【課題】本発明は、デルタ構造のディスプレイに画像をレンダリングする方法に関する。
【解決手段】前記ディスプレイは、交差配置された複数の第１のサブピクセル群と第２のサブピクセル群とを備え、各第１のサブピクセル群は、第１色を有する第１のサブピクセルを備え、各第２のサブピクセル群は、第２色を有する第２のサブピクセル及び第３色を有する第３のサブピクセルを備えている。前記方法は、カラー画像を入力し；カラー画像を分析して、そのカラー画像のパターンを推定し；カラーテンプレートを決定し、当該カラーテンプレートは複数のサブピクセルを備え、一つのカラーテンプレートは少なくとも一つのパターンに対応し；強度分布図を生成し、強度分布図には、ディスプレイの第１のサブピクセル、第２のサブピクセル及び第３のサブピクセルの強度が含まれ、その強度はカラーテンプレートに基づいて生成され；強度分布図に基づいて、電気信号をディスプレイに出力する、ステップを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】画素電極の駆動素子として酸化物ＴＦＴを用いた表示装置の信頼性を向上させつつ、製造コストの低減を図ることを可能にした表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】画素電極および薄膜トランジタを有する複数の画素と、薄膜トランジタを駆動する信号線および走査線と、共通電極と、複数の画素と共通電極との間に配置される表示層とを備える表示部４を、第１のガラス基板２と第２のガラス基板３との間の間隙に設けた後、レーザ吸収能を有する封着用ガラス材料の焼成層からなる枠状の封着材料層１０にレーザ光１１を照射することによって、表示部４を封止する封着層９を形成する。 （もっと読む）

【課題】高品位な画像を表示可能な、大型の表示装置、画像処理装置および画像処理方法を提供する。
【解決手段】表示装置は、表示部と、縁部と、光学インターフェースと、画像処理部と、を備える。前記縁部は、前記表示部の周囲に配置される。前記光学インターフェースは、前記表示部の一部と前記縁部の少なくとも一部とを覆い、前記表示部の一部に表示される画像を伸長して表示する。画像処理部は、入力画像の一部を前記光学インターフェースの伸長特性を考慮して圧縮し、前記入力画像の他の一部と、圧縮された画像と、を前記表示部に表示させる。 （もっと読む）

【課題】エージング時間を短縮しつつ、スループットを向上できる表示装置の提供
【解決手段】表示装置１は、有機ＥＬ素子４０と、有機ＥＬ素子４０に電力を供給する電源部１０と、有機ＥＬ素子４０と電源部１０との間の電力供給路に設けられ、輝度信号を受け電流を有機ＥＬ素子４０に流す画素回路３０と、画素回路３０に輝度信号を出力すると共に、有機ＥＬ素子４０をエージングするエージングモード、および有機ＥＬ素子４０を用いた映像表示モードのいずれかで選択的に動作する制御部２０とを備える。電源部１０が出力する電源電圧は、エージングモードおよび映像表示モードにおいて同一であり、制御部２０は、エージングモードでの有機ＥＬ素子４０の発光輝度が、映像表示モードでの最大発光輝度よりも大きくなるように、エージングモードでの輝度信号に示される発光素子の発光輝度を設定する。 （もっと読む）

【課題】第１画素とこの第１画素と異なる領域に形成された第２画素とを有する発光素子において、下部電極のレイアウトを簡単にすることができると共に、第１、第２画素の見栄えが互いに異なることを抑制することができる発光素子を提供する。
【解決手段】第１画素Ａの第１下部電極２０ａと第２画素Ｂの第２上部電極２２ｂとを電気的に接続し、第１画素Ａの第１上部電極２２ａと第２画素Ｂの第２下部電極２０ｂとを電気的に接続する。これによれば、外部回路と接続される下部電極を１つにすることができ、下部電極のレイアウトが複雑になることを抑制することができる。また、第１画素Ａの第１下部電極２０ａと第２画素Ｂの第２下部電極２０ｂとを立体交差させる必要もなく、第１、第２画素Ａ、Ｂの見栄えが互いに異なることを抑制することもできる。 （もっと読む）

【課題】携帯性とディスプレイ拡張性とを備えた携帯端末機及び携帯端末機の駆動方法が提供される。
【解決手段】閉じ状態で、第２本体２００のディスプレイ２２０が出力する映像が第１本体１００の透明ディスプレイ１２０を通じて透過し、開き状態で、透明ディスプレイ１２０とディスプレイ２２０とは独立して映像を出力し又は組み合わさることにより１つの映像を表現する関連した映像をそれぞれ１つに合わせた形態で映像を出力する。これによって、携帯性及びディスプレイの拡張性を有する携帯端末機を提供できる。 （もっと読む）

【課題】消費電力が抑制された表示装置を提供することを課題の一とする。また、消費電力が抑制された自発光型の表示装置を提供することを課題の一とする。また、暗所でも長時間の利用が可能な、消費電力が抑制された自発光型の表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】高純度化された酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタで回路を構成し、画素が一定の状態（映像信号が書き込まれた状態）を保持することを可能とする。その結果、静止画を表示する場合にも安定した動作が容易になる。また、駆動回路の動作間隔を長くできるため、表示装置の消費電力を低減できる。また、自発光型の表示装置の画素部に蓄光材料を適用し、発光素子の光を蓄えれば、暗所でも長時間の利用が可能になる。 （もっと読む）

【課題】限られた画素サイズの中でブートストラップ比を大きく設定することで、消費電力を増やすことなく、画質の向上を図る。
【解決手段】第１，第２，第３電極２４Ａ，２４Ｂ，２４Ｃによって第１，第２容量２４−１，２４−２を形成し、これら第１，第２容量２４−１，２４−２を電気的に並列に接続することによって保持容量２４を形成する。そして、第１電極２４Ａと第３電極２４Ｃとの間において、絶縁平坦化膜２０３を除去して第２容量２４−２の容量値を大きくし、保持容量２４の容量値Ｃｓを大きくすることで、限られた画素サイズの中でブートストラップ比を大きく設定する。 （もっと読む）

【課題】シールからの水分浸入を減少させることを目的とする。
【解決手段】一対のマザー基板１０，１２の間に、複数の空間１４をシール１６によって区画する。一対のマザー基板１０，１２を切断することで複数のセル２６を切り出す。シール１６は、隣同士の空間１４の間の領域を埋めるように配置される。シール１６には、隣同士の空間１４の間の領域に、シール１６よりも硬くて透湿性が低い材料からなる低透湿層２０が積層される。一対のマザー基板１０，１２の少なくとも一方には、隣同士の空間１４の間の領域に、シール１６の長さに沿って延びて間隔をあけて配置された一対の凸条部２２が、シール１６及び低透湿層２０に重なる位置に形成される。一対のマザー基板１０，１２を切断する工程では、一対のマザー基板１０，１２とともに、一対の凸条部２２の間で、シール１６及び低透湿層２０を切断する。 （もっと読む）

【課題】大型化に適した薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタアレイ基板、フレキシブル表示素子、フレキシブル表示装置及び薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】フレキシブルな樹脂基板６０に形成された薄膜トランジスタ２００であって、周面の一部又は全部が導電性材料２０により覆われたワイヤー１０と、前記導電性材料を覆う絶縁膜３０と、該絶縁膜を介して前記導電性材料上に形成された薄膜半導体４０と、が一体的に構成されたゲート・チャネル一体形成部５０を有し、該ゲート・チャネル一体形成部が前記樹脂基板の表面上又は内部の所定位置に設けられ、前記薄膜半導体の両側に第１及び第２の電極７０、８０が接続されて形成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】隣接する画素間のリーク電流を低減することの可能な表示パネル、表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】表示パネルは、表示領域に複数の画素を備えている。各画素は、有機ＥＬ素子と、有機ＥＬ素子を駆動する画素回路とを有している。有機ＥＬ素子は、アノード電極と、カソード電極と、アノード電極とカソード電極との間に設けられた有機層とを有している。アノード電極の側面は、当該アノード電極のカソード電極側の断面積が当該アノード電極のカソード電極とは反対側の断面積よりも大きくなるような構造となっている。 （もっと読む）

【課題】ＯＬＥＤ１３０における特性がばらつきに起因する表示ムラを抑える。
【解決手段】画素回路１１０は、ゲート・ソース間の電圧に応じた電流を供給するトランジスター１２１と、トランジスター１２１のゲート・ソース間の電圧を保持する保持容量１４３と、供給された電流に応じた輝度で発光するＯＬＥＤ１３０と、トランジスター１２１とＯＬＥＤ１３０との間に電気的に介挿されたトランジスター１２６と、走査線１２に供給された走査信号に応じて、データ線１４に供給されたデータ信号に応じた電位をトランジスター１２１のゲートノードｇに供給するトランジスター１２２とを含む。ＯＬＥＤ１３０を発光させるとき、トランジスター１２６のゲートを、走査信号の論理レベルにおけるＨレベルとＬレベルとの中間電位とする。 （もっと読む）

【課題】工程数が少なく、且つ、材料の利用効率が向上した駆動用回路基板およびその製造方法並びに表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】本開示の表示装置は、一対のソース・ドレイン電極と、チャネル領域を形成すると共に、ソース・ドレイン電極に接して設けられた有機半導体層と、ソース・ドレイン電極まで貫通する貫通孔を有すると共に、有機半導体層およびソース・ドレイン電極上に設けられた少なくとも１層からなる絶縁層と、チャネル領域に対応する位置に設けられたゲート電極と、貫通孔を介して前記ソース・ドレイン電極に電気的に接続されると共に、ゲート電極と同一材料、且つ、同一膜厚で絶縁層上に設けられた画素用電極とを備える。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、保持容量を十分に確保することができ、高品質な画像を表示可能とする。
【解決手段】ゲート電極３０ｇと電気的に接続された走査線３ａと、データ線側ソースドレイン領域３０ｓと電気的に接続されたデータ線６ａと、画素電極側ソースドレイン領域３０ｄと電気的に接続された画素電極２７と、容量線３ｂに電気的に接続された第１容量電極１６ａと、第１容量電極１６ａと対向して設けられた第２容量電極１６ｃと、第１容量電極１６ａと第２容量電極１６ｃとに挟持された誘電体層１６ｂと、を有する容量素子１６と、を備え、層間絶縁膜１１ｅに設けられた複数の第１コンタクトホールＣＮＴ４を介して第１容量電極１６ａと容量線３ｂとは電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】周辺領域に形成された配線で反射する光の迷光を減らすことを目的とする。
【解決手段】表示装置は、光の透過及び遮蔽を制御して画像を表示するための表示パネル１０と、表示パネル１０に重ねられて光を供給するためのバックライト１２と、を有する。表示パネル１０は、画像が表示される表示領域２６及び表示領域２６の外側の周辺領域２８を含む基板１６を有する。基板１６は、バックライト１２側を向く下面及びバックライト１２とは反対側を向く上面を有する。基板１６の上面には、周辺領域２８に配線３０が形成されている。配線３０の基板１６側を向く面の少なくとも一部は、基板１６の下面に対する法線から基板１６の外側の方向に斜めに傾いている。 （もっと読む）

【課題】有機電子デバイスにおいて、仕事関数を制御することにより、電極から有機半導体への電荷注入障壁をより小さくすることが可能となる銀ナノ粒子を適用した電極及びそれを用いた有機電子デバイスを提供する。
【解決手段】平均粒径が３０ｎｍ以下であり、沸点が１００〜２５０℃の範囲内にある中短鎖アルキルアミンと沸点が１００〜２５０℃の範囲内にある中短鎖アルキルジアミンを主成分とする保護分子により覆われた銀ナノ粒子を有機電子デバイス用電極として用いる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、平坦性に優れた樹脂層付きキャリア基板を用いた、生産性に優れた電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ガラス基板と電子デバイス用部材とを含む電子デバイスの製造方法であって、易剥離性を示す表面を有する剥離性補助基板を準備する補助基板準備工程と、剥離性補助基板と、未硬化の硬化性樹脂組成物層と、キャリア基板とをこの順で有する硬化前積層体を形成する第１の積層工程と、硬化前積層体中の未硬化の硬化性樹脂組成物層を硬化する硬化工程と、硬化後積層体から樹脂層付きキャリア基板を分離して得る第１の分離工程と、樹脂層表面上にガラス基板を剥離可能に積層する第２の積層工程と、ガラス基板の表面上に電子デバイス用部材を形成し、電子デバイス用部材付き積層体を得る部材形成工程と、電子デバイス用部材付き積層体から、電子デバイスを分離して得る第２の分離工程と、を備える電子デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明では、信頼性の高い表示装置を低いコストで歩留まり良く製造するこ
とができる技術を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、画素電極層上にスペーサを形成し、電界発光層形成時のマス
クから画素電極層を保護する。また、透水性を有する有機材料を含む層を表示装置の中に
シール材で封止し、かつシール材と有機材料を含む層が接しないため、発光素子の水等の
汚染物質による劣化を防ぐ事ができる。シール材は表示装置の駆動回路領域の一部に形成
されるため表示装置の狭額縁化も達成できる。 （もっと読む）

【課題】開口率の高い表示装置又は素子の面積の大きい半導体装置を提供することを課題
とする。
【解決手段】隣接する画素電極（又は素子の電極）の間に設けられた配線との下方にマル
チゲート構造のＴＦＴのチャネル形成領域を設ける。そして、複数のチャネル形成領域の
チャネル幅の方向を前記画素電極の形状における長尺方向と平行な方向とする。また、チ
ャネル幅の長さをチャネル長の長さよりも長くすることでチャネル形成領域の面積を大き
くする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜の被形成面近傍に含まれる不純物の濃度を低減する。また、酸化物半導体膜の結晶性を向上させる。該酸化物半導体膜を用いることにより、安定した電気特性を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極を覆い、シリコンを含む酸化物を含むゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜と接し、少なくとも前記ゲート電極と重畳する領域に設けられた酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と接続するソース電極およびドレイン電極と、を有し、酸化物半導体膜における、ゲート絶縁膜との界面からの厚さが５ｎｍ以下の第１の領域において、シリコンの濃度が１．０原子％以下であり、酸化物半導体膜の第１の領域以外の領域に含まれるシリコンの濃度は、第１の領域に含まれるシリコンの濃度より小さく、少なくとも第１の領域内に、結晶部を含む半導体装置である。 （もっと読む）