｂから受信する制御コア１４とを有し、演算コア１３が欠陥検出処理を行う画像ブロックは、制御コア１４を介して用意される。 （もっと読む）

【課題】不良と判定される欠陥を内在する半導体基板のウェハプロセスにおける製造効率を向上させ、良品率を向上させる。
【解決手段】ウェハ１を搬送してウェハ支持台４へ載置するための搬送装置３と、該ウェハ支持台４の位置を可変制御する駆動装置１４と、該ウェハ１が載置される前記支持台４の位置の可変制御により、ウェハ１の上部に配設される照射光８を前記ウェハ１表面に走査させながら照射する光照射部６と該光照射部６に照射光８を供給する光源７と、前記ウェハ１表面からの散乱光９を検出する第１受光検出部１３とウェハ１の透過光を検出する第２受光検出部１０と、該受光検出部からの信号を受けて演算処理する演算部１１と該演算部１１からの信号を受けて画像として出力するモニター１２とを含む半導体基板の欠陥検査装置。 （もっと読む）

【課題】被検査試料に形成されたパターンの位置ずれマップを高精度に作成する装置を提供する。
【解決手段】位置ずれマップ作成装置２００は、被検査試料から取得された光学画像と参照画像との間での位置ずれ量に基づいた位置ずれマップ（１）に対し、ワイドパスフィルタ処理をおこなって位置ずれマップＢを作成するＷＰフィルタ処理部５６と、ローパスフィルタ処理をおこなって位置ずれ量マップＣを作成するＬＰフィルタ処理部５８と、座標計測装置で計測された複数の位置計測用パターンの各パターンの位置の位置ずれ量に基づく位置ずれマップ（２）に対し、ＬＰフィルタ処理をおこなって位置ずれマップＣを作成するＬＰフィルタ処理部６４と、位置ずれマップＡと位置ずれマップＢの差分に位置ずれマップＣを加算することによって合成して位置ずれマップＤを作成する合成部６６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハをステージ上に配置する際、確実に位置決め精度を向上させることができる技術を提供する。
【解決手段】本発明における位置決めガイドＰＡＧがリング形状をしているため、半導体ウェハの外縁部全体にわたって位置決めガイドＰＡＧで保持することができる。このことから、たとえ、半導体ウェハの外縁部の一部に割れやカケが存在していても、本発明における位置決めガイドＰＡＧによれば、半導体ウェハを確実に保持することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、テストパターンを長く複雑なパターンにする必要がなく、スクリーニングで検出することができる回路パターンの不具合の割合を増やすことができる半導体検査装置、および半導体検査方法を提供する。
【解決手段】本発明は、半導体基板に形成した複数の半導体チップに対してスクリーニングを行なう半導体検査装置１０である。半導体検査装置１０は、ステージ２と、プローブ４と、テスタ部８と、光検出部５と、発光解析部６と、主制御部７と、異常判定部９とを備えている。光検出部５は、光学的なスクリーニングを行なうために、回路パターンに印加した電気信号に基づく発光を、半導体基板の他方の面側から検出する。異常判定部９は、テスタ部８で検出した出力信号に基づき、回路パターンの不具合を判断し、発光解析部６で解析した発光に基づき、回路パターンの不具合を判断して、半導体チップの異常を判定する。 （もっと読む）

【課題】ウエハの構造や欠陥がばらついて適切な波長が変化しても欠陥を精度よく検出でき、かつ、スループットが速いパターン検査装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、パターン検出装置は、光を発生する光源と、前記光をラインビームに整形してウエハ上に照射する集光器とを備える。さらに、前記装置は、前記ウエハで反射した前記ラインビームを分光する分光器を備える。さらに、前記装置は、前記分光器により分光された前記ラインビームを検出し、前記ラインビームのスペクトル情報を保持する信号を出力する二次元検出器を備える。さらに、前記装置は、前記ウエハ上の繰り返しパターンの対応箇所から得られた前記スペクトル情報を比較する比較部と、前記スペクトル情報の比較結果に基づいて、前記ウエハの欠陥の有無を判定する判定部とを備える。 （もっと読む）

【課題】設計データを用いた自動レシピ生成の方法及びシステムを提供すること。
【解決手段】コンピュータが設計データに基づいて製造ツールのレシピを作成する。コンピュータは、基本要素及び該基本要素に対応する階層レベルを含む、設計データを取得する。コンピュータは、関心のある１つ又はそれ以上の基本要素を選択し、関心のあるレベルに対応する単純アレイセルの１つ又はそれ以上の組を生成する。コンピュータは、単純アレイセルの組を用いて、関心のあるレベルの座標において周期的領域を識別して自動レシピ作成を可能にする。周期的領域は、１つ又はそれ以上の基本要素に関して識別される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、熱処理後のシリコンウェーハに含まれているニッケルの濃度を正確に測定することができるシリコンウェーハのニッケル濃度測定方法を提供する。
【解決手段】 シリコンウェーハのニッケル濃度を測定する方法であって、前記シリコンウェーハに熱処理を施す工程と、該熱処理を施したシリコンウェーハに選択エッチングを行うことで前記シリコンウェーハ表面にシャローピットを顕在化させる工程と、該顕在化させたシャローピットの密度とサイズからシリコンウェーハのニッケル濃度を求める工程とを含むことを特徴とするシリコンウェーハのニッケル濃度測定方法 （もっと読む）

【課題】被検査体の電極への影響を抑えつつ効率的に被検査体の検査を行うことができる低コストの検査用プローブ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性の基板１２と、基板１２の縁部から外に延在されて並列に配置された弾性を有する複数の導電性の接触子１３と、基板１２に形成されて接触子１３と導通する配線パターン１４とを備え、被検査体の検査を行う際に接触子１３の先端からなる接点１５が被検査体の電極に接触される検査用プローブ１１であって、接触子１３及び配線パターン１４が、ＭＥＭＳ技術によって基板１２に形成され、接触子１３の接点１５における電極との接触箇所に、凸曲面状に突出する電極接触凸部１６が形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板上のパターンに損傷を与えることなく欠陥検査を行うことができる欠陥検査装置を提供すること。
【解決手段】実施形態の欠陥検査装置は、半導体基板を測定光学系によって表面観察し、観察結果に基づいて前記半導体基板の欠陥検査を行う基板検査部を備えている。また、前記欠陥検査装置は、前記測定光学系のうち前記表面観察を行う際に前記半導体基板の表面に近接する底部近傍を撮像し、撮像した画像である第１の撮像画像を用いて前記底部近傍の状態検査を行う測定光学系検査部を備えている。前記測定光学系検査部は、前記基板検査部が前記半導体基板の欠陥検査を行っていない間に、前記底部近傍の状態検査を行う。また、前記測定光学系検査部は、前記状態検査の基準となる基準画像と、前記第１の撮像画像と、を比較し、比較結果に基づいて、前記底部近傍の状態検査を行う。 （もっと読む）

【課題】酸素濃度が異なる場合にも対応して窒素濃度の値を求めることができるシリコン単結晶中の窒素濃度を算出する方法および抵抗のシフト量を算出する方法を提供する。
【解決手段】窒素をドープしたシリコン単結晶中の窒素濃度を算出する方法であって、前記窒素ドープシリコン単結晶における、酸素ドナーを消去する熱処理後の抵抗率と窒素酸素ドナーを消去する熱処理後の抵抗率との差から求められるキャリア濃度差分Δ［ｎ］と、酸素濃度［Ｏｉ］と、窒素濃度［Ｎ］との相関関係を予め求めておき、該相関関係に基づいて、前記キャリア濃度差分Δ［ｎ］と前記酸素濃度［Ｏｉ］とから、窒素ドープシリコン単結晶中の未知の窒素濃度［Ｎ］を算出して求めるシリコン単結晶中窒素濃度算出方法。 （もっと読む）

【課題】スタックエラーを測定することのできる三次元集積回路を提供する。
【解決手段】三次元集積回路１００は、第１ウェハ１１０および第２ウェハ１２０を含む。第１ウェハ１１０は、第１導電パターン１１２を含む。第２ウェハ１２０は、第２導電パターン１２２を含み、第１導電パターン１１２に電気接続される。第１ウェハ１１０と第２ウェハ１２０の間の変位は、第１導電パターン１１２と第２導電パターン１２２の抵抗に基づいて決定される。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ上を検査装置により検出した欠陥座標の観察と，ユーザにより指定された座標の検査を行う場合に，スループットの低下しない欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ上の座標であって、システマティック欠陥が発生し得る座標である危険点座標と検査結果から取得した半導体ウェハ上の座標である欠陥検査座標と、前記危険点座標と前記欠陥検査座標とを座標の種類を示す情報を付加した上でマージし、マージした座標の検査順序を決定し、マージした座標の種類を示す情報を用いて選択し、検査すべき座標ごとに複数の検査装置から検査方法を選択して検査を行うようにした。 （もっと読む）