【課題】半導体チップなどの電子部品が実装される配線基板の製造方法において、狭ピッチの配線層を信頼性よく形成すること。
【解決手段】第１配線層２０の上に、絶縁樹脂層３０を介してニッケル・銅合金層４２が形成された積層体を形成する工程と、ニッケル・銅合金層４２及び絶縁樹脂層３０に、第１配線層２０に到達するビアホールＶＨを形成する工程と、ビアホールＶＨ内をデスミア処理する工程と、ニッケル・銅合金層４２の上及びビアホールＶＨの内面にシード層４４を形成する工程と、ビアホールＶＨを含む部分に開口部３２ａが設けられためっきレジスト３２を形成する工程と、電解めっきによりめっきレジスト３２の開口部３２ａに金属めっき層４６を形成する工程と、めっきレジスト３２を除去する工程と、金属めっき層４６をマスクにしてシード層４４及びニッケル・銅合金層４２をエッチングして第２配線層４０を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 線間距離を狭めても信頼性が低下しない多層プリント配線板を提供することにある。
【解決手段】 第２導体回路５８と第２導体回路５８との間（絶縁間隔：スペース）において、第１樹脂絶縁層５０と上層樹脂絶縁層１５０との間に無機絶縁膜４８が介在しており、第１樹脂絶縁層５０と上層樹脂絶縁層１５０とが無機膜は表面がフラットなため給電層の除去が容易に可能となり、第２導体回路との間（絶縁間隔：スペース）において、第１樹脂絶縁材−第２樹脂絶縁材間でのエレクトロケミカルマイグレーションが発生することが無い。このため、第２導体回路の絶縁間隔を10μｍ以下に狭めても、信頼性が低下しない。 （もっと読む）

【課題】微細で密着力のある外層回路が形成可能であり、歩留まりの向上および半導体素子との接続信頼性を確保可能な半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】多層金属箔９と基材１６とを積層してコア基板１７を形成する工程と、多層金属箔９の第１キャリア金属箔１０を物理的に剥離する工程と、第２キャリア金属箔上１１にパターンめっき１８を行い、絶縁層を積層して積層体を形成する工程と、積層体を第２キャリア金属箔１１とともにコア基板１７から分離する工程と、エッチングによりパターンめっき１８の表面が絶縁層の表面に対して凹みを形成するようにする工程と、凹みに貴金属めっきを行い絶縁層の表面に対して平坦とする工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、配線層とジャンパー部の周囲に存在する金属支持基板との絶縁性が高いサスペンション用基板を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層とを有するサスペンション用基板であって、金属支持基板の一部であるジャンパー部を囲む拡散層が除去され、上記ジャンパー部と上記金属支持基板とが絶縁されていることを特徴とするサスペンション用基板を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】電子部品の導電部の元素がその周辺に設けた絶縁層へ拡散するのを抑制する。
【解決手段】第１絶縁層１上に導電部２を形成して、その導電部２上にバリアメタル層３を形成した後、そのバリアメタル層３上に、非共有電子対を有する官能基を少なくとも２つ備える化合物を含む化合物層４を形成し、その化合物層４上に第２絶縁層５を形成する。導電部２から拡散する元素が、たとえバリアメタル層３を通過しても、そのバリアメタル層３を通過した元素を化合物層４によって捕捉し、導電部２の元素が第２絶縁層５等へ拡散するのを抑制する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電気的信頼性を向上させる要求に応える配線基板の製造方法及びその実装構造体を提供するものである。
【解決手段】本発明の一形態にかかる配線基板３の製造方法は、樹脂部７ａ及び該樹脂部７ａに被覆された繊維７ｂを含む基体７に、ダイヤモンドライクカーボンで被覆されたドリルを用いて複数のスルーホールＴを形成する工程と、スルーホールＴのドリルによって形成された内壁に貴金属化合物及び有機珪素化合物を吸着させる工程と、前記貴金属化合物を触媒として無電解めっき処理を行うことによって、スルーホールＴの内壁に無電解めっき膜９ｘを被着させる工程と、無電解めっき膜９ｘを下地として電気めっき処理を行うことによって、スルーホールＴの内壁面にスルーホール導体９を形成する工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】透明な導電層を部分的に絶縁化して導電パターンを形成する際に絶縁化処理の領域の幅を広くしても、導電パターンが視認されず、また、絶縁部を確実に絶縁させて安定した電気的性能を有する導電パターンを得ることができる導電パターンの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の導電パターンの製造方法は、絶縁性基材１１の少なくとも一方の面に設けられた、極細の無機導電繊維を含む光線透過性導電層ａに、集光手段４２を介してパルス幅１ｐ秒未満の極短パルスのレーザ光Ｌを所定のパターンで照射する。 （もっと読む）

【課題】樹脂基材上に支持された金属微細パターンの表面をメッキ処理の対象とし、そのようなメッキ処理対象面に無電解ニッケル−パラジウム−金メッキを行う際に、下地である樹脂表面に金属の異常析出が起きるのを抑えることができるメッキ処理品の製造方法によって得られる、金メッキ金属微細パターン付き基材を提供する。
【解決手段】樹脂からなる支持表面を有する基材の当該支持表面上に、金属微細パターンと、当該金属微細パターンを設けた領域を被覆するソルダーレジスト層が設けられ、前記ソルダーレジスト層は、前記金属微細パターンの少なくとも一部の表面を露出させ、且つ、前記支持表面が露出していない開口部を有し、前記開口部において露出した部分が、ニッケル−パラジウム−金メッキ層及びニッケル−金メッキ層よりなる群から選ばれる複合金メッキ層で被覆されていることを特徴とする、金メッキ金属微細パターン付き基材。 （もっと読む）

【課題】ＳＡＰプロセスでの無電解メッキ付き性に優れ、微細回路の形成を可能とし、かつ、金メッキ処理での異常析出を抑制して微細回路の配線間絶縁信頼性および接続信頼性を向上させることを可能とする金メッキ金属微細パターン付き基材の製造方法を提供し、前記製造方法によって、金メッキ金属微細パターン付き基材、特にプリント配線板、及び前記プリント配線板を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】樹脂からなる支持表面を有する基材を準備する工程と、当該支持表面上に、表面粗度が０．５μｍ以下であるプライマー樹脂層を形成し、その上にＳＡＰ法によって金属微細パターンを形成して金属微細パターン付き基材を得る工程と、当該金属微細パターンの少なくとも一部の表面に金メッキ処理を行う工程とを含み、前記金メッキ処理を行う前の任意の段階において、金属微細パターン付き基材に対し、パラジウム除去処理を行う。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、電気的信頼性を向上させる要求に応える配線基板を提供するものである。
【解決手段】
本発明の一形態にかかる配線基板４は、貫通孔Ｐ１が形成された樹脂層７ａと、該貫通孔内Ｐ１に配された貫通導体８ａと、樹脂層７ａと貫通導体８ａとの間に介された介在膜９Ａとを備え、該介在膜９ａは、樹脂層７ａに当接した第１酸化チタン膜１４ａと、該第１酸化チタン膜１４ａよりも前記貫通導体８ａ側に配され、第１酸化チタン膜１４ａに当接したチタン膜１５とを有する。 （もっと読む）

【課題】導体回路間の絶縁信頼性の優れた回路基板、回路基板の製造方法および半導体装置を提供すること。
【解決手段】基材１０５と、基材１０５の少なくとも一方の面側に金属層１０１が形成された積層板１０を用意し、金属層１０１の表面に開口部を設けたレジスト層２１を形成する工程と、レジスト層２１の開口部にめっきにより導体部３１を形成する工程と、レジスト層２２を剥離液により除去する工程と、レジスト層を剥離液により除去することにより露出する金属層１０１をドライエッチングにより除去する工程と、を含むことを特徴とする回路基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】錫めっき皮膜のウィスカーの発生を防止する熱処理時間をより短縮し、製品の生産性を向上させることを目的とする。
【解決手段】可溶性錫塩と、錯化剤と、酸を含む無電解錫めっき液において、分子内に３つ以上のヒドロキシル基を有する水溶性の脂肪族アルコール（但し脂肪族基中にエーテル結合を含んでいてもよい）を含有することを特徴とする無電解錫めっき液。及び該無電解錫めっき液に少なくとも表面に銅を有する被めっき物浸漬した後、１１０〜１３０℃の条件下で４０〜７５分熱処理を行い、得られる錫めっき皮膜中の純錫層の厚さを０．１００〜０．２５０μｍとすることを特徴とする錫めっき皮膜を有するめっき物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】断線、ショート等の発生を防止し、信頼性の高い導体パターンを形成することができる導体パターンの形成方法等を提供すること。
【解決手段】本発明の導体パターンの形成方法は、ノズル検査工程、描画データ作成工程、導体パターン前駆体形成工程、焼成工程を有し、前記描画データ作成工程は、ビットマップデータ作成工程、仮描画データ作成工程、仮描画データを補正して描画データを得る描画データ補正工程を有し、ビットマップ８のピクセル８１のピッチは、導体パターン形成用インクの液滴の基材への着弾後の直径の１／２以下（但し、０は含まない）であり、前記描画データ補正工程では、前記描画データとして、前記ノズル検査工程で特定された不良ノズルの使用を禁止することを示す情報を付加し、前記導体パターン前駆体形成工程では、前記描画データに基づいて、前記不良ノズルを使用せずに主走査を行う。 （もっと読む）

【課題】耐酸化性、耐電食性を向上させた金属銅膜の製造方法及び金属銅パターンを提供する。
【解決手段】銅酸化物を含む銅系粒子から成る金属銅膜の製造方法において、銅酸化物を含む銅系粒子から成る層を基板表面に形成する工程と、前記銅系粒子から成る層をガス状のギ酸及び／又はホルムアルデヒドに接触させる工程とを有し、前記銅系粒子から成る層をギ酸、ホルムアルデヒドおよび酸素が存在しないガス中あるいは減圧下で１１０℃以上２５０℃以下で後加熱処理する工程、又は、前記銅系粒子から成る層を防錆作用のある薬剤の溶液あるいはガスに接触させる工程を有する、金属銅膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】配線導体間における電気的絶縁性の高い配線導体の形成方法を提供すること。
【解決手段】配線導体６が形成される絶縁層１の表面にパラジウム触媒２を付着させ、次にパラジウム触媒２が付着した絶縁層１の表面に無電解銅めっき層３を被着させ、次に無電解銅めっき層３の表面に配線導体６のパターンに対応する開口４ａを有するめっきレジスト層４を被着させ、次に開口４ａ内の無電解銅めっき層３上に電解銅めっき層５を配線導体６に対応するパターンに被着させ、次に無電解銅めっき層３上からめっきレジスト層４を剥離し、次に電解銅めっき層５および無電解銅めっき層３を、配線導体６のパターン間の無電解銅めっき層３が消失するまで過硫酸塩と塩素イオン０．０５〜０．２ｍｏｌ／ｌとを含むエッチング液でエッチング処理することにより電解銅めっき層５およびその下の無電解銅めっき層３から成る配線導体６を形成する。 （もっと読む）

金属化合物が分散しているレーザ活性化熱可塑性基材を処理する方法について記載する。（ｉ）チオール官能性有機化合物と、（ｉｉ）エトキシ化アルコール界面活性剤と、（ｉｉｉ）キサンタンガムとを含む水性組成物と前記基材とを接触させる。処理組成物を使用することにより、後に基材をレーザで活性化し、無電解めっきによりめっきしたとき、基材における不要なめっきが実質的に生じなくなる。 （もっと読む）

【課題】 絶縁距離を狭めてボンディングパッドを配置しても、ボンディングパッドでの短絡が生じないプリント配線板の製造方法を提供する。
【解決手段】 ソルダーレジスト層７０で覆った導体回路の頂部を露出させボンディングパッド５８ｂとし、ニッケル層７３、金層７４を形成する。即ち、無電解めっき膜５２を形成するために触媒核の付与された層間樹脂絶縁層５０の表面はソルダーレジスト層７０で覆われており、ニッケル層７３、金層７４が樹脂層に形成されることがないため、ニッケル層、金層による短絡が起きず、絶縁距離を狭めファインピッチにボンディングパッドを配置しても、ボンディングパッドでの短絡が生じない。 （もっと読む）

【課題】製造する基板が静電気によって破壊されることを防止する、基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様の電子デバイス用基板の製造方法は、複数のスイッチング素子、及び該複数のスイッチング素子に電気的に接続された複数の配線（１２０及び１３０）を備える基板の製造方法であって、基板（１００）に複数の配線（１２０及び１３０）を短絡させる短絡配線（１５０及び１６０）を形成する短絡工程と、基板（１００）に、短絡配線（１５０及び１６０）の少なくとも一部を基板（１００）から除去して短絡を解除可能な開口または切り欠き（２１０、２２０、２３０、及び２４０）を形成する短絡解除工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 デラミネーションが発生するのを抑制するとともに、近接する配線間の絶縁性に優れた多層配線基板の製造方法および多層配線基板を提供する。
【解決手段】 本発明の多層配線基板の製造方法は、平均粒径が１〜１０μｍのセラミック粉末および有機バインダを含むセラミックグリーンシート４を用意し、セラミックグリーンシート４の上面に、第２の金型２を押し付けて第２の突条２１による溝４１を形成し、セラミックグリーンシート４の上面の少なくとも溝４１の内壁に、平均粒径が０．１〜０．５μｍのセラミック粉末およびホットメルト樹脂を含むセラミックスラリー５を被着形成し、セラミックグリーンシート４の上面に、ホットメルト樹脂が軟化するように加熱した第１の金型１を押し付けて、第２の突条２１による溝の内側に、側面および底面がセラミックスラリー５からなる配線形状の溝５１を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来のプリント回路基板の製造方法は、工程が複雑であり、回路の絶縁層への埋め込みにおいてアラインメント問題が生じる恐れがあった。
【解決手段】本発明は、(ａ)シード層が形成された絶縁層上に回路パターンを形成するステップと、(ｂ)回路パターンをプレス方式により絶縁層の内部に埋め込むステップと、(ｃ)シード層を除去するステップと、を含んでなる。本発明によると、絶縁層上に回路パターンを直接形成することによりアラインメント問題を回避して微細回路を形成でき、突出した回路を絶縁層の内部に埋め込むことにより、形成された微細回路の信頼性を高めることができる。さらに、シード層を除去するエッチング工程において、回路パターンが絶縁層の表面より低く形成されるように、オーバーエッチングを行うことにより、隣接回路間のイオンの移動による回路の不良を低減することができるという効果が得られる。 （もっと読む）