【課題】半導体チップにゲッタリング性能を付与するために、チップに適用される樹脂膜のゲッタリング性能を、簡便に評価しうる方法を提供する。
【解決手段】ゲッタリング性能を評価する対象の樹脂膜をシリコンウエハの片面に形成する工程、該樹脂膜を硬化してシリコンウエハとの積層体を形成する工程、該積層体を金属イオンで汚染する工程、汚染後の該樹脂をエッチングする工程、該エッチングに用いた液の回収液と純水とで金属イオン濃度測定用試料を調整する工程、および該試料をＩＣＰ−ＭＳ等により含有金属元素量の定量を行う工程を含む。 （もっと読む）

【課題】ワーク表面に形成された保護膜の厚みを精度よく測定できる測定方法および測定装置を提供すること。
【解決手段】本発明の測定方法は、ウェーハＷに光吸収剤を含む保護膜６１を形成するステップと、保護膜６１に測定光を照射し、測定光の吸収による保護膜６１の発光を受光するステップと、事前に作製された保護膜６１の厚みの変化に対する保護膜６１の発光による光スペクトルの変化を示す測定データを参照して、保護膜６１の発光強度から保護膜６１の厚みを測定するステップとを有する構成とした。 （もっと読む）

【課題】半導体記憶装置のトンネル絶縁膜の電荷分布を評価することが可能な半導体記憶装置の評価方法を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置の評価方法は、浮遊ゲート型の半導体記憶装置の評価方法である。時間の対数の変化に対する前記半導体記憶装置のメモリセルの閾値電圧Vtの変化率に、ε*Cr*2k/Tox/qを乗じる。なお、εはトンネル絶縁膜の誘電率であり、Crは前記メモリセルのカップリング比であり、Toxは前記メモリセルのトンネル酸化膜の膜厚であり、kは電荷がデトラップする時の存在確率の減衰率でありk=(2mE/(h/2π)²)^0.5と表され、mは電子の質量、 Ｅは前記トンネル絶縁膜のトラップのエネルギー準位、ｈはプランク定数、πは円周率である。これにより、前記メモリセルのトンネル絶縁膜中の電子濃度分布を求める。 （もっと読む）

【課題】測定対象物上に薄膜が形成されている場合でも、測定対象物の温度を従来に比べて正確に測定できる温度測定方法を提供する。
【解決手段】光源からの光を、基板上に薄膜が形成された測定対象物の測定ポイントまで伝送する工程と、基板の表面での反射光による第１の干渉波と、基板と薄膜との界面及び薄膜の裏面での反射光による第２の干渉波を測定する工程と、第１の干渉波から第２の干渉波までの光路長を算出する工程と、第２の干渉波の強度に基づいて、薄膜の膜厚を算出する工程と、算出した薄膜の膜厚に基づいて、基板の光路長と算出した光路長との光路差を算出する工程と、算出した光路差に基づいて算出した第１の干渉波から第２の干渉波までの光路長を補正する工程と、補正された光路長から測定ポイントにおける測定対象物の温度を算出する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】従来の方法では、膜種が同じで、膜厚が異なる場合等は再度の実測が必要となり、検査条件を設定するのに時間がかかってしまう。
【解決手段】複数の検出光学系がそれぞれ、検光角を変える光学素子と、前記検光角を制御する検光角制御部と、を有し、処理部は、前記複数の検出光学系毎の、前記検光角と、前記検光角に対応した信号対雑音比と、前記基板の膜種と、前記基板の膜厚との関係を保存したデータベースを有し、前記データベースを更新していく。さらにＳＮＲ閾値を設ける。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェハ表面の超微量不純物金属の分析、特に自動分析の方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る分析方法は、第１工程である分解（又はエッチング）表面に生じる種々の生成物（副生物）を除去又は不活性化処理を行い、かつその後必要であれば表面を速やかにＨＦガスで疎水性化することで、極めて再現よく効率的に、疎水性シリコンウェハ表面を水滴でスキャンして表面の分解物を回収して分析する。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスの絶縁性薄膜の信頼性評価を行う方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様は、ＭＬＣＣ２を用意する工程と、前記第１の導電体が抵抗素子４の一方端に電気的に接続され、前記抵抗素子の他方端が第１の直流電源５に電気的に接続され、前記第１の直流電源が前記第２の導電体に電気的に接続され、前記抵抗素子の一方端及び他方端それぞれが増幅器７の入力側に電気的に接続され、前記増幅器の出力側が周波数分析器８に電気的に接続された接続状態で、前記増幅器の出力を前記周波数分析器によって分析することで得られるPool Frenkel電流に基づく１／ｆ特性を示す範囲の電流ゆらぎの大きさを測定する工程と、前記工程で測定された１／ｆ電流ゆらぎの大きさが大きい場合は、前記絶縁性薄膜の質が悪いと判定し、前記工程で測定された１／ｆ電流ゆらぎの大きさが小さい場合は、前記絶縁性薄膜の質が良いと判定する工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】ウエーハアライナー機構の構成部品がウエーハ表面側に設置されることによって起こるクリーンエア気流の乱れによる処理室内からの汚染、もしくはウエーハライナー機構の構成部品そのものからの汚染による、ウエーハの二次汚染の発生を抑えるウエーハ薬液回収装置を提供する。
【解決手段】マニュアル操作によりウエーハ回転台６を回転させ、ウエーハ回転台上のウエーハ１０のノッチ１０ａを目視で目安棒８に位置合わせをして、ウエーハの原点位置を設定する。このウエーハの原点位置に基づいて設定したウエーハ表面の走査開始位置から走査終了位置の回収領域で走査液回収アーム１６および走査液回収アーム１６の先端に設置した走査液回収冶具１６ａを動作させることによって、回収領域のウエーハ表面に薬液を接触させた状態でウエーハ回転台６を回転させて不純物を含む薬液を回収する。 （もっと読む）

【課題】ウエーハアライナー機構の構成部品がウエーハ表面側に設置されることによって起こるクリーンエア気流の乱れによる処理室内からの汚染、もしくはウエーハライナー機構の構成部品そのものからの汚染による、ウエーハの二次汚染の発生を抑えるウエーハ薬液回収装置を提供する。
【解決手段】処理室３外としてクリーユニットチャンバー２内に設置されたレーザセンサ８（ノッチ検出手段）により、処理室内のウエーハ回転台６上のウエーハ１０を回転させてウエーハのノッチ１０ａとレーザ入射位置に一致させ、ウエーハの原点位置を設定する。このウエーハの原点位置に基づいて設定したウエーハ表面の走査開始位置から走査終了位置の回収領域で走査液回収アーム１６および走査液回収アーム１６の先端に設置した走査液回収冶具１６ａを動作させ、回収領域のウエーハ表面に薬液を接触させた状態でウエーハ回転台６を回転させて不純物を含む薬液を回収する。 （もっと読む）

【課題】欠陥検査装置において、欠陥の生じた膜を特定することにより、欠陥発生の原因分析を迅速化し、生産性の低下を防止する。
【解決手段】複数種の膜が積層された被検査対象の基板Ｗを撮像し、撮像データＤを取得するステップと、取得した撮像データから欠陥の有無を検出するステップと、検出された欠陥の領域の色情報を、所定の表色系に準ずる値として抽出するステップと、データベースに記録された全ての膜種の教示データから、前記検出された欠陥の領域と同領域の色情報を、前記所定の表色系に準ずる値として膜種ごとに抽出するステップと、前記検出された欠陥の領域の色情報と、前記教示データから抽出された色情報との相違度を膜種ごとに算出するステップと、相違度が所定値より小さい場合に、その色情報を有する教示データにおいて成膜されていない膜と同種の膜に欠陥を有すると判定するステップとを実行する。 （もっと読む）

【課題】集束ビームを使用して基板を選択的にエッチングする方法および装置を提供する。
【解決手段】ステップ１０２では、少なくとも２種類の材料を有する基板を用意する。この基板は、その上に集積回路が製造されたシリコン・ウェーハとし、この基板はさらに、集積回路の一部分の断面を露出させるために集束イオン・ビームによって切削されたトレンチを含む。ステップ１０４では、エッチングする基板表面の一部分に、エッチング剤前駆体ガスの流束を供給する。ステップ１０６では、基板表面に、エッチング抑制前駆体ガスの流束を供給する。ステップ１０８では、電子ビームなどの集束ビームを基板に向かって、少なくとも２種類の材料を含む領域上に誘導する。このエッチング前駆体ガス、エッチング抑制ガスおよび集束ビームの組合せは、第１の材料を第２の材料に比べて選択的にエッチングする。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁層の平坦度を、容易に、非破壊で検査することができる半導体装置および半導体装置の検査方法を提供する
【解決手段】本発明に係る半導体装置１０００は、層間絶縁層４０の表面の平坦度を評価するための評価用素子１００を含む半導体装置であって、評価用素子１００は、半導体基板１０の上方に設けられた、平面視において、矩形状のダミー電極２０と、ダミー電極２０の少なくとも１つの辺と対向するように設けられた評価用パターン３０と、ダミー電極２０および評価用パターン３０を覆う層間絶縁層４０と、を含み、評価用パターン３０は、複数のマーカー３２を有し、複数のマーカー３２は、各々、ダミー電極２０から所定の距離に設けられている。 （もっと読む）

【課題】配線の信頼性試験で検出された不良配線の短絡箇所を、ボルテージコントラスト法により、短時間に確実に特定できる方法を提供する。
【解決手段】多数の第１の並列配線領域が第１の接続領域で接続された一方の（櫛歯状）配線１１と、多数の第２の並列配線領域が第２の接続領域で接続された他方の（櫛歯状）配線１２とを、第１と第２の並列配線領域が対向する配置で、絶縁膜に埋め込まれた状態で形成し、第１の並列配線領域と第２の並列配線領域との間の絶縁膜の信頼性試験を行い、短絡を生じさせ、一方の（櫛歯状）配線１１と他方の（櫛歯状）配線１２のいずれか一方の接続領域を除去ないし断線させ、ボルテージコントラスト法の観察を行ない、並列配線領域間短絡箇所を特定する。 （もっと読む）

【課題】有機絶縁膜を含む層の境界を明確に判別可能とすることができる試料作製方法および試料作製装置を提供する。
【解決手段】有機絶縁膜と他の絶縁膜とが積層されてなる試料Ｗａに対して集束イオンビーム２０Ａを照射して試料の断面を露出させる断面露出工程と、断面に対して水または水蒸気を供給しつつ、集束イオンビームを照射して断面の各膜が判別可能となるように処理する断面処理工程と、を有している。 （もっと読む）

【課題】 外部からの荷重による絶縁膜の耐圧力を短時間かつ正確に評価することができる耐性評価用ウェハ及び耐性評価方法を提供するものである。
【解決手段】 耐性評価用ウェハ１００は、基板１上にｌｏｗ−ｋ絶縁膜２を介して対向して配設される一対の第１の配線３及び第２の配線４と、一対の配線のうち第１の配線３に第１のビア５を介して接続され、最上層に配設される第１の接続パッド６と、一対の配線のうち第２の配線４に第２のビア７を介して接続され、最上層に配設される第２の接続パッド８と、基板１に対して垂直な方向における第１の配線３及び第２の配線４の一部に重畳し、ｌｏｗ−ｋ絶縁膜２を介して最上層に電気的に浮遊状態で平面端子として複数配設され、所定の荷重で押圧される押圧パッド９と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】基板上の積層膜構造における各膜の光学定数を算出する際に，各光学定数の算出精度を向上させる。
【解決手段】基板上に形成された積層膜構造における各膜の光学定数を算出する光学定数算出方法であって，各膜をそれぞれ下から順に対象膜とし，その対象膜の光学定数を既に算出された下層膜の光学定数を用いて算出することによって，各膜の光学定数を順次算出する基本ステップと，基本ステップで算出した対象膜の光学定数を，再フィッティング処理によって下層膜の光学定数を修正しながら算出し直す再計算ステップとを有する。これにより，下層膜の光学定数を物理的に正しい解に導くことができ，光学定数の算出精度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜の膜厚を電気的に検査することによって、半導体装置の製造プロセスの管理を容易に行うことができ、さらに、不良原因の特定を速やかに、かつ簡易に行うことができる半導体装置の検査方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の検査方法は、絶縁膜を挟む導電部を有する半導体装置を準備する工程と、導電部に電圧を印加して、絶縁膜の容量を測定する工程と、絶縁膜の容量に基づいて、絶縁膜の膜厚を検査する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ダミーゲート電極のゲート絶縁膜のスクリーニング検査工程が適切に行える半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１フロート配線１２を二層構造とし、下層部１２ａではダミーゲート電極８ｂに繋がるドープトＰｏｌｙ−Ｓｉ１０ｂと電気的に接続された部分と、第１フロート層３ｂに電気的に接続される部分とが所定間隔離間した構造となるようにする。そして、上層部１２ｂの形成に先立って、スクリーニング検査工程を行う。これにより、ダミーゲート電極８ｂのゲート絶縁膜７が所望の耐圧を得られるものであるか否かを判別を適切に行うことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホール側壁に付着した有機膜の抵抗値を簡単且つ的確に測定する。
【解決手段】基板２０上に形成された下部電極であるポリＳｉ膜２２ａと、このポリＳｉ膜２２ａ上にＢＰＳＧ膜２３を介して形成された中間電極であるポリＳｉ膜２４ａと、このポリＳｉ膜２４ａ上にＢＰＳＧ膜２５を介して選択的に形成されたホトレジスト膜からなるホールパターン２６ａと、このホールパターン２６ａをマスクにしてプラズマエッチングにより形成され、ポリＳｉ膜２４ａ，２２ａを貫通するコンタクトホール２７と、このコンタクトホール２７の形成時に、コンタクトホール側壁に付着する有機膜２８と、を有する半導体装置を用意する。そして、ポリＳｉ膜２２ａ，２４ａ上に有機膜・レジスト膜２６ｂが被着された状態で、ポリＳｉ膜２２ａ，２４ａ上から、プローブ針３１により複数回コンタクトを実施し、有機膜２８の抵抗値を測定する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板等の表面または内部において局所的に存在する金属不純物元素を現実的な時間内で検出、定量可能な元素分析方法を提供する。また、インラインで、できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】プロトンを、０°より大きく９０°より小さいプロトン入射角で分析対象の基板へ入射させる。このとき、プロトンの入射により励起され、分析対象の基板から放射される特性Ｘ線は、エネルギー分散型のＸ線検出器等により計測される。分析対象の基板内部に存在する不純物元素は、計測された特性Ｘ線から特定される。プロトンビームを走査することで基板面内の分布を取得でき、異なるプロトン入射角でプロトンを入射することで深さ方向の分布を取得することができる。また、当該元素分析方法を、半導体装置の製造工程に適用することで、金属汚染の分析や導電型決定不純物量の定量をインラインでかつ高精度に実施できる。 （もっと読む）