【課題】本発明は、貫通電極のサイズ（直径）が縮小化された場合でも、４端子法により貫通電極の抵抗値を正確に測定することの可能な半導体チップ及びその抵抗測定方法、並びに半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体基板１０１及び回路素子層１０２を有する半導体チップ本体５５と、半導体チップ本体５５を貫通する第１乃至第４の貫通電極６１〜６４と、回路素子層１０２に設けられた回路素子を介することなく、第１の貫通電極６１と第２の貫通電極６２とを電気的に接続する第１の導電経路９６と、回路素子を介することなく、第１の貫通電極６１と第３の貫通電極６３とを電気的に接続する第２の導電経路９７と、回路素子を介することなく、第２の貫通電極６２と第４の貫通電極６４とを電気的に接続する第３の導電経路９８と、を有する。 （もっと読む）

【課題】欠陥周辺に圧痕マーキングを行う際、試料の膜種によらず、一定の条件で行うと、周囲が割れてマーキングや欠陥が見にくくなったり、マーキングが小さすぎて見にくくなるという問題があった。また、パターン付きウェーハではマーキングに適さない方の膜上にマーキングしてしまうという問題があった。
【解決手段】マーキング予定位置を元素分析し、その結果に基づいて、圧子の荷重、下降速度、深さ等の圧痕マーキングの条件を変えることにより、膜種に適したマーキングを行う。また、登録された膜種と断定できない場合、手動設定に切り替えることにより、間違えた条件でマーキングすることを防ぐ。マーキングに適さない材質の場合、マーキングを施さないようにすることもできる。 （もっと読む）

【課題】被検査体と接続した場合に光源と被検査体との位置関係の調節が可能なプローブカードを提供する。
【解決手段】受光部Ｗ１１と電極Ｗ１２を備える被検査体Ｗ１とプローブカードを用いて電気的に接続して被検査体Ｗ１に関する検査処理を行う検査装置に関する。そして、プローブカードは、被検査体Ｗ１と電気的に接続するための接触子１１が一方の板面上に配置された基板２０と、被検査体Ｗ１に向けて光を照射することが可能な光源４１とを、基板に取り付けるものであって、光源４１を支持する複数の光源支持部５２を有する取付部材とを備え、基板２０の上記接触子１１が配置されている板面と異なる板面３０上には、それぞれの光源支持部５２を支持するための支柱６１が立設されており、それぞれの上記光源支持部５２は、支柱６１に沿って動作可能に支持されている。 （もっと読む）

【課題】例えばＣＣＤ、ＣＭＯＳセンサ等の高歩留まりが要求される製品に使用される高品質ウェーハに関して、接合リーク電流特性を高精度で評価することが可能な半導体基板の評価方法および評価用半導体基板を提供する。
【解決手段】評価する半導体基板１に、複数のＰＮ接合５と、該複数のＰＮ接合５同士を分離する分離酸化膜６と、該分離酸化膜６の下に位置するチャネルストップ層３とを形成してから、前記複数のＰＮ接合５における接合リーク電流を測定して評価を行う半導体基板の評価方法。 （もっと読む）

【課題】 大きなオーバードライブを確保し、かつ、スクラブ量を微細に制御可能とするプローブを提供すること。
【解決手段】 垂直方向に延びる垂直プローブと、垂直方向と交差する方向に延び直線又は曲線形状を有し、概略水平方向に延び、一端が固定端と接続し他端は前記垂直プローブと接続する１対の相対する水平梁とから構成されるリンク機構を含むプローブで、前記１対の相対する水平梁間距離が連続に又は不連続に変化するプローブにおいて、前記水平梁間距離が固定端近傍で最大となり、前記垂直プローブ近傍で最小となるようにしたプローブである。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体層を形成する前の基板の状態で非接触のスクリーニングを行うことで、事前に化合物半導体層の不良発生を認識してこれを防止することができ、歩留まりの向上及び製造コストの削減を可能とする信頼性の高い化合物半導体装置を得る。
【解決手段】偏光レーザ１２によりＳｉＣ基板１の基板面に偏光レーザ光を照射し、検出部１３によりＳｉＣ基板１からの発光を検出し、表示部１４によりＳｉＣ基板１の発光強度の面内分布を得て、ＳｉＣ基板１の窒素混入量を評価した後、ＳｉＣ基板１の上方に化合物半導体積層構造２を形成する。 （もっと読む）

【課題】オフラインでダイ供給装置の突き上げピンの突き上げ動作や吸着ノズルのダイ吸着動作に関するデータをセットアップできるようにする。
【解決手段】ウエハパレットをセットするセット台と、該セット台にセットしたウエハパレットのダイシングシート３４上のダイ３１を吸着するテスト用吸着ノズル５１と、ダイシングシート３４のうちのテスト用吸着ノズル５１で吸着しようとするダイ３１の貼着部分を突き上げるテスト用突き上げピン５３と、ダイシングシート３４上のダイ３１を撮像するテスト用カメラ５４とを備えたウエハ関連データ作成装置４７を使用し、ウエハ関連データの作成対象となるウエハパレットをウエハ関連データ作成装置４７のセット台にセットし、テスト用カメラ５４で撮像した画像の処理、テスト用突き上げピン５３の突き上げ動作及びテスト用吸着ノズル５１のダイ吸着動作を実行してウエハ関連データを作成する。 （もっと読む）

【課題】電子部品の電極の導電性積層膜の膜厚を安価な装置で高速に測定する。
【解決手段】絶縁膜１上に上下に積層された導電層２，３（積層膜、例えばＮｉ層およびその上のＡｕ層）からなる半導体基板の電極に対して、段差を触針で測る場合やレーザ光を用いる場合など公知の方法で導電層２，３の厚さ（電極高さ）を測定するステップと、４端針法により電極の表面抵抗を測定するステップとを有し、二つのステップから得られた積層膜の膜厚（電極高さ）と表面抵抗値から、上下に積層した導電層２，３からなる電極の上部皮膜である導電層３の膜厚を計算式から算出する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の電気的な測定を複数回行なう場合であっても、正確に測定を行なうことができる半導体素子の測定方法を提供する。
【解決手段】半導体素子に形成された電極パッドにプローブを接触させて、前記半導体素子における電気的特性を測定する半導体素子の測定方法において、前記電極パッドに接触させた際に、先端部が前記電極パッドに対して第１の方向に動くプローブユニット６１を前記電極パッドに接触させ測定を行なう第１の測定工程と、前記第１の測定工程の後、前記電極パッドに接触させた際に、先端部が前記電極パッドに対して第２の方向に動くプローブユニット６２を前記電極パッドに接触させる第２の測定工程と、を有し、前記第１の方向と前記第２の方向とは異なる方向である。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の欠陥検査において、高精度かつ効率的に、可視光透過性を有する半導体基板の表裏面への焦点位置合せを行うこと。
【解決手段】
半導体基板の欠陥検査装置は、焦点位置合わせマークが表面に形成された可動ステージと、可視光を可動ステージに向けて照射する光源と、可動ステージに対向して設けられた対物レンズと、対物レンズが結像した画像を電気信号に変換する光電変換素子と、焦点位置合わせマークの可動ステージ上の位置および被検査物となる半導体基板の厚さが登録され、可動ステージと対物レンズの位置関係を制御する制御装置を備えている。制御装置は、登録された焦点位置合わせマークを基準にして半導体基板の裏面側の焦点位置合わせを行い、登録された半導体基板の厚さを基準にして半導体基板の表面側の焦点位置合わせを行う。 （もっと読む）

【課題】半導体装置からのエミッションの検出を加熱しながら行う半導体装置の検査装置を提供する。
【解決手段】検査装置１は、半導体チップ２を載置する観察ステージ１６を、半導体チップ２の基板材料と同じＳｉで製造し、半導体チップ２の裏面側に撮像素子３５を配置した。半導体チップ２で発生した微弱な光は、半導体チップ２、観察ステージ１６を透過して撮像素子３５に入射する。観察ステージ１６は、Ｓｉから製造されているので、ヒータ２５によって簡単に加熱できる。また、観察ステージ１６の上方には、プローブカード１９及びＬＳＩテスタ２０が配置されており、半導体チップ２の回路のテストが可能である。 （もっと読む）

【課題】プローブと検査対象物との確実な接触が可能であって、プローブおよび検査対象物への衝撃を緩和するとともに、適正な荷重をかけやすくする。
【解決手段】プローブカード１０において、プローブ２７が半導体チップと接触することでプローブ基板４９が軸方向に移動する量が第１閾値未満では、第２コイルバネ４８が軸方向に圧縮され、移動する量が第１閾値以上では、第１コイルバネ３５および第２コイルバネ４８の両方が軸方向に圧縮される。 （もっと読む）

【課題】 気相成長装置の清浄度を高感度で評価することができる清浄度評価方法を提供する。
【解決手段】 気相成長装置の清浄度を評価する方法であって、前記気相成長装置を用いて、シリコンウェーハ上に、該シリコンウェーハの厚みに対する割合が２０％以上１００％以下である厚みを有するシリコンエピタキシャル層を成長させたモニタウェーハを作製し、前記モニタウェーハのライフタイム値を測定し、前記測定したモニタウェーハのライフタイム値から前記気相成長装置の清浄度を評価することを特徴とする気相成長装置の清浄度評価方法。 （もっと読む）

【課題】 プローブカードの接続基板と該接続基板に接続されるプローブとの接続部に適正なフィレットを形成するに充分なはんだを供給することにより、接続基板とプローブとのはんだ結合強度を高める。
【解決手段】 プローブカード製造方法は、各プローブが対応する貫通孔に配置され各プローブの接続端部が保持板の一方の面から突出した状態でプローブを保持板に保持する。貫通孔の少なくとも口径以上の口径を有する開口が貫通し該開口内に接続端部を収容するに充分な厚さを有する板状部材の一方の面を保持板の一方の面に当接させて板状部材を配置する。板状部材の他方の面からクリームはんだを各開口内に供給した後、板状部材を除去した状態で保持板に保持された各プローブの接続端部を埋設するクリームはんだを対応する各接続パッドに当接させるように接続基板と保持板とを相対的に固定し、クリームはんだの溶融のために該クリームはんだを加熱する。 （もっと読む）

【課題】 過度な重量増を回避しつつ高精度な検査を実現しうる半導体ウエハ検査装置を提供すること。
【解決手段】 本願の半導体ウエハ検査装置は、鉛直方向上方を向く基準面２１０を有する定盤２００と、定盤２００によって自重の少なくとも一部が負担されており、ｘ方向およびｙ方向に基準面２１０に沿って移動可能とされているとともに、集積回路が形成された機能面を有する半導体ウエハをこの機能面が鉛直方向上方を向く姿勢で支持するウエハ支持体３００と、ウエハ支持体３００をｘ方向およびｙ方向に移動させる移動手段４００と、半導体ウエハの機能面を対象とした検査する検査ヘッドと、を備える。 （もっと読む）

【課題】不良の太陽電池になり得る素地を含む間接バンドギャップ半導体構造の検査システムを提供する。
【解決手段】光源110は間接バンドギャップ半導体構造140にフォトルミネセンスを誘起するのに適した光を発生させる。ユニット114は、発生した光の特定の放射ピークを超える長波長光を低減する。コリメータ112は光をコリメートする。半導体構造140はコリメートされショートパス濾波された光で、略均一かつ同時に照明される。撮像デバイス130は半導体構造に入射する略均一な同時照明によって誘起されるフォトルミネセンス像を同時に捕捉する。フォトルミネセンス像は、大面積に誘起されたフォトルミネセンスの空間的変動を用いて、半導体構造140の空間的に分解された特定の電子特性を定量化するために像処理される。 （もっと読む）

【課題】暗視野方式の検査装置などにおいて、信号を実測しながら検査条件を決める方法では時間がかかることと、設定した感度条件が適切か否かの判断が作業者の裁量に左右されることが課題である。
【解決手段】検査装置において、試料を保持するステージと、前記ステージ上に保持された試料の表面に照明光を照射する照明光学系と、前記試料に照射された照射光によって発生した散乱光を検出する暗視野光学系と、前記暗視野光学系にて検出された散乱光を電気信号に変換する光電変換部と、前記光電変換部によって変換された電気信号をデジタル信号に変化するＡＤ変換部と、前記試料表面上の異物からの散乱光の大きさから異物の大きさを判定する判定部と、前記試料面からの散乱光情報を用いて、検査条件を決定する信号処理部とを有する。 （もっと読む）

【課題】空気によって少なくとも部分的に吸収される光を使用するよう設計され、かつ、より能率的なパージングシステムを有する、光学ツールのための方法を開発する。
【解決手段】試験体の測定のための方法において、該試験体の反射率測定データおよび分光偏光解析データを測定する工程と、該反射率測定データから、該試験体上に形成された窒化酸化物ゲート誘電体の厚さを判定する工程と、該厚さおよび該分光偏光解析データから、窒化酸化物ゲート誘電体の屈折率を判定する工程と、該屈折率から、該窒化酸化物ゲート誘電体の窒素濃度を判定する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】虚報を多発させることなく，システマティック欠陥を検出する半導体パターン検査装置を提供する。
【解決手段】検査に先立ち，前準備として，少数の実画像101と対応する設計データ102から，特徴量算出部でそれぞれのパターンの特徴を表す特徴量を算出し(106a，106b），これと，欠陥座標が指定された教示データ103とから，正常と欠陥を識別するルールである識別境界を識別境界算出部で算出する(107)。検査時には，検査対象の実画像104と，設計データ105から106a，106bと同様にして特徴量を算出し(108a，108b)，これらに対し，検査前準備にて算出した識別境界107を適用することにより，欠陥判定部で欠陥判定109を行う。 （もっと読む）

【課題】電子線を走査して試料を観察するにあたって、高い分解能を有するとともに、電子線の走査に要する時間を短くできる試料観察装置を提供する。
【解決手段】ステージに載置された試料ＳＭに電子線ＩＢを照射して、試料ＳＭからの電子線を検出することにより試料を観察する電子線検査装置に於いて、１つの電子筒体５０は、試料ＳＭに照射される複数の電子線ＩＢ及び試料ＳＭからの電子線が通る電子線路を形成する複数の電子線照射検出系により構成される。ここで、複数の電子線照射検出系を同時に用いることで、検査の高速化を実現する。 （もっと読む）