【課題】
難燃性向上し、絶縁層の誘電正接及び熱膨張率が低く、導体層と絶縁樹脂の密着をより安定的に保つことができる、多層回路基板等の回路基板の絶縁層形成に好適な樹脂組成物を提供することである。
【解決手段】
特定のアクリレート化合物、エポキシ樹脂、シアネートエステル樹脂を含有させることにより上記課題を解決できることを見出した。 （もっと読む）

【課題】ビアホール内にスパッタ法でシード層を形成し、その上に電解金属めっき層を形成することに基づいて配線層を形成する配線基板の製造方法において、信頼性よく配線層を形成できる方法を提供する。
【解決手段】仮基板１０の上に分離できる状態で樹脂層２０を形成する工程と、樹脂層２０をレーザで貫通加工することによりビアホールＶＨ１を形成し、ビアホールＶＨ１内に樹脂スミアＲＳが発生する工程と、樹脂スミアＲＳを残した状態で、スパッタ法により樹脂層２０上及びビアホールＶＨ１の内面にシード層３２を形成する工程と、シード層３２と、電解めっきで形成される金属めっき層３４とを利用することにより、ビアホールＶＨ１に充填される配線層３０を得る工程と、仮基板１０と樹脂層２０とを分離することにより、樹脂層２０の露出面に樹脂スミアＲＳを露出させる工程と、樹脂スミアＲＳを除去する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 薄型化が容易であり、インダクタンスを低く抑える上でも有効な多層配線基板を提供する。
【解決手段】 下端面に接続パッド１ｂが被着された複数の第１貫通導体１ａを有する第１セラミック基板１の上に、第１貫通導体１ａと電気的に接続された複数の下部薄膜導体層４と複数の下部樹脂絶縁層５とが交互に積層されてなる薄膜多層導体部３と、下部薄膜導体層４を介して第１貫通導体１ａと電気的に接続された、上端面に電極パッド２ｂが被着された第２貫通導体２ａを有する第２セラミック基板２とが積層されてなる配線基板Ａの上面に、電極パッド２ｂと電気的に接続された薄膜導体層６と樹脂絶縁層７とが交互に積層されてなり、最上面に露出した薄膜導体層６が半導体素子の電極と電気的に接続される多層配線基板Ｂである。配線基板Ａが主に下部薄膜導体層４と下部樹脂絶縁層５とで構成されるため、薄型化およびインダクタンスの低減が容易である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、第２電極の誘電層に接する面積の偏差を最小化することができ、結果的に、キャパシタの静電容量の誤差を減らすことができるキャパシタ内蔵型の印刷回路基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るキャパシタ内蔵型の印刷回路基板は、絶縁層と、絶縁層の一面に形成される第１電極と、第１電極の一面に形成される第２電極と、第２電極の一面に形成される誘電層と、誘電層の一面に形成される第３電極とを備え、第１電極の一面に第２電極を形成する二重構造にキャパシタの電極を構成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】遮光領域を抑制することにより、開口率の低下を防止するとともに、製造工程を簡素化することができる多層配線基板及びそれを備えた半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ＴＦＴ基板１は、第１コンタクトホール１１が形成された第１絶縁膜８と、第１絶縁膜８の表面及び第１コンタクトホール１１の表面に形成された第１配線層１４と、第２コンタクトホール１５が形成された第２絶縁膜９と、第２絶縁膜９上に積層されるとともに、第２絶縁膜９の表面及び第２コンタクトホール１５の表面に形成され、第１配線層１４と導通された第２配線層１６とを備えている。そして、第１及び第２コンタクトホール１１，１５が、ＴＦＴ基板１の上下方向Ｘにおいて重なった状態で直線的に配置され、第１コンタクトホール１１において、第１配線層１４上に絶縁性樹脂２５が充填されている。 （もっと読む）

【課題】 矩形配線の形成及び大面積化に適した回路基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 第１の開口２２を有する第１の絶縁層２１を形成し、次いで、第１の絶縁層２１上に第２の絶縁層２３を形成する。第２の絶縁層２３には、第１の開口２２と連通する第２の開口２４と、第１の開口２２と連通しない第３の開口２５とが形成される。第１の開口２２及び第２の開口は、それぞれ、１つのビアホール２６の底部、上部を構成し、第３の開口２５は配線溝を構成する。その後、ビアホール２６内にビア３６を、配線溝２５内にトレンチ配線３５を形成する。好ましくは、第１の絶縁層２１及び第２の絶縁層２３は、互いに異なる種類の感光性絶縁膜にされる。 （もっと読む）

【課題】スタックビア構造を簡素な方法によって低コストで形成できる配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】下地層１０の上に形成された第１ビアパッドＰ１を有する第１配線層２０の上に第１層間絶縁層３０を形成する工程と、第１層間絶縁層３０の上に第２配線層２２を形成すると共に、第１ビアパッドＰ１に対応する第１層間絶縁層３０の上に第２配線層２２より膜厚が薄い第２ビアパッドＰ２を形成する工程と、第２配線層２２及び第２ビアパッドＰ２の上に第２層間絶縁層３２を形成する工程と、第２層間絶縁層３２、第２ビアパッドＰ２及び第１層間絶縁層３０を貫通加工することにより、第１ビアパッドＰ１に到達するビアホールＶＨを形成する工程と、ビアホールＶＨに充填されたビア導体２４ｃを介して、第１ビアパッドＰ１に接続される第３配線層２４を第２層間絶縁層３２の上に形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は多層セラミック基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】多層セラミック基板は、ビアを介して層間接続された多層のセラミック層が積層されたセラミック積層体と、最上層のセラミック層と最下層のセラミック層とに各々備えられた該ビアを露出させるように、該セラミック積層体の上下両面に各々配設された乱反射防止パターンと、該乱反射防止パターンにより露出されたビアと電気的に接続されたコンタクトパッドとを含む。 （もっと読む）

【課題】金属保護層によりキャビティ内の配線及び非配線区域を保護する、プリント配線板の製造方法の提供。
【解決手段】プリント配線板の製造方法であって、第１表面を含む基板を用意する、基板に対して第１回路パターン形成プロセスを行う、第１表面上にベース配線を形成する、ベース配線上に金属保護層を形成する、金属保護層に対して第２回路パターン形成プロセスを行う、パターン形成金属配線保護層を形成する、基板に対してビルドアッププロセスを行い、ベース配線及びパターン形成金属配線保護層上に第１ビルドアップ層を形成する、第１ビルドアップ層に対して第３回路パターン形成プロセスを行い、第１ビルドアップ層配線を形成する、第１ビルドアップ層配線に対してレーザープロセスを行い、キャビティ構造を形成する、パターン形成金属配線保護層を除去する、という工程を含む。 （もっと読む）

【課題】良好な樹脂硬化性、すなわちプリプレグ積層時に、高温かつ長時間の処理を必要とせず、且つワニスやプリプレグの硬化性や保存安定性が良好であり、耐薬品性、耐熱性、接着性に優れる樹脂組成物、及びこれを用いたプリプレグ、積層板、多層プリント配線板を提供する。
【解決手段】１分子中に少なくとも２個のＮ−置換マレイミド基を有するマレイミド化合物（ａ）と、１分子中に少なくとも２個の１級アミノ基を有するアミン化合物（ｂ）を有機溶媒中で反応させて製造される不飽和マレイミド基を有する樹脂組成物（Ａ）、熱硬化性樹脂（Ｂ）及び、イソシアネートマスクイミダゾールやエポキシマスクイミダゾールなどの変性イミダゾール化合物（Ｃ）を含有する熱硬化性樹脂組成物を使用する。 （もっと読む）

【課題】 高強度、高ヤング率特性を有し、さらに低い誘電率と低い誘電損失を有するガラスセラミック焼結体、並びにかかるガラスセラミック焼結体を用いた配線基板および薄膜配線基板を提供する。
【解決手段】 実質的にＺｎＯおよびＴｉＯ_２を含有しない、（ａ）アスペクト比３以上の異方性結晶からなるセルシアン結晶相と、（ｂ）フォルステライト結晶相、スピネル結晶相、エンスタタイト結晶相、の群から選ばれる少なくとも１種と、（ｃ）アルミナ結晶相、ジルコニア結晶相のうち少なくとも１種の結晶相と、（ｄ）ＢａＯの含有量が１０質量％以下である残留ガラス相とを含有してなり、かつ開気孔率が０．３％以下である。 （もっと読む）

【課題】 本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、搬送ロールに蓄えられる静電気が、離型層表面に傷を発生させる主要因となっていることを見出し、離型層中に帯電防止剤を含有させることにより、搬送中に生じる離型層表面の傷発生を防止し得ることを見出し、本発明を完成させた。すなわち、本発明は以下の内容を含む。
【解決手段】 支持体層上に帯電防止剤を含有する離型層が形成され、該離型層上に金属膜層が形成されている金属膜付きシート。 （もっと読む）

【課題】 絶縁樹脂層とセラミック配線基板との間に熱応力発生したとしても、配線が破断してしまう可能性がより低減された高信頼性の配線基板を提供すること。
【解決手段】 セラミック配線基板１と、セラミック配線基板１の上面に積層された複数の絶縁樹脂層２と、複数の絶縁樹脂層２それぞれの上面の配線層３と、絶縁樹脂層２の上下に位置する配線層３・３間を接続するビア導体４と、最下層の絶縁樹脂層２の上面からセラミック配線基板１内に至り、最下層の絶縁樹脂層２の上面の配線層３とセラミック配線基板１の上面の外部配線７ａとを接続する貫通導体６とを具備する配線基板。熱応力が大きくなるセラミック配線基板１と最下層の絶縁樹脂層２との界面に、比較的接続強度の弱いビア導体４の端面と外部配線７ａとの接続部を有さないので、配線が破断してしまう可能性が低減された高信頼性の配線基板となる。 （もっと読む）

【課題】多層配線基板において、配線層の酸化を防止し、接続不良を防止する。
【解決手段】 ガラス基板１１の温度を２００℃に設定し、インラインスパッタ成膜法にて、１０^−７Torrで、スパッタガスとして、水素ガスを５ｖｏｌ％添加されたＡｒガスを用いて、Ｃｒ膜を７００Å、Ｃｕ膜を６μｍ、およびＮｉ膜を７００Åの膜厚で順次成膜して、Ｎｉ／Ｃｕ／Ｃｒ多層配線層１２を形成する。 （もっと読む）

【課題】高容量でかつ絶縁抵抗が確保されたコンデンサ装置を製造することのできるコンデンサ装置の製造方法を提供する。
【解決手段】積層された複数のコンデンサ３５０ａ、３５０ｂ、３５０ｃから構成されるコンデンサ積層体４５０に貫通孔４７０Ｐ、４７０Ｇを形成する貫通孔形成工程と、貫通孔形成工程の後、貫通孔４７０Ｐ、４７０Ｇに、乾式のデスミア処理を施すデスミア工程と、デスミア工程の後、貫通孔４７０Ｐ、４７０Ｇに、乾式法によりシードメタルを形成するシードメタル形成工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】金属回路の断線が生じにくい多層積層回路基板を提供する。
【解決手段】本発明の多層積層回路基板は、樹脂フィルムと回路層とを交互に積層させた積層構造を有し、上記の回路層は、金属回路を含み、上記の樹脂フィルムのうち、いずれか１層の樹脂フィルムの熱膨張係数は、他の少なくとも１層の樹脂フィルムの熱膨張係数と異なり、上記の樹脂フィルムのうち、いずれか１層の樹脂フィルムの厚みをＡとし、上記樹脂フィルムに隣接する上記回路層の厚みをＢとすると、０．０１５≦Ｂ／Ａ≦８．７５であり、さらに、上記の樹脂フィルムのうち、いずれか１層の樹脂フィルムの一の面の面積をＣとし、上記の樹脂フィルムの面上に形成される金属回路が占める面積をＤとすると、０．０２≦Ｄ／Ｃ≦０．８であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】金属回路の断線が生じにくい多層積層回路基板を提供する。
【解決手段】多層積層回路基板１は、樹脂フィルム１００と回路層２００とを交互に積層させた積層構造を含む多層積層回路基板であって、上記樹脂フィルム１００は、１つ以上のマルチ導通部１１０を有し、上記マルチ導通部１１０は、直径１０μｍ以上３０００μｍ以下の領域を占め、かつ２つ以上の導通ビア１２０を有し、該導通ビア１２０は、５μｍ以上３００μｍ以下の内径を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】絶縁層の開口部内で金属薄膜と導体パターンとを十分な強度で接着することが可能な多層配線回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の絶縁層１上に第１の導体パターン２を形成する。次に、孔部３ａを有する第２の絶縁層３を第１の絶縁層１上に形成する。第２の絶縁層３の孔部３ａ内で第１の導体パターン２の一部が露出する。次に、第２の絶縁層３の孔部３ａ内で露出する第１の導体パターン２の部分の平均表面粗さＲａが２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下となるように、粗面化処理を行う。その後、第２の絶縁層３の孔部３ａ内で露出する第１の導体パターン２の部分、孔部３ａの側面および第２の絶縁層３上にスパッタリングにより金属薄膜４を形成する。 （もっと読む）

【課題】電子部品の実装に用いるセラミックス多層配線板の製造には、従来、グリーンシート法が用いられていたが、ビアが微細化すると、導体ペーストを充填する際、導体ペーストのビア未充填の確率が増加してオープン不良が発生しやすく配線板の製造歩留まりが著しく低下するという問題があった。
【解決手段】導電性バンプ上に揮発性の溶媒を含む絶縁性スラリーをコーティングし、加熱又は乾燥により一部の溶媒を蒸発させ、形成した絶縁性被膜の厚さを減少させることにより、導電性バンプの頭出しを行うことにした。導電性バンプの微細化が可能で、製造歩留まりが向上する。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップに形成されている電極端子が高密度化しても、半導体チップの電源の電圧変動を低減することが可能な積層コンデンサ及びそれを内蔵した半導体パッケージ並びにそれらの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 所定の間隔で並設され相互に接続された複数の第１の内部電極と、誘電体層を介して前記複数の第１の内部電極と互いに間挿し合うように、所定の間隔で並設され相互に接続された複数の第２の内部電極と、前記複数の第１の内部電極と接続される第１の外部電極と、前記複数の第２の内部電極と接続される第２の外部電極と、を有し、前記複数の第１の内部電極及び前記複数の第２の内部電極は、前記第１の外部電極及び前記第２の外部電極に挟まれた領域に、前記第１の外部電極と前記第２の外部電極の対向する面に対して略平行に配置されていることを特徴とする積層コンデンサである。 （もっと読む）