【課題】積層コンデンサの電歪現象に起因して発生する音鳴きを抑制すること。
【解決手段】積層コンデンサ１０は、回路基板２の基板面２Ｐと直交する方向に第１内部電極と第２内部電極とが誘電体層を介して積層される素体１１と、第１内部電極と第２内部電極とが積層される方向と直交する方向に存在する素体１１の第１側面１１Ａで第１内部電極と接続される第１側面側第１端子電極２１Ａと、第１側面１１Ａで第２内部電極と接続される第１側面側第２端子電極２２Ａと、を含む。積層コンデンサ１０は、第１側面１１Ａ側で回路基板２に取り付けられ、第１側面１１Ａと対向する第２側面１１Ｂ側は回路基板２に取り付けられない。 （もっと読む）

【課題】積層構造体において高容量化を実現する。
【解決手段】本発明に係る積層構造体は、貫通孔１０を有する金属製の基材１と、基材１の表面１１上に形成された第１誘電体層２１と、基材１の裏面１２上に形成された第２誘電体層２２と、第１誘電体層２１上に形成された第１電極層３１と、第２誘電体層２２上に形成された第２電極層３２と、導電部４と、電気絶縁層５とを備えている。導電部４は、貫通孔１０の内側を通って、第１電極層３１と第２電極層３２とを互いに電気的に接続させている。電気絶縁層５は、導電部４と基材１との間に介在すると共に、樹脂材及び／又は誘電体材料から形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板に取り付けても十分な振動音（鳴き）の抑制効果を得ることができる積層セラミックコンデンサを得る。
【解決手段】積層セラミックコンデンサ１０は、相対向する２つの端面２２ａ、２２ｂと、相対向する２つの側面２０ａ、２０ｂと、相対向する２つの主面１８ａ、１８ｂとを有する基体１４と、基体１４の端面２２ａ、２２ｂに形成される外部電極３６ａ、３６ｂとを含む積層セラミックコンデンサ本体１２を含む。外部電極３６ａ、３６ｂには、半田４４によって金属端子３８ａ、３８ｂが接続される。積層セラミックコンデンサ本体１２の体積をＶｃ、外部電極３６ａ、３６ｂと金属端子３８ａ、３８ｂの１対における半田４４の体積をＶｈとしたとき、２１≦Ｖｃ／Ｖｈ≦３２０の関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】製造過程において溶液の影響が誘電体層に及び難い積層構造体、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る積層構造体は、金属製の基材１、誘電体層２、保護膜４、及び電極層５を備えている。誘電体層２は、基材１の表面上に形成されている。保護膜４は、耐食性及び／又は耐湿性を有する膜であって、誘電体層２の表面を被覆している。電極層５は、保護膜４の表面上に形成されている。本発明に係る製造方法は、工程（ａ）、工程（ｂ）、及び工程（ｃ）を有している。工程（ａ）では、金属製の基材１の表面上に誘電体層２を形成する。工程（ｂ）では、誘電体層２の露出面を、耐食性及び／又は耐湿性を有する保護膜４によって被覆する。工程（ｃ）では、ウェットプロセス技術を用いて、保護膜４の表面上に電極層５を形成する。 （もっと読む）

【課題】 めっき液の浸入を抑制しつつ、製品間における静電容量のばらつきの低減が図られた積層コンデンサを提供する。
【解決手段】
本発明に係る積層コンデンサ１００は、内部電極層７が第１の内部電極２０と第２の内部電極３０とを含み、かつ、各内部電極２０、３０が、端面から遠い側に位置する同幅の活性電極部２１、３１と、活性電極部２１、３１より幅狭であり、端面に近い側に位置する同幅の引出電極部２２、３２とを含む。中間内部電極層８は第３の内部電極４０を含み、かつ、第３の内部電極４０は、第１の内部電極２０の引出電極部２２の一部２２ａおよび第２の内部電極３０の引出電極部３２の一部３２ａと重畳するようにＸ方向に延在し、かつ、各内部電極２０、３０の活性電極部２１、３１の幅ｗ１よりも幅広の形状を有する。 （もっと読む）

【課題】製品間における静電容量のばらつきの低減が図られた積層コンデンサを提供する。
【解決手段】積層コンデンサは、内部電極層が第１の内部電極２０と第２の内部電極３０とを含み、中間内部電極層が、第１の端面１ａと第２の端面１ｂとの対面方向に延在し、かつ、第１の内部電極２０および第２の内部電極３０の幅ｗ１よりも幅狭の形状を有し、両端部４０ａ、４０ｂの幅ｗ２より狭い均一幅ｗ３を有する中央部４０ｃを含む第３の内部電極４０を含み、中央部４０ｃが第１の内部電極２０の一部および第２の内部電極３０の一部と重畳している。 （もっと読む）

【課題】セラミックスラリー中における、各種セラミック成分の分散性を向上させることができる誘電体セラミックスラリーを提供する。
【解決手段】ステップＳ１で、主成分であるＢａＴｉＯ₃粉末、第１副成分としてのＳｉＯ₂ゾル、第２副成分としてのＢａＣＯ₃粉末とＭｇＣＯ₃粉末などが準備される。ステップＳ２で、第２副成分のＢａＣＯ₃粉末とＭｇＣＯ₃粉末などが混合され、解砕される。ステップＳ３で、混合して解砕した第２副成分粉末が、主成分のＢａＴｉＯ₃粉末と第１副成分のＳｉＯ₂ゾルとに混合される。ステップＳ４で、主成分のＢａＴｉＯ₃粉末と第１副成分のＳｉＯ₂ゾルと第２副成分とに、第１高分子からなるバインダおよび有機溶媒が添加されて湿式混合され、中間スラリーとされる。ステップＳ５で、中間スラリーに、第２高分子からなるバインダおよび有機溶媒が添加されて湿式混合される。第１高分子の分子量は、第２高分子の分子量より小さい。 （もっと読む）

【課題】実装時に回路基板に対して傾くことを抑制できる電子部品を提供することである。
【解決手段】積層体１２は、複数の絶縁体層が積層されて構成され、かつ、窪みＧ１，Ｇ２が形成された下面Ｓ６を有している。下面Ｓ６は、絶縁体層の外縁が連なることにより構成されている。コンデンサ電極１８ａ，１８ｂは、積層体１２に内蔵されている内部導体であって、下面Ｓ６の窪みＧ１，Ｇ２において、絶縁体層間から露出している露出部２６ａ，２６ｂを有している。外部電極１４ａ，１４ｂは、直接めっきにより形成され、窪みＧ１，Ｇ２に設けられることにより、露出部２６ａ，２６ｂを覆っている。 （もっと読む）

【課題】内部電極の隣り合う露出端の間隔が広くても、複数の内部電極の露出端間を接続するように連続した、外部電極の少なくとも一部としてのめっき膜を形成することを可能にする。
【解決手段】複数のセラミック層９５および複数の内部電極９１〜９３を備え、複数の内部電極の各一部が露出している、部品本体２として、複数の内部電極の隣り合う露出端間に位置するセラミック層９５の端面に、内部電極に含まれる導電成分が拡散して形成された導電領域９６〜９８が存在しているものが作製される。セラミック層は、ガラス成分を１０重量％以上含むガラスセラミックからなることが好ましい。外部電極３〜６を形成するため、内部電極の露出端および上記導電領域をめっき析出の核としてめっき成長させることによって、めっき膜を部品本体２上に直接形成する。 （もっと読む）

【課題】信頼性に優れた高容量積層セラミックキャパシタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタは、対向する第１及び第２側面、上記第１及び第２側面を連結する第３及び第４側面を有する積層本体と、上記積層本体の内部に形成され、上記第１側面及び第２側面に末端が露出する複数個の内部電極と、上記複数個の内部電極の末端を覆うように上記第１及び第２側面に形成される第１及び第２サイド部と、上記第３及び第４側面に形成され、上記内部電極と電気的に連結される外部電極とを含み、上記複数個の内部電極の末端を連結する仮想線と上記第１サイド部または第２サイド部の成す角度が９０゜（π／２）以下になるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】内部電極層が位置ずれして積層されても、所定の静電容量を確保できる、寸法安定性に優れた積層セラミックコンデンサ及び積層セラミックコンデンサの製造方法を提供する。
【解決手段】この積層セラミックコンデンサは、静電容量形成部及び引出部を有する第１の内部電極層２３及び第２の内部電極層２３が、セラミック誘電体層２１を介して交互に積層されたセラミック積層体２０と、その両端面に形成された外部電極とを備え、第１の内部電極層２３の静電容量形成部２３ａの幅は、第２の内部電極層２５の静電容量形成部２５ａの幅よりも広く形成され、第１の内部電極層２３の引出部２３ｂは、その静電容量形成部２３ａよりも幅狭で、かつ、第２の内部電極層２５の引出部２５ｂの幅と等しくなるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＥＳＬを高めることが可能な積層コンデンサを提供すること。
【解決手段】第一貫通導体１７は、複数の絶縁体層１１の積層方向に沿って延びるように素体２内に配置され、一端が第一端子電極３の第二電極部分３ｂに接続され且つ他端が素体２内に位置している。第二貫通導体１９は、上記積層方向に沿って延びるように素体２内に配置され、一端が第二端子電極５の第二電極部分５ｂに接続され且つ他端が素体内２に位置している。第一内部電極１３は、第一接続導体７のみに接続されている。第二内部電極１５は、第二接続導体９のみに接続されている。第三内部電極１４は、第一接続導体７及び第一貫通導体１７に接続されている。第四内部電極１６は、第二接続導体９及び第二貫通導体１７に接続されている。第三及び第四内部電極１４，１６は、第一及び第二内部電極１３，１５よりも第一主面２ａ側に位置している。 （もっと読む）

【課題】 従来の３端子コンデンサを非貫通で使用してバイパスコンデンサとしても、ＥＳＬの低減が十分でなく、さらなる低ＥＳＬ化が求められている。
【解決手段】 ３端子コンデンサ２１には、誘電体２２の厚さ方向に貫通する貫通ビア２６が、グランド内部電極２５に電気接触せず、貫通内部電極２３に電気接触して、設けられている。この貫通ビア２６は、上下の両端面が、入出力端子２４ａ、２４ｂ間の誘電体２２の表面に露出している。このため、貫通ビア２６を電源プレーン層３２に接続すると共に、入出力端子２４ａ、２４ｂ間を電源プレーン層３２で短絡して非貫通で使用することにより、電源ライン用配線パターン３１ａ、３１ｂとグランドプレーン層３３との間には、電源プレーン層３２から貫通ビア２６を経由して容量を介しグランドプレーン層３３に至るリターン経路が新たに形成される。 （もっと読む）

【課題】クラックがなく、電気特性に優れた積層セラミックコンデンサを、同時焼成方式で歩留まり良く製造可能な積層セラミックコンデンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックスラリーを塗布してグリーンシートを形成し、その上に未焼成内部電極層を形成し、未焼成内部電極層が形成されたグリーンシートを積層して未焼成積層体とし、これをカットした後、未焼成積層体の未焼成内部電極層が露出した端面に、セラミック誘電体材料と金属粉末とを少なくとも含有する第１導体ペーストを塗布し、更にその上に、セラミック誘電体材料と金属粉末とを少なくとも含有し、金属粉末の含有量が第１導体ペーストよりも高い第２導体ペーストを塗布して、未焼成下地金属層を形成し、未焼成積層体と未焼成下地金属とを同時焼成し、未焼成下地金属を焼成して得られた下地金属の表面をメッキして積層セラミックコンデンサを製造する。 （もっと読む）

【課題】直方体状のセラミック素体の端面に引き出された内部電極に電気的に接続されており、めっき膜からなる外部電極を備えるセラミック電子部品を好適に製造し得る方法を提供する。
【解決手段】複数の第１及び第２の内部電極１１，１２が内部に形成されたセラミック素体３０を用意する。第１及び第２の内部電極露出率が１０２％〜１５３％となるようにセラミック素体３０を加工する加工工程を行う。加工されたセラミック素体１０の上にめっき膜を形成するめっき工程を行う。 （もっと読む）

【課題】コンデンサ素体と接地用端子電極との密着性を向上させることができる貫通型積層コンデンサを提供すること。
【解決手段】貫通型積層コンデンサＣ１は、誘電体層１０が積層されたコンデンサ素体Ｌ１と、接地用内部電極２０と、接地用内部電極２０よりも積層数が多い信号用内部電極３１，３２と、接地用内部電極２０に接続される接地用端子電極３，４と、信号用内部電極３１，３２に接続される信号用端子電極１，２と、引き出し電極部２０ｂ，２０ｃの幅Ａよりも狭い幅Ｂ１，Ｂ２で接地用端子電極３，４に接続されるダミー電極３６〜３９とを備えている。ダミー電極３６〜３９は、誘電体層１０の積層方向から見た際に積層方向に隣接するダミー電極３６〜３９同士が接地用内部電極２０の引き出し電極部２０ｂ，２０ｃに重なる領域内において互いに重ならないように配置される。 （もっと読む）

【課題】静電容量の値を精度良く確保できる容量素子、及び、容量可変率を十分に確保することのできる可変容量素子を提供する。また、これらの容量素子を用いた共振回路、通信システム、ワイヤレス充電システム、電源装置及び電子機器を提供する。
【解決手段】本発明の容量素子（可変容量素子１）は、誘電体層４と誘電体層４を挟持して誘電体層４に所望の電界を発生させる少なくとも１対の容量素子電極５ａ、５ｂとで構成される容量素子本体２を備える。また、容量素子本体２の誘電体層４に発生する応力を制御し、容量素子本体２の静電容量を増加させる応力制御部６、７を備える。 （もっと読む）

【課題】大型でも、高性能で高品質で、実装状態で高い信頼性を確保することのできるチップ部品を提供する。
【解決手段】誘電体素子１１と、該誘電体素子の内部に設けた内部電極１１ａと、該内部電極と電気的に接続した外部電極層１５とを備え、誘電体素子１１と外部電極層１５の間に誘電体素子１１の全面を覆うガラス層１２を有し、外部電極層１５は、金属成分を含む下地電極１３と、樹脂電極１４とからなり、樹脂電極１４は、下地電極１３を覆い、かつ誘電体素子１１にガラス層１２を介して接合する。ガラス層１２は、結晶化ガラスからなることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】特に薄型のセラミック電子部品において、実装時において加わる応力により生じ得るクラックを抑制する。
【解決手段】第１および第２の外部電極２３，２４は、セラミック素体２２の実装面側に向く主面２８上において、所定のギャップ領域を隔てて互いに対向するように配置されている。外部電極２３，２４は、下地層３５とこれを被覆するＣｕめっき層３６とを含む。下地層３５のギャップ領域側の端部位置におけるＣｕめっき層３６の厚みをｔ、下地層３５のギャップ領域側の端部からＣｕめっき層３６のギャップ領域側の端部までの距離をｄとしたとき、０．１≦ｔ／ｄ≦０．５とされる。このように、Ｃｕめっき層３６を伸ばすことにより、外部電極２３，２４の、主面２８上での先端部分への応力の集中を分散することが可能となり、実装時に生じ得るクラックを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】部品本体における複数の内部電極の露出端に析出しためっき析出物を成長させることによって形成されためっき膜をもって外部電極を形成する場合、内部電極の露出度合いを十分なものとするため、部品本体に対して研磨処理が実施されるが、研磨時間が長くなると、外部電極の固着力が低下することがある。
【解決手段】研磨処理において部品本体２の稜線部に形成されるアール面取り部３１の曲率半径が０．０１ｍｍ以下に抑えられるとともに、内部電極１１，１２の端面７，８への露出端１５，１８は、１μｍ以下の引っ込み長さをもって端面７，８から引っ込んで位置している状態とされる。そのため、研磨処理のため、イオンミリング法が好適に採用される。外部電極２１，２２となるめっき膜は、部品本体２の端面７，８からアール面取り部３１を越えて延び、その端縁を主面３，４および／または側面上に位置させるように形成される。 （もっと読む）