【課題】電子部品内部の物理的性状を評価し、電子部品の特性解析に寄与することができる電子部品の特性評価方法を実現する。
【解決手段】誘電体セラミック２の両端に電極３ａ、３ｂが形成されたセラミックコンデンサに対し、表面が金属部７を有するプローブ４を、誘電体セラミック２の表面であって一方の電極３ｂ（陰極）の近傍所定位置に接触させ、異なる複数の電圧をプローブ４と電極３ｂとの間に印加して電流値を測定し、電流−電圧特性をファウラー・ノルドハイムの式にフィッテングさせ、ショットキー障壁高さφを推定し、さらに空乏層幅ｗ及び酸素欠陥濃度Ｎ_Ｄを算出し、これにより電子部品の特性評価を行う。 （もっと読む）

【課題】薄膜キャパシタにおける諸特性低下の原因となるヒロックを抑制し、リーク電流特性及び絶縁耐圧特性に優れた薄膜キャパシタを製造する。
【解決手段】下部電極を形成した後、３００℃よりも高い温度のアニール処理を行わずに組成物を下部電極上に塗布し、乾燥は室温〜５００℃の範囲内の所定の温度で行い、焼成は乾燥温度よりも高い５００〜８００℃の範囲内の所定の温度で行い、塗布から焼成までの工程は塗布から焼成までの工程を１回又は２回以上行うか或いは塗布から乾燥までの工程を２回以上行った後、焼成を１回行い、初回の焼成後に形成される誘電体薄膜の厚さは２０〜６００ｎｍにすることを特徴とする。下部電極の厚さと初回の焼成後に形成される誘電体薄膜の厚さの比（下部電極の厚さ／誘電体薄膜の厚さ）は０．１０〜１５．０の範囲とするのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】寿命信頼性を向上し得る、強誘電体薄膜及び該強誘電体薄膜を用いた薄膜キャパシタを提供する。
【解決手段】（Ｐｂ_xＬａ_y）（Ｚｒ_zＴｉ_(1-z)）Ｏ₃（式中、０．９＜ｘ＜１．３、０≦ｙ＜０．１、０≦ｚ＜０．９）で示される複合金属酸化物に、Ｂｉ、Ｓｉ、Ｐｂ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｐ、Ｂ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ及びＣｓからなる群より選ばれた１種或いは２種以上の元素から構成される金属酸化物がある一定の割合で混合した混合複合金属酸化物の形態をとる強誘電体薄膜が、２〜２３層の焼成層を積層して構成され、焼成層の厚さｔが４５〜５００ｎｍであり、焼成層中に存在する結晶粒の定方向最大径の平均ｘが２００〜５０００ｎｍであり、焼成層のいずれにおいても１．５ｔ＜ｘ＜２３ｔの関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】セラミック系絶縁層の形成方法によらず、基材として用いる金属層の構成材料を適宜選択可能であり、セラミック系絶縁層の製造プロセスにおいて当該基材の劣化や当該絶縁層の絶縁性の低下を防止して、生産歩留の向上を図ることのできるセラミック系絶縁層と金属層との積層体及び当該積層体の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するため、セラミック系絶縁層３０と金属層１０との積層体１００において、当該金属層１０には、セラミック系絶縁層３０が設けられる側の面に、層厚が５ｎｍ〜１００ｎｍのケイ素化合物から成る保護層２０を設ける構成とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、Ｌｉ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ｆｅ−Ｏスピネル型結晶を含むとともに、耐湿性の高い磁性体と誘電体との複合焼結体、およびその製造方法、ならびにそれを用いた電子部品を提供することを目的とする。
【解決手段】 Ｌｉ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ｆｅ−Ｏスピネル型結晶とＦｅを含むＢａＴｉＯ_３結晶とを含む磁性体と誘電体との複合焼結体であって、ＣｕＫα特性Ｘ線回折による、ＢａＴｉＯ_３結晶の２θ＝３１．７°付近のピーク強度Ｉ１に対するバリウムカルシウムシリケートの２θ＝２１．５°付近のピーク強度Ｉ２の比Ｉ２／Ｉ１が０．０６以下である。 （もっと読む）

【課題】銅の薄膜上に成膜した誘電体薄膜の膜質を維持できる簡易な誘電体薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１２上には、（１１１）の一軸配向性を有するＣｕ下部電極１４が形成される。該Ｃｕ下部電極１４上に、ペロブスカイト型誘電体のナノ粒子の単分散スラリーをスピンコート法により塗布し、窒素雰囲気で乾燥させる。その後、還元性雰囲気で熱処理を行うことにより、ナノ粒子をＣｕ下部電極１４上でエピタキシャル成長させて一軸配向性を有する誘電体薄膜１６を形成する。該誘電体薄膜１６に上部電極１８を形成すると薄膜キャパシタ１０が得られる。この製造方法によれば、Ｃｕ下部電極１４に与えるダメージが少なく変質・変形を抑制できるため、該Ｃｕ下部電極１４上に形成される誘電体薄膜１６の膜質の維持が可能になるとともに、少ない工程で高結晶性の誘電体薄膜１６の作製が可能となる。 （もっと読む）

【課題】非耐熱性基板上に誘電体を形成するための、耐熱基板上に形成された誘電体構造と、その誘電体膜の非耐熱性基板上への剥離転移プロセスを提供する。
【解決手段】第１基板５と、第１基板５上に形成された酸化膜４と第１電極層３と、第１電極層３上に形成された誘電体層２と、を有する誘電体構造体１において、第１基板５と第１電極層３との間に、第１基板５上の少なくとも一部を覆うように形成されたＴｉ等による結合層６を有する。形成後の誘電体内の残留応力に応じて、界面の機械特性を最適化することで、誘電体層２および電極層３が、形成過程では、耐熱性基板から剥離せず、転移過程において、剥離するような界面の剥離特性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】簡便な手法で、従来の強誘電体薄膜よりも大幅に比誘電率を向上し得る、高容量密度の薄膜キャパシタ用途に適した強誘電体薄膜形成用組成物、強誘電体薄膜の形成方法並びに該方法により形成された強誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】ＰＬＺＴなどの強誘電体薄膜を形成するための強誘電体薄膜形成用組成物であり、一般式：（Ｐｂ_xＬａ_y）（Ｚｒ_zＴｉ_(1-z)）Ｏ₃（式中０．９＜ｘ＜１．３、０≦ｙ＜０．１、０≦ｚ＜０．９）で示される複合金属酸化物Ａに、Ｂｉを含む複合金属酸化物Ｂが混合した混合複合金属酸化物の形態をとる薄膜を形成するための液状組成物であり、各原料が上記一般式で示される金属原子比を与えるような割合となるように、有機溶媒中に溶解している有機金属化合物溶液からなり、複合金属酸化物Ｂを構成するための原料が、ｎ−オクタン酸基がその酸素原子を介して金属元素と結合している化合物であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】静電容量が高く、長時間放置後も充放電効率の高い薄膜キャパシタ型蓄電池を提供する。
【解決手段】本発明のキャパシタ型蓄電池は、複数個の第１導電粒子又は第１半導体粒子が互いに接触して形成してなる第１粒子層と、絶縁膜と、をこの順に積層し、更に前記絶縁膜の上に、互いに平行して形成された第１導電路及び第２導電路を有する。そして、前記複数個の第１導電粒子又は第１半導体粒子は、平面面積による粒度分布において平面面積の大きい側から累積１５％を除いたものであり、且つ最大幅が１００ｎｍ未満である。 （もっと読む）

【課題】 高い容量を備える電子部品を提供する。
【解決手段】 Ｓｉコンデンサ１０では、下部電極４２と誘電体層４４と上部電極４６とから成るコンデンサ部４０が、Ｓｉ基板２０に形成されたトレンチ３０の壁面上に形成されているめ、下部電極４２−誘電体層４４−上部電極４６の面積を広げることができ、高い容量を得ることができる。また、トレンチ３０の内部に樹脂充填材５２が充填されているため、トレンチ３０の側壁で生じる応力を可撓性の有る樹脂充填材５２で吸収することができ、凹部（トレンチ）を狭い間隔で設け容量の増大を図っても、トレンチ３０の側壁へクラックが入ることが無い。 （もっと読む）

【課題】結晶性が高く、クラックや剥離等の欠陥が少ないペロブスカイト型チタン含有複合酸化物膜の製造方法を提供する。
【解決手段】一般式ＡＴｉＯ_３（Ａサイトは、Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ又はＰｂの中から選ばれる少なくとも１種又は２種以上の金属元素を表す。）で表されるペロブスカイト型チタン含有複合酸化物膜の製造方法であって、基体上に複合酸化物膜形成用塗布剤を塗布する塗布工程と、この基体上の塗膜にマイクロ波を照射して焼成する焼成工程とを含み、複合酸化物膜形成用塗布剤が、β−ジケトンを配位するチタン化合物と、β−ジケトンを配位するＡサイトの金属元素を含む化合物との溶液からなる。 （もっと読む）

本明細書では一般に、複合誘電材料の設計、製造、および使用のための技術について述べられる。実施形態は非限定的に方法、装置、およびシステムを含む。他の実施形態も開示され特許請求され得る。本明細書で述べるいくつか技術は、エネルギー蓄積デバイスに用いるように誘電材料の薄い層をコンフォーマルに形成するための誘電体粒子の電気泳動堆積を含む。例示のエネルギー蓄積デバイスは、一部の場合に電池、ウルトラキャパシタ、および他の同様なデバイスの動作を置き換えるおよび／または補助するために用いることができるコンデンサデバイスを含む。
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【課題】基板内形成のための加熱制限があってもキャパシタ誘電体膜において高い比誘電率を得る。
【解決手段】基板内部の基板樹脂層３にキャパシタ１０を埋め込んで形成する。その形成工程では、下部電極１１を形成し、基板樹脂層３の耐熱温度以下、室温以上で結晶質金属酸化物を含むキャパシタ誘電体膜１２を形成し、その上面で下部電極１１と対向する上部電極１３を形成する。 （もっと読む）

本発明は、従来の電気化学キャパシタ構造を有する改良されたスーパーキャパシタ様電子電池を提供する。第１ナノ複合電極、第２電極及び電解質は、従来の電気化学キャパシタ構造内に配置される。電解質は、ナノ複合電極及び第２電極を分離する。第１ナノ複合電極は、第１電解質マトリクス中に、第１導電性コア−シェルナノ粒子を有する。第１集電体はナノ複合電極と接続し、第２集電体は第２電極と接続する。 （もっと読む）

【課題】 端子電極の密着層と誘電体層とが直接接触することによる電気特性の劣化を防ぎ、信頼性を高めることができる薄膜コンデンサを提供する。
【解決手段】 薄膜コンデンサ１０は、下地電極１１上に積層された誘電体層１２と、誘電体層１２上に積層された上部電極層１３と、密着層１７ａ、シード層１７ｂ及びめっき層１７ｃを有する端子電極１７と、上部電極層１３と端子電極１７との間に設けられ、上部電極層１３と端子電極１７とを絶縁する配線用樹脂層１４と、配線用樹脂層１４を貫通するよう設けられ、密着層１７ａに接しており、上部電極層１３と端子電極１７とを電気的に接続する配線層１５と、を備え、配線層１５の組成が端子電極１７の密着層１７ａと異なるものであり、配線層１５の誘電体層１２に対する還元力が、密着層１７ａのものより小さい。 （もっと読む）

【課題】塗装プロセスを用いた印刷技術により必要な配線やトランジスタ等の素子を形成するにあたり、前記配線の精度を容易に確保することができると共に配線形成に要する時間を短縮することができ、そして、これにより必要な配線やトランジスタ等の素子を実装・搭載した半導体デバイスのトータルのタットタイムを短縮することができる有利な構造の素子内蔵型配線フィルムを提供すること。
【解決手段】長尺の絶縁テープ１もしくは絶縁シート上に微細な配線パターン２を形成した配線フィルム３上に、配線パターン２を構成する配線４の一部を取り込んでトランジスタ、キャパシタ、抵抗等の素子を構成する材料を含有するインクを用いた塗装プロセスを施すことにより、前記素子を直接且つ一体に形成した、素子内蔵型配線フィルム。 （もっと読む）

【課題】コンデンサユニットを遮断部に取付ける際に、コンデンサユニットを構成する絶縁筒に曲げの力がかかっても、コンデンサ素子同士が点接触や横ずれを起こさない積層コンデンサを提供する。
【解決手段】遮断部間に配置されるコンデンサユニットを構成する積層コンデンサにおいて、該積層コンデンサを構成するコンデンサ素子の一方の電極には嵌合凸部２３を設け、他方の電極には嵌合凹部２２を設け、該嵌合凸部と嵌合凹部が半径方向の空隙を有しないように嵌め合う構成とする。 （もっと読む）

【解決手段】固体薄膜コンデンサが提供される。固体薄膜コンデンサの態様は、遷移金属の第１電極層と、遷移金属の酸化物の絶縁層と、金属酸化物の第２電極層とを含む。固体薄膜コンデンサ並びに前記コンデンサを含む装置を作製する方法も提供される。コンデンサは、陰極アークで作製された１つ以上の構造体、即ち、陰極アーク堆積プロセスを利用して作製される構造体を有し得る。それらの構造体は、応力がない金属構造体、多孔質層、及び、細密褶曲を表す層であり得る。本発明の態様は、化学気相堆積を利用して及び／又はスパッタ堆積により容量性構造を作製する方法を更に含む。
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【課題】誘電率が高く、誘電率の温度安定性が高いセラミックス材料、及びそれを用いたキャパシタを提供すること。
【解決手段】式（１）で表され、ペロブスカイト構造を有するセラミックス材料。
式（１）（１−ｘ）Ａ₁Ｂ₁Ｏ₃−ｘＡ₂Ｂ₂Ｏ₃
前記式（１）において、ｘは０を超え、１未満の実数であり、Ａ₁、Ｂ₁、Ａ₂、及びＢ₂は、それぞれ、Ｐｂ及びアルカリ金属以外の金属Ｍ、又は２種以上の前記金属Ｍの組み合わせであり、Ａ₁、Ｂ₁、Ａ₂、及びＢ₂の価数は、それぞれ、２価、４価、３価、及び３価である。 （もっと読む）

プリンタは、加工面と、加工面の上に配置された印字ヘッドとを有する。印字ヘッドおよび加工面は、関連する平行面において相対的に移動可能である。印字ヘッドは、ポリマーインクを堆積させる第１ノズルと、導電性インクを堆積させる第２ノズルと、誘電体インクを堆積させる第３ノズルとを有する。
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