【課題】複数個取りの基板から、個々の抵抗器を打ち抜く際に抵抗値調整を行うことができる抵抗値調整方法を提供する。
【解決手段】金属板を抵抗体２とし、列状の絶縁層６が形成され、その領域が抵抗体領域である。抵抗体領域に等間隔に抵抗値調整孔４が形成される（Ａ）。抵抗器の打ち抜き領域７は、（Ｂ）では、図示の位置より下方の位置であれば、抵抗値は大きくなるので、切り出し位置の調整によって、切り出される抵抗器の抵抗値を調整することができる。最初の打ち抜き位置の算出は、固有抵抗値を測定して行うが（Ｃ）、次は、打ち抜いた抵抗器１ａの抵抗値を測定する。次に打ち抜く抵抗器の打ち抜き位置は切り出し領域７ｂ（Ｄ）に入り込む抵抗値調整孔４ｂが入り込む長さに対応するから、打ち抜き位置が算出でき、算出した打ち抜き位置で打ち抜きを行う。 （もっと読む）

【課題】単一の軸線を有する保持孔が形成された弾性部材を備えて成る保持治具を高い生産性で製造することのできる保持治具の製造方法を提供すること。
【解決手段】厚さ方向に貫通する支持孔１１が形成された補強部材５と、厚さ方向に貫通する保持孔１５が形成された弾性部材６とを備え、保持孔１５が支持孔１１の内部を通るように補強部材５が弾性部材６に埋設されて成る保持治具１の製造方法であって、補強部材５を埋設するように成形された弾性体７に有底穴１７を支持孔１１の軸線Ｃに沿って少なくとも支持孔１１を通過するまで形成する工程と、弾性体７を有底穴１７が貫通するまで除去して前記保持孔１５を形成する工程とを有することを特徴とする保持治具１の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高精度の抵抗値が得られる回路保護素子の製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明の回路保護素子の製造方法は、絶縁基板１１の上面の両端部に形成された一対の上面電極１２と電気的に接続されるエレメント部１３を形成する工程と、前記エレメント部１３にレーザによって溶断部形成用トリミング溝１６ａ〜１６ｆおよび抵抗値調整用トリミング溝１７ａ，１７ｂを形成する工程と、前記エレメント部１３を覆うように絶縁層１５を形成する工程とを備え、前記抵抗値調整用トリミング溝１７ａ，１７ｂのうち少なくとも最後に形成する抵抗値調整用トリミング溝１７ｂの形成時のレーザ出射繰り返し周波数を、前記溶断部形成用トリミング溝１６ａ〜１６ｆの形成時のレーザ出射繰り返し周波数より低くなるように設定したものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、過負荷特性の劣化を防止できる抵抗器およびその製造方法、並びにその実装方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明の抵抗器は、セラミック碍子からなり断面が略方形の基台１１と、この基台１１の全表面に設けられた金属皮膜１２とを備え、前記金属皮膜１２を前記基台１１の両端部に位置する電極部１３とこの電極部１３間に位置する素子部１４とで構成し、前記電極部１３における前記金属皮膜１２に貫通孔１６を形成したものである。 （もっと読む）

【課題】抵抗体のトリミングによる残り幅を大きくして高電力化により適したものとし、また、抵抗値調整できる抵抗値の範囲を広く得ることができるチップ抵抗器を提供する。
【解決手段】チップ抵抗器Ｐ１における抵抗体２０は、第１抵抗膜２２の上面に、第１抵抗膜２２よりも抵抗値の低い材料により形成された第２抵抗膜２４を形成することにより、高抵抗部としての第１抵抗部Ｒ１と低抵抗部としての第２抵抗部Ｒ２を有し、抵抗体２０には略Ｌ字状のトリミング溝３０、３２が形成されている。各トリミング溝３０、３２は、第１抵抗部における第２抵抗部と電極部間の辺部ｈ１、ｈ２から該電極部と第２抵抗部Ｒ２間の領域に向けて第１抵抗部Ｒ１に形成され、さらに、抵抗体２０の電極部との一対の接続領域を結ぶ方向（Ｙ１−Ｙ２方向）と略平行に第２抵抗部Ｒ２の辺部に沿って第１抵抗部Ｒ１に形成されている。 （もっと読む）

【課題】チップ抵抗器において、耐サージ性をより良好とすることができ、これにより、高電力化が可能なチップ抵抗器を提供する。
【解決手段】平面視で略長方形状の基板１０と、基板１０の上面における互いに対向する長辺側にそれぞれ形成された一対の上面電極３０、３２と、該一対の上面電極間に形成され蛇行した形状の抵抗体２０とを有し、上面電極３０と上面電極３２の長辺に沿った方向の幅が基板の長辺の長さよりも短く形成されるとともに、上面電極３０と上面電極３０とが対角状に形成され、抵抗体２０の蛇行した形状における折返し部分の少なくとも１つが基板１０の長辺側に形成され、抵抗体における基板の長辺側に形成された折返し部分と該折返し部分が対向する基板の長辺との間には上面電極が形成されていない。 （もっと読む）

【課題】本発明は、静電気特性を向上させることができるとともに、１次分割および２次分割も効率よく行える薄膜チップ抵抗器の製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】本発明の薄膜チップ抵抗器の製造方法は、分割溝が形成されていないシート状の絶縁基板１として、表面粗さＲａが０．１μｍ以下であるアルミナ純度９９％以上のアルミナ基板を用いるとともに、前記絶縁基板１の上面と裏面に前記薄膜抵抗体層をチップ形状に分割する１次分割溝１ａ，１ｃおよび２次分割溝１ｂ，１ｄをレーザースクライブによりそれぞれ形成し、かつ前記１次分割溝１ａ，１ｃと２次分割溝１ｂ，１ｄは、上面側の１次分割溝１ａの深さｔ１および２次分割溝１ｂの深さｔ２と、裏面側の１次分割溝１ｃの深さｔ３および２次分割溝１ｄの深さｔ４との関係を、ｔ１＜ｔ３，ｔ２＜ｔ４，ｔ１＞ｔ２，ｔ３＞ｔ４としているものである。 （もっと読む）

【課題】 合金からなる材料に加工を施して製造される小型の抵抗器において、製造工程における特性ばらつきを低減した抵抗器と、その製造方法を提供する。
【解決手段】 インゴットを加工して得られる断面がほぼ円形状の合金線材を、ロール圧延により、抵抗素子部１と接続端子部２ａ、２ｂを有する、断面がコ字形状となし、抵抗素子部１の厚みの測定値に応じて切断を行う。接続端子部２ａ、２ｂの接続面にはハンダメッキを、抵抗素子部１には絶縁被膜を形成する。これによって表面実装が可能で、特性のばらつきが極めて少ない小型抵抗器が得られる。 （もっと読む）

【課題】チップ型電子部品の電気的特性や信頼性を向上させるためのチップ型電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス焼結体からなるベアチップ１０と、ベアチップ内に設けられるとともにチップの表面１３に端面が露出する内部電極１２と、内部電極と導通するとともに表面にメッキ層１５が形成された外部電極層１４とを備えたチップ型電子部品の製造方法であって、前記端面に第１電極ペーストを前記ベアチップを焼結体にする前のグリーンチップ１１０ｃに薄膜状に塗布するステップｓ２１と、第１電極ペーストが塗布されたグリーンチップを前記ベアチップに焼結させて、第１電極ペーストを中間電極層１４に焼成するステップｓ２２と、中間電極層の外面に第２電極ペーストを塗布するステップｓ３１と、第２電極ペーストを固化して外部電極層を形成するステップｓ３２と、外部電極層の表面にメッキ層を形成するステップとを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】正特性サーミスタ素子の形状を複雑にすることなく、正特性サーミスタ素子を容易かつ安全に固定できるとともに、組立時の生産性を向上させることができる正特性サーミスタ装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】複数の素子面のうち、互いに対向する一部の素子面に電極が形成された正特性サーミスタ素子２の側面（非電極面）に、シリコン樹脂３をモールド加工して付着（第１ステップ）させた後、シリコン樹脂３が付着した正特性サーミスタ素子２を枠体５に形成された貫通穴５ａに収容する（第２ステップ）。 （もっと読む）

【課題】樹脂含浸処理による下地電極の表面への樹脂の残留を抑制することができ、下地電極への電気的接続信頼性を向上させることができる積層セラミック電子部品およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の積層セラミック電子部品は、樹脂含浸処理が施される積層セラミック電子部品であって、主としてセラミックスからなる素体２と、素体２上に形成された下地電極７とを有し、下地電極表面のＲａが６μｍ以下に規定されているものである。 （もっと読む）

【課題】排ガスセンサ等の過酷な温度条件においても、低温度から高温にわたり正確な温度検知が可能で、且つ安定性が高いサーミスタ用組成物とサーミスタ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】典型金属元素及び遷移金属元素の酸化物で構成されたサーミスタ用組成物であって、配合組成は下記の通りである。
（Ｍ１_ｘＭ２_１−ｘ）・（Ｍ３_ｙＭ４_１−ｙ）Ｏ_３
ｘ＝0.6〜0.9且つ、ｘ中のＳｍ、Ｄｙの配合量はＹに対して0.1〜0.2
ｙ＝0.2〜0.6且つ、ｙ中のＡｌ量はＭｎに対して0〜0.5
Ｍ１はＹ、Ｓｍ、及び／又はＤｙ、Ｍ２はＣａ、Ｓｒ、及び／又はＢａ、Ｍ３はＣｒであり、Ｍ４はＭｎ及び／又はＡｌである。（Ｍ１_ｘＭ２_１−ｘ）・（Ｍ３_ｙＭ４_１−ｙ）Ｏ_３のペロプスカイト構造に、Ｍｇ_２ＳｉＯ_４の混合物、又はＣａ及び／又はＡｌの酸化物、或いは混合酸化物を２種類以上含む混合焼結体からなる。 （もっと読む）

【課題】燃料レベルセンサの回路基板において、基板パターンの抵抗値の調整幅を広げる技術を提供する
【解決手段】燃料タンク内に設置される抵抗板１０は、絶縁体からなる基板１１上に、抵抗体１２と、ＩＧ側導体パターンである第１の検知用導体１３と、ＧＮＤ側導体パターンである第２の検知用導体１４とが形成されている。第１の検知用導体１３と第２の検知用導体１４は、それぞれ複数の短冊状の形状（セグメント４１）で配置され形成されている。また、隣接するセグメント４１同士の略中央部分を渡すようにブリッジが形成されている。そして、セグメント４１間に抵抗値を設定すべく、ブリッジがトリミングされる。 （もっと読む）

【課題】複雑なはんだ膜形成技術を要することなく、電極の基板接合面側に容易かつ低廉にはんだ膜が形成されると共に、所望寸法のはんだ膜が正確に形成された電流検出用チップ抵抗器およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の電流検出用チップ抵抗器１は、抵抗体２と、抵抗体２の基板接合面側に設けられた一対の電極３ａ，３ｂと、電極３ａ，３ｂの基板接合面側に設けられたはんだ板４ａ，４ｂとを有している。本発明は、電極３ａ，３ｂの基板接合面側にはんだ膜を形成するに際して、はんだ板４ａ，４ｂを接合するため、複雑なはんだ膜形成技術を要することなく、電極３ａ，３ｂの基板接合面側に容易かつ低廉にはんだ膜を形成できると共に、所望寸法のはんだ膜を正確に形成できる。 （もっと読む）

【課題】第一の課題は、抵抗値比率の誤差が小さく且つ配線抵抗の影響の極めて小さい複合抵抗器を提供する。第二の課題は、オペアンプで増幅する場合であっても検出誤差の小さい電流検出器を提供する。
【解決手段】絶縁基板１の第一面に各々１０Ω以上の抵抗値を有する１又は２以上の第一の抵抗体３を形成する工程と、前記第一の抵抗体３を覆うようにレーザー透過ガラス膜を形成する工程と、前記絶縁基板１の第一面又は第一面と対向する第二面に１Ω以下の抵抗値を有する第二の抵抗体６を第一の抵抗体３と電気的に接続するように形成する工程と、前記第一及び第二の抵抗体をレーザーにてトリミングする工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】１辺数ミリ単位の小型の電子部品を複数実装した電子部品基板を分割加工溝に沿って容易かつ効率良く分割することのできる、電子部品基板の分割装置を提供する。
【解決手段】電子部品３が複数実装された電子部品基板１が搬送される搬送ベルト２４と、搬送ベルト２４の直下に位置し、電子部品基板１の分割時に反力を受ける反力支持面２６ａと、搬送ベルト２４の直下で反力支持面２６ａの下流側に位置し、電子部品基板１の先頭部位を下から持ち上げる形で支持する支持ローラー３０と、搬送ベルト２４の直上に位置し、電子部品基板１の先頭部位が支持ローラー３０により持ち上げられた姿勢で、電子部品基板１の先頭部位の分割加工溝４位置を上方から上下動可能に押圧する押圧ローラー４４とを具備する構成とする。 （もっと読む）

【課題】高精度の薄膜抵抗を高精細なパターニングによって容易に形成できる薄膜抵抗素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁基板１の表面に配置された第１、第２端子部３ａ１、３ｂ１と抵抗長Ｌ及び抵抗幅Ｗを有して絶縁基板の表面に形成された薄膜抵抗体層２ａとを有する薄膜抵抗素子の製造方法は、絶縁基板１の表面に薄膜抵抗基材層２を介して導電体層３が積層された積層体を用意する工程と、抵抗長Ｌの両端にそれぞれ位置する第１、第２端子部を設けるために導電体層３に第１次パターニング処理を施して抵抗長Ｌに対応した間隔で分離された第１、第２導電体層部分３ａ、３ｂを形成し、薄膜抵抗基材層２の表面を露出させる工程と、次に第１、第２導電体層部分間に露出された薄膜抵抗基材層２に第２次パターニング処理を施して抵抗幅Ｗを有する薄膜抵抗体層２ａを形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】製造効率が良く、かつ優れた抵抗体特性を有する抵抗体皮膜を製造する方法を提供する。
【解決手段】先駆体溶液として、スズと、アンチモン、タンタル、ニオブから選ばれた少なくとも１つの金属とを含む有機金属化合物からなる金属有機化合物の溶液を、アルミナ基板等の支持体の上に塗布して乾燥させる。その後、弱いレーザーを照射してパターニングを行い、未反応部を酸で除去する。そして、基板を２００℃から５００℃で加熱しながら強いレーザーを照射して結晶性薄膜への変換を行う。 （もっと読む）

【課題】上面電極との接続端から最初にターンする領域であるターン領域において、電流が集中することによりターン領域が破壊されるのを防止することができるチップ抵抗器を提供する。
【解決手段】帯状部接続部３４ａの辺部３４ａ−１は、電極間方向（Ｘ１−Ｘ２）に対して傾斜して形成され、切欠部Ｌ１の奥部が三角形状に形成されている。また、トリミング溝Ｔ２の開始点Ｔ２ａはトリミング溝Ｔ１の開始点Ｔ１ａよりもＹ１側にずれて形成され、トリミング溝Ｔ２の終了点Ｔ２ｂはトリミング溝Ｔ１の終了点Ｔ１ｂよりもＹ１側にずれて形成されている。 （もっと読む）

【課題】量産可能な５０ｍΩ〜１Ωの抵抗値領域においてＴＣＲが±５０ｐｐｍ／℃以内の高精度な低抵抗のチップ抵抗器と、その製造方法を提供する。
【解決手段】セラミック製電気絶縁性基板の表面に接着層を介して設けられる、厚み５０μｍ以で、銅を３０ｍａｓｓ％以上８０ｍａｓｓ％以下含む銅−ニッケル系合金、又はニッケルを５０ｍａｓｓ％以上含むニッケル−クロム系合金の金属箔からなる抵抗体膜と、チップ抵抗器の端子部の形成領域を除いて抵抗体膜を保護するように被覆される抵抗体保護膜と、抵抗体保護膜による抵抗体膜の未被覆部の一部及び電気絶縁性基板の両端部に設けられる外部電極膜と、抵抗体保護膜による抵抗体膜の未被覆部の残部及び外部電極膜上に設けられるニッケルメッキ膜と、ニッケルメッキ膜上に設けられる錫メッキ膜とから構成される端子部とからなる低抵抗チップ抵抗器。 （もっと読む）