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Fターム[4M109CA10]の内容

半導体又は固体装置の封緘、被覆構造と材料 (27,768) | 封止方法 (3,703) | コーティング(上記方法を除く) (361)

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【課題】ウエハーレベルチップサイズパッケージ等の低反り性が要求される電子部品装置に適用しても反りが小さく抑えられ、且つ強度、耐熱衝撃性、耐湿性等の信頼性並びに加工性等に優れた封止用液状樹脂組成物、及びこの封止用液状樹脂組成物で封止した素子を備えてなる電子部品装置及びウエハーレベルチップサイズパッケージを提供する。
【解決手段】 表面が無機化合物により被覆された多孔質シリカ粒子を含む無機充填剤(A)を含有してなる封止用液状樹脂組成物であって、前記封止用液状樹脂組成物の硬化物の25℃における弾性率が、6〜15GPaである封止用液状樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】良好な透明性はもちろん、金属部材に対する高い接着力を備えた光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】下記の(A)および(B)成分とともに、下記の(C)および(D)成分を含有する光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物である。
(A)エポキシ樹脂。
(B)酸無水物。
(C)ポリオルガノシロキサン。
(D)下記の構造式(d)で表される構造単位を少なくとも2個有するチオール化合物。
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【課題】封止材に配合されて封止材の線膨張係数を小さくし、なおかつ、封止材を低粘度に維持して侵入性を良好にする半導体封止材用充填剤およびこれを用いた半導体封止材組成物の提供。
【解決手段】無機物と、該無機物の表面に化学結合された、エポキシ樹脂と反応可能な官能基を有する有機層とを備えたことを特徴とする半導体封止材用充填材及びこの充填材と熱硬化性樹脂とからなる半導体封止材。エポキシ樹脂と反応可能な官能基はカルボジイミド基であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】電子部品実装部に実装された電子部品に対して、モールド樹脂から加わる応力を極力抑え、精度良く正確に被識別流体の識別を行うことのできる電子部品積層体およびリードフレームならびにリードフレームを備えた電子デバイス、またこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】電子部品積層体が、電子部品を実装するための電子部品実装部と、前記電子部品実装部に実装された電子部品と、前記電子部品に形成されたコーティング層と、から構成される。 (もっと読む)


【課題】脱泡性に優れ、硬化後に高い透明性の硬化物を与え、低コストで製造可能な硬化性シリコーン組成物を提供する。
【解決手段】(A)23℃における粘度が0.05〜1000Pa・sであり、1分子中にケイ素原子に結合したアルケニル基を平均0.2個以上有し、かつ、ケイ素原子に結合したフェニル基を有するポリオルガノシロキサン、(B)1分子中にケイ素原子に結合した水素原子を2個以上有するポリオルガノハイドロジェンシロキサン、(C)白金系触媒、および(D)23℃における粘度が1Pa・s以上であり、ケイ素原子に結合する有機基がアルキル基またはアルケニル基のポリオルガノシロキサンを含有し、前記(D)成分の配合量が、(A)成分100重量部に対して0.0001〜10重量部である。 (もっと読む)


【課題】画像特性に優れ、且つ、低コストで生産可能な光学デバイスを提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、半導体基板11の主面上に形成された撮像領域12と、電極部14bを有する周辺回路領域14aと、撮像領域12上に形成された複数のマイクロレンズ13とを有する固体撮像素子10と、電極部14bの各々に接続する複数の貫通電極17と、複数の貫通電極17の各々に接続する複数の金属配線18と、固体撮像素子10の表面に形成された接着部材15と、接着部材15を介して固体撮像素子10に接続された透明基板16とを備える。透明基板16の平面形状の大きさは、固体撮像素子10の平面形状の大きさよりも大きい。 (もっと読む)


【課題】半導体用ウエハーのアクティブ面や裏面のコーティングに特に有効であり、ウエハーの大口径化や薄型化に伴って課題となるコーティング膜の硬化後の反り量を著しく低減することができ、かつ、膜厚精度が良好であり、高強度のコーティング膜を形成することができる半導体封止用エポキシ樹脂無機複合シートを提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂及び充填剤並びに溶剤を含有するエポキシ樹脂組成物をキャリア材の表面に塗布し、これを加熱乾燥することによって得られる半硬化状態の半導体封止用エポキシ樹脂無機複合シートに関する。エポキシ樹脂組成物全量に対して、充填剤として、低弾性有機フィラーをX質量%(X=2〜15)及び無機フィラーを70−X〜90−X質量%用いる。キャリア材の表面に形成される半導体封止用エポキシ樹脂無機複合シートの厚みが5〜200μmである。 (もっと読む)


【課題】水分を捕捉すると共にこの水分を再放出させないエポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】液状エポキシ樹脂、UVカチオン硬化開始剤又は熱カチオン硬化開始剤、酸化カルシウム、酸化バリウム等のアルカリ土類金属酸化物が含有されているエポキシ樹脂組成物、及びこれを用いて電極材料又は発光デバイスを封止して成る樹脂封止装置が提供される。電子部品装置の内部に侵入してきた水分は、エポキシ樹脂組成物の硬化物中に分散されたアルカリ土類金属酸化物に出会うことで、トラップされるので、電子部品内部の電子デバイスを変質や腐食から防ぐことが可能となる。 (もっと読む)


【課題】機械的衝撃に強く、製品特性の安定した電子部品を提供する。
【解決手段】少なくとも、一平面に外部へ電気的に接続するための接続端子を有する電子部品をマトリックス状に設けたウエハ状の集合体1を準備し、前記電子部品の接続端子のある面をダイシング用シート2に対向させて前記集合体1を貼り付け、個々の電子部品3に分割し、個々に分割された前記電子部品3の接続端子を有する面を除く表面を保護材4で被覆した後、前記保護材4を被覆した電子部品3をダイシング用シート2から取り外す電子部品の製造方法とする。 (もっと読む)


【課題】半導体チップの破損を抑制すること。
【解決手段】本発明は、基板10と、基板10上にフェースアップで搭載され、基板10とボンディングワイヤ28で電気的に接続された第1半導体チップ20と、第1半導体チップ20にフリップチップボンディングされた第2半導体チップ30と、第2半導体チップ30の側面を覆い、第1半導体チップ20上面のボンディングワイヤ28が電気的に接続された領域が露出するように第1半導体チップ20の上面を覆う絶縁性樹脂部40と、第1半導体チップ20、第2半導体チップ30およびボンディングワイヤ28を封止する封止樹脂部50と、を具備する半導体装置およびその製造方法である。 (もっと読む)


【課題】トランジスタが高性能化されるとともに製品の信頼性が向上した半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体素子32と、半導体素子32の上部に設けられ、内側に空洞部38を形成する枠材36と、枠材36の周囲を覆うモールド樹脂層42と、を備える。枠材36は同一の樹脂を含む樹脂膜(第1樹脂膜57a,第2樹脂膜58a)から形成されている。空洞部38内に半導体素子32の能動領域34が露出している (もっと読む)


半田材料による混成された2つの部材をコーティングするための方法。
半田材料(6)により互いに関係付けられる二つの部材により構成されるコンポーネントの混成化された領域をコーティングするこの方法は、前記コンポーネントの混成された部材間で定められる空間を毛細管現象により充填することができるコーティング物質を、前記コンポーネントに近接して堆積することを含む。
前記物質に関して非可湿性の領域(10)が前記コンポーネントの下部部材(3)上の混成化領域の周辺上で、非可湿性領域は、前記物質に関して反湿潤であるカバーを堆積することにより、定められ、PECVDにより加えられ、且つ、前記第1部材上で、ハイブリッド化と一致して、コーティング物質のための湿潤表面(12)を定める。
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【課題】 樹脂成分の低揮発化による封止樹脂中に発生するボイドの対策、半導体チップと半導体チップを接合する構造(COC構造)において半田接続性が良好で信頼性、作業性に優れ、半導体装置の製造工程が簡略化可能な半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物及び該組成物で封止された半導体装置を提供する。
【解決手段】(A)液状ナフタレン型エポキシ樹脂又は液状ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂の1種又は2種以上から選択される液状エポキシ樹脂を70〜100質量%含有する液状エポキシ樹脂、(B)3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物を30〜80質量%以上含有する酸無水物硬化剤、(C)無機質充填剤を含有してなる液状エポキシ樹脂組成物、更には(D)フラックス剤を含有してなる液状エポキシ樹脂組成物により達成される。 (もっと読む)


【課題】硬化させた硬化物が優れた硬度を有し、トップビュー型光半導体素子の発光素子の封止に用いた場合、その製造過程で硬化物が損傷せず、熱サイクルでクラックや剥離が発生しにくい光半導体用封止剤、及び、これを用いてなるトップビュー型光半導体素子を提供する。
【解決手段】トップビュー型光半導体素子の発光素子の封止に用いられる光半導体用封止剤であって、分子内に環状エーテル含有基を有するシリコーン樹脂と、前記環状エーテル含有基と反応する熱硬化剤と、酸化ケイ素微粒子とを含有し、2mm厚の硬化物としたときに、該硬化物は、JIS K7215に準拠したタイプDで測定した硬度が20〜70であり、かつ、前記分子内に環状エーテル含有基を有するシリコーン樹脂と前記環状エーテル含有基と反応する熱硬化剤との混合物を硬化させて2mm厚の硬化物としたときに、該混合物の硬化物のJIS K7215に準拠したタイプDで測定した硬度が20未満である光半導体用封止剤。 (もっと読む)


【課題】耐熱性、耐光性、ハウジング材等への密着性が優れ、硬化させた硬化物が優れた透明性を有するとともに、高い屈折率を有する光半導体用封止剤、及び、これを用いてなる光半導体素子を提供する。
【解決手段】分子内に脂肪族炭化水素基或いはそのフッ素化物基と環状エーテル含有基を有するシリコーン樹脂と、前記環状エーテル含有基と反応する熱硬化剤とを含有する光半導体用封止剤であって、2mm厚の硬化物としたときに、該硬化物は、波長400nmの光の透過率が90%以上であり、かつ、屈折率が1.4以上である光半導体用封止剤。 (もっと読む)


【課題】硬化させた硬化物が、透明性、耐熱性及び耐光性に優れ、光半導体素子の封止剤として用いた場合に、ハウジング材への密着性に優れるとともに、長時間の使用条件下において黄変等の問題が生じることのない光半導体用熱硬化性組成物を提供する。また、該光半導体用熱硬化性組成物を用いてなる光半導体素子用封止剤、及び、光半導体素子を提供する。
【解決手段】分子内に環状エーテル含有基を有するシリコーン樹脂と、前記環状エーテル含有基と反応可能な熱硬化剤と、酸化防止剤と、下記一般式(1)で表される構造を有する硬化促進剤とを含有する光半導体用熱硬化性組成物。
[化1]


一般式(1)中、R〜Rは、フルロオ基、置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアルケニル基、置換されていてもよいアラルキル基、置換されていてもよいアリール基、置換されていてもよい脂環基を表し、これらは、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。また、Xは、N、S又はPを中心元素として有するカチオンを表す。 (もっと読む)


【課題】耐衝撃性と量産性に優れ、かつリペア、リワークが容易で、リペア後の回路基板上に接着剤などの残渣が残らず、リペア時の応力も極力かからない半導体装置実装構造体およびその製造方法ならびに半導体装置の剥離方法を提供する。
【解決手段】一方の主面11aに電極部11bを配列した半導体装置11と、半導体装置11の電極部11bとはんだバンプ12により電気的に接続される基板電極部13aを有する回路基板13とを備え、半導体装置11の少なくとも側面11cの一部と、回路基板13とが硬化性樹脂14により接着固定され、硬化性樹脂14と回路基板13との界面領域14aの少なくとも一部に熱膨張性粒子15が混入されている。 (もっと読む)


【課題】本発明は、優れた透明性、接着性、耐クラック性を有し、LED封止材として利用価値の大きい水酸基とエポキシ基とを含有する変性オルガノポリシロキサン、その製造方法、それを含有する組成物及び発光ダイオード封止用組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】下記平均組成式(I)で示され、かつ、下記(1)及び(2)を満たす変性オルガノポリシロキサン、該変性オルガノポリシロキサンの製造方法、それを含有する組成物及び発光ダイオード封止用組成物である。


(1)変性オルガノポリシロキサン1分子中に少なくとも2個の一価のエポキシ基含有有機基を含む。
(2)s/(q+r)=0.1〜0.5 (もっと読む)


【課題】従来のエポキシ樹脂硬化物の耐熱性及び脆さの問題を解決し、耐熱性、耐光性、吸湿性、密着性、無色透明性に優れると共に十分な強度を有する硬化物を与えることができ、特に短波長の光を発するLEDの封止材として有用な光学素子封止材用エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】(A)成分;脂環式エポキシ樹脂、(B)成分;ポリエーテルグリコールから得られるエポキシ樹脂、及び、(C)成分;酸無水物、酸無水物の変性物、及びカチオン重合開始剤から選ばれる1種又は2種以上の硬化剤を含有し、(A)成分の含有量が全エポキシ樹脂成分に対して99〜50質量%であり、(B)成分の含有量が全エポキシ樹脂成分に対して1〜50質量%である光学素子封止材用エポキシ樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】樹脂封止工程を実施する際に使用する樹脂シートの肉厚を集合基板の表裏面に印刷したダイシング・マークに印刷ずれを考慮して設定することにより、気密空間部への樹脂の浸入がなく、かつ、ダイシングによる端子電極等の切損を阻止可能とする。
【解決手段】圧電部品製造方法は、セラミック基板3にバンプ5付のSAWチップ2をフリップチップ実装する工程と、実装済の集合基板に樹脂シート6を加熱軟化して貼付け、更に加熱硬化にて樹脂封止する工程と、封止・硬化した実装済の集合基板の裏面にダイシング・マークを設け、該ダイシング・マークを用いて集合基板を個片1に切断する工程と、を備え、樹脂封止する工程前の樹脂シート6の厚みが、チップ寸法、表裏ずれ、切断しろ、SAWデバイス寸法、樹脂封止層厚等間の所定の関係式で規定される。 (もっと読む)


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