【課題】本発明は、材料や工程の追加を抑制しつつ、被吸着物をチャックステージに適切に真空吸着させることができる真空吸着保持装置および真空吸着保持方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明にかかる真空吸着保持装置は、被吸着物２を真空吸着により吸着面に吸着して保持させる、チャックステージ３と、被吸着物２に関する所定の情報を付与されることにより、所定の情報に応じて、チャックステージ３に吸着させるための真空度を自動的に制御する制御部１５とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プローブピンが接合される電極パッドがプローブ基板から剥離されることを防止できるプローブカード及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の実施例によるプローブカードは、一面に少なくとも一つのパッド用溝が形成され、上記パッド用溝に埋め込まれる形態に形成される電極パッドを具備するセラミック基板と、上記電極パッドに接合されるプローブピンと、を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】保守作業の効率化を図ることができる４探針抵抗率測定装置を提供すること。
【解決手段】少なくともプローブユニット６及び測定ユニット７を含む複数のユニットにより構成される４探針抵抗率測定装置であって、ユニット毎に複数の不揮発性メモリを搭載し、パーソナルコンピュータ１により、この不揮発性メモリに当該ユニットに関する保守情報を定期的に書き込み、上記保守情報を不揮発性メモリから読み出すものである。 （もっと読む）

【課題】バーンインテストで温度を変える場合にプローブカード用配線基板が反ってウエハ上の端子とプローブが電気的に接続されない問題がおきやすく、そのためにバーンインテストにかかる時間を短縮できないので、バーンインテストを短縮できるプローブカード用配線基板とするためには改善が必要なものであった。
【解決手段】プローブカード用配線基板３において、ダミービア２ｂを含むビア２とを備えており、表層部１ａの横断面における絶縁基体１に対するビア２の面積比は、内層部１ｂの横断面における絶縁基体に対するビア２の面積比より高くなっていることによって、プローブカード用配線基板３の上下の表層部１ａから内層部１ｂには接続用ビア２ａに加えてダミービア２ｂによって効率的に熱が伝導されるようになるので、バーンインテスト時に短時間で定常な温度分布状態となるので、バーンインテストにかかる時間を短縮することに関して向上されている。 （もっと読む）

【課題】目視による外観検査を不要としながら、高精度に効率よく半導体ウエハの外観異常を検出する。
【解決手段】検査装置により、欠陥の検出感度を標準感度にして半導体ウエハの欠陥箇所を検出する。これにより、欠陥箇所Ｆ１，Ｆ２が検出される。続いて、検出感度を標準感度よりも検出感度が高い高感度に設定して、半導体ウエハの欠陥箇所を検出する。これにより、欠陥箇所Ｆ３〜Ｆ６（図中、点線で示す）が得られる。そして、標準感度にて検出された欠陥箇所と高感度にて検出された欠陥箇所とが重複している欠陥箇所において、高感度にて検出された欠陥箇所（欠陥箇所Ｆ６，Ｆ３）を欠陥箇所エリアと決定し、該欠陥箇所エリアに該当する半導体チップを不良チップとする処理を行う。 （もっと読む）

【課題】 ウェハを検査する際の下地の影響を低減させた検査装置を提供する。
【解決手段】 検査装置１は、複数種の波長を有する照明光でウェハを照明する照明部３０と、照明光により照明されたウェハを撮影する撮影部４０と、複数種の波長毎に所定の重み付けを行って撮影部４０により撮影されたウェハの検査用撮影像を生成するとともに、生成した検査用撮影像に基づいてウェハにおける欠陥の有無を判定する画像処理部２７とを備えて構成される。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハのエッジ部の破壊強度の評価において、測定結果のバラツキを低減して、精度の良い評価を実施できる方法及び装置を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体ウェーハのエッジ部の破壊強度を評価する方法であって、前記評価する半導体ウェーハの所定の結晶方位に対応するエッジ部に荷重を付与して、前記半導体ウェーハのエッジ部の破壊強度を評価することを特徴とする半導体ウェーハの評価方法及び半導体ウェーハの評価装置。 （もっと読む）

【課題】ウェハ検査において異物や欠陥を見つけた場合に、これら異物等の発生原因を探求するための電子顕微鏡を用いたウェハエッジ観察に関する好適な方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェハを保持する試料ステージ２４と、半導体ウェハに電子線を照射する電子光学系と、電子線の照射により得られる二次電子あるいは反射電子を検出する検出器１５，２３と、電子線の照射により半導体ウェハから発生するＸ線を検出する検出器３４，３５と、傾斜角度が可変のカラム１６とを備え、試料ステージ２４により、半導体ウェハのエッジの欠陥位置にカラム１６の撮像視野を移動し、カラム１６を傾斜させた状態で、半導体ウェハのエッジに電子線を照射する。 （もっと読む）

【課題】より小型または簡単な構成で、より精度よく、半導体ウェハの表面に存在するソーマークの検出又は大きさの測定を行うことが可能な技術を提供する。
【解決手段】半導体ウェハＷの表面に対して斜め方向から、入射面において平行光である光を照射し、ラインセンサカメラ３、４で半導体ウェハＷの表面におけるライン状の領域３ａを撮影する。このことで、半導体ウェハＷの表面からの照射光の反射光または散乱光を検出し、この強度に基づいて、半導体ウェハＷの表面における線状の凹凸を検出し、またはその大きさを測定する。光源装置１、２によって、ラインセンサカメラ３、４によって撮影されるライン状の領域３ａのラインに平行な方向から光を照射し、線状の凹凸の方向がラインの方向に直交するように配置された状態で、半導体ウェハＷの線状の凹凸を検出し、またはその大きさを測定する。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板製造プロセスやデバイス製造プロセスにおける金属汚染を高感度かつ高精度で評価することができる金属汚染評価方法を提供する。
【解決手段】 金属汚染評価用シリコン基板の再結合ライフタイムの測定値を用いて熱処理炉の金属汚染を評価する方法であって、前記金属汚染評価用シリコン基板として、抵抗率が４０〜１５０Ω・ｃｍであり、かつ酸素濃度が５〜１２ｐｐｍａであるシリコン基板を準備する工程と、前記シリコン基板を評価対象の熱処理炉内で熱処理する工程と、前記シリコン基板の表面に対して表面パシベーション処理を行う工程と、前記熱処理及び表面パシベーション処理を行った後のシリコン基板の再結合ライフタイムを、マイクロ波光導電減衰法により測定する工程と、該測定値を用いて前記熱処理炉の金属汚染を評価する工程とを含む金属汚染評価方法。 （もっと読む）

【課題】高温や低温での試験直後でも熱の影響を受けずにハンドリング作業を可能にするプローブカードのハンドリング機構を提供する。
【解決手段】プローブ１８を複数備えたプローブカード１７をハンドリングするためのハンドリング機構２５である。上記プローブカード１７に取り付けられて当該プローブカード１７がハンドリングされる際に用いられるハンドル２６と、当該ハンドル２６を上記プローブカード１７に着脱可能に取り付ける着脱機構２７とを備えた。上記ハンドル２６は、複数の上記プローブカード１７のいずれにも装着できる。 （もっと読む）

【課題】ウエハの位置ずれを防止することが可能な半導体検査装置を提供する。
【解決手段】半導体ウエハを固定する真空チャックを備えたウエハ保持具３と、上記ウエハ保持具３と対向して配置され、プローブ４が設けられたカード基板２と、上記ウエハ保持具３と上記カード基板２の間に密閉空間を作るために、上記ウエハ保持具３と上記カード基板２の間に上記半導体ウエハ６と上記プローブ４を取り囲むように設けられたスペーサ５と、上記密閉空間を減圧し、上記真空チャックにより上記半導体ウエハ６を吸着するための減圧装置を備えた半導体検査装置であって、上記密閉空間の圧力を、大気圧より低く、かつ、上記真空チャックの圧力よりも高い状態に維持するように減圧装置を制御する制御手段を備える。 （もっと読む）

【課題】 各プローブの針先の挙動量の差を小さくするプローブカードを提供する。
【解決手段】半導体回路の電気的検査のために、テスタと半導体回路の複数の電極とを接続するプローブカード。テスタに接続される配線路が形成され、半導体回路の電極に対向して該電極から間隔をおいて配置される回路基板と、多数のプローブであってそれぞれが対応する配線路に接続される基端及び半導体回路の対応する電極に接続可能な針先を有し、各プローブが、半導体回路へ向けての所定の侵入角度を有するように回路基板に関して傾斜配置されかつ多段に配置された多数のプローブと、各プローブの基端と針先を含む自由端部分との間で、プローブを回路基板に保持する保持部材とを含む。少なくとも一部のプローブは、保持部材内を伸長する第１の直線部分及び該第１の直線部分に所定の角度をなして保持部内を伸長し該保持部材の外方で自由端部分に連なる第２の直線部分を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体ウエハの検査において、半導体ウエハの裏面電極の端子としての機能を維持しつつ、半導体ウエハに過度の力がかかることを防止できる半導体ウエハ、半導体ウエハ検査装置、及び半導体ウエハの検査方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体ウエハは、ダイシングラインを隔てて複数のチップが並ぶ半導体ウエハの表面側に形成された表面電極と、該半導体ウエハの裏面側に、該ダイシングラインを隔てて形成された複数の裏面電極と、該半導体ウエハの裏面側に、該ダイシングラインを跨いで該複数の裏面電極を電気的に接続する接続パターンと、を備える。該複数の裏面電極のうちの少なくともひとつは、該半導体ウエハのバイアホールを介して該表面電極と電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】テラヘルツ電磁波の検出精度を向上させることができるテラヘルツ放射顕微鏡、これに用いられる、光伝導素子、レンズ及びデバイスの製造方法を提供すること。
【解決手段】光伝導素子は、基材と、電極と、膜材とを具備する。前記基材は、光源から発生したパルスレーザーが、観察対象であるデバイスに照射されることにより発生するテラヘルツ電磁波が入射する入射面を有する。前記電極は、前記基材に形成され、前記基材の入射面に入射された前記テラヘルツ電磁波を検出する。前記膜材は、前記基材の前記入射面に形成され、前記テラヘルツ電磁波を透過させ、前記パルスレーザーを反射させる。 （もっと読む）

【課題】ダイシングの際にクラック発生を抑制できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板の上に形成された複数の配線層と、前記複数の配線層の間に配置されたビア層と、前記複数の配線層に形成された導電膜と、前記ビア層の上下の前記配線層の前記導電膜と接続するビアプラグＶ５とを有し、スクライブ領域３１は、チップ領域の外周であって前記半導体基板の縁に接して位置し、前記スクライブ領域３１は前記縁に接するパッド領域３３を有し、前記パッド領域３３は、前記複数の配線層の各々に、平面視において相互に重なって配置され、前記複数の配線層は、第１の配線層と第２の配線層を有し、前記第１の配線層の前記導電膜は、前記パッド領域３３の全面に形成された第１の導電パターン５５を有し、前記第２の配線層の前記導電膜は、前記パッド領域の一部に形成された第２の導電パターン５０を有する。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの温度を調整する方法および装置を提供すること。
【解決手段】ウェーハの材質をエッチングするエッチング・システム１００は、測定装置１１４、エッチングチャンバ１０２、および制御装置１１２を有する。測定装置１１４は、複数の設定位置でのウェーハのプロファイルに沿って微細寸法テストフィーチャ（ＣＤ）を測定する。エッチングチャンバ１０２は、ウェーハを保持するチャック１０８と、該チャック１０８内の各設定位置に隣接して配置される複数の発熱体１１０と、を有し、測定装置１１４からウェーハを受け取る。制御装置１１２は、ＣＤを受け取る測定装置１１４および発熱体１１０に接続される。この制御装置１１２は、エッチング処理前のリソグラフィ処理で生じるＣＤばらつきを補正するために、エッチング処理の温度依存であるエッチング特性を用いて、各設定位置の間の微細寸法のばらつきを減らす処理において、各発熱体の温度を調整する。 （もっと読む）

【課題】暗視野式（散乱光検出式）半導体ウェハ検査においては、パターンの微細化と共に欠陥信号も微弱化し、かつ欠陥種類により散乱光の方向特性も異なるため、これらを有効に検出する必要がある。
【解決手段】平面内で移動可能なテーブルに載置した表面にパターンが形成された試料上の線状の領域に試料の法線方向に対して傾いた方向から照明光を照射し、この照明光が照射された試料から発生した散乱光の像を複数の方向で検出し、この散乱光の像を検出して得た信号を処理して試料上の欠陥を検出する欠陥検査方法及びその装置において、散乱光の像を複数の方向で検出することを、光軸が前記テーブルの前記試料を載置する面の法線と前記照明光を照明する線状の領域の長手方向とが成す面に直交する同一平面内における異なる仰角方向でそれぞれ円形レンズの左右を切除した長円形レンズを介して検出するようにした。 （もっと読む）

【課題】複数の被試験デバイスに対して電源供給部から電源の供給を行って試験を行うときに、同時スイッチングノイズの影響を抑制することを目的とする。
【解決手段】本発明の半導体試験装置１は、複数のＤＵＴ３に電源を供給するデバイスパワーサプライ５を備える半導体試験装置１であって、ＤＵＴ３の試験を行うピンエレクトロニクスカード２のドライバ１２およびコンパレータ１３とＤＵＴ３との間の伝送経路１５の伝播遅延Ｔｐｄを校正するデータをタイミング校正データとして記憶するタイミング校正データ記憶部２１と、ＤＵＴ３を複数のグループに分割して、当該グループごとに異なる遅延量をタイミング校正データに加算する遅延量加算部２５と、を備えたことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】シングルアーム構成及びダブルアーム構成のカンチレバー型プローブの交換をする際に、アーム部が引き剥がし易いプローブ構造を提供する。
【解決手段】接触子１２と、一方の端部に前記接触子１２が取り付けられ、他方の端部が固定された板材で構成されたアーム部とから成るプローブを備え、アーム部の固定は、基板に接合された台座２６に、剥離層２４を介して接合されていることを特徴とするプローブカードである。剥離層２４は、台座２６と基板２８の接合部よりも狭い面積である。また、アーム部は、スペーサを介して下側アーム１６と、下側アーム１６の厚さと同等かより厚い上側アーム２２の２つのアームを備えたダブルアーム構造とし、台座２６に剥離層２４を介して接合され、下側アーム１６を上側アーム２２より長くしたことを特徴とするプローブカードである。 （もっと読む）