【課題】高いキャパシタンス密度を達成可能なコンデンサとその製造方法を提供する。
【解決手段】バルクコンデンサは、金属箔から形成された第１電極と、金属箔上に形成された半導体の多孔質セラミック本体と、多孔質セラミック本体の上に例えば酸化処理により形成された誘電体層と、多孔質セラミック本体の気孔に充填されて第２電極を形成する導電性媒質を有する。コンデンサには、カプセル化用の各種の層や電気的終端を形成してもよい。バルクコンデンサの製造方法では、金属箔から形成された第１電極の上に半導体の多孔質セラミック本体を形成し、酸化処理して誘電体層を形成し、多孔質セラミック本体に導電性媒質を充填して第２電極を形成する。金属箔と多孔質セラミック本体の間に半導体のセラミック薄膜層を形成してもよい。 （もっと読む）

【課題】キャパシタ層形成材が備える誘電層の平均容量密度の向上及びリーク電流密度の低減を同時に実現させることができるキャパシタ層形成材を提供する。
【解決手段】上部電極形成に用いる第１導電層と下部電極形成に用いる第２導電層との間に誘電層を備えるキャパシタ層形成材において、当該第２導電層は、純度９９．９９ｗｔ％以上のニッケル層であり、且つ、当該誘電層は、（Ｂａ_ｘＳｒ_１−ｘ）ＴｉＯ_３（０≦ｘ≦１）の組成におけるバリウム、ストロンチウム、チタンの総量を１００ｍｏｌ％として、マンガンを０．２５ｍｏｌ％〜１．００ｍｏｌ％の範囲で含有するキャパシタ層形成材を採用する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、チップ部品を歩留まり良く製造し得るチップ部品の製造方法を提供する。
【解決手段】
複数の焼成前チップ部品を準備する工程と、前記複数の焼成前チップ部品を、外周側壁部に凹凸が形成されたバレル容器に投入する工程と、前記バレル容器の内部を密閉する工程と、前記バレル容器を回転させて、前記焼成前チップ部品を乾式でバレル研磨する研磨工程と、前記焼成前チップ部品を焼成する工程と、を有する
チップ部品の製造方法。 （もっと読む）

【課題】キャパシタ誘電体膜を薄膜化しても容量を確保できる薄膜キャパシタを提供する。
【解決手段】薄膜キャパシタは、基板と、前記基板上に形成された単結晶金属膜よりなる下部電極と、前記下部電極上にエピタキシャルに形成された、膜厚が１００ｎｍ以下のＡＢＯ₃ペロブスカイト構造を有するチタン酸バリウムストロンチウムの単結晶薄膜よりなるキャパシタ誘電体膜と、前記キャパシタ誘電体膜上に形成された上部電極とを含み、前記キャパシタ絶縁膜はスカンジウム（Ｓｃ）を含む。 （もっと読む）

【課題】高容量で、漏れ電流が低く、且つ容量の温度依存性・バイアス電圧依存性が小さいコンデンサ内臓回路基板を提供する。
【解決手段】ベース基板または絶縁層上にチタンまたはチタン合金からなる金属層を形成し、過酸化水素を含む温度３℃以下の電解液中で陽極酸化して金属層表面をアモルファス二酸化チタン層に化成し、該アモルファス二酸化チタン層上に金属層を形成することによって、回路基板中または回路基板上に第一電極層と誘電体膜と第二電極層とからなるコンデンサを組み込んだ回路基板を得た。 （もっと読む）

【課題】外部から熱が印加されても変形し難いトレンチ型コンデンサを提供することを目的とする。
【解決手段】トレンチ型コンデンサ１は、基板２上に、下部電極３（第１電極）、誘電体層４、上部電極５（第２電極）、絶縁層６、及びパッド電極７ａ，７ｂがこの順に積層されたものである。下部電極３には、トレンチＴが複数形成されており、その内壁面を含む下部電極３の上面を覆うように、薄膜状の誘電体層４が形成されている。また、上部電極５は、トレンチＴの内部空間を充填するように、誘電体層４上に厚膜状に形成されている。このように、下部電極３の凹部であるトレンチＴ内に、凸状の上部電極５が嵌合するように構成されているので、構造強度が高められ、これにより、熱応力が印加されても、トレンチ型コンデンサ１の変形や破壊を確実に防止することができる。 （もっと読む）

【課題】
高誘電率かつ安定な比誘電率の温度特性を示す誘電体磁器と、それを用いたコンデンサを提供する。
【解決手段】
チタン酸バリウムを主成分とする結晶粒子と、該結晶粒子間に形成された粒界相とを有する誘電体磁器であって、前記チタン酸バリウムを構成するバリウム１モルに対してマグネシウム、ガドリニウム，テルビウム，ディスプロシウム，ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる少なくとも１種の希土類元素（ＲＥ）、マンガンを酸化物換算で所定の割合で含有するとともに、チタン酸バリウム１００質量部に対して、イッテルビウムを酸化物換算で所定の割合で含有し、結晶粒子の平均粒径が０．０５〜０．２μｍである。また、上記誘電体磁器を誘電体層として適用することにより、高容量かつ容量温度特性の安定なコンデンサを形成できる。 （もっと読む）

【課題】プリント回路基板等の取り付け構造に、ショート特性のみならず、誘導性や容量性などの特性を備えさせる。
【解決手段】雄ネジのねじ軸が挿通された状態で、雄ネジの皿と、当該雄ネジの締結対象との間に配置される座金であって、主たる材料が磁性体である。これにより、誘導性の接地状態をつくることが可能となり、高周波ノイズの流出または高周波ノイズの侵入を防止することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】高機能であるＢＳＴ系の誘電体単結晶薄膜を容易にかつ安価に製造することができるとともに、製造されるＢＳＴ系の誘電体単結晶薄膜における組成の調整を容易に行うことができる、誘電体単結晶薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】誘電体単結晶薄膜の製造方法は、たとえば、ＭｇＯ（１００）基板の表面に形成されたＰｔ（１００）膜上に、Ｂａ_0.7Ｓｒ_0.3ＴｉＯ₃の誘電体単結晶薄膜の原料となる化学溶液をスピンコートし、そのスピンコートされた化学溶液を配向が起こるような８００℃で熱処理することによって、Ｂａ_0.7Ｓｒ_0.3ＴｉＯ₃の誘電体単結晶薄膜をエピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

【課題】 誘電体薄膜として誘電率が高い強誘電体を用いても、電圧依存性を抑制した薄膜キャパシタを得ることができる手段を提案する。
【解決手段】 下部電極と上部電極との間に誘電体薄膜が形成された薄膜キャパシタにおいて、厚さｄ１の前記誘電体薄膜と前記上部電極との間に、互いに間隔ｐ１で並んでいる複数の貫通孔を有する絶縁体薄膜が形成されており、前記貫通孔には前記上部電極を構成する金属が充填されており、前記上部電極と前記誘電体薄膜は前記貫通孔中の金属を通じて接しており、前記誘電体薄膜の厚さｄ１と前記貫通孔の間隔ｐ１の関係が２．５≦ｐ１／ｄ１≦７．５で表される薄膜キャパシタ。 （もっと読む）

【課題】汎用のプリント基板やＩＣパッケージを用いた場合であっても、高周波ノイズの軽減やＩＣの高速動作の安定化といったバイパスコンデンサの作用を充分に発揮させることができるＩＣパッケージの実装構造を提供すること。
【解決手段】ＩＣチップがパッケージされてなるＩＣパッケージと、該ＩＣパッケージが実装されているプリント基板と、ＩＣチップとプリント基板とを電気的に接続するリードと、シートキャパシタとを備え、シートキャパシタはＩＣパッケージの外側表面に配置され、シートキャパシタの電極端子は上記リードまたはＩＣチップの接続端子と電気的に接続されている、ＩＣパッケージの実装構造。 （もっと読む）

【課題】トレンチ型の薄膜コンデンサの反りを抑制すること。
【解決手段】基板と、誘電体膜と、一対の電極と、を備え、誘電体膜が、基板から離れる方向に向けて延びる複数の凸部を形成する凹凸面に沿って設けられている薄膜コンデンサ。凹凸面が、基板の主面に平行な面に配置された１又は２以上の区画７を有するパターン５ａを構成し、区画７の部分及びこれ以外の部分のうちいずれかに凸部が配されている。区画７のうち少なくとも一部がｘ軸方向に沿って延びた部分７１を有し、ｘ軸方向に直交するｙ軸方向から見たときに、２以上の延びた部分７１が、重なり合うとともに互いに異なる位置で終端している。 （もっと読む）

【課題】キャパシタ容量のばらつきが十分に小さいキャパシタ部を備える電子部品を提供すること。
【解決手段】キャパシタ部を備える電子部品。キャパシタ部が、基板上に形成された第１電極層と、第１電極層上に形成された誘電体膜４と、誘電体膜４の第１電極層とは反対側の面に接し、開口６ａを形成している絶縁層６と、開口６ａ内で誘電体膜４及び絶縁層６に接する第２電極層５とを有する。誘電体膜４の第１電極層とは反対側の面が、誘電体膜４と第２電極層５との界面Ｓ１の少なくとも一部が誘電体膜４と絶縁層６との界面Ｓ２よりも基板１側に位置するような段差４０を形成している。 （もっと読む）

金属箔上で誘電体を作る方法が開示され、本方法から得られる金属箔上の誘電体を含んだ大面積コンデンサを作る方法が開示されている。誘電体の前駆体層及びベースメタル箔は、還元性ガスも含む湿潤雰囲気中で、３５０〜６５０℃の範囲内の予備焼成温度において予備焼成される。予備焼成された誘電体の前駆体層及びベースメタル箔はその後、誘電体を生成するために約１０^-6気圧未満の酸素分圧を有する雰囲気中で、７００〜１２００℃の範囲内の焼成温度において焼成される。本開示方法に従って作られるコンデンサの面積は１０ｍｍ²を超え得る。そしてプリント配線板内に埋め込まれ得る複数の個々のコンデンサユニットを作製するために細分され得る。誘電体は、典型的には結晶質のチタン酸バリウム、又は結晶質のチタン酸バリウム・ストロンチウムを含む。
（もっと読む）

【課題】卑金属膜及び該卑金属膜上に形成された誘電体膜を有する誘電体素子の製造において、卑金属膜の損傷、及び卑金属膜表面への不要物の付着を抑制しながら、誘電体膜を適度なエッチングレート且つ良好なコントラストでエッチングすることを可能にする方法を提供すること。
【解決手段】卑金属膜１上に形成されたＴｉ及びＢａを有する酸化物を含む誘電体膜３をエッチング液に接触させることにより、誘電体膜３の一部を除去する工程を備える誘電体素子の製造方法。エッチング液は、フッ化アンモニウム及びフッ化水素のうち少なくとも一方のフッ素化合物を０．０１〜３．０ｍｏｌ／Ｌと、塩酸、硝酸、燐酸及び酢酸からなる群より選ばれる少なくとも１種の酸を０．１〜５．０ｍｏｌ／Ｌとを含有する水溶液である。 （もっと読む）

【課題】容量の精度が高く、しかも長期の使用でも容量変動の小さな容量素子を提供する。
【解決手段】互いに対向配置されたフレキシブル基板１０，２０が、これらの間に設けられた接着層３０によって接着されている。フレキシブル基板１０において、樹脂フィルム１１のうちフレキシブル基板２０側の表面に、接着層１２を介して電極１３が形成されている。フレキシブル基板２０において、樹脂フィルム２１のうちフレキシブル基板１０側の表面に、接着層２２を介して電極２３が形成されている。電極１３，２３間の間隙は、接着層３０によって埋められており、電極１３，２３は接着層３０によって互いに接着されている。接着層３０には、分散充填された複数の粒子３２が含まれている。粒子３２は、粒径の揃った球状粒子であり、電極１３，２３の双方に接触し、電極１３，２３間の間隙を所定の範囲内に規定するスペーサとして機能する。 （もっと読む）

【課題】キャパシタ面積が増大することを効果的に抑制するとともに、キャパシタ容量値を調整することのできるキャパシタ、キャパシタ内蔵配線基板、及びその製造方法を提供すること
【解決手段】本発明の第１の態様にかかるキャパシタ１は、基板１０１上に形成された下部電極１０２と、下部電極１０２上に形成された第１絶縁膜１０３と、第１絶縁膜１０３を介して下部電極１０２と対向配置され、下部電極１０２上に電極開口部１０６を有する上部電極１０４と、電極開口部１０６内に設けられた第２絶縁膜１０５と、を備え、電極開口部１０６の側面となる部分の上部電極１０４は、電極開口部１０６の底面と重複する部分の下部電極１０２よりも面積が大きいものである。 （もっと読む）

【課題】大型化を招来することなくノイズ抑制効果の大きなＬＣ複合電子部品を得る。
【解決手段】コンデンサ部６０と第１及び第２コイル部３０，４０と、ノイズ循環容量電極６５ａ，６６ａをそれぞれ有する絶縁層６５，６６を積層した積層体からなるＬＣ複合電子部品であって、４組のＬＣ共振回路を内蔵している。コイル電極３１ａ，３２ａ，３３ａと外部電極２pin inとを接続する引出し電極３１ｂとノイズ循環容量電極６５ａとの間にノイズ循環容量Ｃ３１が形成されている。また、コイル電極４１ａ，４２ａ，４３ａと外部電極１pin inとを接続する引出し電極４３ｂとノイズ循環容量電極６６ａとの間にノイズ循環容量Ｃ３２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】貫通電極および内部配線を有する多層セラミック基板上に受動素子が形成された電子部品において、多層セラミック基板の反りを抑制すること。
【解決手段】本発明は、貫通電極および内部配線を有する多層セラミック基板２０と、多層セラミック基板２０の上面に設けられた上部絶縁膜２６と、多層セラミック基板２０の下面に設けられ、前記上記絶縁膜と同じ材質の下部絶縁膜２８と、上部絶縁膜２６上に設けられた受動素子１２０、１４０と、を具備する電子部品である。 （もっと読む）

【課題】受動素子部の特性劣化を効果的に抑制できる電子部品を提供すること。
【解決手段】セラミック基板１、基板１上の受動素子部１１、受動素子部１１上に設けられ、貫通孔１３ａを有する絶縁体層１３、絶縁体層１３の貫通孔１３ａに嵌合され受動素子部１１に電気的に接続される引出し端子３０Ａ、引出し端子３０Ａに電気的に接続される外部接続端子１００Ａを備え、絶縁体層１３が、受動素子部１１側の第１面１３ｄ、受動素子部１１と反対側の第２面１３ｅ、第１面１３ｄ及び第２面１３ｅを連結し絶縁体層１３の周縁面を構成する第３面１３ｆを有し、外部接続端子１００Ａが、引出し端子３０Ａ、絶縁体層１３の第２面１３ｅ、第３面１３ｆに密着し、基板１の厚さ方向に沿って貫通孔１３ａを横切る断面において、貫通孔１３ａの内壁面１３ｇと引出し端子３０Ａとの境界線Ｌ１が、その第１面１３ｄ側の端部を固定点Ｓ１として、第３面１３ｆの外部接続端子１００Ａが密着している領域から遠ざかる方向に傾斜している電子部品１００。 （もっと読む）