ポリヘドラルオリゴメリックシルセスキオキサン及びポリヘドラルオリゴメリックシリケートを含むナノスコピックシリコン含有剤が、無鉛はんだ接続の表面での導電性金属ウィスカの生成と半導体中の原子マイグレーションをなくすために使用される。 （もっと読む）

【課題】充てん性、密着性、形状維持性に優れる封止フィルム及びそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】（Ａ１）架橋性官能基を含み、重量平均分子量が１０万以上でかつＴｇが−５０〜５０℃である高分子量樹脂と、（Ａ２）エポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性成分と、を含む（Ａ）樹脂成分、（Ｂ）フィラー、および（Ｃ）着色剤、を含有し、８０℃におけるずり粘度が１４０００〜２５０００Ｐａ・ｓである樹脂層を有する封止フィルム及びそれを用いた半導体装置。 （もっと読む）

【課題】生産性及び耐久性が改善され、かつカード品質や印画品質が改良された非接触ＩＣカードとその製造方法を提供する。
【解決手段】２種以上の硬化性樹脂Ｂ１およびＢ２により少なくとも二重に封止されたＩＣチップＢ３を含む非接触ＩＣカードにおいて、ＩＣチップＢ３の回路面に隣接する第一の硬化性樹脂Ｂ１と、第一の硬化性樹脂Ｂ１に隣接する第二の硬化性樹脂Ｂ２を含有し、第二の硬化性樹脂Ｂ２は、第一の硬化性樹脂Ｂ１により硬化が促進された樹脂であることを特徴とする非接触ＩＣカード。 （もっと読む）

【課題】ノンハロゲンかつノンアンチモンで、高温放置特性が良好な封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれにより封止した素子を備えた電子部品装置を提供しようとするものである。
【解決の手段】（Ａ）エポキシ樹脂及び（Ｂ）硬化剤を含有する封止用エポキシ樹脂組成物であって、（Ａ）成分として特定の一般式で表されるエポキシ樹脂を含有し、（Ｂ）成分としてフェノール性水酸基を有する化合物（ａ）とトリアジン誘導体（ｂ）とアルデヒド基を有する化合物（ｃ）との重縮合物（Ｂ−１）を含有することを特徴とする封止用エポキシ樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】硬化性アリールシロキサン組成物を提供する。
【解決手段】硬化性アリールシロキサン組成物が開示される。熱安定性硬化アリールポリシロキサン組成物が、その熱安定性硬化アリールポリシロキサン組成物を硬化性アリールシロキサン組成物から製造する方法と共にさらに開示される。封止半導体装置および半導体装置の半導体要素を熱安定性硬化アリールポリシロキサンでコーティングすることによってその封止半導体装置を製造する方法がさらに開示される。 （もっと読む）

【課題】高いガラス転移温度（Tg）を有し、かつ耐熱黄変性に優れるエポキシ樹脂系薄膜、このような薄膜を形成できるエポキシ樹脂系組成物を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂と、酸無水物系硬化剤と、下記一般式（１）


［式中、Ｒ^１〜Ｒ^４は、同一又は異なって、フェニル基、炭素数１〜１６の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は炭素数５〜１２のシクロアルキル基を示し、Ｘは炭素数１０〜１６の脂肪族モノカルボン酸のアニオン残基を示す。］で表される化合物とを含むエポキシ樹脂系組成物。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサ用ＣＯＢパッケージ構造を提供する。
【解決手段】プリント基板上に置かれたダイを含むパッケージの構造。ガラス基板とチップとの間に空隙領域を形成するために、ガラス基板が接着膜パターン上に接着されている。マイクロレンズがチップ上に配置されている。レンズ・ホルダーが、プリント基板上に固定されている。ガラス基板は、マイクロレンズを粒子汚染から防止する。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも2種類の成分を含む重合触媒であって、前記少なくとも2種類の成分の少なくとも1種類以上が含窒素複素環および／またはその誘導体の群から選択され、前記少なくとも2種類の成分の少なくとも1種類以上が含硫有機酸および／または含硫有機酸の誘導体の群から選択される重合触媒に関する。 （もっと読む）

【課題】光記録媒体で反射した光を受光する受光素子に関し、安価かつ簡便な方法で製造することができ、短波長レーザー光源（波長４０２μｍ〜４１３μｍ）に対する受光素子を提供することを目的にする。
【解決手段】受光素子１は、受光部１１が形成されたシリコン基板９と、シリコン基板９を実装する回路基板７と、シリコン基板９と回路基板７とを電気的に接続し、少なくとも１つ以上の配線１５と、配線１５を覆うカバー層３、受光部１１が露出する露出部４を備えている。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、電子部品や電子部品を搭載した電子基板をコーティングする電子部品保護シートおよびそのコーティング方法に関するものである。
【解決手段】
（ａ）熱伸張性を有する成分、（ｂ）熱溶融性を有し、光照射することにより熱溶融性が無くなる成分、とを積層したことを特徴とする電子部品保護シートである。好ましくは、前記（ａ）成分の熱溶融温度が、前記（ｂ）成分の熱溶融温度よりも２０℃以上高いものである。また、前記電子部品保護シートを被保護部品に当接させる工程、（ａ）成分が熱伸張性を示し、かつ（ｂ）成分が熱溶融する温度に加熱して基板の凹凸に変形させる工程、光照射する工程、により電子部品に電子部品保護シートをコーティングすることを特徴とするコーティング方法である。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、無機充填材を含有する樹脂組成物をノーフロー型アンダーフィル材として用いた場合であっても半導体素子の自重により半導体素子と基板との接続が可能な樹脂組成物を提供することにある。
【解決手段】 本発明の樹脂組成物は、半導体素子と基板との間を封止するために用いる樹脂組成物であって、常温で液状の第１エポキシ樹脂と、前記第１エポキシ樹脂より硬化開始温度が高い第２エポキシ樹脂と、シリコーン変性エポキシ樹脂と、無機充填材と、を含む。また、本発明の封止材は、上記に記載の樹脂組成物で構成されている。また、本発明の半導体装置は、上記に記載の封止材で、半導体素子と基板との間が封止されている。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板上にＢＣＢ等の低誘電率材料からなる絶縁膜と配線とが各々２層交互に積層されて設けられた半導体装置において、絶縁膜間で剥離が生じにくいようにする。
【解決手段】 シリコン基板１の上面に設けられた酸化シリコン等からなるパッシベーション膜３の上面の周辺部を除く領域にはＢＣＢ等の低誘電率材料からなる第１、第２の絶縁膜５、９と第１、第２の配線８、１２とが交互に積層されて設けられている。第２の配線１２を含む第２の絶縁膜９の上面および第１、第２の絶縁膜５、９の側面はエポキシ系樹脂等からなる封止膜１４によって覆われている。これにより、第１、第２の絶縁膜５、９間で剥離が生じにくいようにすることができる。 （もっと読む）

【課題】放熱性が向上された半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、半導体基板１１と、半導体基板１１の上面（第２主面）に搭載されたヒートシンク（放熱体）と、半導体基板１１の下面（第１主面）に形成された配線１４等を具備している。ヒートシンク１７は、半導体基板１１の上面に搭載され、その平面的な大きさは半導体基板１１と略同一である。また、ヒートシンク１７の厚みは、５００μｍ〜２ｍｍであり、半導体基板１１よりも厚く形成されても良い。ヒートシンク１７により補強されることで、半導体基板１１を例えば５０μｍ程度に薄くすることができるので、結果的に半導体装置１０全体を薄くすることができる。 （もっと読む）

【課題】
半田電極を使用したフリップチップ実装方式において、半導体チップと半田電極接合部分や、回路基板と半田電極の接合部分などに生ずるクラックや剥離を防止する封止構造を提供する。
【解決手段】
半導体チップ１は半田電極３を介して回路基板６上のパッド部５に電気的に接続されている。半導体チップ１と半田電極３の接合部分は第一の樹脂材料よりなる第一の固定部２によって固定されている。第一の樹脂材料よりなる第一の固定部２は、半導体チップ１の半田電極３側の表面に層状に設けられている。また、半田電極３と回路基板６上のパッド部５との接合部分は第二の樹脂材料よりなる第二の固定部４によって固定されている。第二の樹脂材料よりなる第二の固定部４は、第一の樹脂材料よりなる第一の固定部２とは異なる樹脂材料により作製されている。 （もっと読む）

【課題】 ウエハを個々のチップに切断する前に半導体ウエハ上に直接に施される硬化性アンダーフィル封止材組成物を提供すること。
【解決手段】 本発明の組成物は、熱硬化性エポキシ樹脂、溶剤、イミダゾールホスフェート塩触媒、フラクシング剤、場合によって、湿潤剤を含む。様々な他の添加剤、例えば、消泡剤、接着促進剤、流動添加剤、レオロジー改質剤なども所望により添加することができる。アンダーフィル封止材はＢステージ処理可能であり、ウエハ上に滑らかで非粘着性のコーティングを与え、ウエハを個々のチップにきれいに切断可能にする。Ｂステージ処理可能な材料を含む電子パッケージを製造する方法はまた、チップが取り付けられることになる基板上に未充填の液状硬化性フラクシング材料を利用することができる。 （もっと読む）

【課題】 Ｂステージ処理可能な又は予め成形されたアンダーフィル封止材組成物を提供すること。この組成物は電子部品を基板に施すことに使用される。
【解決手段】 本発明の組成物は、熱可塑性又は熱硬化性樹脂、膨張性ミクロスフィア、溶剤、場合によって触媒を含む樹脂系を含む。様々な他の添加剤、例えば接着性促進剤、流動添加剤及びレオロジー改質剤なども所望により添加できる。アンダーフィル封止材はＢステージ処理可能であり、滑らかで非粘着性である基板又は部品上のコーティングを与える。別の態様において、アンダーフィル封止材は予め成形されたフィルムである。両態様において膨張性充填材材料がより高い温度を施すことによって膨張し、アセンブリの所望の部分に独立気泡構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】優れた耐熱性、耐紫外線性、光学的透明性、強靭性及び接着性を有する被膜を形成できる光関連デバイス封止用組成物、その硬化物並びに該組成物による封止方法を提供する。
【解決手段】（イ）平均組成式：Ｒ¹_a(ＯＸ)_bＳｉＯ_(4-a-b)/2
（Ｒ¹はアルキル基、アルケニル基又はアリール基、Ｘは式：−ＳｉＲ²Ｒ³Ｒ⁴（Ｒ²〜Ｒ⁴は１価炭化水素基）で表される基と、アルキル基、アルケニル基、アルコキシアルキル基又はアシル基との組み合わせ、ａは1.00〜1.5の数、ｂは０＜ｂ＜２の数、但し、1.00＜ａ＋ｂ＜２）
で表される重量平均分子量５×10⁴以上のシリル化オルガノポリシロキサン、及び
（ロ）縮合触媒
を含む光関連デバイス封止用樹脂組成物、該組成物を硬化させてなる透明な硬化物、並びに該組成物を半導体素子に塗布することと、該半導体素子に塗布された組成物を硬化させることとを有する半導体素子の封止方法。 （もっと読む）

【課題】ソケットへの挿入時に接点電極が削られるのを抑制し、接触不良を防止することが可能な半導体メモリカードを提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体メモリカード１００は、外部装置のソケットの接点電極と接続するためのコンタクト端子１が上面の先端側に形成された回路基板２と、この回路基板２の下面に載置され、コンタクト端子１とボンディングワイヤ３で接続された半導体メモリチップ４と、回路基板２表面上で半導体メモリチップ３を封止する第１の樹脂からなる第１の樹脂層５と、コンタクト端子１が形成された部分より少なくとも回路基板２の先端側に設けられ、第１の樹脂のよりも硬度が低い第２の樹脂からなる第２の樹脂層６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】電子部品パッケージを薄型化することを目的とする。
【解決手段】電子部品パッケージの構造を、基板６と、この基板６の上面側に形成された突起電極７と、この突起電極７を介して基板６に実装された電子部品８と、基板６上においてこの電子部品８の外周を被覆した樹脂製保護体９とを備え、前記電子部品８の上面は研磨面であり下面は機能面としたことにより、樹脂製保護体９及び電子部品８の上部を十分研磨できるため、電子部品パッケージの薄型化が達成できる。 （もっと読む）

【課題】透明であり、高屈折率である封止材用組成物及び光学デバイスを提供すること。
【解決手段】本発明の封止材用組成物は、ポリチタノキサン化合物を含有することを特徴とする。本発明の光学デバイスは、基体上に搭載された光学素子と、前記光学素子上に被覆され、前記封止材用組成物を硬化させてなる封止材と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）