【課題】
Langmuir制限を越える高輝度が確実に得られる荷電流子線装置を得る事及びその様な装置の設計方法を確立する事。
【解決手段】
荷電粒子線源、荷電粒子引出し電極、及び荷電粒子制御電極を有する荷電粒子線装置で、Langmuir制限を越える高輝度を得るため、荷電粒子線源から放出されるビームを初段レンズの拡大率を調整することで、Langmuir limit をこえる最適輝度のビームにする。高輝度の利点は、２段以降のレンズでクロスオーバを縮小し、試料面にその縮小像を形成すれば保持出来る。
荷電流子線装置の設計は最適輝度をあらかじめ算出し、その輝度が得られるよう、初段レンズの拡大率を調整する。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子線の特性の維持に有利な描画装置を提供する。
【解決手段】この荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置は、荷電粒子線源２、４０と、荷電粒子線源２、４０から放射された荷電粒子線の一部を通過させる開口３０が形成された開口部材１１と、開口部材１１に設けられ、開口部材１１の開口３０以外の領域に向かう荷電粒子線が入射する複数の熱電変換素子３２と、開口部材１１に配置されて複数の熱電変換素子３２の出力を検出する検出部３４と、検出部３４の出力に基づいて、荷電粒子線源２、４０から放射された荷電粒子線の特性に関する制御を行う制御部６（３５）とを有する。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子線レンズアレイを構成する絶縁体表面が帯電することによって生じる荷電粒子線の収差を補正することが可能な荷電粒子線レンズアレイを提供する。
【解決手段】荷電粒子源から放射された複数の荷電粒子線の光学特性を制御する荷電粒子線レンズアレイは、絶縁体２Ａ、２Ｂを介して互いに光軸３の方向に離間して支持された複数の電極１Ａ、１Ｂ、１Ｃを有する。電極は荷電粒子線５が通過するための複数の貫通孔４を有する。複数の貫通孔の配置が、２つの並進ベクトルで規定されるそれぞれの基準位置８から、荷電粒子線レンズアレイ内で生じる荷電粒子線の収差を補正する方向にずれている。各貫通孔の基準位置からのずらし量は、基準位置が絶縁体の表面６Ａ、６Ｂに近い程大きく、絶縁体の表面から遠ざかるに従って小さくなる。 （もっと読む）

【課題】軸合わせの作業に訓練と経験を積んだ者でなくとも、容易にかつ精度良くエネルギー分析器の位置合わせを行うことができる技術を提供する。
【解決手段】エネルギー偏向器を備えたエネルギー分析器の軸合わせを行う方法において、試料を３次元的に移動可能な試料ステージに載置し、エネルギー偏向器の直前にスリットを備えた２次電子捕集器を設け、エネルギー偏向器に設けたスリットから特定の信号電子を通過させ、エネルギー偏向器を通してスペクトル強度を検出するとともに、２次電子捕集器により２次電子を捕集し、２次電子強度を検出し、両信号強度の比を算出する手法により、ｘ−ｙ平面で１次ビームを移動させ、ｘ−ｙ平面における位置に対する信号強度比の曲線を得て、ピーク位置を求めるとともに、試料をｚ方向に移動させ、ｚ方向の位置に対する信号強度比の曲線を得て、ピーク位置を求め、ｘ−ｙ平面におけるピーク位置とｚ方向におけるピーク位置で定まる点を最適点とする。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子線が照射される位置の安定性を容易に評価することができる変位検出回路を提供する。
【解決手段】ヘテロダイン干渉計と、該ヘテロダイン干渉計の基準信号と測定信号のそれぞれの光ビート回数をカウントするデジタルカウンタと、前記基準信号と前記測定信号との差分をとる減算器と、前記基準信号の波形の位相をシフトさせる位相シフト回路と、該位相シフト回路で位相シフトされた位相シフト信号の波形から特定の１つの信号波形を選択するスイッチ回路と、前記基準信号と前記測定信号との位相差を検出するゲートと、該ゲートの出力からヘテロダイン周波数の信号を取り除くローパスフィルタと、を構成とする。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子線装置において、短時間かつ高精度にビーム電流を測定することおよび設定することが可能な計測技術を提供すること。
【解決手段】荷電粒子源を試料に照射し、その試料から発生する信号を検出する荷電粒子線装置において、荷電粒子ビームを試料上に収束または照射する荷電粒子光学系と、荷電粒子線の走査によって試料から発生する信号を検出する検出手段と、荷電粒子ビームの電流を測定するための検出素子と、荷電粒子の走査を実現する偏向電極、あるいは偏向コイルを備え、これを制御する電圧もしくは電流を印加する制御部と、荷電粒子ビームの光学条件を記憶可能な演算装置を具備し、予めビーム電流のピーク電流が得られる条件を記憶しておくことで、光学条件に応じてビーム偏向範囲を参照することで、ビーム偏向を検出素子近傍のみに制限し、荷電粒子ビームの電流値を計測する。 （もっと読む）

【課題】試料ステージが傾いている場合や試料表面にうねりを有するような場合に起こり得る弊害を解消し、正確な画像を取得することができる荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子線装置において、試料８表面の傾きを検出する傾き検出手段２８、２９と、検出された試料８の傾きに応じて、照射荷電粒子線を試料８表面に垂直に照射させ、同時に照射光学系の光軸中心および結像光学系の光軸中心に荷電粒子線軌道を合わせる電界と磁界を重畳させたＥ×Ｂ偏向器５とを具備する。 （もっと読む）

【課題】本発明は対物レンズ絞り上で散乱する電子の量を制限し、主電子線軌道から外れ、分析点以外に照射される電子を制御することでシステムピークを抑制し、試料の元素スペクトルの信憑性または定量精度の高い走査電子顕微鏡または走査電子顕微鏡による試料検査方法を提供することである。
【解決手段】本発明は、電子線から放出された一次電子線を集束レンズで集束し対物レンズ絞りに照射し、コンデンサー絞りで該照射のビーム径を絞り、対物レンズの孔中心を通過し集束させ、前記電子線の照射によって試料から発生した二次電子または散乱電子を検出し前記試料を検査する際に、前記対物レンズ絞り、前記コンデンサー絞り及び前記集束レンズを含む電子光学系の有するシステムピーク強度を抑制するように前記ビーム径を定めることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明はエミッタアレイを用いた電子プローブ装置に関し、プローブの径を保持したままでプローブ電流を増加させる電子プローブ装置を提供することを目的としている。
【解決手段】リング状に並べられたＦＥエミッタアレイ１と、該ＦＥエミッタアレイ１のビームを回折面に集束させるためのレンズ２と、回折面に配置された絞り３と、該絞り３の絞り面の縮小像を試料６に照射させるための光学系５とからなり、装置のプローブ径を保ったままでプローブ電流値を増大させるように構成される。 （もっと読む）

【課題】ＦＩＭ像取得のためのシステムを導入することなく、エミッターの先端構造の確認を図ること。
【解決手段】チップ１にガスを供給し、引出電極４に電圧を印加し、チップ１からイオンビーム１１を放出する集束イオンビーム装置において、電圧を変化させ、イオンビーム１１の電流量を測定する電流測定部１１１と、電流測定部１１１で測定した測定データと標準データとを比較処理する処理部１１４とを備え、チップ先端構造を検査する集束イオンビーム装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】飛行時間型二次イオン質量分析装置において、試料へ照射される一次試料へ照射される一次ビームの広がりを、数値あるいは実験的で求め、この広がりをボケ関数として用い、画像復元することにより、ボケを低減する。
【解決手段】収束し短パルス化させたイオンビームまたはレーザービーム（一次ビーム）を試料表面へ位置を変えながら照射し、飛行時間型二次イオン質量分析計により取得した質量スペクトルから質量/電荷比ごとに信号強度を二次元表示した質量分析顕微鏡像の画像処理方法において、試料表面に到達する一次ビームの形状を理論的に、または実験的に求め、これをボケ関数として表現し、該ボケ関数を用いて画像を復元することである。 （もっと読む）

【課題】絶縁部及び導電部を含む回路パターンが形成された基板に対して、導電部であるべき部位が絶縁部となっている欠陥の検査を高精度に行うこと。
【解決手段】絶縁部及び導電部を含む回路パターンがその表層部に形成された基板（ウエハＷ）を真空容器２１内の載置台２２に載置する。次いで前記ウエハＷに対して電荷密度が６．７×１０^-３Ｃ／ｎｍ^２以下の電子線を照射し、前記電子線の照射により放出された２次電子を検出する。電子線の照射位置と載置台とを相対的に移動させて、ウエハＷの検査対象領域全体において、放出された２次電子の検出結果と、ウエハＷ上の電子線の照射位置とを対応付けたデータを取得し、このデータに基づいて、導電部であるべき部位が絶縁部となっている欠陥の有無を検査する。 （もっと読む）

【課題】ガスクラスターイオンビーム処理システムにおいて、空間電荷現象や試料帯電の低減および照射電流量の測定精度を改善する。
【解決手段】通気型ファラデーカップ３０２は、ガスクラスタイオンビーム１２８を受領する表面を有した導電性衝撃プレート３０８と、該衝撃プレート３０８を包囲し、その前方で延びてカップ形状を提供し、間隔を開けて配置された複数の同軸導電リング電極を含んだ通気型容器と、該衝撃プレート３０８によって回収された電流を電流測定システム３５８に導く導電手段と、を含んで構成されており、前記導電リング電極は少なくとも２体のリング電極で成る少なくとも３群で構成されて電気的に接続されており、それぞれの群は独立的にバイアスされており、本カップ内外への不都合な荷電粒子漏出を防止する。 （もっと読む）

【課題】本発明は荷電粒子ビーム描画方法及び装置に関し、可変ビームの断面のエッジにおけるビーム電流密度と、露光量裕度とを露光量決定に反映させ、被描画材料に形成されたレジストパターンの線幅線形性を向上させることを目的としている。
【解決手段】成形偏向器１２によりビーム断面寸法を変化させながら、電流検出部１７でビーム電流を測定し、ビーム電流とビーム断面積とからビーム電流密度分布を求め、ビーム電流密度分布に基づいて、ビーム断面寸法ごとにビーム断面のエッジにおけるビーム電流密度を決めるように構成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、人為的な判断基準を定量化し、当該定量化された判断基準に基づいて、荷電粒子線の軸調整の要否判断を行う荷電粒子線の光軸調整方法、及び装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、荷電粒子線を調節する光学素子の調整条件を変化させ、当該異なる調整条件にて複数の画像を取得し、取得された複数の画像の中から、その画質を許容できる画像、或いは許容できない画像を選択し、選択された画像に基づいて第１の画質評価値を取得し、当該取得された第１の画質評価値と、前記荷電粒子ビームの走査によって得られる画像から求められる第２の画質評価値とを比較し、当該第２の画質評価値が、第１の画質評価値以下、或いは当該第１の画質評価値を下回ったときに、光軸調整を行う方法、及び装置を提案する。 （もっと読む）

荷電粒子源（２０１０）及び荷電粒子光学コラム（２０４０）を含む荷電粒子光学系において荷電粒子ビーム（２１００）を位置合わせするシステム（２０００）及び方法であって、コラムの少なくとも１つの電極（２０５０、２０６０）が、複数のセグメントを含み、セグメントの少なくとも若干に異なる電位を印加して、荷電粒子源（２０１０）の傾斜誤差及び／又は変位誤差を補正し、またコラム（２０４０）の軸線（２０４５）に沿って粒子ビーム（２１００）を位置合わせする、システム（２０００）及び方法を開示する。代替的に、磁界発生素子が位置合わせに用いることができる。
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【課題】ビーム入射角を高精度で検出することができる小形軽量のビーム入射角検出センサユニット、ビーム入射角測定ユニット、ビーム入射角検出装置および移動装置を提供する。
【解決手段】ビームを遮蔽する第１のビーム遮蔽層本体に、ビームが入射可能の第１のスリット１１Ｃｂを形成した第１のビーム遮蔽層１１Ｃと、この第１のビーム遮蔽層１１Ｃに所定間隔を置いて対向配置される第２のビーム遮蔽層本体に、その平面方向に沿う横方向へ前記第１のスリット１１Ｃｂに対して相対的にずれた位置にて第２のスリット１２Ｃｂを形成した第２のビーム遮蔽層１２と、前記第１，第２のスリット１１Ｃｂ，１２Ｃｂから入射されたビームを検出するセンサ素子を有するセンサ層１３Ｃと、を具備している。 （もっと読む）

【課題】高速かつ頻繁なビーム電流測定を提供することが可能である荷電粒子ビーム装置及び方法を提供する。
【解決手段】 荷電粒子ビーム装置が記載されている。荷電粒子ビーム装置は、１次荷電粒子ビームを放射するために適合したエミッタと、２次および／または後方散乱荷電粒子が１次荷電粒子ビームの衝突時に放出される試料を保持するために適合した試料場所と、２次粒子および／または２次粒子を検出するために適合した検出ユニットと、１次荷電粒子ビームを検出ユニットに衝突させるため１次荷電粒子ビームを検出ユニットへガイドするために適合したビームガイドユニットとを含む。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、加工対象物を広範囲でかつ適切に加工することが可能なビーム加工装置を提供すること。
【解決手段】ビーム加工装置は、ワークの加工を行うためのビームを出射するビーム出射源３と、ビーム出射源３から出射されたビームが通過するビーム通過路８を有する真空チャンバー４と、ビーム通過路８に連通しビーム通過路８を通過したビームが通過する通過空間２０およびワークに向けてビームを出射する出射孔１７ａを有する局所真空チャンバー９と、ワークに照射されるビームの焦点を調整するために出射孔１７ａの下方に配置される被照射部材３５を有する焦点調整手段７とを備えている。このビーム加工装置１は、ビームを用いて真空チャンバー４および局所真空チャンバー９の外部の大気圧中に少なくとも一部が配置されるワークの加工を行う。 （もっと読む）

【課題】試料に対してビームを傾斜しても分解能低下の少ない荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】複数のレンズ６，７に対して一次ビーム４の軌道を軸外に通し、その軸外軌道を制御することにより、ビーム傾斜時に対物レンズ７で発生する収差を他のレンズ６の収差でキャンセルする手段を備え、対物レンズを含む複数のレンズの励磁を同時に変調する手段を設けた。 （もっと読む）