【課題】書き換え回数が十分に維持され、高速で再現性良く記録・再生が可能な透明磁性膜とその再生方法、透明磁性膜の製造方法及び磁化パターンを提供する。
【解決手段】支持体上に、分散剤で覆われたチタニアナノシート(透明且つ印加磁界により支持体面に対し垂直方向に磁気異方性を発現可能なもの)と水溶性高分子を含む分散液を塗工法又は印刷法により連続膜形状又はパターン膜形状で設け磁界を印加(、磁力線方向が支持体に平行)しながら乾燥してチタニアナノシート積層膜を形成（例えば、波長依存性を有する複数のナノシートを分割配置又は厚さ方向積層して形成）して透明磁性膜とする。透明磁性膜に情報を磁化パターンとして磁気又は／及び光により記録・再生する。 （もっと読む）

【課題】パターンド媒体及びその製造方法において、パターンド媒体の表面を簡単、且つ、安価に平坦化することを目的とする。
【解決手段】表面が平坦な仮基板上にカバー層を形成し、カバー層上にパターン化された記録層を形成し、記録層上に補強層を形成し、補強層上に本基板を接合し、本基板を補強層上に接合後に仮基板を除去するように構成する。 （もっと読む）

【課題】 垂直磁気記録媒体におけるＮｉ−Ｗ−Ｐ，Ｚｒ系中間層膜用合金および薄膜製造用スパッタリングターゲット材、およびこれを用いて製造した薄膜を提供する。
【解決手段】 ａｔ％で、Ｗを１〜２０％、Ｐおよび／またはＺｒを合計０．１〜１０％を含み、残部Ｎｉからなる垂直磁気記録媒体におけるＮｉ−Ｗ−Ｐ，Ｚｒ系中間層膜製造用スパッタリングターゲット材。また、上記スパッタリングターゲット材はガスアトマイズ法により作製した原料粉末を固化成形したもの、およびそれら上記スパッタリングターゲット材を用いて製造したＮｉ−Ｗ−Ｐ，Ｚｒ系薄膜。 （もっと読む）

【課題】本発明は、媒体保護層の成膜時に加熱しても、保磁力Ｈｃと信頼性の両方を、より高いレベルで両立させることが可能な垂直磁気記録媒体の製造方法および垂直磁気記録媒体を提供することを目的としている。
【解決手段】ディスク基体１１０上に少なくとも、柱状に成長した結晶粒子の間に非磁性の粒界部を形成したグラニュラー構造の強磁性層である磁気記録層１２２ｂと、水素化カーボンを主成分とする媒体保護層１２６とを、この順に備える垂直磁気記録媒体１００の製造方法において、磁気記録層１２２ｂを、粒界部が複数の種類の酸化物を含有するように成膜する磁気記録層成膜工程（ステップＳ３１０）と、磁気記録層１２２ｂが成膜されたディスク基体１１０を１６０〜２００℃に加熱した状態で媒体保護層１２６を成膜する媒体保護層成膜工程（ステップＳ３３０）とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明はイオン注入により磁気パターンを形成する磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録媒体及び磁気記録再生装置に関し、少ないイオン注入量で磁気記録領域と分離領域とを形成することを課題とする。
【解決手段】ガラス基板２上に形成された磁性層６に、磁気記録領域９Ａと分離領域１０とを有する磁気記録媒体であって、分離領域１０は、前記磁気記録領域９Ａと分離領域１０との境界位置に形成され、磁気記録不能な特性を有する第１の分離領域部１０Ａと、この第１の分離領域部１０Ａに囲繞された磁性層６の表面に形成された第２の分離領域部１０Ｂと、前記第１及び第２の分離領域部１０Ａ，１０Ｂの内部に位置し磁性層６と同一磁気特性を有する内部領域１２とを有する。 （もっと読む）

【課題】製造方法が簡便であり、かつ、良好な記録再生特性を示すパターン型磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】強磁性結晶粒子と酸化物からなる結晶粒界で構成された第一磁気記録層２４と酸化物を含まない第二磁気記録層２６を有する磁気記録媒体の第二磁気記録層２６の前駆層に、イオン注入法を用い、強磁性元素のイオンを注入することで、イオン注入部位の強磁性元素の原子含有率を増加させる。この方法により、第二磁気記録層２６において磁気記録領域となる強磁性元素の原子含有率の相対的に大きい領域４０と相対的に小さい領域４２とが基板面内方向に周期的に存在するパターン型磁気記録媒体を作製する。イオン注入に伴うイオン注入部の体積増加のため、強磁性元素の原子含有率の相対的に大きい領域４０表面の基板表面からの距離は、強磁性元素の原子含有率の相対的に小さい領域４２表面のそれと比較して大きくなる。 （もっと読む）

【課題】イオン照射によって軟磁性層の磁気特性が損なわれない軟磁性層を備えた磁気記録媒体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】磁気記録媒体Ａは、基板１と、基板１上に設けられた軟磁性層２と、軟磁性層２上に設けられ、磁性部５ａとイオン照射により非磁性化された非磁性部５ｂとを有した記録層５と、記録層５と軟磁性層２との間には、上記イオン照射に用いられるイオンよりも重い元素を含むイオン制御層４と、が設けられている。 （もっと読む）

【課題】耐候性及び高記録密度を共に有する磁気記録媒体を提供すること。
【解決手段】本発明の磁気記録媒体２は、ＳｍＣｏ系磁性微粒子１２と、疎水性バインダと、を少なくとも含む磁性層６を備え、ＳｍＣｏ系磁性微粒子１２が、ＳｍＣｏ系ナノ粒子からなるコア１４と、コア１４の表面の少なくとも一部を被覆する親水性高分子１６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】耐候性を有するＳｍＣｏ系磁性微粒子、及び耐候性及び高記録密度を共に有する磁気記録媒体を提供すること。
【解決手段】本発明のＳｍＣｏ系磁性微粒子１２は、ＳｍＣｏ系ナノ粒子１４と、ＳｍＣｏ系ナノ粒子１４の表面の少なくとも一部を被覆する疎水性高分子１６と、を備える。また、本発明の磁気記録媒体２は、ＳｍＣｏ系磁性微粒子１２と、疎水性バインダと、を少なくとも含む磁性層６を備え、ＳｍＣｏ系磁性微粒子１２が、ＳｍＣｏ系ナノ粒子１４と、ＳｍＣｏ系ナノ粒子１４の表面の少なくとも一部を被覆する疎水性高分子１６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】従来の素子作製に用いられてきたスパッタリング法やメッキ法などに起因した諸問題を解決し、ナノスケールの極微小化した素子作製の基本となる、新規な金属含有構造体の形成方法、さらには、この形成方法を発展させた新規な金属含有積層体の形成方法を提供する。
【解決手段】（R−C≡C⁻−M^＋）_m、又は（（R−C≡C⁻）₂−M’²⁺）n、（ここで、M＝Cu、AgまたはAu、M’＝Fe，CoまたはNi、m及びnは整数、Rはメチル（−CH₃）基や３級ブチル（−C（CH₃）₃）基などの炭化水素基）の形を持つ有機金属アセチリドクラスター化合物を準備し、前記有機金属アセチリドクラスター化合物に対して光照射を行い、前記有機金属アセチリドクラスター化合物を光励起して、エチニルアニオンと金属カチオンとを生成するとともに、前記エチニルアニオンと前記金属カチオンとの間における電荷移動を通じて中性化を生ぜしめ、金属原子クラスターを生成する。 （もっと読む）

【課題】寸度安定性に優れた磁気記録媒体を提供すること、および、寸度安定性に優れた磁気記録媒体を安定生産するための手段を提供すること。
【解決手段】非磁性支持体上に、非磁性粉末と結合剤とを含む非磁性層と強磁性粉末と結合剤とを含む磁性層とをこの順に含む塗布層を有する磁気記録媒体。前記非磁性支持体は、ポリエステルと、該ポリエステルと相溶性を有するポリマーとを混合および／または共重合させて得られた樹脂を主成分とし、ガラス転移温度が８０℃以上１２５℃未満であって、かつエンタルピー緩和に基づく吸熱ピークは０．５〜２．０Ｊ／ｇの範囲である。 （もっと読む）

【課題】粒子を小さくしても粒子同士の凝集を防止することができる、金属磁性粉末およびその製造方法を提供する。
【解決手段】金属磁性粉末の製造方法は、形状保持や焼結防止のために非磁性成分が添加された原料粉末を焼成した後に還元して、鉄または鉄とコバルトを主成分として含有し且つ形状保持や焼結防止のために添加された非磁性成分を含有する金属磁性粉末を製造する金属磁性粉末製造工程と、この金属磁性粉末の表層部の非磁性成分を溶出除去する溶出処理工程と、表層部の非磁性成分を溶出除去した後の金属磁性粉末の表面に有機物を付着させる有機物処理工程と、有機物を付着させた金属磁性粉末の表面に酸化膜を形成する酸化処理工程と、酸化膜を形成した金属磁性粉末を還元処理した後に酸化処理する再還元・安定化処理工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】特定の強磁性層の膜厚および磁気特性を選択的に評価する手法を提供し、それを用いた評価結果を製膜工程にフィードバックすることで、量産時に安定した磁気特性を有する垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】非導電性基板上に軟磁性層と、酸化物を含有する第１強磁性層と、第２強磁性層と、保護層を製膜して媒体を形成する工程（１０４）と、前記媒体をサンプリングし、カー効果測定により磁気特性を評価する第１評価工程（１０８）と、第１評価工程において、磁気特性が目標値の範囲外となった場合、当該媒体をホール効果測定による評価を行い、第２強磁性層の膜厚および磁気特性を選択的に評価する第２評価工程（１１２）と、を有し、第２評価工程の評価結果を媒体形成工程（１０４）にフィードバックし、媒体の磁気特性が仕様範囲になるように第２強磁性層の製膜条件を制御する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、垂直磁気記録媒体における中間層膜として用いるＮｉ−Ｗ−Ｂ系スパッタリングターゲット材合金およびこれを用いて製造した薄膜を提供する。
【解決手段】 ａｔ％で、Ｗ：１〜２０％，Ｂ：０．１〜１０％を含み、残部Ｎｉおよび不可避的不純物からなる垂直磁気記録媒体における中間層膜製造用Ｎｉ−Ｗ−Ｂ系スパッタリングターゲット材。また、上記スパッタリングターゲット材をガスアトマイズ法により作製した原料粉末を固化成形したことを特徴とする垂直磁気記録媒体における中間層膜製造用Ｎｉ−Ｗ−Ｂ系スパッタリングターゲット材の製造方法。さらに上記のスパッタリングターゲット材を用いて製造したＮｉ−Ｗ−Ｂ系薄膜。 （もっと読む）

【課題】その鋳込み成形時の鋳込み口あたりの早期凝固、及び、それによりその鋳込み成形されたビレットの鋳込み口あたりに生じる鋳込み巣をなるべく存在させないスパッタリングターゲット材の製造方法を提供することをその目的とする。
【解決手段】基材金属と添加金属とを溶融混練してから鋳込み成形をし、スパッタリング用ターゲット材を製造する方法において、前記溶融混練によりなる合金溶液を前記鋳込みをする鋳型に流し込ませる際、前記鋳型を冷却しながら前記鋳型の鋳込み口あたりを加熱し、鋳込み成形時の前記鋳込み口あたりの早期凝固及び鋳込み巣の発生を抑えることを特徴とするスパッタリング用ターゲット材の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】磁気記録層の記録再生時のノイズを抑えつつ、適切な保磁力Ｈｃを有するよう、補助記録層を改善し、さらに、補助記録層が、生産の再現性、量産性を得られるだけの十分な厚さを有する、垂直磁気記録媒体を提供。
【解決手段】少なくともコバルト（Ｃｏ）を含有する結晶粒子の間に粒界部を形成する非磁性物質を含むグラニュラー構造の磁気記録層２２と、磁気的に連続した薄膜からなる補助記録層２４とを備える垂直磁気記録媒体１００において、補助記録層２４はコバルト、クロム（Ｃｒ）、プラチナ（Ｐｔ）を含有する単層からなり、補助記録層２４の膜厚は４〜１２ｎｍであり、当該垂直磁気記録媒体のＳ／Ｎ比は１７〜２５（ｄＢ）であり、当該垂直磁気記録媒体の保磁力は３５００〜５０００（Ｏｅ）であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】固定砥粒を貼り付けた定盤のウネリを効率よく的確に修正することで、平滑性に優れた磁気ディスク用ガラス基板を製造し、かかる磁気ディスク用ガラス基板から磁気ディスクを製造する。
【解決手段】ダイヤモンド粒子を含む固定砥粒が研削面に配備された定盤を用いてガラス基板の主表面を研削する研削工程を行った後、研削に用いたキャリヤ１１０とガラス修正リング２０２Ａとを置換して、研削工程と同様の処理を行う。これにより、定盤の研削面のウネリを除去し、平滑性を修正する。ガラス製修理リング２０２Ａは、外周にギヤを有するキャリヤ２１０Ａ、２１０Ｂに保持された遊星歯車として機能し、金属製の心材２２０Ａ、２２０Ｂの上下にガラスを貼り付けたものであり、研削対象であるガラス基板より厚い修正面を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】第１強磁性薄膜とＮｉを主成分とする第３強磁性厚膜間の密着力を向上させ、磁性層破損の生じない磁気転写用マスター担体を提供する。
【解決手段】所望の情報に応じた凹凸パターンを表面に有する基板に対して、該基板の凹凸パターン上に第１強磁性薄膜（Ｆ１）を形成し、この第１強磁性薄膜（Ｆ１）上に該第１強磁性薄膜（Ｆ１）を電導層として第３強磁性厚膜（Ｆ３）を電気メッキにより形成し、これを前記凹凸パターンを有する基板から剥離することで転写情報担持面の形成された磁気転写用マスター担体を得る磁気転写用マスター担体の製造方法であって、基板表面に凹凸パターンをレジストにより形成し、第３強磁性厚膜（Ｆ３）を、凹凸パターンによる凹凸を有する第１強磁性薄膜（Ｆ１）上に形成し、基板から剥離した後に第１強磁性薄膜（Ｆ１）に付着したレジストを除去することで凹凸状の転写情報担持面を形成する。 （もっと読む）

【課題】微細構造、面内配向性を両立させて低ノイズ化を図ると共に、良好な被ライト性能を実現した高出力の磁気記録媒体を提供すること。
【解決手段】磁気記録媒体において、CoCrPtB合金からなる記録磁性層を上下二層に別け、下層を高Cr、低Bとし、上層を低Cr、高Bとすることで、低ノイズ化と高出力化を図り、さらに、上層を上下二層に別け、中間層(低Cr、高B層の下層)を高Ptとし、最上層(低Cr、高B層の上層)を低Ptとすることで、膜全体の異方性磁界を増大させずに、面内配向性を改善することができ、低ノイズ化と良好な被ライト性能を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】磁性結晶粒子が互いに面内方向で空隙により分離された構成の記録層を有する垂直磁気記録媒体において、磁性結晶粒子の粒子サイズの面内分散を低減する。
【解決手段】垂直磁気記録媒体は、基板（１１）と、第１下地層（１５）と、記録層（１７）と、前記第１下地層と記録層の間に挿入される結晶粒サイズ抑制層（１９）を備える。第１下地層は、基板に対して垂直方向に延びるＲｕ又はＲｕ合金の結晶粒子（１５ａ）と、前記結晶粒子を面内方向で互いに隔てる空隙部（１５ｂ）を含む。記録層は、前記基板に対して垂直方向に延びる磁性結晶粒子（１７ａ）と、前記磁性結晶粒子を面内方向で互いに隔てる空隙部（１７ｂ）を含む。前記結晶粒サイズ分散抑制層（１９）は、前記基板に対して垂直方向に延びるＣｏ基合金結晶粒子（１９ａ）と、前記Ｃｏ基合金結晶粒子を面内方向で互いに隔てる酸化物（１９ｂ）とを含む。 （もっと読む）