【課題】高感度検査や高精度計測を行うことが必要な部分領域を、効率的に決定する。
【解決手段】領域決定装置は、試料を検査して得た試料上の欠陥位置あるいは試料上において欠陥が発生する可能性があると予測された欠陥位置を撮像した画像を含む欠陥データの、少なくとも複数種の欠陥属性情報に基づき欠陥の発生度合いを算出する算出部と、発生度合いが所定以上となる欠陥データを抽出し、該抽出された欠陥データから観察または検査を行う試料上の領域を決定する領域決定部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】酸素濃度が異なる場合にも対応して窒素濃度の値を求めることができるシリコン単結晶中の窒素濃度を算出する方法および抵抗のシフト量を算出する方法を提供する。
【解決手段】窒素をドープしたシリコン単結晶中の窒素濃度を算出する方法であって、前記窒素ドープシリコン単結晶における、酸素ドナーを消去する熱処理後の抵抗率と窒素酸素ドナーを消去する熱処理後の抵抗率との差から求められるキャリア濃度差分Δ［ｎ］と、酸素濃度［Ｏｉ］と、窒素濃度［Ｎ］との相関関係を予め求めておき、該相関関係に基づいて、前記キャリア濃度差分Δ［ｎ］と前記酸素濃度［Ｏｉ］とから、窒素ドープシリコン単結晶中の未知の窒素濃度［Ｎ］を算出して求めるシリコン単結晶中窒素濃度算出方法。 （もっと読む）

【課題】スタックエラーを測定することのできる三次元集積回路を提供する。
【解決手段】三次元集積回路１００は、第１ウェハ１１０および第２ウェハ１２０を含む。第１ウェハ１１０は、第１導電パターン１１２を含む。第２ウェハ１２０は、第２導電パターン１２２を含み、第１導電パターン１１２に電気接続される。第１ウェハ１１０と第２ウェハ１２０の間の変位は、第１導電パターン１１２と第２導電パターン１２２の抵抗に基づいて決定される。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハ上を検査装置により検出した欠陥座標の観察と，ユーザにより指定された座標の検査を行う場合に，スループットの低下しない欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ上の座標であって、システマティック欠陥が発生し得る座標である危険点座標と検査結果から取得した半導体ウェハ上の座標である欠陥検査座標と、前記危険点座標と前記欠陥検査座標とを座標の種類を示す情報を付加した上でマージし、マージした座標の検査順序を決定し、マージした座標の種類を示す情報を用いて選択し、検査すべき座標ごとに複数の検査装置から検査方法を選択して検査を行うようにした。 （もっと読む）

【課題】
繰り返しパターンと非繰り返しパターンとが混在する被検査対象基板に対して、微小な異物または欠陥を高速で、しかも高精度に検査できる欠陥検査装置を実現する。
【解決手段】
異物付着防止手段１８０は、透明基板１８７が枠１８５を介して載置台３４の上に設置される。異物付着防止手段１８０はベース１８６上に固定された２本の支柱１８４に回転可能に支持されたシャフト１８１がカップリング１８３でモータ１８２に連結されている。そして、２本に支柱１８４の間で、枠１８５の一部にシャフト１８１が挿入され、枠１８５及び透明基板１８７がシャフト１８１を中心として回動できるように構成されている。つまり、枠１８５全体がシャフト１８１を軸としてＺ方向に開閉する構造になっており、枠１８５及び透明基板１８７により、載置台３４上のウェハ１を覆うことができる。 （もっと読む）

【課題】プローバで、大チップのウエハでも、ウエハ上のチップ配列の検出が、オペレータの負担を軽減して行えるようにする配列検出方法を提供する。
【解決手段】ウエハW上に規則的に形成されたチップの動作を電気的に検査するため、テスタの各端子をチップの電極に接続するプローバにおいて、ウエハステージ上にロードされたウエハ上のチップの配列を検出する方法であって、ウエハの中心位置を検出し（Ｓ１３）、ウエハアライメントカメラで、相対位置を変化させながらウエハの表面画像を複数回撮像し、撮像した画像を合成してウエハの中心位置から所定範囲の表面画像を生成し（Ｓ１５）、所定範囲の全体が表示されるように合成ウエハ表面画像を表示し（Ｓ１６）、指示されたストリートの交点を登録し（Ｓ１７）、指示されたチップ内のアライメントマークを登録し（Ｓ１９）、異なるチップのアライメントマークを検出して位置関係からチップの配列を算出する。 （もっと読む）

【課題】 反射画像と透過画像とを同時に同じ位置で撮影することができる太陽電池セル検査装置を提供する。
【解決手段】 半導体ウエハ２の第一面に向かって可視光を照射する第一照射部４と、半導体ウエハ２で反射した可視光を受光することにより、半導体ウエハ２の反射画像を取得する第一撮像部５と、半導体ウエハ２の第一面に対向する第二面に向かって赤外光を照射する第二照射部６と、半導体ウエハ２を透過した赤外光を受光することにより、半導体ウエハ２の透過画像を取得する第二撮像部７と、反射画像及び透過画像に基づいて、半導体ウエハ２に欠陥があるか否かを判定する判定部２１ｄとを備える太陽電池セル検査装置１であって、第一撮像部５及び第二撮像部７との間に配置されるビームスプリッタ１１を備え、ビームスプリッタ１１は、設定波長未満の光を第一撮像部５に導くとともに、設定波長以上の光を第二撮像部７に導くことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】貼合わせウェハ全体について厚さを測定できる装置の提供。
【解決手段】貼合わせウェハ１の厚さ測定光学系及び観察光学系と、測定光学系から出力される信号を用いて貼合わせウェハ１の厚さを算出する信号処理装置とを具え、測定光学系は、第１の波長域の測定用光源３０と、この測定光を投射して光スポットを形成する対物レンズ１７と、その反射光の光検出手段４０とを有し、観察光学系は、前記第１の波長域とは異なる第２の波長域の観察用照明光を放出する照明光源４１と、照明光を投射する対物レンズ１７と、その反射光を受光して２次元画像を撮像する撮像装置４８とを有する。これらで共通の対物レンズ１７と測定光源及び観察光源との間の光路中には、前記測定光学系と観察光学系とを光学的に結合する波長選択性を有するカップリング素子３４を配置する。撮像装置４８は、前記測定光により形成された光スポットの像が重畳された像を撮像する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特性がウエハ上の位置に応じて変動する場合においても、半導体装置の不良品を高い精度で検出できるようにすること。
【解決手段】スクリーニング方法は、ウエハに含まれる複数の半導体装置のそれぞれの電気的特性値を測定する工程と、前記ウエハ上における前記複数の半導体装置のそれぞれの位置情報を取得する工程と、前記複数の半導体装置の電気的特性値の変動のうちの前記ウエハ面上で相対的に緩やかに変動する成分を、前記複数の半導体装置のそれぞれの電気的特性値から差し引いて、前記複数の半導体装置のそれぞれの電気的特性値を補正する工程と、前記補正後の電気的特性値の分布を前記複数の半導体装置に対して生成する工程と、前記分布に基づいて、前記補正後の電気的特性値が外れ値となる半導体装置を前記複数の半導体装置の中から検出する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】円筒形状部が抵抗溶接による固定の前後においてほぼ円形形状を維持している接続端子を提供する。
【解決手段】対象点間を接続する接続治具に用いられる接続端子は、小径の導電部とそれを囲むように配置された大径の円筒形状部とを備え、小径の導電部の先端部が、大径の円筒形状部の先端部から突出し、小径の導電部の一部が、大径の円筒形状部の一部に接合されており、小径の導電部に接合された大径の円筒形状部の部分を少なくとも含む円筒形状部の軸線の周りの帯状部分の一部に切欠き部が形成されている。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハの厚みを減じる減厚加工処理における加工量を高精度に評価することが可能な方法および評価用シリコンウェーハを提供する。
【解決手段】シリコンウェーハに施す減厚加工処理における加工量を評価するに当たり、シリコンウェーハの表面上に、光学式厚み測定手段により厚み測定が可能なシリコン層を形成した評価用シリコンウェーハを作製し（Ｓ１）、次いで該評価用シリコンウェーハのシリコン層の厚みを光学式厚み測定手段により測定した（Ｓ２）後、シリコン層に対して減厚加工処理を施し（Ｓ３）、続いて該減厚加工処理後のシリコン層の厚みを光学式厚み測定手段により測定し（Ｓ４）、シリコン層に対する加工処理前後の厚み測定結果に基づいて減厚加工処理における加工量を評価する（Ｓ５）。 （もっと読む）

【課題】安定したＳＰＶ信号が得られ、少数キャリアの拡散長を高精度かつ再現性よく測定することが可能なｎ型シリコンウェハの少数キャリア拡散長測定の前処理方法を提供する。
【解決手段】表面光起電力法を用いて抵抗率０．１〜３０００Ωｃｍのｎ型シリコンウェハの少数キャリア拡散長を測定するための前処理方法であって、前記ウェハをフッ酸水溶液で処理する工程と、前記フッ酸水溶液での処理後の前記ウェハを純水で洗浄する工程と、洗浄後の前記ウェハを金属塩および過酸化水素を含む加温処理液で処理する工程と、前記加温処理液で処理後の前記ウェハを純水で洗浄する工程と、洗浄後の前記ウェハを１〜３０ｋＶの電位をもつポリプロピレンまたは石英から作られる凹形状を有する容器の密閉されていない内壁空間内に前記ウェハ全体が入るように設置して乾燥する工程とを含むことを特徴とする前処理方法。 （もっと読む）

【課題】試験器インタフェース接触要素及び支持ハードウエアを清浄化するための装置を提供する。
【解決手段】試験される半導体ウェーハ、個別化ＩＣ装置、又はパッケージ化ＩＣ装置にウェーハ探針器又はパッケージ装置ハンドラ内に清浄化媒体２０を装着する段階を含み、清浄化媒体は、研磨性、粘着性、硬度のような所定の特性を有し、接触要素及びサポート構造体を清浄化する上面を有する。接触要素を清浄化媒体に接触させる段階を更に含み、それによってウェーハ探針器又はパッケージ装置ハンドラの通常の作動中にプローブ要素からあらゆるデブリが除去される。 （もっと読む）

【課題】アラームと品質の関係性を、コンピュータ（サーバ）を用いてデータ収集し自動解析することにより、アラームがどの品質に影響を与えるのかを自動的に判定することができる製造システムの管理方法を提供すること。
【解決手段】複数の製造装置から構成される製造システムについて、各製造装置からアラームが発せられた時に、アラームの内容に関する情報、基板を特定する情報、ＮＧ判定回数、ＯＫ判定回数、ＮＧ発生率、などの情報をサーバが収集・解析・紐付けした情報として蓄積することによって、アラームの内容と品質の関係性を把握し、予め設定した条件を判定基準として、品質に大きな影響度を持つアラームを抽出して、アラームに従って基板の搬送を制御する製造システムの管理方法。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板に対して再結合ライフタイムの測定を行うにあたって、信頼性の高い測定値が得られるように前処理を行う方法を提供する。
【解決手段】 シリコン基板の再結合ライフタイムを測定する前に行う前処理方法において、前記シリコン基板を熱処理炉内に搬入する工程と、前記熱処理炉内を酸化性雰囲気下で加熱して前記シリコン基板に酸化膜を形成する工程と、前記熱処理炉内から前記シリコン基板を搬出する工程と、前記シリコン基板から前記酸化膜を除去する工程と、前記酸化膜を除去したシリコン基板の表面に対してケミカルパッシベーション処理を行う工程とを含むことを特徴とするシリコン基板の再結合ライフタイム測定の前処理方法。 （もっと読む）

【課題】成膜直後の基板面内における酸化物半導体膜の抵抗値を効率よく測定することができる膜抵抗値測定方法を提供する。
【解決手段】測定対象物Ｗを基板表面に成膜した酸化物半導体膜とし、成膜直後の酸化物半導体膜を局所的に加熱する工程と、この加熱した領域で抵抗値測定用プロープ６を用いて抵抗値を測定する工程とを含む。酸化物半導体膜として、例えばＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系材料からなる透明酸化物半導体膜を用いることができる。 （もっと読む）

【課題】プローブと半導体ウェハとの接触精度を高める半導体テスタを提供する。
【解決手段】プローバ装置２００のステージ２１０と機械的に接続する接続機構１１５と、プローバ装置２００のプローブカードホルダ２２０と、プローバ装置２００のステージを介さずに機械的に接続し、プローブカードホルダ２２０を固定する固定機構１２０とを備えた半導体テスタ１００。固定機構１２０は、さらに、プローブカードホルダ２２０を半導体テスタ１００方向に搬送する動作を行なうことができ、搬送する動作により、プローブカードホルダ２２０に搭載されたプローブカード５００と電気的に接続するコネクタ１１２を備えるようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】バーンイン用ウエハをバーンイン毎に検査せずとも、半導体ウエハが正しい条件でバーンインされたことを保障することのできるバーンインシステム及びバーンイン方法を提供する。
【解決手段】バーンインシステムは、集積回路４１が形成されたチップ領域４０を複数有する半導体ウエハと、該半導体ウエハに貼り合わせた状態で、半導体ウエハに所定電圧とバーンイン信号を供給するバーンイン用ウエハを備える。そして、半導体ウエハは、集積回路４１に対応して形成された複数のテスト用回路４２を有し、テスト用回路４２には、対応する集積回路４１に供給される所定電圧とバーンイン信号が供給され、テスト用回路４２は、バーンインが正常に実行されると、バーンイン実行前と異なる状態を示しつつその状態を保持するバーンイン履歴素子を有する。 （もっと読む）

【課題】 電子線照射によってシュリンクするレジストをＣＤ−ＳＥＭで測長する際に、シュリンク前の形状や寸法を高精度に推定する。
【解決手段】 あらかじめ様々なパターンについて、電子線照射前断面形状データと、様々な電子線照射条件で得られる断面形状データ群やＣＤ−ＳＥＭ画像データ群と、それらに基づくモデルを含むシュリンクデータベースを準備し、被測定レジストパターンのＣＤ−ＳＥＭ画像を取得し（Ｓ１０２）、ＣＤ−ＳＥＭ画像とシュリンクデータベースとを照合し（Ｓ１０３）、被測定パターンのシュリンク前の形状や寸法を推定し、出力する（Ｓ１０４）。 （もっと読む）

【課題】 オゾンガスでウェーハ表面を処理する際にウェーハの表面に形成される酸化膜厚を薄く調整でき、また、紫外線によりウェーハ表面がダメージを受けないようなオゾンガス発生処理装置、酸化膜珪素膜形成方法、及び、従来よりも安定したＣ−Ｖ特性の測定値を得ることができるシリコン単結晶ウェーハの評価方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 紫外線の光源とウェーハ載置部とを有し、酸素含有雰囲気で前記光源より紫外線を照射してオゾンガスを発生させ、前記ウェーハ載置部上のウェーハをオゾンガスで処理するオゾンガス発生処理装置であって、
該オゾンガス発生処理装置は、前記光源と前記ウェーハ載置部上に載置されたウェーハとの間に、前記発生したオゾンガスを通過させかつ前記紫外線を遮光する遮光板を有することを特徴とするオゾンガス発生処理装置。 （もっと読む）