【課題】短時間処理が可能で、耐湿性、基材との接着性及び樹脂強度（硬度）に優れた光硬化性防湿絶縁塗料及びこれを塗布、硬化する防湿絶縁された電子部品及びその製造方法を提供する。
【解決手段】光硬化性防湿絶縁塗料は、（Ａ）アクリロキシポリブタジエン又はアクリロキシ水添ポリブタジエンと、（Ｂ）ビスフェノールＡ系（メタ）アクリレートと、（Ｃ）下記一般式（Ｉ）で表される化合物と、及び（Ｄ）光重合開始剤とを含有する。（Ｂ）成分の含有量は、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の全量に対して、１〜３０重量％である。
【化１】


（Ｒ^１は水素原子又はメチル基を表す。Ｒ^２は炭素数５〜２０のアルキル基又はアルケニル基を表す。） （もっと読む）

【課題】封止用液状エポキシ樹脂組成物において、酸無水物硬化剤を配合使用する場合であっても、封止硬化体の耐湿性の確保とその向上を図ることのできる新しい封止用樹脂組成物とこれを用いて封止した半導体装置を提供すること。
【解決手段】以下の成分を必須として含有している封止用の液状エポキシ樹脂組成物。 （Ａ）常温で液状のエポキシ樹脂 （Ｂ）酸無水物硬化剤 （Ｃ）リン系添加剤 （Ｄ）無機充填材リン系添加剤は、有機リン酸化合物および有機亜リン酸化合物のうちの１種以上であることが望ましい。また、（Ｂ）酸無水物硬化剤の（Ａ）常温で液状のエポキシ樹脂に対する配合質量比は、Ｂ／Ａとして０．５０〜１．１の範囲内であることが望ましい。更に、リン系添加剤の組成物全体量に対する配合は０．０２ｗｔ％〜０．５ｗｔ％の範囲内が望ましい。 （もっと読む）

【課題】 成型時の流動性が優れ、硬化して、低弾性率の硬化物を形成する硬化性エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】 （Ｉ）エポキシ樹脂、（II）エポキシ樹脂用硬化剤、および（III）架橋シリコーン粒子を形成するケイ素原子に、一般式：Ｒ¹ＮＨ−Ｒ²−（式中、Ｒ¹はアリール基またはアラルキル基であり、Ｒ²は二価有機基である。）で表される２級アミノ基を結合する架橋シリコーン粒子｛前記（Ｉ）成分と（II）成分の合計１００重量部に対して０.１〜１００重量部｝から少なくともなる硬化性エポキシ樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】フリップチップパッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のフリップチップパッケージは、基板と、基板上に実装されるフリップチップと、フリップチップが基板に電気的に連結される部分である基板上のチップ連結部分に形成された第１アンダーフィルと、チップ連結部分以外の基板上に形成された第２アンダーフィルと、を備え、第１アンダーフィルは、第２アンダーフィルより高い強度の材質で形成される。また、その製造方法は、基板を準備する工程と、基板と基板に実装されるフリップチップとが電気的に連結される部分である基板上のチップ連結部分以外の部分に第２アンダーフィルを形成する工程と、チップ連結部分に第１アンダーフィルを形成する工程と、チップ連結部分にバンプを通じてフリップチップを実装する工程と、を有し、第１アンダーフィルは、第２アンダーフィルより高い強度の材質で形成される。 （もっと読む）

【課題】常温での取扱性に優れ、例えば面実装用途や半導体の封止用途に用いられた場合に、被着体の表面を均一に被覆することができる絶縁フィルム、並びに該絶縁フィルムを用いた電子部品装置及びその電子部品装置の製造方法を提供する。
【解決手段】硬化性化合物（ａ）と、硬化剤（ｂ）と、高分子量ポリマー（ｃ）と、無機フィラー（ｅ）とを含有し、硬化前の絶縁フィルムの３０℃における貯蔵弾性率（Ｅ１）が１×１０^４〜１×１０^６Ｐａの範囲にあり、３０℃以上における最低貯蔵弾性率（Ｅ２）が１×１０^２〜３×１０^４Ｐａの範囲にあり、かつ貯蔵弾性率（Ｅ１）と最低貯蔵弾性率（Ｅ２）との比（Ｅ１）／（Ｅ２）が２〜５００の範囲にある絶縁フィルム、及び該絶縁フィルムの硬化物からなる絶縁層４を有する電子部品装置１、及びその電子部品装置１の製造方法。 （もっと読む）

【課題】絶縁層の吸湿を抑制し、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】金属ベースと、前記金属ベースの上面に配置された絶縁層と、前記絶縁層の上面に配置された、電極を少なくとも含む電子部品とが熱可塑性樹脂で封止された半導体装置において、前記絶縁層の側面が、前記金属ベース又はコーティング樹脂膜で覆われていることを特徴とする半導体装置とする。また、金属ベースと、前記金属ベースの上面に配置された絶縁層と、前記絶縁層の上面に配置された、電極を少なくとも含む電子部品とが熱可塑性樹脂で封止された半導体装置の製造方法において、前記絶縁層を介して前記電極が配置された前記金属ベースを、前記金属ベース側から製品サイズに打抜き加工する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】耐熱性および電気特性に優れたエポキシ樹脂組成物、特に、耐ハンダクラック性に優れたエポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】フェノール性水酸基を有するフルオレン類（例えば、９，９−ビスクレゾールフルオレンなどの９，９−ビス（Ｃ_１−４アルキル−ヒドロキシフェニル）フルオレン）と、エポキシ樹脂（ノボラック型エポキシ樹脂など）とでエポキシ樹脂組成物を構成する。前記樹脂組成物において、フェノール性水酸基を有するフルオレン類の割合は、エポキシ樹脂１００重量部に対して２０〜１００重量部程度であってもよい。このような組成物（又はその硬化物）は、耐ハンダクラック性に優れ、電気材料又は電子材料の封止剤として好適に用いることができる。 （もっと読む）

【課題】反りなどの変形を抑制することが可能な光通信モジュールおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】基板１と、基板１に搭載された発光素子３および受光素子４と、発光素子３および受光素子４を駆動制御するための駆動ＩＣ５と、発光素子３、受光素子４、および駆動ＩＣ５を覆う樹脂パッケージと、を備えた光通信モジュールＡ１であって、基板１は、長矩形状とされており、上記樹脂パッケージの材料よりも線膨張係数が小であり、かつ弾性係数が大である材料からなるとともに、基板１と上記樹脂パッケージに挟まれており、かつ発光素子３および受光素子４を挟むように基板１の両長辺に沿って延びる１対の帯状部６１，６２を有する補強樹脂６をさらに備えている。 （もっと読む）

【課題】透明性、耐光性、耐熱性、耐クラック性に優れたエポキシ変性シリコーンの提供。
【解決手段】
下記＜Ａ＞及び＜Ｂ＞の要件を同時に満足する下記平均組成式（１）によって表されるブロック型オルガノハイドロジェンシリコーンに対し、ヒドロシリル化触媒の存在下、炭素−炭素２重結合及びエポキシ基を有する化合物（ａ）を含むビニル化合物（ｂ）をヒドロシリル化反応により付加して得られるエポキシ変性シリコーン。
＜Ａ＞：（Ｒ^１_２ＳｉＯ_２／２）単位の平均連鎖長が３以上１００以下。
＜Ｂ＞：（Ｒ^１ＨＳｉＯ_２／２）単位の平均連鎖長が２以上２０以下。
(Ｒ^１_３ＳｉＯ_１／２)_ａ(Ｒ^１_２ＨＳｉＯ_１／２)_ｂ(Ｒ^１_２ＳｉＯ_２／２)_ｃ
(Ｒ^１ＨＳｉＯ_２／２)_ｄ(Ｒ^１ＳｉＯ_３／２)_ｅ(ＨＳｉＯ_３／２)_ｆ(ＳｉＯ_４／２)_ｇ ・・（１）
ここで、Ｒ^１は特定の有機基である。 （もっと読む）

【課題】圧縮成形を用いた、半導体発光デバイスをパッケージ化する方法を提供すること。
【解決手段】半導体発光デバイスをパッケージ化する方法は、前面上に半導体発光デバイス及びコンタクトを有する基板を設けるステップを含む。発光デバイスは、基板の前面上のコンタクトと電気的に接続される。基板は圧縮成形されて、基板の前面上で半導体発光デバイスを覆う光学要素と、基板の前面のコンタクトを含む領域を覆う残余コーティングとを形成する。コンタクトを覆う残余コーティングは、コンタクトに損傷を与えずに除去することができる。パッケージ化された半導体発光デバイスもまた提供される。 （もっと読む）

【課題】 ＣＳＰと呼ばれる半導体装置において、シリコン基板の上面側の集積回路から外部へのあるいはその逆で外部からシリコン基板の上面側の集積回路への不要電磁輻射ノイズを抑制する。
【解決手段】 封止膜１０は、熱硬化性樹脂１０ａ中に軟磁性体粉末１０ｂが混入された材料によって形成されている。そして、封止膜１０中の軟磁性体粉末１０ｂにより、シリコン基板１の上面側から外部へのあるいはその逆で外部からシリコン基板１の上面側への不要電磁輻射ノイズを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の保護に用いる封止樹脂領域幅を低減し、半導体装置外形の小型化を図り得る半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＯＦ等の半導体装置１０には、配線パターン２・３が形成されたフイルム状のフレキシブル配線基板１に半導体チップ４が搭載されている。フレキシブル配線基板１と半導体チップ４との隙間に半導体チップ４の保護用の封止樹脂が充填されている。半導体チップ４の長辺側をノズルで描画して封止樹脂を充填するときにできる描画塗布跡６ｃの樹脂幅が０．１〜１．０ｍｍであり、かつ描画塗布跡６ｃの樹脂厚みが１０μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】記憶機能の信頼性の高い有機化合物を含む層を有する素子が設けられたフレキシブルな記憶装置及び半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の電極層及１０３び第２の電極層１０６からなる一対の電極間に有機化合物を含む層１０５を有する記憶素子と、当該記憶素子を有する素子層と、素子層上に形成される封止層１１１を有し、封止層１１１には吸湿材１０８が含まれている記憶装置及び半導体装置である。吸湿材１０８としては、溶融シリカ、結晶シリカ、アルミナ、窒化珪素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、ゼオライト、アルカリ土類金属の酸化物、硫酸塩、または高吸水性ポリマーの粒子で形成される。 （もっと読む）

【課題】形状保持性と作業性をともに向上させた電子部品封止用エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂、平均粒子径が１０μｍ以下の固体粒子状の硬化剤、無機充填材およびアマイド系ワックスを必須成分として含有する常温で液状の電子部品封止用エポキシ樹脂組成物であって、アマイド系ワックスがエポキシ樹脂に対して３〜１５質量％の範囲で配合されていることとする。 （もっと読む）

【課題】透明性、耐熱着色安定性に優れる発光素子用封止材組成物の提供。
【解決手段】式（１），式（２）および式（３）で表される化合物からなる群から選ばれた（メタ）アクリロイル基を有するポリシロキサンと、メルカプト基を有する有機化合物と、ラジカル開始剤とを含有する発光素子用封止材組成物。
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接触平坦化装置は、下シートアセンブリ、上シートアセンブリ、差圧アセンブリおよび硬化またはリフローアセンブリを含む。下シートアセンブリは、平坦化される回路基板を支持し、差圧アセンブリの作用により、それを上シートアセンブリの方へ偏らせる。上シートアセンブリは、差圧アセンブリの作用により、回路基板上のコーティングを平坦化するものであり、差圧アセンブリによって適用された真空力を通して、回路基板ステージの上、かつ、硬化またはリフローアセンブリの下に支持された可撓シートを含む。差圧アセンブリは、真空および圧力の応用を通して、回路基板上のコーティングを完全に平坦化するため相対的に下および上シートアセンブリを移動させる。差圧アセンブリは、上シートの上面の上に配置された上部圧力チャンバ、下シートの下面の下に配置された下部圧力チャンバ、および上シートの下面と下シートの上面との間に概して配置された中央圧力チャンバを含む。
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【課題】光半導体封止材および光半導体接着剤として用いられる熱硬化性樹脂組成物の提供。
【解決手段】イソシアヌル環に結合したジアルキルシロキサンオリゴマーを繰り返し単位とする重量平均分子量が１，０００〜１，０００，０００のイソシアヌル環含有重合体、ＳｉーＨ結合を含有したポリシロキサンおよび遷移金属を有する硬化触媒からなる、熱硬化性樹脂組成物。さらに該熱硬化性樹脂組成物を封止剤もしくは接着剤として用いた光半導体素子。 （もっと読む）

マイクロフォン組立品は、キャリヤと、シリコンベースのトランスデューサと、導電素子と、アンダーフィル剤とを備える。キャリヤは、電気的接触要素を保持する第１の面を有している。シリコンベースのトランスデューサは、置換可能なダイアフラムおよび電気的接触要素を備える。トランスデューサは、キャリヤの第１の面上に一定間隔で配置される。導電材料は、キャリヤの電気的接触要素とシリコンベースのトランスデューサとの間に電気的接触を得るように配置される。アンダーフィル剤は、シリコンベースのトランスデューサとキャリヤとの間の空隙に配置される。アンダーフィル剤は、４０ｐｐｍ／℃を下回るアンダーフィル熱膨張係数（ＣＴＥ）を有する。 （もっと読む）

【課題】導電性の異物によるバンプの短絡を防ぐ。
【解決手段】フィルタ素子２ａは、機械的振動が励振される機能部２２ａが形成された機能部形成面２５ａを基板３ａの素子搭載面３５ａとを向かい合わせ、フィルタ素子２ａの側のパット２１ａと基板３ａの側のパット３１ａとの間をバンプ４ａを介してフリップチップ接合することにより基板３ａへ実装される。フィルタ素子２ａは、樹脂封止剤５ａによりサイドフィル方式によって中空封止されている。さらに、フィルタ素子２ａの機能部形成面２５ａには、ダム（隔壁）６ａが形成されている。ダム６ａは、フィルタ素子２ａと基板３ａとの間の信号伝達経路となっているバンプ４１ａ〜４４ａの全てを内包する矩形の領域２５５ａと領域２５５ａを取り囲む領域２５６ａとを隔てている。 （もっと読む）

光感受性プリンテッドエレクトロニクス基板のための保護用フォトクロミックバリア層が提供される。絶縁基板１０上の光感受性半導体デバイス１２は、導電体によって電気的に接続されている。フォトクロミック染料２２を含むバリア層２０は、光感受性半導体デバイス１２の一部又は全てを覆う。可視光、赤外線光、又は紫外線光に晒されたとき、フォトクロミック染料２２はその化学的構造を変化させると共に、光感受性半導体デバイスに衝突する可視又は不可視光線の選択された波長の量を減少させる。可視光、赤外線光、又は紫外線光が除去されたとき、フォトクロミック染料２２は初期の化学構造に戻るか、或いは変化した状態のまま維持される。
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