【課題】本発明は外部電極のカバレッジ及び固着強度に優れた積層セラミック電子部品及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明はセラミック本体のカバー領域及び活性領域に外部電極と接続するダミー電極を形成することを特徴とし、本発明によると、外部電極のカバレッジ及び固着強度に優れた積層セラミック電子部品が得られる。 （もっと読む）

【課題】 エネルギーの拡散及びレーザビームの反射を抑制可能なセラミックス基板のアブレーション加工方法を提供することである。
【解決手段】 セラミックス基板にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すセラミックス基板のアブレーション加工方法であって、少なくともアブレーション加工すべきセラミックス基板の領域にレーザビームの波長に対して吸収性を有する酸化物の微粉末を混入した液状樹脂を塗布して該微粉末入り保護膜を形成する保護膜形成工程と、該保護膜形成工程を実施した後、該保護膜が形成されたセラミックス基板の領域にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工工程と、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】金属化フィルムコンデンサの静電容量変化を抑制することを目的とする。
【解決手段】この目的を達成するため本発明は、一対の金属化フィルムの金属蒸着電極のうち少なくとも一方が、Ａｌを主成分とし、Ａｌ：Ｓｉの原子濃度比率が９５：５〜８５：１５であって、ＣｕはＳｉの原子濃度比率の半分以下であり、かつＳｉの次にＣｕの原子濃度比率が高いものとした。これにより本発明は、ＡＣ用途に用いた場合でも、静電容量変化を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】希土類元素を用いなくても粒成長抑制及び耐還元性を実現し、優れた高温信頼性を確保できる誘電体組成物及びこれを含むセラミック電子部品を提供する。
【解決手段】誘電体組成物は、母材粉末と、上記母材粉末１００モルに対して、遷移金属を含む酸化物または炭酸塩０．１〜１．０ａｔ％の含量（ｘ）を含む第１副成分と、上記母材粉末１００モルに対して、原子価固定アクセプタ元素を含む酸化物または炭酸塩０．０１〜５．０ａｔ％の含量（ｙ）を含む第２副成分と、ドナー元素を含む酸化物または炭酸塩を含む第３副成分と、焼結助剤を含む第４副成分と、を含有する。セラミック素体１１０を構成する誘電体層１１１は、このような誘電体組成物を含む。 （もっと読む）

【課題】積層フィルムコンデンサを効率よく的確に製造することを可能とし、かつ、コンデンサ素子の切断面における金属膜の絶縁距離を充分に確保してコンデンサの耐電圧を高める。
【解決手段】フィルム膜の片面に金属膜が蒸着された金属化フィルム１０を積層してコンデンサ素子を成形する積層フィルムコンデンサの製造方法であって、外形が多角形状のドラム２０の外周に金属化フィルムを連続して巻取るとともに、このドラム２０における多角形の頂点を含む所定の範囲内に位置する金属化フィルムにバーンオフ処理を行って金属膜を除去した後、このバーンオフ処理によって金属膜が除去された範囲内で金属化フィルムを切断することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】端子電極における内部応力の低減と、はんだ食われの防止及び接触抵抗の低減とを両立できるチップ型電子部品及びこれを用いた実装構造を提供する。
【解決手段】積層コンデンサ１において端子電極３は、ＣｕコートされたＮｉ粉を含有する第１の樹脂電極層３ａが、最外層であるＳｎめっき層３ｂの内側に隣接している。この第１の樹脂電極層３ａに含まれるＮｉ粉はＣｕによってコートされている。第１の樹脂電極層はＣｕ粉を含有しても良い。最外層はＳｎコートされたＮｉ粉を含有する第２の樹脂電極層としても良い。そして、端子電極はＮｉめっき層を有していない。 （もっと読む）

【課題】誘電体にフィルムを使用したコンデンサ素子と、このコンデンサ素子を収納する上端面に開口部のある有底筒状の金属ケースと、この金属ケースの開口部を封口する樹脂キャップと、樹脂キャップに設けた穴から充填樹脂を金属ケース内に充填するフィルムコンデンサにあって、金属ケースの側面方向に沿って、樹脂キャップの周辺部から一体的に張り出した筒状の張り出し部を設け、この張り出し部に金属ケースの開口部にはめ込まれるはめ込み部分を設けた場合、樹脂キャップのはめ込み部分とコンデンサ素子との間のすき間の周回ばらつきをなくし、金属ケース内に均一に充填樹脂を充填させる。
【解決手段】この張り出し部の側面に、張り出し部とコンデンサ素子とのすき間部分に、複数の凸部設けるフィルムコンデンサを提供する。 （もっと読む）

【課題】優れた耐湿性を有する金属化フィルムコンデンサを提供する。
【解決手段】本発明の金属化フィルムコンデンサは、一対の金属化フィルム１、２の金属蒸着電極４ａ、４ｂのうち少なくとも一方は、誘電体フィルム３ａ、３ｂとの接合面に形成された酸化膜層と、この酸化膜層上に形成されたマグネシウム含有層とを有し、マグネシウムの原子濃度比率がマグネシウム含有層において最大となるものとした。これにより本発明は、マグネシウム含有層の酸化を抑制し、セルフヒーリング性を高め、耐電圧向上効果を維持することが可能である。 （もっと読む）

【課題】単位体積あたりの静電容量を増大させると共に製造効率を向上させることが可能な積層型コンデンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】積層型コンデンサは、第１電極部１、第２電極部２、及び誘電体層を備えている。第１電極部１は、第１帯部１１と、該第１帯部の側縁から延びた複数の第１平板部１２とを有している。第２電極部２は、第２帯部２１と、該第２帯部の側縁から延びた複数の第２平板部２２とを有している。第１電極部１及び第２電極部２は、第１平板部１２及び第２平板部２２が積層された状態で配置されている。第１平板部１２は、第２平板部２２と第２帯部２１とに対向し、第２平板部２２は、第１平板部１２と第１帯部１１とに対向している。誘電体層は、互いに隣り合う第１平板部１２と第２平板部２２との間に介在すると共に、第１平板部１２と第２帯部２１との間、並びに第２平板部２２と第１帯部１１との間に介在している。 （もっと読む）

【課題】比較的に高い比誘電率及び耐電圧を有し、しかも高温領域を含む広い温度範囲（−５５〜４００℃）において容量温度特性が良好である誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】一般式ＫＮｂＯ_３で表される第一の相と、一般式ＢａＴｉＯ_３で表される第二の相との混晶体から成る主成分を有し、副成分としてＭｎ、Ｓｉの元素を含有する。ＫＮｂＯ_３とＢａＴｉＯ_３との混晶体から成る主成分とすることで、１００℃以下では、ＢａＴｉＯ_３が有する高い比誘電率を利用し、１５０℃以上では、ＫＮｂＯ_３が有する高い比誘電率を利用することができる。 （もっと読む）

【課題】 所望の静電容量を確保し易いキャパシタ及びその製造方法並びにキャパシタユニットを提供する。
【解決手段】
第１の電極層９と、第１の電極層９の表面上に積層された導電性の第１の凸部１４ａと、第１の凸部１４ａの表面及び第１の電極層９の表面に成膜された第１の誘電体層６と、第１の誘電体層６を介して第１の凸部１４ａ及び第１の電極層９に重なるように設けられた第２の電極層７と、を備えるキャパシタ１Ａを製造可能な構成を有している。 （もっと読む）

【課題】小型で、かつ、大容量の大きな電気エネルギーを得ることができる電気エネルギー蓄積装置を提供する。
【解決手段】第一電極４、誘電体層６、第二電極７を備えた電気エネルギー蓄積装置１において、第一電極４と誘電体層６との間および第二電極７と誘電体層６との間に、金属の微粒子５ａにより構成された微粒子層６を形成する。さらに誘電体層６を粒径４０ナノメートル程度あるいはそれ以下の微粒子の積層、あるいは薄膜と微粒子の交互積層で構成する。 （もっと読む）

【課題】低背化により厚みが薄くなっても、実装時の衝撃により割れが生じないような高い抗折強度有する積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】前記積層体の組成が、主成分としてＢａ、ＴｉおよびＺｒを含むぺロブスカイト型化合物を含み、前記積層体を溶解したときの、Ｂａを１００モル部としたときの、Ｚｒの含有モル部が１０以上４０以下であり、かつ、前記誘電体セラミック層の断面を観察したとき、結晶粒子中心においてＺｒ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）モル比が０．００５以下である結晶粒子Ａの個数割合をＴＡ、結晶粒子中心においてＴｉ／（Ｔｉ＋Ｚｒ）モル比が０．００５以下である結晶粒子Ｂの個数割合をＴＢ、とするとき、ＴＢが０．１以上である。 （もっと読む）

【課題】比較的に高い比誘電率を有し、しかも高温領域を含む広い温度範囲（−５５〜４００℃）において容量温度特性が良好である誘電体磁器組成物を提供する。
【解決手段】一般式Ｋ_ｍＮｂ_ｎＯ_３で表される第一の相と、一般式Ｂａ_αＴｉ_βＯ_３で表される第二の相との混晶体から成る主成分を有し、前記ｍ、ｎ、α、βが０．９９０≦ｍ／ｎ≦１．００５、０．９９５≦α／β≦１．０１０、且つ、ｍ／ｎとα／βとが同時に1を取らないことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】コンデンサ内蔵基板の製造方法において、絶縁基材上にコンデンサ素子を搭載する工程を簡略化する。
【解決手段】本発明に係るコンデンサ内蔵基板の製造方法は、素子シート作製工程と、貼付け工程と、エッチング工程と、積層工程とを有する。ここで、素子シート作製工程では、金属箔50を用いて、該金属箔50の内、コンデンサ素子の第１電極層となる所定領域54上に誘電体層13を形成し、その後、該誘電体層13上にコンデンサ素子の第２電極層となる金属層53を形成することにより、コンデンサ素子となる素子部５が設けられた素子シート６を作製する。貼付け工程では、素子シート６を絶縁基材20上に貼り付ける。エッチング工程では、金属箔50にエッチングを施すことにより、絶縁基材20上に所定領域54を残置させて、素子シート６に設けられた素子部５からなるコンデンサ素子を形成する。積層工程では、該絶縁基材20上に別の絶縁基材20を積層する。 （もっと読む）

【課題】少ない位置決め回数で製造できるコンデンサ装置を提供する。
【解決手段】正極６ｂと負極６ａを備えているコンデンサ素子４と、正極バスバ８ｂと、負極バスバ８ａと、容器２を備えており、正極バスバ８ｂが正極６ｂに接続されているとともに負極バスバ８ａが負極６ａに接続されている状態のコンデンサ素子４が容器２に収容されており、正極バスバ８ｂの上端部と負極バスバ８ａの上端部が容器２の外に引き出されており、正極バスバ８ｂと正極６ｂの接続位置に対向する位置において容器２に正極用貫通孔２８ｂが形成されており、負極バスバ８ａと負極６ａの接続位置に対向する位置において容器２に負極用貫通孔が形成されている。正極用貫通孔２８ｂから治具１０ｂを挿入して正極バスバ８ｂと正極６ｂを接続し、負極用貫通孔から治具１０ａを挿入して負極バスバ８ａと負極６ａを接続する。 （もっと読む）

【課題】コンデンサ内蔵基板に生じるインダクタンスを小さくすることが可能なコンデンサ素子、及び該コンデンサ素子を具えたコンデンサ内蔵基板を提供する。
【解決手段】本発明に係るコンデンサ素子は、第１電極層11と第２電極層12との間に誘電体層13が介在したコンデンサ素子１であって、第１電極層11は、第２電極層12側の表面111の一部が該第２電極層12によって覆われ、第１電極層11が金属箔により形成される一方、第２電極層12が金属薄膜又は金属箔により形成されている。本発明に係るコンデンサ内蔵基板は、前記コンデンサ素子１と絶縁基板２とを具え、該絶縁基板２内にコンデンサ素子１を埋設することにより絶縁基板２にコンデンサ素子１が内蔵されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、誘電体層と内部電極との接着力に優れた積層セラミック電子部品に関する。
【解決手段】本発明は、誘電体層を含むセラミック本体と、当該セラミック本体内で当該誘電体層を介して対向配置される内部電極と、を含み、上記誘電体層の平均厚さをｔｄ、上記内部電極の平均厚さをｔｅとすると、０．１μｍ≦ｔｅ≦０．５μｍであり、（ｔｄ＋ｔｅ）／ｔｅ≦２．５を満足し、上記内部電極の中心線平均粗さをＲａ、十点平均粗さをＲｚとすると、５ｎｍ≦Ｒａ≦３０ｎｍ、１５０ｎｍ≦Ｒｚ≦ｔｄ／２及び８≦Ｒｚ／Ｒａ≦２０を満足する積層セラミック電子部品を提供する。本発明によると、誘電体層と内部電極との接着力及び耐電圧特性が向上して信頼性に優れた大容量積層セラミック電子部品の具現が可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、セラミック電子部品及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の一実施形態によるセラミック電子部品は、セラミック素体と、当該セラミック素体の内部に形成され０．５μｍ以下の厚さを有し内部に非電極領域が形成された内部電極層と、を含み、上記内部電極層の断面において、当該内部電極層の電極領域の面積に対する非電極領域の面積の比が０．１〜１０％であり、上記非電極領域がセラミック成分を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、積層セラミックキャパシタに関する。
【解決手段】本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタは、セラミック素体と、上記セラミック素体の内部に形成され、上記セラミック素体の第１面及び上記第１面と連結された第３面または第４面に露出し、上記第１面に露出した領域のうち一部が互いに重なる引出し部を有する第１及び第２内部電極と、上記セラミック素体の第１面及び上記第１面から延長されて上記第１面と連結された第３面または第４面に形成され、上記引出し部と夫々連結される第１及び第２外部電極と、上記セラミック素体の第１面、上記第１面と連結された第３面及び第４面に形成される絶縁層と、を含む。 （もっと読む）