コンデンサ装置の製造方法
【課題】高容量でかつ絶縁抵抗が確保されたコンデンサ装置を製造することのできるコンデンサ装置の製造方法を提供する。
【解決手段】積層された複数のコンデンサ３５０ａ、３５０ｂ、３５０ｃから構成されるコンデンサ積層体４５０に貫通孔４７０Ｐ、４７０Ｇを形成する貫通孔形成工程と、貫通孔形成工程の後、貫通孔４７０Ｐ、４７０Ｇに、乾式のデスミア処理を施すデスミア工程と、デスミア工程の後、貫通孔４７０Ｐ、４７０Ｇに、乾式法によりシードメタルを形成するシードメタル形成工程と、を備える。
【解決手段】積層された複数のコンデンサ３５０ａ、３５０ｂ、３５０ｃから構成されるコンデンサ積層体４５０に貫通孔４７０Ｐ、４７０Ｇを形成する貫通孔形成工程と、貫通孔形成工程の後、貫通孔４７０Ｐ、４７０Ｇに、乾式のデスミア処理を施すデスミア工程と、デスミア工程の後、貫通孔４７０Ｐ、４７０Ｇに、乾式法によりシードメタルを形成するシードメタル形成工程と、を備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばコンデンサを内蔵した配線基板などのコンデンサ装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の小型化の要求に伴い、電子機器を構成する電子部品の実装効率を高めることが要望されている。そのため、実装効率を高めるため、コンデンサを内蔵した配線基板が特許文献１に開示されている。
【０００３】
しかし、この公報に開示された配線基板では、配線基板に内蔵されたコンデンサの高容量化と絶縁抵抗の確保とを両立することは困難である。
【０００４】
なぜなら、コンデンサを高容量化しようとすると、コンデンサの誘電体層を薄くすることになるが、誘電体層を薄くすれば、コンデンサの絶縁抵抗が低下する。一方、コンデンサの絶縁抵抗を確保しようとすると、誘電体層を厚くすることになるが、これではコンデンサの容量を大きくできない。
【０００５】
また、誘電体層と電極とを交互に積層して形成された複数のコンデンサを内蔵する配線基板が特許文献２に開示されている。この公報に開示された配線基板は、誘電体層の厚さをコンデンサの絶縁抵抗を得るために必要な厚さとし、複数のコンデンサを配置することで、全体としての容量を大きくしている。
【０００６】
もっとも、この公報に開示された配線基板では、一つのコンデンサに欠陥があれば、コンデンサ積層体全体に欠陥が生じる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−１９１５５９号公報
【特許文献２】特開２００４−２２８１９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記の問題点を解決するものであり、高容量でかつ絶縁抵抗が確保されたコンデンサ装置を製造することのできるコンデンサ装置の製造方法を提供することを目的とする。また、コンデンサを積層したコンデンサ積層体を内蔵する配線基板の歩留まりを確保することのできるコンデンサ装置の製造方法を提供することを他の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、本発明の第１の観点に係るコンデンサ装置の製造方法は、積層された複数のコンデンサから構成されるコンデンサ積層体に貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記貫通孔形成工程の後、前記貫通孔に、乾式のデスミア処理を施すデスミア工程と、前記デスミア工程の後、前記貫通孔に、乾式法によりシードメタルを形成するシードメタル形成工程と、を備える、ことを特徴とする。
【００１０】
上記目的を達成するため、本発明の第２の観点に係るコンデンサ装置の製造方法は、誘電体層と、前記誘電体層を挟んで対向する第１電極と第２電極と、を有するコンデンサを作成する、コンデンサ作成工程と、前記コンデンサを、接着剤を介して積層することでコンデンサ積層体を作成する、コンデンサ積層体作成工程と、支持板上に、第１の外部端子と第２の外部端子を有する第１の外部接続端子を形成する第１の外部接続端子形成工程と、前記第１の外部接続端子と支持板上に複数の樹脂絶縁層と複数の導体回路を交互に積層するビルドアップ工程と、前記複数の樹脂絶縁層のうち少なくとも１つの樹脂絶縁層に、前記コンデンサ積層体を埋設させる埋設工程と、前記コンデンサ積層体に、前記第１電極又は前記第２電極同士を貫通する貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記貫通孔に、乾式のデスミア処理を施すデスミア工程と、前記デスミア工程の後、前記貫通孔に、乾式法によりシードメタルを形成するシードメタル形成工程と、前記シードメタル形成工程の後、前記シードメタル上にメッキして、前記貫通孔に金属導体を充填させることで、前記第１電極同士を電気的に接続する第１のヴィア導体と、前記第２電極同士を電気的に接続する第２のヴィア導体と、を作成するヴィア導体作成工程と、前記第１のヴィア導体と電気的に接続している第３の外部端子と、前記第２のヴィア導体と電気的に接続している第４の外部端子と、を作成する第２の外部接続端子形成工程と、を備える、ことを特徴とする。
【００１１】
上記目的を達成するため、本発明の第３の観点に係るコンデンサ装置の製造方法は、誘電体層と、前記誘電体層を挟んで対向する第１電極と第２電極と、を有するコンデンサを作成する、コンデンサ作成工程と、前記コンデンサを、接着剤を介して積層することでコンデンサ積層体を作成する、コンデンサ積層体作成工程と、支持板上に、第１の外部端子と第２の外部端子を有する第１の外部接続端子を形成する第１の外部接続端子形成工程と、前記第１の外部接続端子と支持板上に複数の樹脂絶縁層と複数の導体回路を交互に積層するビルドアップ工程と、前記複数の樹脂絶縁層のうち少なくとも１つの樹脂絶縁層に、前記コンデンサ積層体を埋設させる埋設工程と、前記コンデンサ積層体に、前記第１電極又は前記第２電極同士を貫通する貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記貫通孔に、乾式のデスミア処理を施すデスミア工程と、前記デスミア工程の後、前記貫通孔に、乾式法によりシードメタルを形成するシードメタル形成工程と、前記シードメタル形成工程の後、前記シードメタル上にメッキして、前記貫通孔に金属導体を充填させることで、前記第１電極同士を電気的に接続する第１のヴィア導体と、前記第２電極同士を電気的に接続する第２のヴィア導体と、を作成するヴィア導体作成工程と、前記複数の樹脂絶縁層のうち、前記支持板とは反対側に位置する最上層の樹脂絶縁層上に第３の外部端子と第４の外部端子を有する第２の外部接続端子を形成する第２の外部接続端子形成工程と、前記支持板を除去する支持板除去工程と、を備え、前記第１の外部端子と前記第３の外部端子は前記第１のヴィア導体と電気的に接続していて、前記第２の外部端子と前記第４の外部端子は前記第２のヴィア導体と電気的に接続している、ことを特徴とする。
【００１２】
上記目的を達成するため、本発明の第４の観点に係るコンデンサ装置の製造方法は、
単層コンデンサに貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
前記貫通孔形成工程の後、前記貫通孔に、乾式のデスミア処理を施すデスミア工程と、
前記デスミア工程の後、前記貫通孔に、乾式法によりシードメタルを形成するシードメタル形成工程と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、高容量でかつ絶縁抵抗が確保されたコンデンサ装置を製造することができる。また、コンデンサを積層したコンデンサ積層体を内蔵する配線基板を製造する場合には、その歩留まりを向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るコンデンサ装置（配線基板）の断面図である。
【図２Ａ】第１電極と誘電体層と第２電極とを積層させる、実施形態１に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図２Ｂ】第１電極と第２電極とをずれた位置にさせる、実施形態１に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図２Ｃ】コンデンサを積層させてコンデンサ積層体を作成する、実施形態１に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図２Ｄ】接着剤を介在させてコンデンサを積層させたコンデンサ積層体を示す、実施形態１に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図２Ｅ】ベース基板の上に樹脂絶縁層を積層する、実施形態１に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図２Ｆ】樹脂絶縁層にコンデンサ積層体を埋設させる、実施形態１に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図２Ｇ】コンデンサ積層体が埋設された樹脂絶縁層を示す、実施形態１に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図２Ｈ】樹脂絶縁層にコンデンサ積層体を積層させる、実施形態１に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図２Ｉ】樹脂絶縁層にさらに第２の樹脂絶縁層を積層する、実施形態１に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図２Ｊ】コンデンサ積層体にヴィア導体のための貫通孔を設ける、実施形態１に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図２Ｋ】実施形態１に係る配線基板のコンデンサ積層体を上面から説明する図である。
【図２Ｌ】実施形態１に係る配線基板のコンデンサ積層体を上面から説明する図である。
【図２Ｍ】第２の樹脂絶縁層に導体パターンを設ける、実施形態１に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図２Ｎ】誘電体層のダメージに起因したコンデンサ電極間の短絡現象を説明する図である。
【図２Ｏ】誘電体層のダメージに起因したコンデンサ電極間の短絡現象を説明する写真である。
【図２Ｐ】湿式のデスミア処理により製造されたコンデンサ装置の例を説明する図である。
【図２Ｑ】湿式のデスミア処理により製造されたコンデンサ装置の例を説明する写真である。
【図２Ｒ】乾式のデスミア処理により製造されたコンデンサ装置の例を説明する図である。
【図２Ｓ】乾式のデスミア処理により製造されたコンデンサ装置の例を説明する写真である。
【図２Ｔ】さらに第３の樹脂絶縁層を積層する、実施形態１に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図２Ｕ】第３の樹脂絶縁層に導体パターンを設ける、実施形態１に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図２Ｖ】ソルダーレジストに複数の開口部を設ける、実施形態１に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図２Ｗ】半田バンプを介してＩＣチップが実装される、実施形態１に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図２Ｘ】ベース基板の下面にも樹脂絶縁層を設ける、実施形態１に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図３】本発明の第２の実施形態に係るコンデンサ装置（配線基板）の断面図である。
【図４Ａ】コンデンサ積層体にヴィア導体のための貫通孔を設ける、実施形態２に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図４Ｂ】コンデンサ積層体及び樹脂絶縁層の上面に導体パターンを設ける、実施形態２に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図４Ｃ】さらに第２の樹脂絶縁層を設ける、実施形態２に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図４Ｄ】ベース基板の下面にも樹脂絶縁層を設ける、実施形態２に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図５】第１電極及び第２電極の開口部にヴィア導体が形成されているコンデンサ積層体を示す、実施形態３に係るコンデンサ装置（配線基板）の断面図である。
【図６Ａ】実施形態３に係る配線基板のコンデンサ積層体を格子状に貫通するヴィア導体を説明する図である。
【図６Ｂ】実施形態３に係る配線基板のコンデンサ積層体を千鳥状に貫通するヴィア導体を説明する図である。
【図７Ａ】第１電極と誘電体層と第２電極とを積層させる、実施形態３に係る配線基板のコンデンサ単体を説明する図である。
【図７Ｂ】第１電極及び第２電極がパターニングされた、実施形態３に係る配線基板のコンデンサ単体を説明する図である。
【図７Ｃ】実施形態３に係る配線基板のパターニングされたコンデンサを第１電極側から説明する平面図である。
【図７Ｄ】実施形態３に係る配線基板のパターニングされたコンデンサを第２電極側から説明する平面図である。
【図７Ｅ】パターニングされたコンデンサを積層させてコンデンサ積層体を作成する、実施形態３に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図７Ｆ】パターニングされたコンデンサを、接着剤を介在させて積層させるコンデンサ積層体を示す、実施形態３に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図７Ｇ】パターニングされたコンデンサを積層させたコンデンサ積層体を樹脂絶縁層に埋設させる、実施形態３に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図７Ｈ】パターニングされたコンデンサを積層させたコンデンサ積層体に貫通孔を設ける、実施形態３に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図７Ｉ】パターニングされたコンデンサを積層させたコンデンサ積層体にヴィア導体及び導体パターンを設ける、実施形態３に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図８】本発明の第４の実施形態に係るコンデンサ装置（配線基板）の断面図である。
【図９Ａ】実施形態４に係る配線基板の製造工程において、樹脂絶縁層を支える支持板を説明する図である。
【図９Ｂ】実施形態４に係る配線基板の製造工程において、支持板の上にメッキレジストを形成する工程を説明する図である。
【図９Ｃ】実施形態４に係る配線基板の製造工程において、支持板の上に形成されたメッキレジストに複数の開口部を形成する工程を説明する図である。
【図９Ｄ】メッキレジストの開口部に外部端子を形成する、実施形態４に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図９Ｅ】支持板の上に第１の樹脂絶縁層を形成する、実施形態４に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図９Ｆ】支持板の上に形成された第１の樹脂絶縁層に貫通孔を形成する、実施形態４に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図９Ｇ】第１の樹脂絶縁層の上面に導体パターンを形成する、実施形態４に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図９Ｈ】第１の樹脂絶縁層の上に第２の樹脂絶縁層を形成する、実施形態４に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図９Ｉ】第２の樹脂絶縁層にコンデンサ積層体を埋設させる、実施形態４に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図９Ｊ】コンデンサ積層体が埋設された第２の樹脂絶縁層を説明する、実施形態４に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図９Ｋ】コンデンサ積層体が埋設された第２の樹脂絶縁層に貫通孔を設ける、実施形態４に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図９Ｌ】第２の樹脂絶縁層にヴィア導体及び導体パターンを設ける、実施形態４に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図９Ｍ】第２の樹脂絶縁層の上に第３の樹脂絶縁層を設ける、実施形態４に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図９Ｎ】第３の樹脂絶縁層に貫通孔を設ける、実施形態４に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図９Ｏ】第３の樹脂絶縁層にヴィア導体及び導体パターンを設ける、実施形態４に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図９Ｐ】第３の樹脂絶縁層の上にソルダーレジストを設ける、実施形態４に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図９Ｑ】ソルダーレジストに設けられた複数の開口部に外部端子を設ける、実施形態４に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図９Ｒ】支持板をエッチングにて除去する、実施形態４に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図１０】本発明の実施形態４に係る配線基板の変形例を示す図である。
【図１１】ベース基板の下方に設けられた樹脂絶縁層にもコンデンサ積層体を埋設する、実施形態５に係るコンデンサ装置（配線基板）の断面図である。
【図１２】単層コンデンサを有するコンデンサ装置の例を説明する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
（本発明の具体的一実施態様における配線基板の第１の実施形態）
以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態について説明する。
【００１６】
図１に示すように、本実施形態に係る配線基板９００は、第１の樹脂絶縁層２００ａと、第１の樹脂絶縁層２００ａを支えるベース基板１００と、第１の樹脂絶縁層２００ａに埋設されたコンデンサ積層体４５０と、を有する。
【００１７】
第１の樹脂絶縁層２００ａの上には第２の樹脂絶縁層２００ｂが設けられている。第２の樹脂絶縁層２００ｂの上には第３の樹脂絶縁層２００ｃが設けられている。
【００１８】
コンデンサ積層体４５０の上面は第１の樹脂絶縁層２００ａの上面にあり、コンデンサ積層体４５０の上面と第１の樹脂絶縁層２００ａの上面とは面一になっている。
【００１９】
コンデンサ積層体４５０は、コンデンサ３５０ａ、３５０ｂ、３５０ｃを接着剤３４０を介して積層したものである。接着剤３４０は、絶縁性樹脂であり、例えばエポキシ樹脂である。
【００２０】
コンデンサ積層体４５０の厚みは、例えば、３０μｍ〜１００μｍである。１００μｍよりも厚いとコンデンサ積層体４５０を樹脂絶縁層２００ａに埋没させることが困難となるおそれがあるからであり、一方、３０μｍよりも薄いと構造が微細となりすぎて配線基板の製造効率を阻害する可能性がありうるからである。
【００２１】
コンデンサ３５０ａ、３５０ｂ、３５０ｃは、それぞれ、誘電体層３３０と、平板状の第１電極３１０と、第２電極３２０とを有する。第１電極３１０と第２電極３２０とは、同一サイズの直方体の平板導体から形成される。第１電極３１０と第２電極３２０とは互いに電極の平面方向に所定距離シフトしており、一部において重なっている。第１電極３１０と第２電極３２０とは、例えば、長さ０．２ｍｍ〜８ｍｍで、幅０．１ｍｍ〜８ｍｍで、厚み３μｍ〜１５μｍである。第１電極３１０と第２電極３２０とは銅で形成されている。
【００２２】
誘電体層３３０の厚みは例えば０．５μｍ〜１０μｍである。誘電体層３３０の厚みを０．５μｍよりも小さくするとコンデンサの絶縁抵抗が悪くなる可能性があるからであり、一方、１０μｍよりも大きくするとコンデンサの高容量化が満足できる値とならないおそれがあるからである。
【００２３】
コンデンサ３５０同士の距離、例えば、コンデンサ３５０ａの第２電極３２０とコンデンサ３５０ｂの第１電極３１０との距離（即ち、接着剤３４０が形成する接着剤層の厚み）は、例えば２〜１２μｍである。２μｍよりも小さいとコンデンサ３５０間に充填される接着剤３４０の量が不十分となり、コンデンサ３５０同士の接着力が弱くなる可能性があるからである。また、接着剤３４０の厚みが薄いと、コンデンサ間（３５０ａと３５０ｂ間や３５０ｂと３５０ｃ間）で絶縁抵抗が小さくなる可能性があるからである。一方、１２μｍよりも大きくなると、コンデンサ積層体４５０の厚みが増大することで配線基板の微細な配線構造を阻害するおそれがあるからである。
【００２４】
誘電体層３３０は、セラミック製の誘電体層である。誘電体層３３０は、例えばチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）で形成される。なお、誘電体層３３０には、熱可塑性樹脂若しくは熱硬化性樹脂に誘電性フィラーを含有するものを用いることができる。熱可塑性樹脂は例えばポリエステル、熱硬化性樹脂は例えばフェノール樹脂を使用できる。誘電性フィラーは例えばチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）で形成される。
【００２５】
ヴィア導体４１１が、コンデンサ３５０ａ、３５０ｂ、３５０ｃのそれぞれの第１電極３１０同士を電気的に接続している。また、ヴィア導体４１２が、コンデンサ３５０ａ、３５０ｂ、３５０ｃのそれぞれの第２電極３２０同士を電気的に接続している。
【００２６】
ベース基板１００の上には複数の導体パターン（導体回路）４２１（４２１Ｐ、４２１Ｇ、４２１Ｓ）が設けられ、第２の樹脂絶縁層２００ｂの上には複数の導体パターン４２３（４２３Ｐ、４２３Ｇ、４２３Ｓ）が設けられている。第３の樹脂絶縁層２００ｃの上には複数の導体パターン４２５（４２５Ｐ、４２５Ｇ、４２５Ｓ）が設けられている。
【００２７】
そして、ヴィア導体４１１は、導体パターン４２１Ｐと導体パターン４２３Ｐとを電気的に接続している。ヴィア導体４１２は、導体パターン４２１Ｇと導体パターン４２３Ｇとを電気的に接続している。ヴィア導体４１２に接続している導体パターン４２３Ｇはグランドラインに接続され、ヴィア導体４１１に接続している導体パターン４２３Ｐは電源ラインに接続される。ヴィア導体４４１Ｐは、導体パターン４２３Ｐと導体パターン４２５Ｐとを電気的に接続している。ヴィア導体４４１Ｇは、導体パターン４２３Ｇと導体パターン４２５Ｇとを電気的に接続している。
【００２８】
ベース基板１００の厚みは、２００μｍ〜８００μｍである。ベース基板１００は、例えばガラスエポキシ樹脂で構成される。ガラスエポキシ樹脂は、ガラスフィラーが添加されたエポキシ樹脂をガラスクロスに含浸させたものである（ガラスエポキシ基板）。
【００２９】
第１の樹脂絶縁層２００ａ、第２の樹脂絶縁層２００ｂ、第３の樹脂絶縁層２００ｃの厚みは、例えば４０μｍ〜１２０μｍである。樹脂絶縁層２００ａ、２００ｂ、２００ｃは、例えばエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂から構成される。樹脂絶縁層は、ガラス、アルミナ、炭酸バリウムなどの無機粒子と熱硬化性樹脂とからなっていてもよい。ガラスエポキシ基板にて、ガラスクロスが２枚重なったガラスエポキシ基板でもよい。
【００３０】
配線基板９００は、例えば、電気信号を導体パターン４２１Ｓ等を介して伝達する等の各種の電気信号処理を行うことができる。
【００３１】
また、配線基板９００は、コンデンサ積層体４５０が樹脂絶縁層２００ａ内に設けられているので、省スペース化を達成しながら、ノイズをデカップリングすることができる。
【００３２】
また、配線基板９００に実装されるＩＣチップの近くにコンデンサを形成できるので、ＩＣへの電源供給の遅延を防止できる。
【００３３】
また、樹脂絶縁層２００ａに内蔵されたコンデンサ積層体４５０は、コンデンサ３５０を積層させたものである。そのため、各コンデンサ３５０の誘電体層３３０の厚みを所定の厚さに保つことで、各コンデンサ３５０の絶縁抵抗値を一定程度に維持しつつ、かつ、複数のコンデンサ３５０を積層しているからコンデンサ積層体４５０全体としてコンデンサ容量の増大化を達成することができる。だから、コンデンサ容量の高容量化とコンデンサの高絶縁性化とを両立させることができる。
【００３４】
また、平板状の第１電極３１０と、第１電極３１０から電極の面方向にシフトした位置にある第２電極３２０と、誘電体層３３０とで、コンデンサ３５０を形成している。このように、各コンデンサ３５０の第１電極３１０と第２電極３２０とをずらして交互に形成しているから、各コンデンサ３５０ａ、３５０ｂ、３５０ｃの第１電極３１０同士を電気的に接続するヴィア導体４１１と第２電極３２０同士を電気的に接続するヴィア導体４１２とを設けることが容易となる。だから、第１電極３１０と第２電極３２０とが対向している領域にヴィア導体を形成しなくて良いので、電極面積を大きくでき、コンデンサの高容量化を達成できる。さらには、コンデンサの電極を貫通するヴィア導体の数を少なくすることができるから、ヴィア導体の熱膨張に起因する誘電体層へのクラック発生を極力抑制できる。
【００３５】
さらに、コンデンサ積層体４５０は、コンデンサ３５０を積層して形成される。そのため、コンデンサ積層体４５０を形成するにあたり、あらかじめ、各コンデンサ３５０の絶縁抵抗値を検査し、絶縁抵抗が良好である良品のコンデンサ３５０ばかりを選別して積層できる。だから、コンデンサ積層体４５０全体としても良品のものを得ることができ、コンデンサ積層体４５０の絶縁信頼性を確保できる。仮に、電極と誘電体層とを交互に積層することでコンデンサ積層体を形成するならば、あらかじめ、各コンデンサ部の絶縁抵抗が良好であるか検査することは困難である。そのため、コンデンサ積層体の絶縁信頼性を製造段階で確保することは困難である。
【００３６】
そして、樹脂絶縁層２００ａに内蔵されたコンデンサ積層体４５０は、コンデンサ３５０を樹脂等の接着剤３４０を介在させて積層している。接着剤３４０に使用される樹脂の熱膨張係数と樹脂絶縁層２００ａの熱膨張係数とは同じ値の材料を使うことも可能であり、そのため、コンデンサ積層体４５０全体の熱膨張係数は、樹脂絶縁層２００ａの熱膨張係数に近づけることができる。だから、コンデンサ積層体４５０に熱が加わったとしても、樹脂絶縁層２００ａとコンデンサ積層体４５０との界面で亀裂が発生する可能性は低い。ゆえに誘電体層３３０にクラックが入りにくい。
【００３７】
（本発明の第１の実施形態に係る配線基板の製造方法）
まず、厚さ５μｍの銅からなる第１電極３１０に、ＢａＴｉＯ３からなる高誘電体材料をドクターブレード等の印刷機を用いて、厚さ５〜１０μｍの薄膜状に印刷して未焼成層を形成する。なお、さらに薄い誘電体層（０．５〜５μｍ）を形成するには後述するゾル―ゲル法やスパッタ法等を用いることができる。
【００３８】
次に、未焼成層を真空中またはＮ２ガス等の非酸化雰囲気で６００〜９５０℃の温度範囲で焼成し、誘電体層３３０とする。その後、スパッタ等の真空蒸着装置を用いて誘電体層３３０の上に銅からなる金属層を形成し更にこの金属層上に電解メッキ等で銅を５μｍ程度足すことにより、第２電極３２０を形成する。このようにして、図２Ａに示すように、ＢａＴｉＯ３で形成される誘電体層３３０を、銅で形成された第１電極３１０と第２電極３２０とで挟むコンデンサが得られる。
【００３９】
次に、図２Ｂに示すように、塩化第二銅エッチング溶液を用いてエッチング処理により、第１電極３１０及び第２電極３２０の必要部分以外を除去することで、第１電極３１０と第２電極３２０とを面方向（即ち、水平方向）にずれた位置になるように形成してコンデンサ３５０の単体を設ける。かかる場合、誘電体層３３０の上下にある第１電極３１０と第２電極３２０との重なりは０．４〜１．０ｃｍ２程度であるように、第１電極３１０と第２電極３２０とを水平方向にずらす。また、エッチング処理により、第１電極３１０にアライメントマーク７１０を形成し、また、第２電極３２０にアライメントマーク７２０を形成する。
【００４０】
次に、図２Ｃに示すように、コンデンサ３５０ａ、３５０ｂ、３５０ｃを鉛直方向に３個積層する。コンデンサ３５０ａ、３５０ｂ、３５０ｃを積層する際には、コンデンサ３５０同士の間に接着剤としてのエポキシ樹脂を介在させる。単体のコンデンサ３５０ａ、３５０ｂ、３５０ｃ同士は、各コンデンサに設けられているアライメントマーク７１０若しくはアライメントマーク７２０を基準にして位置合わせがなされる。
【００４１】
そして、図２Ｄに示すように、３個のコンデンサ３５０ａ、３５０ｂ、３５０ｃを、それぞれのコンデンサの間に接着剤３４０を介在させた状態でコンデンサ積層体４５０を得る。
【００４２】
次に、図２Ｅに示すように、アライメントマーク７３０が形成してあるベース基板（コア基板）１００上に、真空ラミネーターを用いて熱硬化性の樹脂フィルムを温度５０〜１７０℃、圧力０．４〜１．５ＭＰａというラミネート条件で貼り付ける。ベース基板１００上には、導体パターン４２１（４２１Ｐ、４２１Ｇ、４２１Ｓ）が形成されている。ベース基板は厚さ０．６ｍｍのガラスエポキシ基板である。貼り付ける際の熱硬化性の樹脂フィルムは半硬化状態であるが、硬化することで第１の樹脂絶縁層（下層の樹脂絶縁層）２００ａとなる。樹脂フィルムとしては例えば味の素社製のＡＢＦ−４５ＳＨを２枚用いることができる。
【００４３】
次に、図２Ｆに示すように、コンデンサ積層体４５０を半硬化状態の第１の樹脂絶縁層２００ａ上に位置合わせして積層する。両者の位置合わせは、コンデンサ積層体４５０のうちコンデンサ３５０ａにあるアライメントマーク７１０と、ベース基板１００のアライメントマーク７３０とをカメラで認識して行う。若しくは、コンデンサ積層体４５０のうちコンデンサ３５０ｃにあるアライメントマーク７２０と、ベース基板１００のアライメントマーク７３０とをカメラで認識して行う。アライメントマーク７１０とアライメントマーク７２０とはいずれか一方だけが設けられていても良いし、また、ともに設けられていても良い。
【００４４】
その後、図２Ｇに示すように、０．４ＭＰａ、１７０℃、２時間のプレス条件で真空プレスして、コンデンサ積層体４５０を第１の樹脂絶縁層２００ａに埋設させるとともに、第１の樹脂絶縁層２００ａを硬化させる。コンデンサ積層体４５０は、コンデンサ積層体４５０の上面と第１の樹脂絶縁層２００ａの上面とが面一になるように、第１の樹脂絶縁層２００ａに埋設される。
【００４５】
なお、コンデンサ積層体は、図２Ｈに示すように、コンデンサ３５０ｃの一部を埋設させた状態にて第１の樹脂絶縁層２００ａに積層させることも可能である。かかる場合においても、コンデンサ積層体４５０のコンデンサ３５０ｃに設けられたアライメントマーク７２０若しくはコンデンサ３５０ａに設けられたアライメントマーク７１０と、ベース基板１００の上に設けられたアライメントマーク７３０とを、コンデンサ積層体４５０と第１の樹脂絶縁層２００ａとの位置あわせのための目印とする。
【００４６】
次に、図２Ｉに示すように、第２の樹脂絶縁層（上層の樹脂絶縁層）２００ｂを形成する。具体的には、第１の樹脂絶縁層２００ａ及びコンデンサ積層体４５０上に真空ラミネーターを用いて樹脂フィルムを温度５０〜１７０℃、圧力０．４〜１．５ＭＰａというラミネート条件で貼り付ける。樹脂フィルムは例えば味の素社製のＡＢＦ−４５ＳＨを用いることができる。その後、１７０℃で２時間熱処理することにより樹脂フィルムは硬化して第２の樹脂絶縁層２００ｂを形成する。
【００４７】
次に、図２Ｊに示すように、炭酸ガスレーザで、第２の樹脂絶縁層２００ｂ、第１の樹脂絶縁層２００ａ及びコンデンサ積層体４５０を貫通し、ベース基板１００上の導体パターン４２１（電源用の導体パターン４２１Ｐ、グランド用の導体パターン４２１Ｇ、信号用の導体パターン４２１Ｓ）に到達する貫通孔４７０（４７０Ｐ、４７０Ｇ、４７０Ｓ）を設ける。
【００４８】
貫通孔４７０Ｐは、電源用の導体パターン４２１Ｐに到達する電源用貫通孔である。貫通孔４７０Ｇは、グランド用の導体パターン４２１Ｇに到達するグランド用貫通孔である。貫通孔４７０（４７０Ｐ、４７０Ｇ、４７０Ｓ）の直径は２０〜１００μｍである。なお、貫通孔４７０（４７０Ｐ、４７０Ｇ、４７０Ｓ）は炭酸ガスレーザではなく、ドリルで設けることも可能である。ここで、貫通孔４７０（４７０Ｐ、４７０Ｇ、４７０Ｓ）の位置は、ベース基板１００のアライメントマーク７３０、コンデンサ積層体４５０におけるコンデンサ３５０ａのアライメントマーク７１０、コンデンサ積層体４５０におけるコンデンサ３５０ｃのアライメントマーク７２０のいずれか１つをカメラ若しくはＸ線で認識して決定される。
【００４９】
平面図である図２Ｋ及び図２Ｌで示されるように、第１電極３１０と第２電極３２０の重なり部分でコンデンサが形成される。図２Ｋに示すように、第１電極３１０と第２電極３２０とは横方向にのみずれていることも可能であるし、また図２Ｌに示すように、第１電極３１０と第２電極３２０とは横方向及び縦方向にずれていることも可能である。なお、第１電極３１０と第２電極３２０とが重なっている部分は斜線で示している。第１電極３１０と第２電極３２０とは、互いに面方向に平行にずれていて、重ならない部分が存在している。重ならない部分に、貫通孔４７０Ｐと４７０Ｇが形成されている。このように、第１電極３１０と第２電極３２０が対向する部分には、貫通孔４７０Ｐ、４７０Ｇが形成されていないので、第１電極３１０と第２電極３２０とが対向する面積を大きくすることができる。電源用貫通孔４７０Ｐは、第１電極３１０（電源用電極）と接しているが、第２電極３２０（グランド用電極）とは接していない。グランド用貫通孔４７０Ｇは、第２電極３２０と接しているが、第１電極３１０とは接していない。
【００５０】
図２Ｊに示すように、貫通孔４７０Ｐ、４７０Ｇ以外に信号用の導体パターンに到達する信号用貫通孔４７０Ｓが形成される。信号用貫通孔４７０Ｓは、コンデンサ積層体４５０が存在しない領域に形成される。
【００５１】
次に、第２の樹脂絶縁層２００ｂの表面と貫通孔（４７０Ｓ、４７０Ｐ、４７０Ｇ、４７０）の内壁面とに（特に導体パターン４２１Ｓ、４２１Ｐ、４２１Ｇ、４２１やコンデンサ積層体４５０の電極等の導体回路に）、乾式のデスミア処理を施す。このデスミア処理は、例えば九州松下製のドライデスミア装置を使用して、Ｏ２及びＣＦ４を反応ガスとするドライエッチング（例えばプラズマエッチングや反応性イオンエッチング等）により行う。反応ガス中にＣＦ４を混ぜることで、樹脂絶縁層に含まれるガラスフィラーが除去されやすくなる。ドライエッチングに用いられるガスとしては、Ｏ２とＣＦ４の混合ガス以外にＡｒガスやＯ２ガスを用いることができる。
【００５２】
次に、第２の樹脂絶縁層２００ｂの表面と貫通孔（４７０Ｓ、４７０Ｐ、４７０Ｇ、４７０）の内壁面とに、乾式法によりシードメタル（例えば銅）を形成する。このシードメタル形成工程では、例えばキヤノンアネルバ製のインライン式スパッタリング装置を使用して、スタッパリング法により、厚さ０．１μｍのニッケル（Ｎｉ）層を形成し、その上に、さらに厚さ０．５μｍの銅（Ｃｕ）を積層して、２層構造のシードメタルを形成する。なお、スパッタリング装置としては、例えばマグネトロンスパッタ装置、３極スパッタリング装置、イオンビームスパッタ装置など、任意のものを用いることができる。また、乾式法としては、上記スタッパリング法のほか、例えば常圧ＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、プラズマ励起ＣＶＤ法、光励起ＣＶＤ法等のＣＶＤ法や、例えば真空蒸着法、イオンプレーティング法等の、スタッパリング法以外のＰＶＤ法なども採用することができる。
【００５３】
次に、上記シードメタルを利用して、第２の樹脂絶縁層２００ｂの表面と貫通孔（４７０Ｓ、４７０Ｐ、４７０Ｇ、４７０）の内壁面に無電解メッキ膜（無電解銅メッキ膜）を形成する。その後、無電解メッキ膜上に電解メッキ膜（電解銅メッキ膜）を形成する。スパッタリング膜上に電解メッキ膜を形成してもよい。続いて、電解メッキ膜上にエッチングレジストを形成する。その後、露光・現像工程を経て、エッチングレジストをパターン化する。なお、このように樹脂層上のパターンを形成する部分及び貫通孔メッキを保護する部分をレジストで覆うフォトリソグラフィ手法はテンティング法と呼ばれる。そしてエッチングレジストが形成されていない部分の電解メッキ膜と無電解メッキ膜をエッチング除去することで、図２Ｍに示すように、導体パターン４２３（電源用の導体パターン４２３Ｐ、グランド用の導体パターン４２３Ｇ、信号用の導体パターン４２３Ｓ）とヴィア導体４１１、４１２、４１３を形成する。
【００５４】
なお、ヴィア導体４１１、４１２、４１３を形成する方法として、湿式のデスミア処理の後、銅メッキ膜を形成する方法も考えられる。例えば図２Ｎに示すように、銅からなる第１電極１００４（上部電極）と、ニッケルからなる第２電極１００２（下部電極）と、ＢＳＴ等の高比誘電率膜（high k）からなる誘電体層１００３と、から構成されるコンデンサ１００５と、絶縁層１００１中の導体パターン１０００と、を電気的に接続するため、絶縁層１００１及びコンデンサ１００５に、炭酸ガスレーザにより貫通孔１００６を形成し、ＫＭｎＯ４溶液等の処理液により湿式のデスミア処理を施した後、銅メッキ膜１００７を形成する。こうすることで、コンデンサ１００５の第１電極１００４と導体パターン１０００とを電気的に接続することができる。
【００５５】
しかしこの場合、図２Ｏの写真に示すように、デスミア処理により誘電体層１００３と絶縁層１００１との間に隙間が生じたり、誘電体層１００３が絶縁層１００１から剥離（lift off）したりすることが懸念される。その場合、後工程のメッキ処理で、誘電体層１００３と絶縁層１００１との間にメッキが析出して、第１電極１００４と第２電極１００２とが短絡（short failure）することが懸念される。
【００５６】
これに対し、本実施形態では、乾式のデスミア処理の後、乾式法（例えばスタッパリング法）によりシードメタルを形成し、さらに続けて、銅メッキ膜を形成することで、誘電体層１００３のダメージを軽減し、コンデンサ電極間の短絡を抑制するようにしている。こうすることで、良好な電気特性が得られる。
【００５７】
図２Ｐ及び図２Ｑに、前者の手法（湿式のデスミア処理）により製造されたコンデンサ装置の例を、図２Ｒ及び図２Ｓに、後者の手法（乾式のデスミア処理）により製造されたコンデンサ装置の例を、それぞれ示す。図２Ｑの写真と図２Ｓの写真との比較から明らかなように、前者の手法よりも後者の手法の方が、誘電体層１００３（ＢＳＴ）のダメージが軽減され、ひいてはコンデンサ電極（Ｃｕ−Ｎｉ）間の短絡も抑制されるようになる。
【００５８】
ヴィア導体４１１は、電源用のヴィア導体であり、図２Ｍに示すように、コンデンサ３５０ａ、コンデンサ３５０ｂ、コンデンサ３５０ｃの第１電極３１０同士を電気的に接続している。また、ヴィア導体４１２は、グランド用のヴィア導体であり、図２Ｍに示すように、コンデンサ３５０ａ、コンデンサ３５０ｂ、コンデンサ３５０ｃの第２電極３２０同士を電気的に接続している。
【００５９】
電源用のヴィア導体４１１は、ベース基板１００上の電源用の導体パターン４２１Ｐと第２の樹脂絶縁層２００ｂ上の電源用の導体パターン４２３Ｐとを接続している。また、グランド用のヴィア導体４１２は、ベース基板１００上のグランド用の導体パターン４２１Ｇと第２の樹脂絶縁層２００ｂ上のグランド用の導体パターン４２３Ｇとを接続している。
【００６０】
次に、図２Ｔに示すように、第２の樹脂絶縁層２００ｂと導体パターン４２３（４２３Ｐ、４２３Ｇ、４２３Ｓ）上に第３の樹脂絶縁層２００ｃを形成する。第３の樹脂絶縁層２００ｃの材質は、第２の樹脂絶縁層２００ｂ及び第１の樹脂絶縁層２００ａと同じである。
【００６１】
次に、第３の樹脂絶縁層２００ｃに炭酸ガスレーザにて貫通孔を形成する。なお、貫通孔はドリルで形成することも可能である。
【００６２】
次に、第３の樹脂絶縁層２００ｃの表面に触媒による表面処理を行う。触媒による表面処理の後、基板の表面に無電解メッキ膜を形成する。その後、無電解メッキ膜上にメッキレジストを形成する。続いて、メッキレジストに露光・現像処理を行って、メッキレジストをパターンニングする。そしてメッキレジストの非形成領域に電解メッキ膜を形成する。メッキレジスト剥離後、電解メッキ膜間の無電解メッキ膜を除去することで、図２Ｕに示すように、無電解メッキ膜と該無電解メッキ膜上に設けられている電解メッキ膜とからなる最外の導体パターン４２５（最外の電源用の導体パターン４２５Ｐ、最外のグランド用の導体パターン４２５Ｇ、最外の信号用の導体パターン４２５Ｓ）を設ける。
【００６３】
次に、第３の樹脂絶縁層２００ｃと最外の導体パターン４２５（４２５Ｐ、４２５Ｇ、４２５Ｓ）上にソルダーレジスト７００を形成する。その後、図２Ｖに示すように、ソルダーレジスト７００に、導体パターン４２５（４２５Ｐ、４２５Ｇ、４２５Ｓ）の一部を露出させる開口部を設けてパッド４２７（電源用のパッド（第１の外部端子）４２７Ｐ、グランド用のパッド（第２の外部端子）４２７Ｇ、信号用のパッド４２７Ｓ）を形成する。開口部により露出している部分がパッド４２７（４２７Ｐ、４２７Ｇ、４２７Ｓ）となる。
【００６４】
図２Ｖに示すように、第１電極３１０と電源用のパッド４２７Ｐは、ヴィア導体４１１と導体パターン４２３Ｐとヴィア導体４４１Ｐを介して接続されている。また、第２電極３２０とグランド用のパッド４２７Ｇとは、ヴィア導体４１２と導体パターン４２３Ｇとヴィア導体４４１Ｇを介して接続されている。
【００６５】
次に、パッド４２７（４２７Ｐ、４２７Ｇ、４２７Ｓ）上に、耐食性ある金属膜を形成した。金属膜としては、例えばＮｉ、Ａｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｐｔ等からなる膜を形成することができる。本実施の形態では、Ｎｉ膜、Ｐｄ膜、Ａｕ膜の順で形成する。なお、金属膜は１層であっても複数の金属膜からなってもよい。例えば、パッド上にＮｉ膜、Ａｕ膜の順に形成することができる。
【００６６】
次に、金属膜上に半田ペーストを印刷する。その後、リフローして半田バンプ４２９を設けることで、図１に示した配線基板９００を得ることができる。
【００６７】
そして、ＩＣチップ８００を実装する場合は、図２Ｗに示すように、半田バンプ４２９を介してＩＣチップ８００の実装を行う。
【００６８】
なお、本実施形態ではベース基板１００の一方の面にのみ、樹脂絶縁層、導体パターン及びヴィア導体を形成しているが、図２Ｘに示すように、ベース基板１００の両面に樹脂絶縁層、導体パターン及びヴィア導体を形成することも可能である。
【００６９】
また、樹脂絶縁層２００ａ、２００ｂ、２００ｃの表面、導体パターンの表面、第１電極３１０の表面、第２電極３２０の表面は粗化することが好ましい。また、ＩＣチップ８００を、配線基板９００の表面に搭載する際は、コンデンサ積層体４５０とＩＣチップ８００との間の距離を近くすることが好ましい。
【００７０】
（本発明の具体的一実施態様における配線基板の第２の実施形態）
第１の実施形態では、樹脂絶縁層２００は、第１の樹脂絶縁層２００ａと第２の樹脂絶縁層２００ｂと第３の樹脂絶縁層２００ｃとから形成された。第２の実施形態に係る配線基板９００は、図３に示すように、第１の実施形態と異なり、樹脂絶縁層２００は、第１の樹脂絶縁層２００ａと第２の樹脂絶縁層２００ｂとから形成される。
【００７１】
また、コンデンサ積層体４５０の最上層に位置する電極は、コンデンサ３５０ａの第１電極３１０と該第１電極３１０上の電源用の導体パターン４２３Ｐとが一体となって形成されている。そのため、第２の実施形態に係る配線基板９００では、コンデンサ積層体４５０の表層にある電極の厚さが第１の実施形態に係る配線基板９００よりも厚い。そのため、コンデンサ積層体４５０の剛性が増す。だから、コンデンサ積層体４５０の誘電体層にクラックが入りにくくなる。
【００７２】
図３に示すように、電源用のパッド（第１の外部端子）４２７Ｐと各コンデンサ３５０ａ、３５０ｂ、３５０ｃの第１電極３１０とは、ヴィア導体４４１Ｐと導体パターン４２３Ｐとヴィア導体４１１とを介して、電気的に接続している。グランド用のパッド（第２の外部端子）４２７Ｇと各コンデンサ３５０ａ、３５０ｂ、３５０ｃの第２電極３２０とは、ヴィア導体４４１Ｇと導体パターン４２３Ｇとヴィア導体４１２とを介して、電気的に接続している。
【００７３】
第２の樹脂絶縁層２００ｂの上には、最外の電源用の導体パターン４２５Ｐと、最外のグランド用の導体パターン４２５Ｇと、最外の信号用の導体パターン４２５Ｓとが設けられている。
【００７４】
ソルダーレジスト７００に、導体パターン４２５（４２５Ｐ、４２５Ｇ、４２５Ｓ）の一部を露出させる開口部を設けて、パッド４２７（電源用のパッド（第１の外部端子）４２７Ｐ、グランド用のパッド（第２の外部端子）４２７Ｇ、信号用のパッド４２７Ｓ）が形成されている。
【００７５】
（本発明の第２の実施形態に係る配線基板の製造方法）
次に、第２の実施形態に係る配線基板の別の製造方法を示す。
【００７６】
まず、図２Ａから図２Ｇまでは、上述した配線基板の製造方法と同様である。
【００７７】
次に、図２Ｇまでの工程で作成した基板に、図４Ａに示すように、貫通孔４７０（コア基板上の電源用導体パターンに到達している貫通孔４７０Ｐ、コア基板上のグランド用導体パターンに到達している貫通孔４７０Ｇ、コア基板上の信号用導体パターンに到達している貫通孔４７０Ｓ）を形成する。第１の実施形態に係る製造方法では、第２の樹脂絶縁層２００ｂにも同時に貫通孔を形成したが、本実施形態に係る製造方法では、コンデンサ積層体４５０と第１の樹脂絶縁層２００ａを貫通する貫通孔を形成するだけであるから、孔加工が容易となり、歩留まりが向上する。
【００７８】
次に、貫通孔（４７０Ｓ、４７０Ｐ、４７０Ｇ、４７０）の内壁面、特に導体パターン４２１Ｓ、４２１Ｐ、４２１Ｇ、４２１やコンデンサ積層体４５０の電極等の導体回路に、乾式のデスミア処理を施す。
【００７９】
次に、貫通孔（４７０Ｓ、４７０Ｐ、４７０Ｇ、４７０）の内壁面に、乾式法によりシードメタル（例えば銅）を形成する。続いて、そのシードメタルを利用して、シードメタル上に電解メッキ膜を形成する。貫通孔が電気メッキ膜で充填される。同時に、絶縁層２００ａとコンデンサ積層体上にも電解メッキ膜が形成される。
【００８０】
次に、図４Ｂに示すように、テンティング法で、グランド用のヴィア導体４１２、電源用のヴィア導体４１１、信号用のヴィア導体４１３と、導体パターン４２３（電源用の導体パターン４２３Ｐ、グランド用の導体パターン４２３Ｇ、信号用の導体パターン４２３Ｓ）を形成する。
【００８１】
図４Ｂに示すように、コンデンサ積層体４５０の最上層に位置する電極は、コンデンサ３５０ａの第１電極３１０と該第１電極３１０上の電源用の導体パターン４２３Ｐとが一体となって形成される。ここで、コンデンサ積層体４５０の最上層に位置する電極とは、実装されるＩＣチップ８００に近い側に位置するコンデンサ積層体４５０の表層の電極である。また、第１電極３１０上の電源用の導体パターン４２３Ｐは、無電解メッキ膜と該無電解メッキ膜上の電解メッキ膜とから形成される。
【００８２】
ヴィア導体４１２は、コンデンサ３５０ａ、コンデンサ３５０ｂ、コンデンサ３５０ｃの第２電極３２０同士を接続する。また、ヴィア導体４１２は、ベース基板１００上のグランド用の導体パターン４２１Ｇと第１の樹脂絶縁層２００ａ上のグランド用の導体パターン４２３Ｇとを接続している。
【００８３】
ヴィア導体４１１は、コンデンサ３５０ａ、コンデンサ３５０ｂ、コンデンサ３５０ｃの第１電極３１０同士を接続する。また、ヴィア導体４１１は、ベース基板１００上の電源用の導体パターン４２１Ｐと第１の樹脂絶縁層２００ａ上の電源用の導体パターン４２３Ｐとを接続している。
【００８４】
次に、図４Ｃに示すように、第１の樹脂絶縁層２００ａ、コンデンサ積層体４５０及び導体パターン４２３（４２３Ｐ、４２３Ｇ、４２３Ｓ）の上に、第２の樹脂絶縁層２００ｂを形成する。そして、第２の樹脂絶縁層２００ｂに貫通孔を形成する。そして、貫通孔を形成した基板の表面に触媒により表面処理を行う。
【００８５】
触媒による表面処理の後、基板の表面に無電解メッキ膜を形成する。その後、無電解メッキ膜上にメッキレジストを形成する。続いて、メッキレジストに露光・現像処理を行い、メッキレジストをパターンニングする。そしてメッキレジストの非形成領域に電解メッキ膜を形成する。メッキレジスト剥離後、電解メッキ膜間の無電解メッキ膜を除去することで、無電解メッキ膜と無電解メッキ膜上の電解メッキ膜とからなる導体パターン４２５（４２５Ｐ、４２５Ｇ、４２５Ｓ）を形成する。次いで、第１の実施形態と同様に、ソルダーレジスト７００、パッド４２７、半田バンプ４２９を形成することで、図３に示した配線基板９００が得られる。
【００８６】
本実施形態に係る配線基板の製造方法によれば、第１の実施形態に比べ、樹脂絶縁層を１層少なく製造できるので簡易なコストで配線基板９００を製造することが可能である。
【００８７】
なお、上述の実施形態ではベース基板１００の一方の面にのみ、樹脂絶縁層、導体パターン及びヴィア導体を形成しているが、図４Ｄに示すように、ベース基板１００の両面に樹脂絶縁層、導体パターン及びヴィア導体を形成することも可能である。
【００８８】
（本発明の具体的一実施態様における配線基板の第３の実施形態）
図５に、本発明の第３の実施形態を示す。第３の実施形態では、第１の実施形態と異なり、第１電極３１０と第２電極３２０とは電極の面方向に互いにずれていない。そして、第１電極３１０には複数の第１開口部３１１が設けられ、第２電極３２０には複数の第２開口部３２２が設けられている。
【００８９】
そして、複数の第１のヴィア導体４１１が、第２開口部３２２を第２電極３２０に非接触で貫通しながら、第１電極３１０同士を電気的に接続する。また、複数の第２のヴィア導体４１２が、第１開口部３１１を第１電極３１０に非接触で貫通しながら、第２電極３２０同士を電気的に接続する。
【００９０】
このように、複数の第１のヴィア導体４１１及び複数の第２のヴィア導体４１２が、コンデンサ積層体４５０を貫通している。そのため、第３の実施形態に係る配線基板９００では、複数の第１のヴィア導体４１１及び複数の第２のヴィア導体４１２が、接着剤３４０の変形を抑制することが可能となり、コンデンサ積層体４５０の耐クラック性が向上しやすい。
【００９１】
即ち、各コンデンサ（３５０a、３５０ｂ、３５０ｃ）の誘電体層３３０と、各コンデンサ（３５０a、３５０ｂ、３５０ｃ）を接着している接着剤３４０との熱膨張係数が異なる場合、コンデンサ積層体４５０が、温度変化を受けると、誘電体層３３０に、反り、ねじれ、曲げなどの力がかかる。それらの力を受けると、セラミック製の誘電体層３３０は、薄く、しかも脆いため、クラックが入りやすい。しかしながら、本実施形態では、複数の第１のヴィア導体４１１及び複数の第２のヴィア導体４１２が、コンデンサ積層体４５０を貫通することで、各コンデンサ（３５０a、３５０ｂ、３５０ｃ）を物理的につなぎ止めているから、接着剤３４０の変形を抑制することが可能となる。そのため、誘電体層３３０にかかる反り、ねじれ、曲げなどの力が小さくなる。
【００９２】
図６Ａ、図６Ｂに示すように、電源用のヴィア導体４１１とグランド用のヴィア導体４１２は格子状または千鳥状に配置されていることが好ましい。隣接する電源用のヴィア導体４１１間の間隔は略同一である。隣接するグランド用のヴィア導体４１２間の間隔は略同一である。
【００９３】
（本発明の第３の実施形態に係る配線基板の製造方法）
まず、図７Ａに示すように、第１電極３１０と、第２電極３２０と、第１電極３１０及び第２電極３２０で挟まれた誘電体層３３０と、からなるコンデンサ３５０を作成する。コンデンサ３５０の作成は実施形態１と同様に行う。
【００９４】
次に、図７Ｂ、第１電極３１０側からコンデンサ３５０を見る平面図である図７Ｃ、及び、第２電極３２０側からコンデンサ３５０を見る平面図である図７Ｄに示すように、第１電極３１０と第２電極３２０をパターニングする。この時、同時にアライメントマーク７１０、７２０も形成する。
【００９５】
第１電極３１０には、開口部３１１が形成されていて、その開口部３１１内に、グランド用のヴィア導体４１２が形成される。第１電極３１０とグランド用のヴィア導体４１２は非接触である。第２電極３２０には、開口部３２２が形成されていて、その開口部３２２内に、電源用のヴィア導体４１１が形成される。第２電極３２０と電源用のヴィア導体４１１は非接触である。
【００９６】
次に、図７Ｅに示すように、先の工程で得られたコンデンサ３５０を３組準備し、接着剤３４０を介して積層する。コンデンサ３５０a、３５０ｂ、３５０ｃは、各コンデンサ３５０のアライメントマーク７１０、７２０に基づいて位置あわせされる。
【００９７】
次に、図７Ｆに示すように、コンデンサ３５０a、３５０ｂ、３５０ｃと各コンデンサ間に配置された接着剤３４０とからなるコンデンサ積層体４５０を作成する。コンデンサ積層体４５０の作成は、真空プレスで行う。真空プレスの条件は、温度５０〜１７０℃、圧力０．４〜１．５ＭＰａである。
【００９８】
コンデンサ積層体４５０を構成する各コンデンサの開口部３１１は、コンデンサ積層体４５０を貫通するヴィア導体４１２により、第１電極３１０と第２電極３２０とがショートしないようにするため、断面方向で略同一位置に形成されている。即ち、図７Ｆに示すように、コンデンサ３５０ａ、３５０ｂ、３５０ｃに形成されている開口部３１１は断面方向で重なった位置に設けられている。
【００９９】
コンデンサ積層体４５０を構成する各コンデンサの開口部３２２は、コンデンサ積層体４５０を貫通するヴィア導体４１１により、第１電極３１０と第２電極３２０とがショートしないようにするため、断面方向で略同一位置に形成されている。即ち、図７Ｆでは、コンデンサ３５０ａ、３５０ｂ、３５０ｃに形成されている開口部３２２は断面方向で重なった位置に設けられている。
【０１００】
次に、図７Ｇに示すように、第１の樹脂絶縁層２００ａに、コンデンサ積層体４５０を埋設する。
【０１０１】
次に、図７Ｈに示すように、貫通孔４７０（４７０Ｐ、４７０Ｇ、４７０Ｓ）を形成する。貫通孔４７０（４７０Ｐ、４７０Ｇ、４７０Ｓ）は、コンデンサ積層体４５０と第１の樹脂絶縁層２００ａを貫通し、ベース基板１００の導体パターン４２１（４２１Ｐ、４２１Ｇ、４２１Ｓ）に到達している。貫通孔４７０（４７０Ｐ、４７０Ｇ、４７０Ｓ）の形成位置は、ベース基板１００のアライメントマーク７３０、コンデンサ積層体４５０に形成されているアライメントマーク７１０、７２０のいずれか１つに基づいてレーザ加工で形成する。
【０１０２】
電源用の貫通孔４７０Ｐは、第１電極３１０と誘電体層３３０とを貫通する。また、電源用の貫通孔４７０Ｐは、第２電極３２０の開口部３２２内に形成されており、開口部３２２の内壁とは非接触である。
【０１０３】
グランド用の貫通孔４７０Ｇは、第２電極３２０と誘電体層３３０とを貫通する。また、グランド用の貫通孔４７０Ｇは、第１電極３１０の開口部３１１内に形成されており、開口部３１１の内壁とは非接触である。
【０１０４】
次に、貫通孔（４７０Ｓ、４７０Ｐ、４７０Ｇ、４７０）の内壁面、特に導体パターン４２１Ｓ、４２１Ｐ、４２１Ｇ、４２１やコンデンサ積層体４５０の電極等の導体回路に、乾式のデスミア処理を施す。
【０１０５】
次に、貫通孔（４７０Ｓ、４７０Ｐ、４７０Ｇ、４７０）の内壁面に、乾式法によりシードメタル（例えば銅）を形成する。続いて、そのシードメタルを利用して、シードメタル上に電解メッキ膜を形成する。貫通孔が電気メッキ膜で充填される。同時に、絶縁層２００aとコンデンサ積層体上にも電解メッキ膜が形成される。
【０１０６】
次に、図７Ｉに示すように、グランド用ヴィア導体４１２、電源用ヴィア導体４１１、信号用ヴィア導体４１３と、導体パターン４２３（電源用の導体パターン４２３Ｐ、グランド用の導体パターン４２３Ｇ、信号用の導体パターン４２３Ｓ）をテンティング法で形成する。導体パターン４２３（電源用の導体パターン４２３Ｐ、グランド用の導体パターン４２３Ｇ、信号用の導体パターン４２３Ｓ）は、無電解メッキ膜と該無電解メッキ膜上の電解メッキ膜とからなる。
【０１０７】
コンデンサ積層体４５０の最上層の電極は、コンデンサ３５０ａの第１電極３１０と電源用の導体パターン４２３Ｐ（第１電極３１０上の無電解メッキ膜と該無電解メッキ膜上の電解メッキ膜）とが一体となって形成されている。コンデンサ積層体４５０の最上層の電極とは、実装されるＩＣチップに近い側に位置するコンデンサ積層体４５０の表層の電極である。
【０１０８】
次に、ヴィア導体と導体パターン形成後、図４Ｃ、図４Ｄに示す工程を経て、図５に示すような配線基板を得る。
【０１０９】
（本発明の具体的一実施態様における配線基板の第４の実施形態）
本発明の第４の実施形態に係る配線基板９００を図８に示す。第４の実施形態に係る配線基板９００は、第１の実施形態に係る配線基板９００と異なり、ガラスクロスやガラス繊維等の心材を有しているベース基板（コア基板）１００が設けられていない。そのため、全ての絶縁層を樹脂絶縁層（樹脂フィルム）とすることができる。ゆえに、コンデンサ内蔵基板を薄くすることができる。第４の実施形態に係る配線基板９００によれば、外部の電源と配線基板に内蔵されるコンデンサ積層体４５０との間の距離や、配線基板９００の表面に実装されているチップコンデンサ（図示省略）とコンデンサ積層体４５０との間の距離を短くできる。
【０１１０】
（本発明の第４の実施形態に係る配線基板の製造方法）
まず、図９Ａに示すように、支持板１５０を準備する。支持板１５０は例えば銅板である。なお、支持板１５０の材質は、銅板以外に、ニッケル板、アルミニウム板、鉄板等の金属板を用いることも可能である。
【０１１１】
次に、図９Ｂに示すように、メッキレジスト１６０を支持板１５０の上に形成する。
【０１１２】
次に、図９Ｃに示すように、露光・現像工程を行って、メッキレジスト１６０をパターニングすることにより、メッキレジスト１６０に複数の開口部を設ける。
【０１１３】
次に、図９Ｄに示すように、設けたメッキレジスト１６０の開口部に金メッキ膜９１１、ニッケルメッキ膜９１２、銅メッキ膜９１３の順で電解メッキを行い、第１の外部接続端子６００（電源用の外部端子（第１の外部端子）６００Ｐ、グランド用の外部端子（第２の外部端子）６００Ｇ、信号用の外部端子６００Ｓ）を形成する。同時に、支持板１５０上にアライメントマーク（第１のアライメントマーク）６２１を形成する。なお、金メッキ膜９１１とニッケルメッキ膜９１２との間にパラジウム膜を形成することも可能である。
【０１１４】
次に、図９Ｅに示すように、メッキレジスト１６０を剥離し、そして樹脂フィルム（第１の下部樹脂絶縁層）４００ｄを形成する。この第１の下部樹脂絶縁層（最下層の樹脂絶縁）４００ｄは、図８に示すように、コンデンサ積層体４５０を内蔵する第１の樹脂絶縁層４００ａの下部にある。図９Ｅに示すように、第１の外部接続端子６００（６００Ｐ、６００Ｇ、６００Ｓ）は、第１面と第１面とは反対側の第２面を有する最下層の樹脂絶縁層（第１の下部樹脂絶縁層）に埋設されている。また、第１の外部接続端子６００の表面は、最下層の樹脂絶縁層の第１面と略同一平面に位置している。
【０１１５】
次に、図９Ｆに示すように、第１の外部接続端子６００（６００Ｐ、６００Ｇ、６００Ｓ）に到達する貫通孔を第１の下部樹脂絶縁層４００ｄに形成する。
【０１１６】
次に、図９Ｇに示すように、セミアディティブ法で、第１の下部樹脂絶縁層４００ｄの上面（外部端子が形成されている面とは反対面）に第１の導体パターン６１０（電源用の第１の導体パターン６１０Ｐ、グランド用の第１の導体パターン６１０Ｇ、信号用の第１の導体パターン６１０Ｓ）を形成する。
【０１１７】
同時に、第１の外部接続端子６００（６００Ｐ、６００Ｇ、６００Ｓ）と第１の導体パターン６１０（６１０Ｐ、６１０Ｇ、６１０Ｓ）とを接続する第１のヴィア導体６１１（電源用の第１のヴィア導体６１１Ｐ、グランド用の第１のヴィア導体６１１Ｇ、信号用の第１のヴィア導体６１１Ｓ）を形成する。このとき、第２のアライメントマーク６２２も同時に形成する。
【０１１８】
電源用の第１のヴィア導体６１１Ｐは、第１面側の電源用の外部端子６００Ｐ（電源用の第１の外部端子）と電源用の第１の導体パターン６１０Ｐとを接続している。グランド用の第１のヴィア導体６１１Ｇ（グランド用の第１の外部端子）は、第１面側のグランド用の外部端子６００Ｇとグランド用の第１の導体パターン６１０Ｇとを接続している。信号用の第１のヴィア導体６１１Ｓ（信号用の第１の外部端子）は、第１面側の信号用の外部端子６００Ｓと信号用の第１の導体パターン６１０Ｓとを接続している。
【０１１９】
次に、図９Ｈに示すように、第１の導体パターン６１０（６１０Ｐ、６１０Ｇ、６１０Ｓ）と第１の下部樹脂絶縁層４００ｄ上に第１面と第１面とは反対側の第２面を有する樹脂フィルム（第１の樹脂絶縁層４００ａ）を形成する。第１の樹脂絶縁層４００ａの形成には、例えば味の素社製のＡＢＦ−４５ＳＨを２枚重ねて積層することができる。第１の樹脂絶縁層の第１面が、第１の下部樹脂絶縁層の第２面上に積層される。
【０１２０】
次に、図９Ｉに示すように、コンデンサ積層体４５０を第１の樹脂絶縁層４００ａ上に位置合わせして積層する。コンデンサ積層体４５０の積層位置は、例えば第１の樹脂絶縁層４００ａ上に形成された第２のアライメントマーク６２２とコンデンサ積層体４５０のアライメントマーク７２０を用いて決定することができる。なお、コンデンサ積層体４５０は、第１の実施形態と同様な作成方法で形成できる。
【０１２１】
次に、図９Ｊに示すように、コンデンサ積層体４５０を第１の樹脂絶縁層４００ａの第２面側に埋設する。コンデンサ３５０ａの第１電極の表面と第１の樹脂絶縁層の第２面とは、略同一平面に位置している。コンデンサ積層体４５０の埋設方法は、図２Ｇで説明した方法と同様である。
【０１２２】
次に、図９Ｋに示すように、貫通孔を形成する。
【０１２３】
次に、貫通孔の内壁面、特に導体パターン６１０Ｓ、６１０Ｐ、６１０Ｇ、６１０やコンデンサ積層体４５０の電極等の導体回路に、乾式のデスミア処理を施す。
【０１２４】
次に、貫通孔の内壁面に、乾式法によりシードメタル（例えば銅）を形成する。続いて、そのシードメタルを利用して、シードメタル上に電解メッキ膜を形成する。貫通孔が電気メッキ膜で充填される。同時に、絶縁層４００ａとコンデンサ積層体上にも電解メッキ膜が形成される。
【０１２５】
次に、図９Ｌに示すように、ヴィア導体（第２のヴィア導体）６５１（電源用の第２のヴィア導体６５１Ｐ、グランド用の第２のヴィア導体６５１Ｇ、信号用の第２のヴィア導体６５１Ｓ）を作成する。また、第２の導体パターン６５０（電源用の第２の導体パターン６５０Ｐ、グランド用の第２の導体パターン６５０Ｇ、信号用の第２の導体パターン６５０Ｓ）を作成する。
【０１２６】
電源用の第２のヴィア導体６５１Ｐは、コンデンサ積層体４５０の各コンデンサ３５０ａ、３５０ｂ、３５０ｃの第１電極３１０同士を接続している。さらに、ヴィア導体６５１Ｐは、電源用の第２の導体パターン６５０Ｐと電源用の第１の導体パターン６１０Ｐとを接続している。
【０１２７】
グランド用の第２のヴィア導体６５１Ｇは、コンデンサ積層体４５０の各コンデンサ３５０ａ、３５０ｂ、３５０ｃの第２電極３２０同士を接続している。さらに、ヴィア導体６５１Ｇは、グランド用の第２の導体パターン６５０Ｇとグランド用の第１の導体パターン６１０Ｇとを接続している。
【０１２８】
信号用の第２のヴィア導体６５１Ｓは、信号用の第２の導体パターン６５０Ｓと信号用の第１の導体パターン６１０Ｓとを接続している。
【０１２９】
電源用の第１のヴィア導体６１１Ｐと導体パターン６１０Ｐとヴィア導体６５１Ｐとを介して、各コンデンサ３５０ａ、３５０ｂ、３５０ｃの第１電極３１０と第１の外部端子６００Ｐとは電気的に接続している。また、グランド用の第１のヴィア導体６１１Ｇと導体パターン６１０Ｇとヴィア導体６５１Ｇとを介して、各コンデンサ３５０ａ、３５０ｂ、３５０ｃの第２電極３２０と第２の外部端子６００Ｇとは電気的に接続している。
【０１３０】
次に、図９Ｍに示すように、第２の導体パターン６５０（６５０Ｐ、６５０Ｇ、６５０Ｓ）と第１の樹脂絶縁層４００ａの上に樹脂フィルム（第２の樹脂絶縁層）４００ｂを形成する。
【０１３１】
次に、図９Ｎに示すように、第２の樹脂絶縁層（最上層の樹脂絶縁層）４００ｂに貫通孔を形成する。
【０１３２】
次に、図９Ｏに示すように、第２の樹脂絶縁層４００ｂ上に第３の導体パターン６６０（電源用の第３の導体パターン６６０Ｐ、グランド用の第３の導体パターン６６０Ｇ、信号用の第３の導体パターン６６０Ｓ）を形成する。
【０１３３】
同時に、第２の導体パターン６５０（６５０Ｐ、６５０Ｇ、６５０Ｓ）と第３の導体パターン６６０（６６０Ｐ、６６０Ｇ、６６０Ｓ）とを接続する第３のヴィア導体６６１（電源用の第３のヴィア導体６６１Ｐ、グランド用の第３のヴィア導体６６１Ｇ、信号用の第３のヴィア導体６６１Ｓ）を形成する。
【０１３４】
電源用の第３のヴィア導体６６１Ｐは、電源用の第３の導体パターン６６０Ｐと電源用の第２の導体パターン６５０Ｐとを接続している。グランド用の第３のヴィア導体６６１Ｇは、グランド用の第３の導体パターン６６０Ｇとグランド用の第２の導体パターン６５０Ｇとを接続している。信号用の第３のヴィア導体６６１Ｓは、信号用の第２の導体パターン６５０Ｓと信号用の第３の導体パターン６６０Ｓとを接続している。これらの接続は、例えば、セミアディティブ法で形成することができる。
【０１３５】
次に、図９Ｐに示すように、第２の樹脂絶縁層４００ｂと第３の導体パターン６６０（６６０Ｐ、６６０Ｇ、６６０Ｓ）との上に、ソルダーレジスト７００を形成する。
【０１３６】
次に、図９Ｑに示すように、ソルダーレジスト７００に複数の開口部を設ける。その開口部は、第３の導体パターン６６０（６６０Ｐ、６６０Ｇ、６６０Ｓ）を部分的に開口している。開口部により露出している第３の導体パターン６６０（６６０Ｐ、６６０Ｇ、６６０Ｓ）の部分が第２の外部接続端子６７０（６７０Ｐ、６７０Ｇ、６７０Ｓ）となる。第２の外部接続端子は、第２の樹脂絶縁層（最上層の樹脂絶縁層）４００ｂ上に形成されていて、電源用の第２の外部接続端子（第３の外部端子）６７０Ｐ、グランド用の第２の外部接続端子（第４の外部端子）６７０Ｇと信号用の第２の外部接続端子６７０Ｐとからなる。
【０１３７】
次に、第２の外部接続端子６７０（６７０Ｐ、６７０Ｇ、６７０Ｓ）上に、ニッケルメッキ膜９１２、パラジウムメッキ膜９１４、金メッキ膜９１１の順でメッキを行い、３層からなる金属膜を形成する。金属膜は、金メッキ膜１層でも、ニッケルメッキ膜とニッケルメッキ膜上の金メッキ膜２層でもよい。
【０１３８】
次に、図９Ｒに示すように、支持板１５０を塩化第２銅エッチング液でエッチング除去する。このとき、第２の外部接続端子６７０（６７０Ｐ、６７０Ｇ、６７０Ｓ）及び第１の外部接続端子６００（６００Ｐ、６００Ｇ、６００Ｓ）に金属膜が形成されていることで、外部接続端子はエッチング除去されることなく、支持板１５０を除去できる。支持板１５０を除去することで、第１の外部接続端子６００の外部端子面（金属膜の露出部分）は露出される。
【０１３９】
その後、第２の外部接続端子６７０（６７０Ｐ、６７０Ｇ、６７０Ｓ）の外部端子面（金属膜の露出部分）に第２の半田バンプ、第１の外部接続端子６００（６００Ｐ、６００Ｇ、６００Ｓ）の外部端子面に第１の半田バンプを形成することで、図８に示した配線基板９００が得られる。
【０１４０】
なお、第１の半田バンプを介して、ＩＣチップなどの電子部品を搭載してもよい。第２の半田バンプを介して、他の基板（マザーボード）と接続してもよい。また、図８では、第１の外部接続端子の外部端子面と、第２の外部接続端子の外部端子面に半田バンプが形成されているが、第２の外部接続端子の外部端子面に半田バンプ、第１の外部接続端子の外部端子面に半田を介して、導電性ピンを搭載（実装）してもよい。第１の外部接続端子の外部端子面に半田バンプ、第２の外部接続端子の外部端子面に半田を介して、導電性ピンを搭載（実装）してもよい。ＩＣチップの搭載は、配線基板の上面側でも下面側でも構わないが、ＩＣチップは、外部端子からコンデンサまでの距離（基板の断面方向の距離）が短い側のコンデンサ内蔵基板の表面に搭載することが好ましい。
【０１４１】
本実施の形態では、樹脂絶縁層（樹脂フィルム）は３層であるが、図９Ｍから図９Ｏの工程を繰り返すことで４層以上の多層化は可能である。
【０１４２】
また、第１の下部樹脂絶縁層４００ｄ下面に、第１の外部接続端子６００（６００Ｐ、６００Ｇ、６００Ｓ）を露出させる開口を有するソルダーレジストを形成することも可能である。
【０１４３】
図１０に示す配線基板９００は、図８に示された配線基板９００と異なり、第１の外部接続端子とコンデンサ積層体が同一の樹脂絶縁層に埋設されている例である。図１０に示す配線基板９００は、第１面と第１面とは反対側の第２面を有する第１の樹脂絶縁層（最下層の樹脂絶縁層）４００ａと第１面と第１面とは反対側の第２面を有する第２の樹脂絶縁層（最上層の樹脂絶縁）４００ｂとの二層構造である。第１の樹脂絶縁層４００ａの第２面側にはコンデンサ積層体４５０が埋設されている。コンデンサ３５０ａの第１電極の表面と最下層の樹脂絶縁層の第２面とは、略同一平面に位置している。一方、第１の樹脂絶縁層４００ａの第１面側（配線基板９００の第１の表面）には、第１の外部接続端子６００が埋設されている。第１の外部端子の表面と最下層の樹脂絶縁層の第１面とは、略同一平面に位置している。最下層の樹脂絶縁層の第２面上に最上層の樹脂絶縁層の第１面が積層されている。第２の樹脂絶縁層４００ｂの第２面上には、電源用の第２の外部接続端子（第３の外部端子）６７０Ｐ、グランド用の第２の外部接続端子（第４の外部端子）６７０Ｇと信号用の第２の外部接続端子６７０Ｐとからなる第２の外部接続端子６７０が形成されている。また、第２の樹脂絶縁層４００ｂには、ヴィア導体が形成されている。
【０１４４】
この図１０に示す配線基板９００の製造方法は、まず、図９Ａ乃至図９Ｅに示す工程を行う。その後、図９Ｉ乃至図９Ｒに示す工程を行い、メッキレジスト１６０を除去し、第１の外部接続端子６００（６００Ｐ、６００Ｇ、６００Ｓ）に第１の半田バンプを形成することで、図１０に示した配線基板９００が得られる。
【０１４５】
なお、第４の実施形態の配線基板は、第３の実施形態と同様に、第１電極と第２電極が面方向にずれていないコンデンサを接着剤で積層したコンデンサ積層体を内蔵してもよい。
【０１４６】
（本発明の具体的一実施態様における配線基板の第５の実施の形態）
本発明の第５の実施形態に係る配線基板９００は、第１の実施形態に係る配線基板９００と異なり、図１１に示すように、ベース基板１００の上に樹脂絶縁層２００ａが、下には下部樹脂絶縁層２７０ｄが、設けられている。そして樹脂絶縁層２００ａにはコンデンサ積層体４５０ａが埋設されており、下部樹脂絶縁層２７０ｄにはコンデンサ積層体４５０ｂが埋設されている。
【０１４７】
このように構成することで、ベース基板１００の上におけるノイズ軽減のみならず、ベース基板１００の下においてもノイズの軽減を効率的に図ることができる。
【０１４８】
この配線基板９００の製造方法は、例えば、図２Ｗの後に、ベース基板１００の下面に、下部樹脂絶縁層２７０ｄを設けて、その下部樹脂絶縁層２７０ａにコンデンサ積層体４５０ｂを埋設させることで作成することが可能である。
【０１４９】
（本発明におけるその他の実施の形態）
上述の実施の形態では、コンデンサ積層体４５０は、コンデンサ３５０ａ、３５０ｂ、３５０ｃを３個積層させて形成した。もっともこれに限定されない。コンデンサ積層体４５０は、例えば２個又は４個〜３０個あるいはそれ以上のコンデンサを接着剤３４０を介在させて積層させることができる。
【０１５０】
上述の実施の形態では、誘電体層３３０は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）で形成された。もっともこれに限定されない。誘電体層３３０は、例えば、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）、酸化タンタル（ＴａＯ３、Ｔａ２Ｏ５）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、チタン酸ジルコン酸ランタン鉛（ＰＬＺＴ）、チタン酸ジルコン酸ニオブ鉛（ＰＮＺＴ）、チタン酸ジルコン酸カルシウム鉛（ＰＣＺＴ）及びチタン酸ジルコン酸ストロンチウム鉛（ＰＳＺＴ）のいずれか又はこれらの混合物を使用することも可能である。
【０１５１】
上述の実施の形態では、誘電性フィラーとしてチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）を用いた。もっともこれに限定されない。誘電性フィラーは、例えば、チタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ３）、チタン酸マグネシウム（Ｍｇ２ＴｉＯ３）、チタン酸ネオジム（Ｎｄ２Ｔｉ２Ｏ７）等を用いることが可能である。
【０１５２】
また、上述の実施の形態では、樹脂絶縁層（樹脂フィルム）を構成する樹脂としてエポキシ樹脂を用いた。もっともこれに限定されない。樹脂絶縁層を構成する樹脂として、例えば、ポリイミド、ポリカーボネート、変性ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンオキサイド、ポリブチレンテレフタレート、ポリアクリレート、ポリスルホン、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリサルホン、ポリエーテルサルホン、ポリフェニルサルホン、ポリフタルアミド、ポリアミドイミド、ポリケトン、ポリアセタール等を単独で若しくはエポキシ樹脂と組み合わせて使用できる。
【０１５３】
また、上述の実施の形態では、第１電極３１０及び第２電極３２０を形成する金属として銅を用いた。しかし、電極の材料は、これに限定されない。第１電極３１０及び第２電極３２０を形成する金属としては、例えば白金、金、ニッケル、スズ、銀等を単独で若しくは任意の組合せで混合して用いることが可能である。さらには、第１電極３１０と第２電極３２０とで、それぞれ異なる種類の金属を用いることも可能である。
【０１５４】
もっとも、電極におけるマイグレーションを抑制する上では、負の電荷を蓄積する電極（負極）をニッケルで、正の電荷を蓄積する電極（正極）を銅で形成することが有効である。このように、負極を形成する導体材料を、正極を形成する導体材料よりもイオン化傾向が大きい導体材料にすることで、電極、特に正極を形成する金属のマイグレーション現象が起こりにくくなる。そのため、コンデンサ部の絶縁抵抗の低下を抑制又は防止することが可能になる。その他、負極をニッケルで、正極をスズで形成したものなどであっても、負極を形成する導体材料のイオン化傾向が、正極を形成する導体材料のイオン化傾向よりも大きくなる条件を充足するものであれば、上記効果と同様又は準ずる効果が得られる。
【０１５５】
さらに、負極及び正極は単層に限られず、例えば負極、正極の少なくとも一方が２以上の異なる種類の導体材料からなる複数層で形成されている場合であっても、イオン化傾向の大きい金属を負極に、イオン化傾向の小さい金属を正極に、それぞれ配置することで、マイグレーション現象の発生を抑制することができる。
【０１５６】
また、上述の実施の形態では、銅からなる第１電極３１０の上に高誘電体材料を印刷し、焼成して誘電体層３３０を形成し、その後、スパッタ等の真空蒸着装置を用いて誘電体層３３０の上に銅からなる金属層を形成して第２電極３２０を形成して、コンデンサを作成した。もっともこれに限定されない。
【０１５７】
即ち、以下の工程により、コンデンサを作成することも可能である。まず、ジエトキシバリウムとビテトライソプロポキシドチタンを、脱水したメタノールと２−メトキシエタノールとの混合溶媒に溶解し、室温の窒素雰囲気下で３日間攪拌してバリウムとチタンのアルコキシド前駆体組成物溶液を調整する。次いで、この前駆体組成物溶液を０℃に保ちながら攪拌し、あらかじめ脱炭酸した水を０．５マイクロリットル／分の速度で窒素気流中で噴霧して加水分解する。このようにして作成されたゾルーゲル溶液をフィルターを通すことで、析出物等をろ過する。得られたろ過液を厚さ１２μｍの銅からなる第１電極３１０の上にスピンコートする。その後８５０℃に保持された電気炉中に挿入して焼成を行うことで誘電体層３３０を得る。そして誘電体層３３０の上にスパッタ等の真空蒸着装置を用いて銅層を形成し更にこの銅層上に電解メッキ等で銅を１０μｍ程度足すことにより、第２電極３２０を得ることができる。
【０１５８】
上述のコンデンサ積層体を有するコンデンサ装置のほか、例えば図１２に示すように、単層コンデンサ３５０ｄを有するコンデンサ装置なども考えられる。こうしたコンデンサ装置は、配線基板を小型化したりコンデンサの実装効率を高めたりする上で有利である。この種のコンデンサ装置を製造する場合も、乾式のデスミア処理の後、乾式法によりシードメタルを形成し、さらに続けて、銅メッキ膜を形成することで、誘電体層のダメージを軽減し、コンデンサ電極間の短絡を抑制することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１５９】
本発明のコンデンサ装置の製造方法は、コンデンサを内蔵した配線基板などの製造に適している。
【符号の説明】
【０１６０】
１００ ベース基板
２００ 樹脂絶縁層
３１０ 第１電極
３２０ 第２電極
３３０ 誘電体層
３４０ 接着剤
３５０ コンデンサ
４１１ ヴィア導体
４１２ ヴィア導体
４１３ ヴィア導体
４１４ ヴィア導体
４２１ 導体パターン
４２３ 導体パターン
４２５ 導体パターン
４５０ コンデンサ積層体
７１０ アライメントマーク
７２０ アライメントマーク
７３０ アライメントマーク
９００ 配線基板
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばコンデンサを内蔵した配線基板などのコンデンサ装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の小型化の要求に伴い、電子機器を構成する電子部品の実装効率を高めることが要望されている。そのため、実装効率を高めるため、コンデンサを内蔵した配線基板が特許文献１に開示されている。
【０００３】
しかし、この公報に開示された配線基板では、配線基板に内蔵されたコンデンサの高容量化と絶縁抵抗の確保とを両立することは困難である。
【０００４】
なぜなら、コンデンサを高容量化しようとすると、コンデンサの誘電体層を薄くすることになるが、誘電体層を薄くすれば、コンデンサの絶縁抵抗が低下する。一方、コンデンサの絶縁抵抗を確保しようとすると、誘電体層を厚くすることになるが、これではコンデンサの容量を大きくできない。
【０００５】
また、誘電体層と電極とを交互に積層して形成された複数のコンデンサを内蔵する配線基板が特許文献２に開示されている。この公報に開示された配線基板は、誘電体層の厚さをコンデンサの絶縁抵抗を得るために必要な厚さとし、複数のコンデンサを配置することで、全体としての容量を大きくしている。
【０００６】
もっとも、この公報に開示された配線基板では、一つのコンデンサに欠陥があれば、コンデンサ積層体全体に欠陥が生じる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−１９１５５９号公報
【特許文献２】特開２００４−２２８１９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記の問題点を解決するものであり、高容量でかつ絶縁抵抗が確保されたコンデンサ装置を製造することのできるコンデンサ装置の製造方法を提供することを目的とする。また、コンデンサを積層したコンデンサ積層体を内蔵する配線基板の歩留まりを確保することのできるコンデンサ装置の製造方法を提供することを他の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、本発明の第１の観点に係るコンデンサ装置の製造方法は、積層された複数のコンデンサから構成されるコンデンサ積層体に貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記貫通孔形成工程の後、前記貫通孔に、乾式のデスミア処理を施すデスミア工程と、前記デスミア工程の後、前記貫通孔に、乾式法によりシードメタルを形成するシードメタル形成工程と、を備える、ことを特徴とする。
【００１０】
上記目的を達成するため、本発明の第２の観点に係るコンデンサ装置の製造方法は、誘電体層と、前記誘電体層を挟んで対向する第１電極と第２電極と、を有するコンデンサを作成する、コンデンサ作成工程と、前記コンデンサを、接着剤を介して積層することでコンデンサ積層体を作成する、コンデンサ積層体作成工程と、支持板上に、第１の外部端子と第２の外部端子を有する第１の外部接続端子を形成する第１の外部接続端子形成工程と、前記第１の外部接続端子と支持板上に複数の樹脂絶縁層と複数の導体回路を交互に積層するビルドアップ工程と、前記複数の樹脂絶縁層のうち少なくとも１つの樹脂絶縁層に、前記コンデンサ積層体を埋設させる埋設工程と、前記コンデンサ積層体に、前記第１電極又は前記第２電極同士を貫通する貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記貫通孔に、乾式のデスミア処理を施すデスミア工程と、前記デスミア工程の後、前記貫通孔に、乾式法によりシードメタルを形成するシードメタル形成工程と、前記シードメタル形成工程の後、前記シードメタル上にメッキして、前記貫通孔に金属導体を充填させることで、前記第１電極同士を電気的に接続する第１のヴィア導体と、前記第２電極同士を電気的に接続する第２のヴィア導体と、を作成するヴィア導体作成工程と、前記第１のヴィア導体と電気的に接続している第３の外部端子と、前記第２のヴィア導体と電気的に接続している第４の外部端子と、を作成する第２の外部接続端子形成工程と、を備える、ことを特徴とする。
【００１１】
上記目的を達成するため、本発明の第３の観点に係るコンデンサ装置の製造方法は、誘電体層と、前記誘電体層を挟んで対向する第１電極と第２電極と、を有するコンデンサを作成する、コンデンサ作成工程と、前記コンデンサを、接着剤を介して積層することでコンデンサ積層体を作成する、コンデンサ積層体作成工程と、支持板上に、第１の外部端子と第２の外部端子を有する第１の外部接続端子を形成する第１の外部接続端子形成工程と、前記第１の外部接続端子と支持板上に複数の樹脂絶縁層と複数の導体回路を交互に積層するビルドアップ工程と、前記複数の樹脂絶縁層のうち少なくとも１つの樹脂絶縁層に、前記コンデンサ積層体を埋設させる埋設工程と、前記コンデンサ積層体に、前記第１電極又は前記第２電極同士を貫通する貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記貫通孔に、乾式のデスミア処理を施すデスミア工程と、前記デスミア工程の後、前記貫通孔に、乾式法によりシードメタルを形成するシードメタル形成工程と、前記シードメタル形成工程の後、前記シードメタル上にメッキして、前記貫通孔に金属導体を充填させることで、前記第１電極同士を電気的に接続する第１のヴィア導体と、前記第２電極同士を電気的に接続する第２のヴィア導体と、を作成するヴィア導体作成工程と、前記複数の樹脂絶縁層のうち、前記支持板とは反対側に位置する最上層の樹脂絶縁層上に第３の外部端子と第４の外部端子を有する第２の外部接続端子を形成する第２の外部接続端子形成工程と、前記支持板を除去する支持板除去工程と、を備え、前記第１の外部端子と前記第３の外部端子は前記第１のヴィア導体と電気的に接続していて、前記第２の外部端子と前記第４の外部端子は前記第２のヴィア導体と電気的に接続している、ことを特徴とする。
【００１２】
上記目的を達成するため、本発明の第４の観点に係るコンデンサ装置の製造方法は、
単層コンデンサに貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
前記貫通孔形成工程の後、前記貫通孔に、乾式のデスミア処理を施すデスミア工程と、
前記デスミア工程の後、前記貫通孔に、乾式法によりシードメタルを形成するシードメタル形成工程と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、高容量でかつ絶縁抵抗が確保されたコンデンサ装置を製造することができる。また、コンデンサを積層したコンデンサ積層体を内蔵する配線基板を製造する場合には、その歩留まりを向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るコンデンサ装置（配線基板）の断面図である。
【図２Ａ】第１電極と誘電体層と第２電極とを積層させる、実施形態１に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図２Ｂ】第１電極と第２電極とをずれた位置にさせる、実施形態１に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図２Ｃ】コンデンサを積層させてコンデンサ積層体を作成する、実施形態１に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図２Ｄ】接着剤を介在させてコンデンサを積層させたコンデンサ積層体を示す、実施形態１に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図２Ｅ】ベース基板の上に樹脂絶縁層を積層する、実施形態１に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図２Ｆ】樹脂絶縁層にコンデンサ積層体を埋設させる、実施形態１に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図２Ｇ】コンデンサ積層体が埋設された樹脂絶縁層を示す、実施形態１に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図２Ｈ】樹脂絶縁層にコンデンサ積層体を積層させる、実施形態１に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図２Ｉ】樹脂絶縁層にさらに第２の樹脂絶縁層を積層する、実施形態１に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図２Ｊ】コンデンサ積層体にヴィア導体のための貫通孔を設ける、実施形態１に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図２Ｋ】実施形態１に係る配線基板のコンデンサ積層体を上面から説明する図である。
【図２Ｌ】実施形態１に係る配線基板のコンデンサ積層体を上面から説明する図である。
【図２Ｍ】第２の樹脂絶縁層に導体パターンを設ける、実施形態１に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図２Ｎ】誘電体層のダメージに起因したコンデンサ電極間の短絡現象を説明する図である。
【図２Ｏ】誘電体層のダメージに起因したコンデンサ電極間の短絡現象を説明する写真である。
【図２Ｐ】湿式のデスミア処理により製造されたコンデンサ装置の例を説明する図である。
【図２Ｑ】湿式のデスミア処理により製造されたコンデンサ装置の例を説明する写真である。
【図２Ｒ】乾式のデスミア処理により製造されたコンデンサ装置の例を説明する図である。
【図２Ｓ】乾式のデスミア処理により製造されたコンデンサ装置の例を説明する写真である。
【図２Ｔ】さらに第３の樹脂絶縁層を積層する、実施形態１に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図２Ｕ】第３の樹脂絶縁層に導体パターンを設ける、実施形態１に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図２Ｖ】ソルダーレジストに複数の開口部を設ける、実施形態１に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図２Ｗ】半田バンプを介してＩＣチップが実装される、実施形態１に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図２Ｘ】ベース基板の下面にも樹脂絶縁層を設ける、実施形態１に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図３】本発明の第２の実施形態に係るコンデンサ装置（配線基板）の断面図である。
【図４Ａ】コンデンサ積層体にヴィア導体のための貫通孔を設ける、実施形態２に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図４Ｂ】コンデンサ積層体及び樹脂絶縁層の上面に導体パターンを設ける、実施形態２に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図４Ｃ】さらに第２の樹脂絶縁層を設ける、実施形態２に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図４Ｄ】ベース基板の下面にも樹脂絶縁層を設ける、実施形態２に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図５】第１電極及び第２電極の開口部にヴィア導体が形成されているコンデンサ積層体を示す、実施形態３に係るコンデンサ装置（配線基板）の断面図である。
【図６Ａ】実施形態３に係る配線基板のコンデンサ積層体を格子状に貫通するヴィア導体を説明する図である。
【図６Ｂ】実施形態３に係る配線基板のコンデンサ積層体を千鳥状に貫通するヴィア導体を説明する図である。
【図７Ａ】第１電極と誘電体層と第２電極とを積層させる、実施形態３に係る配線基板のコンデンサ単体を説明する図である。
【図７Ｂ】第１電極及び第２電極がパターニングされた、実施形態３に係る配線基板のコンデンサ単体を説明する図である。
【図７Ｃ】実施形態３に係る配線基板のパターニングされたコンデンサを第１電極側から説明する平面図である。
【図７Ｄ】実施形態３に係る配線基板のパターニングされたコンデンサを第２電極側から説明する平面図である。
【図７Ｅ】パターニングされたコンデンサを積層させてコンデンサ積層体を作成する、実施形態３に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図７Ｆ】パターニングされたコンデンサを、接着剤を介在させて積層させるコンデンサ積層体を示す、実施形態３に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図７Ｇ】パターニングされたコンデンサを積層させたコンデンサ積層体を樹脂絶縁層に埋設させる、実施形態３に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図７Ｈ】パターニングされたコンデンサを積層させたコンデンサ積層体に貫通孔を設ける、実施形態３に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図７Ｉ】パターニングされたコンデンサを積層させたコンデンサ積層体にヴィア導体及び導体パターンを設ける、実施形態３に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図８】本発明の第４の実施形態に係るコンデンサ装置（配線基板）の断面図である。
【図９Ａ】実施形態４に係る配線基板の製造工程において、樹脂絶縁層を支える支持板を説明する図である。
【図９Ｂ】実施形態４に係る配線基板の製造工程において、支持板の上にメッキレジストを形成する工程を説明する図である。
【図９Ｃ】実施形態４に係る配線基板の製造工程において、支持板の上に形成されたメッキレジストに複数の開口部を形成する工程を説明する図である。
【図９Ｄ】メッキレジストの開口部に外部端子を形成する、実施形態４に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図９Ｅ】支持板の上に第１の樹脂絶縁層を形成する、実施形態４に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図９Ｆ】支持板の上に形成された第１の樹脂絶縁層に貫通孔を形成する、実施形態４に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図９Ｇ】第１の樹脂絶縁層の上面に導体パターンを形成する、実施形態４に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図９Ｈ】第１の樹脂絶縁層の上に第２の樹脂絶縁層を形成する、実施形態４に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図９Ｉ】第２の樹脂絶縁層にコンデンサ積層体を埋設させる、実施形態４に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図９Ｊ】コンデンサ積層体が埋設された第２の樹脂絶縁層を説明する、実施形態４に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図９Ｋ】コンデンサ積層体が埋設された第２の樹脂絶縁層に貫通孔を設ける、実施形態４に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図９Ｌ】第２の樹脂絶縁層にヴィア導体及び導体パターンを設ける、実施形態４に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図９Ｍ】第２の樹脂絶縁層の上に第３の樹脂絶縁層を設ける、実施形態４に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図９Ｎ】第３の樹脂絶縁層に貫通孔を設ける、実施形態４に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図９Ｏ】第３の樹脂絶縁層にヴィア導体及び導体パターンを設ける、実施形態４に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図９Ｐ】第３の樹脂絶縁層の上にソルダーレジストを設ける、実施形態４に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図９Ｑ】ソルダーレジストに設けられた複数の開口部に外部端子を設ける、実施形態４に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図９Ｒ】支持板をエッチングにて除去する、実施形態４に係る配線基板の製造工程を説明する図である。
【図１０】本発明の実施形態４に係る配線基板の変形例を示す図である。
【図１１】ベース基板の下方に設けられた樹脂絶縁層にもコンデンサ積層体を埋設する、実施形態５に係るコンデンサ装置（配線基板）の断面図である。
【図１２】単層コンデンサを有するコンデンサ装置の例を説明する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
（本発明の具体的一実施態様における配線基板の第１の実施形態）
以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態について説明する。
【００１６】
図１に示すように、本実施形態に係る配線基板９００は、第１の樹脂絶縁層２００ａと、第１の樹脂絶縁層２００ａを支えるベース基板１００と、第１の樹脂絶縁層２００ａに埋設されたコンデンサ積層体４５０と、を有する。
【００１７】
第１の樹脂絶縁層２００ａの上には第２の樹脂絶縁層２００ｂが設けられている。第２の樹脂絶縁層２００ｂの上には第３の樹脂絶縁層２００ｃが設けられている。
【００１８】
コンデンサ積層体４５０の上面は第１の樹脂絶縁層２００ａの上面にあり、コンデンサ積層体４５０の上面と第１の樹脂絶縁層２００ａの上面とは面一になっている。
【００１９】
コンデンサ積層体４５０は、コンデンサ３５０ａ、３５０ｂ、３５０ｃを接着剤３４０を介して積層したものである。接着剤３４０は、絶縁性樹脂であり、例えばエポキシ樹脂である。
【００２０】
コンデンサ積層体４５０の厚みは、例えば、３０μｍ〜１００μｍである。１００μｍよりも厚いとコンデンサ積層体４５０を樹脂絶縁層２００ａに埋没させることが困難となるおそれがあるからであり、一方、３０μｍよりも薄いと構造が微細となりすぎて配線基板の製造効率を阻害する可能性がありうるからである。
【００２１】
コンデンサ３５０ａ、３５０ｂ、３５０ｃは、それぞれ、誘電体層３３０と、平板状の第１電極３１０と、第２電極３２０とを有する。第１電極３１０と第２電極３２０とは、同一サイズの直方体の平板導体から形成される。第１電極３１０と第２電極３２０とは互いに電極の平面方向に所定距離シフトしており、一部において重なっている。第１電極３１０と第２電極３２０とは、例えば、長さ０．２ｍｍ〜８ｍｍで、幅０．１ｍｍ〜８ｍｍで、厚み３μｍ〜１５μｍである。第１電極３１０と第２電極３２０とは銅で形成されている。
【００２２】
誘電体層３３０の厚みは例えば０．５μｍ〜１０μｍである。誘電体層３３０の厚みを０．５μｍよりも小さくするとコンデンサの絶縁抵抗が悪くなる可能性があるからであり、一方、１０μｍよりも大きくするとコンデンサの高容量化が満足できる値とならないおそれがあるからである。
【００２３】
コンデンサ３５０同士の距離、例えば、コンデンサ３５０ａの第２電極３２０とコンデンサ３５０ｂの第１電極３１０との距離（即ち、接着剤３４０が形成する接着剤層の厚み）は、例えば２〜１２μｍである。２μｍよりも小さいとコンデンサ３５０間に充填される接着剤３４０の量が不十分となり、コンデンサ３５０同士の接着力が弱くなる可能性があるからである。また、接着剤３４０の厚みが薄いと、コンデンサ間（３５０ａと３５０ｂ間や３５０ｂと３５０ｃ間）で絶縁抵抗が小さくなる可能性があるからである。一方、１２μｍよりも大きくなると、コンデンサ積層体４５０の厚みが増大することで配線基板の微細な配線構造を阻害するおそれがあるからである。
【００２４】
誘電体層３３０は、セラミック製の誘電体層である。誘電体層３３０は、例えばチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）で形成される。なお、誘電体層３３０には、熱可塑性樹脂若しくは熱硬化性樹脂に誘電性フィラーを含有するものを用いることができる。熱可塑性樹脂は例えばポリエステル、熱硬化性樹脂は例えばフェノール樹脂を使用できる。誘電性フィラーは例えばチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）で形成される。
【００２５】
ヴィア導体４１１が、コンデンサ３５０ａ、３５０ｂ、３５０ｃのそれぞれの第１電極３１０同士を電気的に接続している。また、ヴィア導体４１２が、コンデンサ３５０ａ、３５０ｂ、３５０ｃのそれぞれの第２電極３２０同士を電気的に接続している。
【００２６】
ベース基板１００の上には複数の導体パターン（導体回路）４２１（４２１Ｐ、４２１Ｇ、４２１Ｓ）が設けられ、第２の樹脂絶縁層２００ｂの上には複数の導体パターン４２３（４２３Ｐ、４２３Ｇ、４２３Ｓ）が設けられている。第３の樹脂絶縁層２００ｃの上には複数の導体パターン４２５（４２５Ｐ、４２５Ｇ、４２５Ｓ）が設けられている。
【００２７】
そして、ヴィア導体４１１は、導体パターン４２１Ｐと導体パターン４２３Ｐとを電気的に接続している。ヴィア導体４１２は、導体パターン４２１Ｇと導体パターン４２３Ｇとを電気的に接続している。ヴィア導体４１２に接続している導体パターン４２３Ｇはグランドラインに接続され、ヴィア導体４１１に接続している導体パターン４２３Ｐは電源ラインに接続される。ヴィア導体４４１Ｐは、導体パターン４２３Ｐと導体パターン４２５Ｐとを電気的に接続している。ヴィア導体４４１Ｇは、導体パターン４２３Ｇと導体パターン４２５Ｇとを電気的に接続している。
【００２８】
ベース基板１００の厚みは、２００μｍ〜８００μｍである。ベース基板１００は、例えばガラスエポキシ樹脂で構成される。ガラスエポキシ樹脂は、ガラスフィラーが添加されたエポキシ樹脂をガラスクロスに含浸させたものである（ガラスエポキシ基板）。
【００２９】
第１の樹脂絶縁層２００ａ、第２の樹脂絶縁層２００ｂ、第３の樹脂絶縁層２００ｃの厚みは、例えば４０μｍ〜１２０μｍである。樹脂絶縁層２００ａ、２００ｂ、２００ｃは、例えばエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂から構成される。樹脂絶縁層は、ガラス、アルミナ、炭酸バリウムなどの無機粒子と熱硬化性樹脂とからなっていてもよい。ガラスエポキシ基板にて、ガラスクロスが２枚重なったガラスエポキシ基板でもよい。
【００３０】
配線基板９００は、例えば、電気信号を導体パターン４２１Ｓ等を介して伝達する等の各種の電気信号処理を行うことができる。
【００３１】
また、配線基板９００は、コンデンサ積層体４５０が樹脂絶縁層２００ａ内に設けられているので、省スペース化を達成しながら、ノイズをデカップリングすることができる。
【００３２】
また、配線基板９００に実装されるＩＣチップの近くにコンデンサを形成できるので、ＩＣへの電源供給の遅延を防止できる。
【００３３】
また、樹脂絶縁層２００ａに内蔵されたコンデンサ積層体４５０は、コンデンサ３５０を積層させたものである。そのため、各コンデンサ３５０の誘電体層３３０の厚みを所定の厚さに保つことで、各コンデンサ３５０の絶縁抵抗値を一定程度に維持しつつ、かつ、複数のコンデンサ３５０を積層しているからコンデンサ積層体４５０全体としてコンデンサ容量の増大化を達成することができる。だから、コンデンサ容量の高容量化とコンデンサの高絶縁性化とを両立させることができる。
【００３４】
また、平板状の第１電極３１０と、第１電極３１０から電極の面方向にシフトした位置にある第２電極３２０と、誘電体層３３０とで、コンデンサ３５０を形成している。このように、各コンデンサ３５０の第１電極３１０と第２電極３２０とをずらして交互に形成しているから、各コンデンサ３５０ａ、３５０ｂ、３５０ｃの第１電極３１０同士を電気的に接続するヴィア導体４１１と第２電極３２０同士を電気的に接続するヴィア導体４１２とを設けることが容易となる。だから、第１電極３１０と第２電極３２０とが対向している領域にヴィア導体を形成しなくて良いので、電極面積を大きくでき、コンデンサの高容量化を達成できる。さらには、コンデンサの電極を貫通するヴィア導体の数を少なくすることができるから、ヴィア導体の熱膨張に起因する誘電体層へのクラック発生を極力抑制できる。
【００３５】
さらに、コンデンサ積層体４５０は、コンデンサ３５０を積層して形成される。そのため、コンデンサ積層体４５０を形成するにあたり、あらかじめ、各コンデンサ３５０の絶縁抵抗値を検査し、絶縁抵抗が良好である良品のコンデンサ３５０ばかりを選別して積層できる。だから、コンデンサ積層体４５０全体としても良品のものを得ることができ、コンデンサ積層体４５０の絶縁信頼性を確保できる。仮に、電極と誘電体層とを交互に積層することでコンデンサ積層体を形成するならば、あらかじめ、各コンデンサ部の絶縁抵抗が良好であるか検査することは困難である。そのため、コンデンサ積層体の絶縁信頼性を製造段階で確保することは困難である。
【００３６】
そして、樹脂絶縁層２００ａに内蔵されたコンデンサ積層体４５０は、コンデンサ３５０を樹脂等の接着剤３４０を介在させて積層している。接着剤３４０に使用される樹脂の熱膨張係数と樹脂絶縁層２００ａの熱膨張係数とは同じ値の材料を使うことも可能であり、そのため、コンデンサ積層体４５０全体の熱膨張係数は、樹脂絶縁層２００ａの熱膨張係数に近づけることができる。だから、コンデンサ積層体４５０に熱が加わったとしても、樹脂絶縁層２００ａとコンデンサ積層体４５０との界面で亀裂が発生する可能性は低い。ゆえに誘電体層３３０にクラックが入りにくい。
【００３７】
（本発明の第１の実施形態に係る配線基板の製造方法）
まず、厚さ５μｍの銅からなる第１電極３１０に、ＢａＴｉＯ３からなる高誘電体材料をドクターブレード等の印刷機を用いて、厚さ５〜１０μｍの薄膜状に印刷して未焼成層を形成する。なお、さらに薄い誘電体層（０．５〜５μｍ）を形成するには後述するゾル―ゲル法やスパッタ法等を用いることができる。
【００３８】
次に、未焼成層を真空中またはＮ２ガス等の非酸化雰囲気で６００〜９５０℃の温度範囲で焼成し、誘電体層３３０とする。その後、スパッタ等の真空蒸着装置を用いて誘電体層３３０の上に銅からなる金属層を形成し更にこの金属層上に電解メッキ等で銅を５μｍ程度足すことにより、第２電極３２０を形成する。このようにして、図２Ａに示すように、ＢａＴｉＯ３で形成される誘電体層３３０を、銅で形成された第１電極３１０と第２電極３２０とで挟むコンデンサが得られる。
【００３９】
次に、図２Ｂに示すように、塩化第二銅エッチング溶液を用いてエッチング処理により、第１電極３１０及び第２電極３２０の必要部分以外を除去することで、第１電極３１０と第２電極３２０とを面方向（即ち、水平方向）にずれた位置になるように形成してコンデンサ３５０の単体を設ける。かかる場合、誘電体層３３０の上下にある第１電極３１０と第２電極３２０との重なりは０．４〜１．０ｃｍ２程度であるように、第１電極３１０と第２電極３２０とを水平方向にずらす。また、エッチング処理により、第１電極３１０にアライメントマーク７１０を形成し、また、第２電極３２０にアライメントマーク７２０を形成する。
【００４０】
次に、図２Ｃに示すように、コンデンサ３５０ａ、３５０ｂ、３５０ｃを鉛直方向に３個積層する。コンデンサ３５０ａ、３５０ｂ、３５０ｃを積層する際には、コンデンサ３５０同士の間に接着剤としてのエポキシ樹脂を介在させる。単体のコンデンサ３５０ａ、３５０ｂ、３５０ｃ同士は、各コンデンサに設けられているアライメントマーク７１０若しくはアライメントマーク７２０を基準にして位置合わせがなされる。
【００４１】
そして、図２Ｄに示すように、３個のコンデンサ３５０ａ、３５０ｂ、３５０ｃを、それぞれのコンデンサの間に接着剤３４０を介在させた状態でコンデンサ積層体４５０を得る。
【００４２】
次に、図２Ｅに示すように、アライメントマーク７３０が形成してあるベース基板（コア基板）１００上に、真空ラミネーターを用いて熱硬化性の樹脂フィルムを温度５０〜１７０℃、圧力０．４〜１．５ＭＰａというラミネート条件で貼り付ける。ベース基板１００上には、導体パターン４２１（４２１Ｐ、４２１Ｇ、４２１Ｓ）が形成されている。ベース基板は厚さ０．６ｍｍのガラスエポキシ基板である。貼り付ける際の熱硬化性の樹脂フィルムは半硬化状態であるが、硬化することで第１の樹脂絶縁層（下層の樹脂絶縁層）２００ａとなる。樹脂フィルムとしては例えば味の素社製のＡＢＦ−４５ＳＨを２枚用いることができる。
【００４３】
次に、図２Ｆに示すように、コンデンサ積層体４５０を半硬化状態の第１の樹脂絶縁層２００ａ上に位置合わせして積層する。両者の位置合わせは、コンデンサ積層体４５０のうちコンデンサ３５０ａにあるアライメントマーク７１０と、ベース基板１００のアライメントマーク７３０とをカメラで認識して行う。若しくは、コンデンサ積層体４５０のうちコンデンサ３５０ｃにあるアライメントマーク７２０と、ベース基板１００のアライメントマーク７３０とをカメラで認識して行う。アライメントマーク７１０とアライメントマーク７２０とはいずれか一方だけが設けられていても良いし、また、ともに設けられていても良い。
【００４４】
その後、図２Ｇに示すように、０．４ＭＰａ、１７０℃、２時間のプレス条件で真空プレスして、コンデンサ積層体４５０を第１の樹脂絶縁層２００ａに埋設させるとともに、第１の樹脂絶縁層２００ａを硬化させる。コンデンサ積層体４５０は、コンデンサ積層体４５０の上面と第１の樹脂絶縁層２００ａの上面とが面一になるように、第１の樹脂絶縁層２００ａに埋設される。
【００４５】
なお、コンデンサ積層体は、図２Ｈに示すように、コンデンサ３５０ｃの一部を埋設させた状態にて第１の樹脂絶縁層２００ａに積層させることも可能である。かかる場合においても、コンデンサ積層体４５０のコンデンサ３５０ｃに設けられたアライメントマーク７２０若しくはコンデンサ３５０ａに設けられたアライメントマーク７１０と、ベース基板１００の上に設けられたアライメントマーク７３０とを、コンデンサ積層体４５０と第１の樹脂絶縁層２００ａとの位置あわせのための目印とする。
【００４６】
次に、図２Ｉに示すように、第２の樹脂絶縁層（上層の樹脂絶縁層）２００ｂを形成する。具体的には、第１の樹脂絶縁層２００ａ及びコンデンサ積層体４５０上に真空ラミネーターを用いて樹脂フィルムを温度５０〜１７０℃、圧力０．４〜１．５ＭＰａというラミネート条件で貼り付ける。樹脂フィルムは例えば味の素社製のＡＢＦ−４５ＳＨを用いることができる。その後、１７０℃で２時間熱処理することにより樹脂フィルムは硬化して第２の樹脂絶縁層２００ｂを形成する。
【００４７】
次に、図２Ｊに示すように、炭酸ガスレーザで、第２の樹脂絶縁層２００ｂ、第１の樹脂絶縁層２００ａ及びコンデンサ積層体４５０を貫通し、ベース基板１００上の導体パターン４２１（電源用の導体パターン４２１Ｐ、グランド用の導体パターン４２１Ｇ、信号用の導体パターン４２１Ｓ）に到達する貫通孔４７０（４７０Ｐ、４７０Ｇ、４７０Ｓ）を設ける。
【００４８】
貫通孔４７０Ｐは、電源用の導体パターン４２１Ｐに到達する電源用貫通孔である。貫通孔４７０Ｇは、グランド用の導体パターン４２１Ｇに到達するグランド用貫通孔である。貫通孔４７０（４７０Ｐ、４７０Ｇ、４７０Ｓ）の直径は２０〜１００μｍである。なお、貫通孔４７０（４７０Ｐ、４７０Ｇ、４７０Ｓ）は炭酸ガスレーザではなく、ドリルで設けることも可能である。ここで、貫通孔４７０（４７０Ｐ、４７０Ｇ、４７０Ｓ）の位置は、ベース基板１００のアライメントマーク７３０、コンデンサ積層体４５０におけるコンデンサ３５０ａのアライメントマーク７１０、コンデンサ積層体４５０におけるコンデンサ３５０ｃのアライメントマーク７２０のいずれか１つをカメラ若しくはＸ線で認識して決定される。
【００４９】
平面図である図２Ｋ及び図２Ｌで示されるように、第１電極３１０と第２電極３２０の重なり部分でコンデンサが形成される。図２Ｋに示すように、第１電極３１０と第２電極３２０とは横方向にのみずれていることも可能であるし、また図２Ｌに示すように、第１電極３１０と第２電極３２０とは横方向及び縦方向にずれていることも可能である。なお、第１電極３１０と第２電極３２０とが重なっている部分は斜線で示している。第１電極３１０と第２電極３２０とは、互いに面方向に平行にずれていて、重ならない部分が存在している。重ならない部分に、貫通孔４７０Ｐと４７０Ｇが形成されている。このように、第１電極３１０と第２電極３２０が対向する部分には、貫通孔４７０Ｐ、４７０Ｇが形成されていないので、第１電極３１０と第２電極３２０とが対向する面積を大きくすることができる。電源用貫通孔４７０Ｐは、第１電極３１０（電源用電極）と接しているが、第２電極３２０（グランド用電極）とは接していない。グランド用貫通孔４７０Ｇは、第２電極３２０と接しているが、第１電極３１０とは接していない。
【００５０】
図２Ｊに示すように、貫通孔４７０Ｐ、４７０Ｇ以外に信号用の導体パターンに到達する信号用貫通孔４７０Ｓが形成される。信号用貫通孔４７０Ｓは、コンデンサ積層体４５０が存在しない領域に形成される。
【００５１】
次に、第２の樹脂絶縁層２００ｂの表面と貫通孔（４７０Ｓ、４７０Ｐ、４７０Ｇ、４７０）の内壁面とに（特に導体パターン４２１Ｓ、４２１Ｐ、４２１Ｇ、４２１やコンデンサ積層体４５０の電極等の導体回路に）、乾式のデスミア処理を施す。このデスミア処理は、例えば九州松下製のドライデスミア装置を使用して、Ｏ２及びＣＦ４を反応ガスとするドライエッチング（例えばプラズマエッチングや反応性イオンエッチング等）により行う。反応ガス中にＣＦ４を混ぜることで、樹脂絶縁層に含まれるガラスフィラーが除去されやすくなる。ドライエッチングに用いられるガスとしては、Ｏ２とＣＦ４の混合ガス以外にＡｒガスやＯ２ガスを用いることができる。
【００５２】
次に、第２の樹脂絶縁層２００ｂの表面と貫通孔（４７０Ｓ、４７０Ｐ、４７０Ｇ、４７０）の内壁面とに、乾式法によりシードメタル（例えば銅）を形成する。このシードメタル形成工程では、例えばキヤノンアネルバ製のインライン式スパッタリング装置を使用して、スタッパリング法により、厚さ０．１μｍのニッケル（Ｎｉ）層を形成し、その上に、さらに厚さ０．５μｍの銅（Ｃｕ）を積層して、２層構造のシードメタルを形成する。なお、スパッタリング装置としては、例えばマグネトロンスパッタ装置、３極スパッタリング装置、イオンビームスパッタ装置など、任意のものを用いることができる。また、乾式法としては、上記スタッパリング法のほか、例えば常圧ＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、プラズマ励起ＣＶＤ法、光励起ＣＶＤ法等のＣＶＤ法や、例えば真空蒸着法、イオンプレーティング法等の、スタッパリング法以外のＰＶＤ法なども採用することができる。
【００５３】
次に、上記シードメタルを利用して、第２の樹脂絶縁層２００ｂの表面と貫通孔（４７０Ｓ、４７０Ｐ、４７０Ｇ、４７０）の内壁面に無電解メッキ膜（無電解銅メッキ膜）を形成する。その後、無電解メッキ膜上に電解メッキ膜（電解銅メッキ膜）を形成する。スパッタリング膜上に電解メッキ膜を形成してもよい。続いて、電解メッキ膜上にエッチングレジストを形成する。その後、露光・現像工程を経て、エッチングレジストをパターン化する。なお、このように樹脂層上のパターンを形成する部分及び貫通孔メッキを保護する部分をレジストで覆うフォトリソグラフィ手法はテンティング法と呼ばれる。そしてエッチングレジストが形成されていない部分の電解メッキ膜と無電解メッキ膜をエッチング除去することで、図２Ｍに示すように、導体パターン４２３（電源用の導体パターン４２３Ｐ、グランド用の導体パターン４２３Ｇ、信号用の導体パターン４２３Ｓ）とヴィア導体４１１、４１２、４１３を形成する。
【００５４】
なお、ヴィア導体４１１、４１２、４１３を形成する方法として、湿式のデスミア処理の後、銅メッキ膜を形成する方法も考えられる。例えば図２Ｎに示すように、銅からなる第１電極１００４（上部電極）と、ニッケルからなる第２電極１００２（下部電極）と、ＢＳＴ等の高比誘電率膜（high k）からなる誘電体層１００３と、から構成されるコンデンサ１００５と、絶縁層１００１中の導体パターン１０００と、を電気的に接続するため、絶縁層１００１及びコンデンサ１００５に、炭酸ガスレーザにより貫通孔１００６を形成し、ＫＭｎＯ４溶液等の処理液により湿式のデスミア処理を施した後、銅メッキ膜１００７を形成する。こうすることで、コンデンサ１００５の第１電極１００４と導体パターン１０００とを電気的に接続することができる。
【００５５】
しかしこの場合、図２Ｏの写真に示すように、デスミア処理により誘電体層１００３と絶縁層１００１との間に隙間が生じたり、誘電体層１００３が絶縁層１００１から剥離（lift off）したりすることが懸念される。その場合、後工程のメッキ処理で、誘電体層１００３と絶縁層１００１との間にメッキが析出して、第１電極１００４と第２電極１００２とが短絡（short failure）することが懸念される。
【００５６】
これに対し、本実施形態では、乾式のデスミア処理の後、乾式法（例えばスタッパリング法）によりシードメタルを形成し、さらに続けて、銅メッキ膜を形成することで、誘電体層１００３のダメージを軽減し、コンデンサ電極間の短絡を抑制するようにしている。こうすることで、良好な電気特性が得られる。
【００５７】
図２Ｐ及び図２Ｑに、前者の手法（湿式のデスミア処理）により製造されたコンデンサ装置の例を、図２Ｒ及び図２Ｓに、後者の手法（乾式のデスミア処理）により製造されたコンデンサ装置の例を、それぞれ示す。図２Ｑの写真と図２Ｓの写真との比較から明らかなように、前者の手法よりも後者の手法の方が、誘電体層１００３（ＢＳＴ）のダメージが軽減され、ひいてはコンデンサ電極（Ｃｕ−Ｎｉ）間の短絡も抑制されるようになる。
【００５８】
ヴィア導体４１１は、電源用のヴィア導体であり、図２Ｍに示すように、コンデンサ３５０ａ、コンデンサ３５０ｂ、コンデンサ３５０ｃの第１電極３１０同士を電気的に接続している。また、ヴィア導体４１２は、グランド用のヴィア導体であり、図２Ｍに示すように、コンデンサ３５０ａ、コンデンサ３５０ｂ、コンデンサ３５０ｃの第２電極３２０同士を電気的に接続している。
【００５９】
電源用のヴィア導体４１１は、ベース基板１００上の電源用の導体パターン４２１Ｐと第２の樹脂絶縁層２００ｂ上の電源用の導体パターン４２３Ｐとを接続している。また、グランド用のヴィア導体４１２は、ベース基板１００上のグランド用の導体パターン４２１Ｇと第２の樹脂絶縁層２００ｂ上のグランド用の導体パターン４２３Ｇとを接続している。
【００６０】
次に、図２Ｔに示すように、第２の樹脂絶縁層２００ｂと導体パターン４２３（４２３Ｐ、４２３Ｇ、４２３Ｓ）上に第３の樹脂絶縁層２００ｃを形成する。第３の樹脂絶縁層２００ｃの材質は、第２の樹脂絶縁層２００ｂ及び第１の樹脂絶縁層２００ａと同じである。
【００６１】
次に、第３の樹脂絶縁層２００ｃに炭酸ガスレーザにて貫通孔を形成する。なお、貫通孔はドリルで形成することも可能である。
【００６２】
次に、第３の樹脂絶縁層２００ｃの表面に触媒による表面処理を行う。触媒による表面処理の後、基板の表面に無電解メッキ膜を形成する。その後、無電解メッキ膜上にメッキレジストを形成する。続いて、メッキレジストに露光・現像処理を行って、メッキレジストをパターンニングする。そしてメッキレジストの非形成領域に電解メッキ膜を形成する。メッキレジスト剥離後、電解メッキ膜間の無電解メッキ膜を除去することで、図２Ｕに示すように、無電解メッキ膜と該無電解メッキ膜上に設けられている電解メッキ膜とからなる最外の導体パターン４２５（最外の電源用の導体パターン４２５Ｐ、最外のグランド用の導体パターン４２５Ｇ、最外の信号用の導体パターン４２５Ｓ）を設ける。
【００６３】
次に、第３の樹脂絶縁層２００ｃと最外の導体パターン４２５（４２５Ｐ、４２５Ｇ、４２５Ｓ）上にソルダーレジスト７００を形成する。その後、図２Ｖに示すように、ソルダーレジスト７００に、導体パターン４２５（４２５Ｐ、４２５Ｇ、４２５Ｓ）の一部を露出させる開口部を設けてパッド４２７（電源用のパッド（第１の外部端子）４２７Ｐ、グランド用のパッド（第２の外部端子）４２７Ｇ、信号用のパッド４２７Ｓ）を形成する。開口部により露出している部分がパッド４２７（４２７Ｐ、４２７Ｇ、４２７Ｓ）となる。
【００６４】
図２Ｖに示すように、第１電極３１０と電源用のパッド４２７Ｐは、ヴィア導体４１１と導体パターン４２３Ｐとヴィア導体４４１Ｐを介して接続されている。また、第２電極３２０とグランド用のパッド４２７Ｇとは、ヴィア導体４１２と導体パターン４２３Ｇとヴィア導体４４１Ｇを介して接続されている。
【００６５】
次に、パッド４２７（４２７Ｐ、４２７Ｇ、４２７Ｓ）上に、耐食性ある金属膜を形成した。金属膜としては、例えばＮｉ、Ａｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｐｔ等からなる膜を形成することができる。本実施の形態では、Ｎｉ膜、Ｐｄ膜、Ａｕ膜の順で形成する。なお、金属膜は１層であっても複数の金属膜からなってもよい。例えば、パッド上にＮｉ膜、Ａｕ膜の順に形成することができる。
【００６６】
次に、金属膜上に半田ペーストを印刷する。その後、リフローして半田バンプ４２９を設けることで、図１に示した配線基板９００を得ることができる。
【００６７】
そして、ＩＣチップ８００を実装する場合は、図２Ｗに示すように、半田バンプ４２９を介してＩＣチップ８００の実装を行う。
【００６８】
なお、本実施形態ではベース基板１００の一方の面にのみ、樹脂絶縁層、導体パターン及びヴィア導体を形成しているが、図２Ｘに示すように、ベース基板１００の両面に樹脂絶縁層、導体パターン及びヴィア導体を形成することも可能である。
【００６９】
また、樹脂絶縁層２００ａ、２００ｂ、２００ｃの表面、導体パターンの表面、第１電極３１０の表面、第２電極３２０の表面は粗化することが好ましい。また、ＩＣチップ８００を、配線基板９００の表面に搭載する際は、コンデンサ積層体４５０とＩＣチップ８００との間の距離を近くすることが好ましい。
【００７０】
（本発明の具体的一実施態様における配線基板の第２の実施形態）
第１の実施形態では、樹脂絶縁層２００は、第１の樹脂絶縁層２００ａと第２の樹脂絶縁層２００ｂと第３の樹脂絶縁層２００ｃとから形成された。第２の実施形態に係る配線基板９００は、図３に示すように、第１の実施形態と異なり、樹脂絶縁層２００は、第１の樹脂絶縁層２００ａと第２の樹脂絶縁層２００ｂとから形成される。
【００７１】
また、コンデンサ積層体４５０の最上層に位置する電極は、コンデンサ３５０ａの第１電極３１０と該第１電極３１０上の電源用の導体パターン４２３Ｐとが一体となって形成されている。そのため、第２の実施形態に係る配線基板９００では、コンデンサ積層体４５０の表層にある電極の厚さが第１の実施形態に係る配線基板９００よりも厚い。そのため、コンデンサ積層体４５０の剛性が増す。だから、コンデンサ積層体４５０の誘電体層にクラックが入りにくくなる。
【００７２】
図３に示すように、電源用のパッド（第１の外部端子）４２７Ｐと各コンデンサ３５０ａ、３５０ｂ、３５０ｃの第１電極３１０とは、ヴィア導体４４１Ｐと導体パターン４２３Ｐとヴィア導体４１１とを介して、電気的に接続している。グランド用のパッド（第２の外部端子）４２７Ｇと各コンデンサ３５０ａ、３５０ｂ、３５０ｃの第２電極３２０とは、ヴィア導体４４１Ｇと導体パターン４２３Ｇとヴィア導体４１２とを介して、電気的に接続している。
【００７３】
第２の樹脂絶縁層２００ｂの上には、最外の電源用の導体パターン４２５Ｐと、最外のグランド用の導体パターン４２５Ｇと、最外の信号用の導体パターン４２５Ｓとが設けられている。
【００７４】
ソルダーレジスト７００に、導体パターン４２５（４２５Ｐ、４２５Ｇ、４２５Ｓ）の一部を露出させる開口部を設けて、パッド４２７（電源用のパッド（第１の外部端子）４２７Ｐ、グランド用のパッド（第２の外部端子）４２７Ｇ、信号用のパッド４２７Ｓ）が形成されている。
【００７５】
（本発明の第２の実施形態に係る配線基板の製造方法）
次に、第２の実施形態に係る配線基板の別の製造方法を示す。
【００７６】
まず、図２Ａから図２Ｇまでは、上述した配線基板の製造方法と同様である。
【００７７】
次に、図２Ｇまでの工程で作成した基板に、図４Ａに示すように、貫通孔４７０（コア基板上の電源用導体パターンに到達している貫通孔４７０Ｐ、コア基板上のグランド用導体パターンに到達している貫通孔４７０Ｇ、コア基板上の信号用導体パターンに到達している貫通孔４７０Ｓ）を形成する。第１の実施形態に係る製造方法では、第２の樹脂絶縁層２００ｂにも同時に貫通孔を形成したが、本実施形態に係る製造方法では、コンデンサ積層体４５０と第１の樹脂絶縁層２００ａを貫通する貫通孔を形成するだけであるから、孔加工が容易となり、歩留まりが向上する。
【００７８】
次に、貫通孔（４７０Ｓ、４７０Ｐ、４７０Ｇ、４７０）の内壁面、特に導体パターン４２１Ｓ、４２１Ｐ、４２１Ｇ、４２１やコンデンサ積層体４５０の電極等の導体回路に、乾式のデスミア処理を施す。
【００７９】
次に、貫通孔（４７０Ｓ、４７０Ｐ、４７０Ｇ、４７０）の内壁面に、乾式法によりシードメタル（例えば銅）を形成する。続いて、そのシードメタルを利用して、シードメタル上に電解メッキ膜を形成する。貫通孔が電気メッキ膜で充填される。同時に、絶縁層２００ａとコンデンサ積層体上にも電解メッキ膜が形成される。
【００８０】
次に、図４Ｂに示すように、テンティング法で、グランド用のヴィア導体４１２、電源用のヴィア導体４１１、信号用のヴィア導体４１３と、導体パターン４２３（電源用の導体パターン４２３Ｐ、グランド用の導体パターン４２３Ｇ、信号用の導体パターン４２３Ｓ）を形成する。
【００８１】
図４Ｂに示すように、コンデンサ積層体４５０の最上層に位置する電極は、コンデンサ３５０ａの第１電極３１０と該第１電極３１０上の電源用の導体パターン４２３Ｐとが一体となって形成される。ここで、コンデンサ積層体４５０の最上層に位置する電極とは、実装されるＩＣチップ８００に近い側に位置するコンデンサ積層体４５０の表層の電極である。また、第１電極３１０上の電源用の導体パターン４２３Ｐは、無電解メッキ膜と該無電解メッキ膜上の電解メッキ膜とから形成される。
【００８２】
ヴィア導体４１２は、コンデンサ３５０ａ、コンデンサ３５０ｂ、コンデンサ３５０ｃの第２電極３２０同士を接続する。また、ヴィア導体４１２は、ベース基板１００上のグランド用の導体パターン４２１Ｇと第１の樹脂絶縁層２００ａ上のグランド用の導体パターン４２３Ｇとを接続している。
【００８３】
ヴィア導体４１１は、コンデンサ３５０ａ、コンデンサ３５０ｂ、コンデンサ３５０ｃの第１電極３１０同士を接続する。また、ヴィア導体４１１は、ベース基板１００上の電源用の導体パターン４２１Ｐと第１の樹脂絶縁層２００ａ上の電源用の導体パターン４２３Ｐとを接続している。
【００８４】
次に、図４Ｃに示すように、第１の樹脂絶縁層２００ａ、コンデンサ積層体４５０及び導体パターン４２３（４２３Ｐ、４２３Ｇ、４２３Ｓ）の上に、第２の樹脂絶縁層２００ｂを形成する。そして、第２の樹脂絶縁層２００ｂに貫通孔を形成する。そして、貫通孔を形成した基板の表面に触媒により表面処理を行う。
【００８５】
触媒による表面処理の後、基板の表面に無電解メッキ膜を形成する。その後、無電解メッキ膜上にメッキレジストを形成する。続いて、メッキレジストに露光・現像処理を行い、メッキレジストをパターンニングする。そしてメッキレジストの非形成領域に電解メッキ膜を形成する。メッキレジスト剥離後、電解メッキ膜間の無電解メッキ膜を除去することで、無電解メッキ膜と無電解メッキ膜上の電解メッキ膜とからなる導体パターン４２５（４２５Ｐ、４２５Ｇ、４２５Ｓ）を形成する。次いで、第１の実施形態と同様に、ソルダーレジスト７００、パッド４２７、半田バンプ４２９を形成することで、図３に示した配線基板９００が得られる。
【００８６】
本実施形態に係る配線基板の製造方法によれば、第１の実施形態に比べ、樹脂絶縁層を１層少なく製造できるので簡易なコストで配線基板９００を製造することが可能である。
【００８７】
なお、上述の実施形態ではベース基板１００の一方の面にのみ、樹脂絶縁層、導体パターン及びヴィア導体を形成しているが、図４Ｄに示すように、ベース基板１００の両面に樹脂絶縁層、導体パターン及びヴィア導体を形成することも可能である。
【００８８】
（本発明の具体的一実施態様における配線基板の第３の実施形態）
図５に、本発明の第３の実施形態を示す。第３の実施形態では、第１の実施形態と異なり、第１電極３１０と第２電極３２０とは電極の面方向に互いにずれていない。そして、第１電極３１０には複数の第１開口部３１１が設けられ、第２電極３２０には複数の第２開口部３２２が設けられている。
【００８９】
そして、複数の第１のヴィア導体４１１が、第２開口部３２２を第２電極３２０に非接触で貫通しながら、第１電極３１０同士を電気的に接続する。また、複数の第２のヴィア導体４１２が、第１開口部３１１を第１電極３１０に非接触で貫通しながら、第２電極３２０同士を電気的に接続する。
【００９０】
このように、複数の第１のヴィア導体４１１及び複数の第２のヴィア導体４１２が、コンデンサ積層体４５０を貫通している。そのため、第３の実施形態に係る配線基板９００では、複数の第１のヴィア導体４１１及び複数の第２のヴィア導体４１２が、接着剤３４０の変形を抑制することが可能となり、コンデンサ積層体４５０の耐クラック性が向上しやすい。
【００９１】
即ち、各コンデンサ（３５０a、３５０ｂ、３５０ｃ）の誘電体層３３０と、各コンデンサ（３５０a、３５０ｂ、３５０ｃ）を接着している接着剤３４０との熱膨張係数が異なる場合、コンデンサ積層体４５０が、温度変化を受けると、誘電体層３３０に、反り、ねじれ、曲げなどの力がかかる。それらの力を受けると、セラミック製の誘電体層３３０は、薄く、しかも脆いため、クラックが入りやすい。しかしながら、本実施形態では、複数の第１のヴィア導体４１１及び複数の第２のヴィア導体４１２が、コンデンサ積層体４５０を貫通することで、各コンデンサ（３５０a、３５０ｂ、３５０ｃ）を物理的につなぎ止めているから、接着剤３４０の変形を抑制することが可能となる。そのため、誘電体層３３０にかかる反り、ねじれ、曲げなどの力が小さくなる。
【００９２】
図６Ａ、図６Ｂに示すように、電源用のヴィア導体４１１とグランド用のヴィア導体４１２は格子状または千鳥状に配置されていることが好ましい。隣接する電源用のヴィア導体４１１間の間隔は略同一である。隣接するグランド用のヴィア導体４１２間の間隔は略同一である。
【００９３】
（本発明の第３の実施形態に係る配線基板の製造方法）
まず、図７Ａに示すように、第１電極３１０と、第２電極３２０と、第１電極３１０及び第２電極３２０で挟まれた誘電体層３３０と、からなるコンデンサ３５０を作成する。コンデンサ３５０の作成は実施形態１と同様に行う。
【００９４】
次に、図７Ｂ、第１電極３１０側からコンデンサ３５０を見る平面図である図７Ｃ、及び、第２電極３２０側からコンデンサ３５０を見る平面図である図７Ｄに示すように、第１電極３１０と第２電極３２０をパターニングする。この時、同時にアライメントマーク７１０、７２０も形成する。
【００９５】
第１電極３１０には、開口部３１１が形成されていて、その開口部３１１内に、グランド用のヴィア導体４１２が形成される。第１電極３１０とグランド用のヴィア導体４１２は非接触である。第２電極３２０には、開口部３２２が形成されていて、その開口部３２２内に、電源用のヴィア導体４１１が形成される。第２電極３２０と電源用のヴィア導体４１１は非接触である。
【００９６】
次に、図７Ｅに示すように、先の工程で得られたコンデンサ３５０を３組準備し、接着剤３４０を介して積層する。コンデンサ３５０a、３５０ｂ、３５０ｃは、各コンデンサ３５０のアライメントマーク７１０、７２０に基づいて位置あわせされる。
【００９７】
次に、図７Ｆに示すように、コンデンサ３５０a、３５０ｂ、３５０ｃと各コンデンサ間に配置された接着剤３４０とからなるコンデンサ積層体４５０を作成する。コンデンサ積層体４５０の作成は、真空プレスで行う。真空プレスの条件は、温度５０〜１７０℃、圧力０．４〜１．５ＭＰａである。
【００９８】
コンデンサ積層体４５０を構成する各コンデンサの開口部３１１は、コンデンサ積層体４５０を貫通するヴィア導体４１２により、第１電極３１０と第２電極３２０とがショートしないようにするため、断面方向で略同一位置に形成されている。即ち、図７Ｆに示すように、コンデンサ３５０ａ、３５０ｂ、３５０ｃに形成されている開口部３１１は断面方向で重なった位置に設けられている。
【００９９】
コンデンサ積層体４５０を構成する各コンデンサの開口部３２２は、コンデンサ積層体４５０を貫通するヴィア導体４１１により、第１電極３１０と第２電極３２０とがショートしないようにするため、断面方向で略同一位置に形成されている。即ち、図７Ｆでは、コンデンサ３５０ａ、３５０ｂ、３５０ｃに形成されている開口部３２２は断面方向で重なった位置に設けられている。
【０１００】
次に、図７Ｇに示すように、第１の樹脂絶縁層２００ａに、コンデンサ積層体４５０を埋設する。
【０１０１】
次に、図７Ｈに示すように、貫通孔４７０（４７０Ｐ、４７０Ｇ、４７０Ｓ）を形成する。貫通孔４７０（４７０Ｐ、４７０Ｇ、４７０Ｓ）は、コンデンサ積層体４５０と第１の樹脂絶縁層２００ａを貫通し、ベース基板１００の導体パターン４２１（４２１Ｐ、４２１Ｇ、４２１Ｓ）に到達している。貫通孔４７０（４７０Ｐ、４７０Ｇ、４７０Ｓ）の形成位置は、ベース基板１００のアライメントマーク７３０、コンデンサ積層体４５０に形成されているアライメントマーク７１０、７２０のいずれか１つに基づいてレーザ加工で形成する。
【０１０２】
電源用の貫通孔４７０Ｐは、第１電極３１０と誘電体層３３０とを貫通する。また、電源用の貫通孔４７０Ｐは、第２電極３２０の開口部３２２内に形成されており、開口部３２２の内壁とは非接触である。
【０１０３】
グランド用の貫通孔４７０Ｇは、第２電極３２０と誘電体層３３０とを貫通する。また、グランド用の貫通孔４７０Ｇは、第１電極３１０の開口部３１１内に形成されており、開口部３１１の内壁とは非接触である。
【０１０４】
次に、貫通孔（４７０Ｓ、４７０Ｐ、４７０Ｇ、４７０）の内壁面、特に導体パターン４２１Ｓ、４２１Ｐ、４２１Ｇ、４２１やコンデンサ積層体４５０の電極等の導体回路に、乾式のデスミア処理を施す。
【０１０５】
次に、貫通孔（４７０Ｓ、４７０Ｐ、４７０Ｇ、４７０）の内壁面に、乾式法によりシードメタル（例えば銅）を形成する。続いて、そのシードメタルを利用して、シードメタル上に電解メッキ膜を形成する。貫通孔が電気メッキ膜で充填される。同時に、絶縁層２００aとコンデンサ積層体上にも電解メッキ膜が形成される。
【０１０６】
次に、図７Ｉに示すように、グランド用ヴィア導体４１２、電源用ヴィア導体４１１、信号用ヴィア導体４１３と、導体パターン４２３（電源用の導体パターン４２３Ｐ、グランド用の導体パターン４２３Ｇ、信号用の導体パターン４２３Ｓ）をテンティング法で形成する。導体パターン４２３（電源用の導体パターン４２３Ｐ、グランド用の導体パターン４２３Ｇ、信号用の導体パターン４２３Ｓ）は、無電解メッキ膜と該無電解メッキ膜上の電解メッキ膜とからなる。
【０１０７】
コンデンサ積層体４５０の最上層の電極は、コンデンサ３５０ａの第１電極３１０と電源用の導体パターン４２３Ｐ（第１電極３１０上の無電解メッキ膜と該無電解メッキ膜上の電解メッキ膜）とが一体となって形成されている。コンデンサ積層体４５０の最上層の電極とは、実装されるＩＣチップに近い側に位置するコンデンサ積層体４５０の表層の電極である。
【０１０８】
次に、ヴィア導体と導体パターン形成後、図４Ｃ、図４Ｄに示す工程を経て、図５に示すような配線基板を得る。
【０１０９】
（本発明の具体的一実施態様における配線基板の第４の実施形態）
本発明の第４の実施形態に係る配線基板９００を図８に示す。第４の実施形態に係る配線基板９００は、第１の実施形態に係る配線基板９００と異なり、ガラスクロスやガラス繊維等の心材を有しているベース基板（コア基板）１００が設けられていない。そのため、全ての絶縁層を樹脂絶縁層（樹脂フィルム）とすることができる。ゆえに、コンデンサ内蔵基板を薄くすることができる。第４の実施形態に係る配線基板９００によれば、外部の電源と配線基板に内蔵されるコンデンサ積層体４５０との間の距離や、配線基板９００の表面に実装されているチップコンデンサ（図示省略）とコンデンサ積層体４５０との間の距離を短くできる。
【０１１０】
（本発明の第４の実施形態に係る配線基板の製造方法）
まず、図９Ａに示すように、支持板１５０を準備する。支持板１５０は例えば銅板である。なお、支持板１５０の材質は、銅板以外に、ニッケル板、アルミニウム板、鉄板等の金属板を用いることも可能である。
【０１１１】
次に、図９Ｂに示すように、メッキレジスト１６０を支持板１５０の上に形成する。
【０１１２】
次に、図９Ｃに示すように、露光・現像工程を行って、メッキレジスト１６０をパターニングすることにより、メッキレジスト１６０に複数の開口部を設ける。
【０１１３】
次に、図９Ｄに示すように、設けたメッキレジスト１６０の開口部に金メッキ膜９１１、ニッケルメッキ膜９１２、銅メッキ膜９１３の順で電解メッキを行い、第１の外部接続端子６００（電源用の外部端子（第１の外部端子）６００Ｐ、グランド用の外部端子（第２の外部端子）６００Ｇ、信号用の外部端子６００Ｓ）を形成する。同時に、支持板１５０上にアライメントマーク（第１のアライメントマーク）６２１を形成する。なお、金メッキ膜９１１とニッケルメッキ膜９１２との間にパラジウム膜を形成することも可能である。
【０１１４】
次に、図９Ｅに示すように、メッキレジスト１６０を剥離し、そして樹脂フィルム（第１の下部樹脂絶縁層）４００ｄを形成する。この第１の下部樹脂絶縁層（最下層の樹脂絶縁）４００ｄは、図８に示すように、コンデンサ積層体４５０を内蔵する第１の樹脂絶縁層４００ａの下部にある。図９Ｅに示すように、第１の外部接続端子６００（６００Ｐ、６００Ｇ、６００Ｓ）は、第１面と第１面とは反対側の第２面を有する最下層の樹脂絶縁層（第１の下部樹脂絶縁層）に埋設されている。また、第１の外部接続端子６００の表面は、最下層の樹脂絶縁層の第１面と略同一平面に位置している。
【０１１５】
次に、図９Ｆに示すように、第１の外部接続端子６００（６００Ｐ、６００Ｇ、６００Ｓ）に到達する貫通孔を第１の下部樹脂絶縁層４００ｄに形成する。
【０１１６】
次に、図９Ｇに示すように、セミアディティブ法で、第１の下部樹脂絶縁層４００ｄの上面（外部端子が形成されている面とは反対面）に第１の導体パターン６１０（電源用の第１の導体パターン６１０Ｐ、グランド用の第１の導体パターン６１０Ｇ、信号用の第１の導体パターン６１０Ｓ）を形成する。
【０１１７】
同時に、第１の外部接続端子６００（６００Ｐ、６００Ｇ、６００Ｓ）と第１の導体パターン６１０（６１０Ｐ、６１０Ｇ、６１０Ｓ）とを接続する第１のヴィア導体６１１（電源用の第１のヴィア導体６１１Ｐ、グランド用の第１のヴィア導体６１１Ｇ、信号用の第１のヴィア導体６１１Ｓ）を形成する。このとき、第２のアライメントマーク６２２も同時に形成する。
【０１１８】
電源用の第１のヴィア導体６１１Ｐは、第１面側の電源用の外部端子６００Ｐ（電源用の第１の外部端子）と電源用の第１の導体パターン６１０Ｐとを接続している。グランド用の第１のヴィア導体６１１Ｇ（グランド用の第１の外部端子）は、第１面側のグランド用の外部端子６００Ｇとグランド用の第１の導体パターン６１０Ｇとを接続している。信号用の第１のヴィア導体６１１Ｓ（信号用の第１の外部端子）は、第１面側の信号用の外部端子６００Ｓと信号用の第１の導体パターン６１０Ｓとを接続している。
【０１１９】
次に、図９Ｈに示すように、第１の導体パターン６１０（６１０Ｐ、６１０Ｇ、６１０Ｓ）と第１の下部樹脂絶縁層４００ｄ上に第１面と第１面とは反対側の第２面を有する樹脂フィルム（第１の樹脂絶縁層４００ａ）を形成する。第１の樹脂絶縁層４００ａの形成には、例えば味の素社製のＡＢＦ−４５ＳＨを２枚重ねて積層することができる。第１の樹脂絶縁層の第１面が、第１の下部樹脂絶縁層の第２面上に積層される。
【０１２０】
次に、図９Ｉに示すように、コンデンサ積層体４５０を第１の樹脂絶縁層４００ａ上に位置合わせして積層する。コンデンサ積層体４５０の積層位置は、例えば第１の樹脂絶縁層４００ａ上に形成された第２のアライメントマーク６２２とコンデンサ積層体４５０のアライメントマーク７２０を用いて決定することができる。なお、コンデンサ積層体４５０は、第１の実施形態と同様な作成方法で形成できる。
【０１２１】
次に、図９Ｊに示すように、コンデンサ積層体４５０を第１の樹脂絶縁層４００ａの第２面側に埋設する。コンデンサ３５０ａの第１電極の表面と第１の樹脂絶縁層の第２面とは、略同一平面に位置している。コンデンサ積層体４５０の埋設方法は、図２Ｇで説明した方法と同様である。
【０１２２】
次に、図９Ｋに示すように、貫通孔を形成する。
【０１２３】
次に、貫通孔の内壁面、特に導体パターン６１０Ｓ、６１０Ｐ、６１０Ｇ、６１０やコンデンサ積層体４５０の電極等の導体回路に、乾式のデスミア処理を施す。
【０１２４】
次に、貫通孔の内壁面に、乾式法によりシードメタル（例えば銅）を形成する。続いて、そのシードメタルを利用して、シードメタル上に電解メッキ膜を形成する。貫通孔が電気メッキ膜で充填される。同時に、絶縁層４００ａとコンデンサ積層体上にも電解メッキ膜が形成される。
【０１２５】
次に、図９Ｌに示すように、ヴィア導体（第２のヴィア導体）６５１（電源用の第２のヴィア導体６５１Ｐ、グランド用の第２のヴィア導体６５１Ｇ、信号用の第２のヴィア導体６５１Ｓ）を作成する。また、第２の導体パターン６５０（電源用の第２の導体パターン６５０Ｐ、グランド用の第２の導体パターン６５０Ｇ、信号用の第２の導体パターン６５０Ｓ）を作成する。
【０１２６】
電源用の第２のヴィア導体６５１Ｐは、コンデンサ積層体４５０の各コンデンサ３５０ａ、３５０ｂ、３５０ｃの第１電極３１０同士を接続している。さらに、ヴィア導体６５１Ｐは、電源用の第２の導体パターン６５０Ｐと電源用の第１の導体パターン６１０Ｐとを接続している。
【０１２７】
グランド用の第２のヴィア導体６５１Ｇは、コンデンサ積層体４５０の各コンデンサ３５０ａ、３５０ｂ、３５０ｃの第２電極３２０同士を接続している。さらに、ヴィア導体６５１Ｇは、グランド用の第２の導体パターン６５０Ｇとグランド用の第１の導体パターン６１０Ｇとを接続している。
【０１２８】
信号用の第２のヴィア導体６５１Ｓは、信号用の第２の導体パターン６５０Ｓと信号用の第１の導体パターン６１０Ｓとを接続している。
【０１２９】
電源用の第１のヴィア導体６１１Ｐと導体パターン６１０Ｐとヴィア導体６５１Ｐとを介して、各コンデンサ３５０ａ、３５０ｂ、３５０ｃの第１電極３１０と第１の外部端子６００Ｐとは電気的に接続している。また、グランド用の第１のヴィア導体６１１Ｇと導体パターン６１０Ｇとヴィア導体６５１Ｇとを介して、各コンデンサ３５０ａ、３５０ｂ、３５０ｃの第２電極３２０と第２の外部端子６００Ｇとは電気的に接続している。
【０１３０】
次に、図９Ｍに示すように、第２の導体パターン６５０（６５０Ｐ、６５０Ｇ、６５０Ｓ）と第１の樹脂絶縁層４００ａの上に樹脂フィルム（第２の樹脂絶縁層）４００ｂを形成する。
【０１３１】
次に、図９Ｎに示すように、第２の樹脂絶縁層（最上層の樹脂絶縁層）４００ｂに貫通孔を形成する。
【０１３２】
次に、図９Ｏに示すように、第２の樹脂絶縁層４００ｂ上に第３の導体パターン６６０（電源用の第３の導体パターン６６０Ｐ、グランド用の第３の導体パターン６６０Ｇ、信号用の第３の導体パターン６６０Ｓ）を形成する。
【０１３３】
同時に、第２の導体パターン６５０（６５０Ｐ、６５０Ｇ、６５０Ｓ）と第３の導体パターン６６０（６６０Ｐ、６６０Ｇ、６６０Ｓ）とを接続する第３のヴィア導体６６１（電源用の第３のヴィア導体６６１Ｐ、グランド用の第３のヴィア導体６６１Ｇ、信号用の第３のヴィア導体６６１Ｓ）を形成する。
【０１３４】
電源用の第３のヴィア導体６６１Ｐは、電源用の第３の導体パターン６６０Ｐと電源用の第２の導体パターン６５０Ｐとを接続している。グランド用の第３のヴィア導体６６１Ｇは、グランド用の第３の導体パターン６６０Ｇとグランド用の第２の導体パターン６５０Ｇとを接続している。信号用の第３のヴィア導体６６１Ｓは、信号用の第２の導体パターン６５０Ｓと信号用の第３の導体パターン６６０Ｓとを接続している。これらの接続は、例えば、セミアディティブ法で形成することができる。
【０１３５】
次に、図９Ｐに示すように、第２の樹脂絶縁層４００ｂと第３の導体パターン６６０（６６０Ｐ、６６０Ｇ、６６０Ｓ）との上に、ソルダーレジスト７００を形成する。
【０１３６】
次に、図９Ｑに示すように、ソルダーレジスト７００に複数の開口部を設ける。その開口部は、第３の導体パターン６６０（６６０Ｐ、６６０Ｇ、６６０Ｓ）を部分的に開口している。開口部により露出している第３の導体パターン６６０（６６０Ｐ、６６０Ｇ、６６０Ｓ）の部分が第２の外部接続端子６７０（６７０Ｐ、６７０Ｇ、６７０Ｓ）となる。第２の外部接続端子は、第２の樹脂絶縁層（最上層の樹脂絶縁層）４００ｂ上に形成されていて、電源用の第２の外部接続端子（第３の外部端子）６７０Ｐ、グランド用の第２の外部接続端子（第４の外部端子）６７０Ｇと信号用の第２の外部接続端子６７０Ｐとからなる。
【０１３７】
次に、第２の外部接続端子６７０（６７０Ｐ、６７０Ｇ、６７０Ｓ）上に、ニッケルメッキ膜９１２、パラジウムメッキ膜９１４、金メッキ膜９１１の順でメッキを行い、３層からなる金属膜を形成する。金属膜は、金メッキ膜１層でも、ニッケルメッキ膜とニッケルメッキ膜上の金メッキ膜２層でもよい。
【０１３８】
次に、図９Ｒに示すように、支持板１５０を塩化第２銅エッチング液でエッチング除去する。このとき、第２の外部接続端子６７０（６７０Ｐ、６７０Ｇ、６７０Ｓ）及び第１の外部接続端子６００（６００Ｐ、６００Ｇ、６００Ｓ）に金属膜が形成されていることで、外部接続端子はエッチング除去されることなく、支持板１５０を除去できる。支持板１５０を除去することで、第１の外部接続端子６００の外部端子面（金属膜の露出部分）は露出される。
【０１３９】
その後、第２の外部接続端子６７０（６７０Ｐ、６７０Ｇ、６７０Ｓ）の外部端子面（金属膜の露出部分）に第２の半田バンプ、第１の外部接続端子６００（６００Ｐ、６００Ｇ、６００Ｓ）の外部端子面に第１の半田バンプを形成することで、図８に示した配線基板９００が得られる。
【０１４０】
なお、第１の半田バンプを介して、ＩＣチップなどの電子部品を搭載してもよい。第２の半田バンプを介して、他の基板（マザーボード）と接続してもよい。また、図８では、第１の外部接続端子の外部端子面と、第２の外部接続端子の外部端子面に半田バンプが形成されているが、第２の外部接続端子の外部端子面に半田バンプ、第１の外部接続端子の外部端子面に半田を介して、導電性ピンを搭載（実装）してもよい。第１の外部接続端子の外部端子面に半田バンプ、第２の外部接続端子の外部端子面に半田を介して、導電性ピンを搭載（実装）してもよい。ＩＣチップの搭載は、配線基板の上面側でも下面側でも構わないが、ＩＣチップは、外部端子からコンデンサまでの距離（基板の断面方向の距離）が短い側のコンデンサ内蔵基板の表面に搭載することが好ましい。
【０１４１】
本実施の形態では、樹脂絶縁層（樹脂フィルム）は３層であるが、図９Ｍから図９Ｏの工程を繰り返すことで４層以上の多層化は可能である。
【０１４２】
また、第１の下部樹脂絶縁層４００ｄ下面に、第１の外部接続端子６００（６００Ｐ、６００Ｇ、６００Ｓ）を露出させる開口を有するソルダーレジストを形成することも可能である。
【０１４３】
図１０に示す配線基板９００は、図８に示された配線基板９００と異なり、第１の外部接続端子とコンデンサ積層体が同一の樹脂絶縁層に埋設されている例である。図１０に示す配線基板９００は、第１面と第１面とは反対側の第２面を有する第１の樹脂絶縁層（最下層の樹脂絶縁層）４００ａと第１面と第１面とは反対側の第２面を有する第２の樹脂絶縁層（最上層の樹脂絶縁）４００ｂとの二層構造である。第１の樹脂絶縁層４００ａの第２面側にはコンデンサ積層体４５０が埋設されている。コンデンサ３５０ａの第１電極の表面と最下層の樹脂絶縁層の第２面とは、略同一平面に位置している。一方、第１の樹脂絶縁層４００ａの第１面側（配線基板９００の第１の表面）には、第１の外部接続端子６００が埋設されている。第１の外部端子の表面と最下層の樹脂絶縁層の第１面とは、略同一平面に位置している。最下層の樹脂絶縁層の第２面上に最上層の樹脂絶縁層の第１面が積層されている。第２の樹脂絶縁層４００ｂの第２面上には、電源用の第２の外部接続端子（第３の外部端子）６７０Ｐ、グランド用の第２の外部接続端子（第４の外部端子）６７０Ｇと信号用の第２の外部接続端子６７０Ｐとからなる第２の外部接続端子６７０が形成されている。また、第２の樹脂絶縁層４００ｂには、ヴィア導体が形成されている。
【０１４４】
この図１０に示す配線基板９００の製造方法は、まず、図９Ａ乃至図９Ｅに示す工程を行う。その後、図９Ｉ乃至図９Ｒに示す工程を行い、メッキレジスト１６０を除去し、第１の外部接続端子６００（６００Ｐ、６００Ｇ、６００Ｓ）に第１の半田バンプを形成することで、図１０に示した配線基板９００が得られる。
【０１４５】
なお、第４の実施形態の配線基板は、第３の実施形態と同様に、第１電極と第２電極が面方向にずれていないコンデンサを接着剤で積層したコンデンサ積層体を内蔵してもよい。
【０１４６】
（本発明の具体的一実施態様における配線基板の第５の実施の形態）
本発明の第５の実施形態に係る配線基板９００は、第１の実施形態に係る配線基板９００と異なり、図１１に示すように、ベース基板１００の上に樹脂絶縁層２００ａが、下には下部樹脂絶縁層２７０ｄが、設けられている。そして樹脂絶縁層２００ａにはコンデンサ積層体４５０ａが埋設されており、下部樹脂絶縁層２７０ｄにはコンデンサ積層体４５０ｂが埋設されている。
【０１４７】
このように構成することで、ベース基板１００の上におけるノイズ軽減のみならず、ベース基板１００の下においてもノイズの軽減を効率的に図ることができる。
【０１４８】
この配線基板９００の製造方法は、例えば、図２Ｗの後に、ベース基板１００の下面に、下部樹脂絶縁層２７０ｄを設けて、その下部樹脂絶縁層２７０ａにコンデンサ積層体４５０ｂを埋設させることで作成することが可能である。
【０１４９】
（本発明におけるその他の実施の形態）
上述の実施の形態では、コンデンサ積層体４５０は、コンデンサ３５０ａ、３５０ｂ、３５０ｃを３個積層させて形成した。もっともこれに限定されない。コンデンサ積層体４５０は、例えば２個又は４個〜３０個あるいはそれ以上のコンデンサを接着剤３４０を介在させて積層させることができる。
【０１５０】
上述の実施の形態では、誘電体層３３０は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）で形成された。もっともこれに限定されない。誘電体層３３０は、例えば、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）、酸化タンタル（ＴａＯ３、Ｔａ２Ｏ５）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、チタン酸ジルコン酸ランタン鉛（ＰＬＺＴ）、チタン酸ジルコン酸ニオブ鉛（ＰＮＺＴ）、チタン酸ジルコン酸カルシウム鉛（ＰＣＺＴ）及びチタン酸ジルコン酸ストロンチウム鉛（ＰＳＺＴ）のいずれか又はこれらの混合物を使用することも可能である。
【０１５１】
上述の実施の形態では、誘電性フィラーとしてチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）を用いた。もっともこれに限定されない。誘電性フィラーは、例えば、チタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ３）、チタン酸マグネシウム（Ｍｇ２ＴｉＯ３）、チタン酸ネオジム（Ｎｄ２Ｔｉ２Ｏ７）等を用いることが可能である。
【０１５２】
また、上述の実施の形態では、樹脂絶縁層（樹脂フィルム）を構成する樹脂としてエポキシ樹脂を用いた。もっともこれに限定されない。樹脂絶縁層を構成する樹脂として、例えば、ポリイミド、ポリカーボネート、変性ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンオキサイド、ポリブチレンテレフタレート、ポリアクリレート、ポリスルホン、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリサルホン、ポリエーテルサルホン、ポリフェニルサルホン、ポリフタルアミド、ポリアミドイミド、ポリケトン、ポリアセタール等を単独で若しくはエポキシ樹脂と組み合わせて使用できる。
【０１５３】
また、上述の実施の形態では、第１電極３１０及び第２電極３２０を形成する金属として銅を用いた。しかし、電極の材料は、これに限定されない。第１電極３１０及び第２電極３２０を形成する金属としては、例えば白金、金、ニッケル、スズ、銀等を単独で若しくは任意の組合せで混合して用いることが可能である。さらには、第１電極３１０と第２電極３２０とで、それぞれ異なる種類の金属を用いることも可能である。
【０１５４】
もっとも、電極におけるマイグレーションを抑制する上では、負の電荷を蓄積する電極（負極）をニッケルで、正の電荷を蓄積する電極（正極）を銅で形成することが有効である。このように、負極を形成する導体材料を、正極を形成する導体材料よりもイオン化傾向が大きい導体材料にすることで、電極、特に正極を形成する金属のマイグレーション現象が起こりにくくなる。そのため、コンデンサ部の絶縁抵抗の低下を抑制又は防止することが可能になる。その他、負極をニッケルで、正極をスズで形成したものなどであっても、負極を形成する導体材料のイオン化傾向が、正極を形成する導体材料のイオン化傾向よりも大きくなる条件を充足するものであれば、上記効果と同様又は準ずる効果が得られる。
【０１５５】
さらに、負極及び正極は単層に限られず、例えば負極、正極の少なくとも一方が２以上の異なる種類の導体材料からなる複数層で形成されている場合であっても、イオン化傾向の大きい金属を負極に、イオン化傾向の小さい金属を正極に、それぞれ配置することで、マイグレーション現象の発生を抑制することができる。
【０１５６】
また、上述の実施の形態では、銅からなる第１電極３１０の上に高誘電体材料を印刷し、焼成して誘電体層３３０を形成し、その後、スパッタ等の真空蒸着装置を用いて誘電体層３３０の上に銅からなる金属層を形成して第２電極３２０を形成して、コンデンサを作成した。もっともこれに限定されない。
【０１５７】
即ち、以下の工程により、コンデンサを作成することも可能である。まず、ジエトキシバリウムとビテトライソプロポキシドチタンを、脱水したメタノールと２−メトキシエタノールとの混合溶媒に溶解し、室温の窒素雰囲気下で３日間攪拌してバリウムとチタンのアルコキシド前駆体組成物溶液を調整する。次いで、この前駆体組成物溶液を０℃に保ちながら攪拌し、あらかじめ脱炭酸した水を０．５マイクロリットル／分の速度で窒素気流中で噴霧して加水分解する。このようにして作成されたゾルーゲル溶液をフィルターを通すことで、析出物等をろ過する。得られたろ過液を厚さ１２μｍの銅からなる第１電極３１０の上にスピンコートする。その後８５０℃に保持された電気炉中に挿入して焼成を行うことで誘電体層３３０を得る。そして誘電体層３３０の上にスパッタ等の真空蒸着装置を用いて銅層を形成し更にこの銅層上に電解メッキ等で銅を１０μｍ程度足すことにより、第２電極３２０を得ることができる。
【０１５８】
上述のコンデンサ積層体を有するコンデンサ装置のほか、例えば図１２に示すように、単層コンデンサ３５０ｄを有するコンデンサ装置なども考えられる。こうしたコンデンサ装置は、配線基板を小型化したりコンデンサの実装効率を高めたりする上で有利である。この種のコンデンサ装置を製造する場合も、乾式のデスミア処理の後、乾式法によりシードメタルを形成し、さらに続けて、銅メッキ膜を形成することで、誘電体層のダメージを軽減し、コンデンサ電極間の短絡を抑制することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１５９】
本発明のコンデンサ装置の製造方法は、コンデンサを内蔵した配線基板などの製造に適している。
【符号の説明】
【０１６０】
１００ ベース基板
２００ 樹脂絶縁層
３１０ 第１電極
３２０ 第２電極
３３０ 誘電体層
３４０ 接着剤
３５０ コンデンサ
４１１ ヴィア導体
４１２ ヴィア導体
４１３ ヴィア導体
４１４ ヴィア導体
４２１ 導体パターン
４２３ 導体パターン
４２５ 導体パターン
４５０ コンデンサ積層体
７１０ アライメントマーク
７２０ アライメントマーク
７３０ アライメントマーク
９００ 配線基板
【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層された複数のコンデンサから構成されるコンデンサ積層体に貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
前記貫通孔形成工程の後、前記貫通孔に、乾式のデスミア処理を施すデスミア工程と、
前記デスミア工程の後、前記貫通孔に、乾式法によりシードメタルを形成するシードメタル形成工程と、
を備える、
ことを特徴とするコンデンサ装置の製造方法。
【請求項２】
前記乾式のデスミア処理は、ドライエッチングによるものである、
ことを特徴とする請求項１に記載のコンデンサ装置の製造方法。
【請求項３】
前記乾式のデスミア処理は、Ｏ２及びＣＦ４を反応ガスとするドライエッチングである、
ことを特徴とする請求項２に記載のコンデンサ装置の製造方法。
【請求項４】
前記シードメタル形成工程における前記乾式法は、スパッタリング法又は蒸着法である、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のコンデンサ装置の製造方法。
【請求項５】
前記貫通孔形成工程は、レーザ又はドリルによるものである、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のコンデンサ装置の製造方法。
【請求項６】
前記貫通孔形成工程よりも前に、
誘電体層と、正の電荷を蓄積する第１電極と、前記誘電体層を挟んで前記第１電極に対向し、負の電荷を蓄積する第２電極と、を有するコンデンサを作成するコンデンサ作成工程と、
前記コンデンサ作成工程により作成された複数のコンデンサを、接着剤を介して積層して、前記コンデンサ積層体を作成するコンデンサ積層体作成工程と、
を備える、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載のコンデンサ装置の製造方法。
【請求項７】
前記シードメタル形成工程の後、前記シードメタルにメッキして、前記貫通孔に金属導体を充填させることで、前記第１電極同士を電気的に接続する第１のヴィア導体と、前記第２電極同士を電気的に接続する第２のヴィア導体と、を形成するヴィア導体作成工程と、
前記第１のヴィア導体と電気的に接続している第１の外部端子と、前記第２のヴィア導体と電気的に接続している第２の外部端子と、を形成する外部端子作成工程と、
を備える、
ことを特徴とする請求項６に記載のコンデンサ装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１電極は、第１導体材料からなり、前記第２電極は、前記第１導体材料よりもイオン化傾向が大きい第２導体材料からなる、
ことを特徴とする請求項６に記載のコンデンサ装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１導体材料は銅であり、前記第２導体材料はニッケルである、
ことを特徴とする請求項８に記載のコンデンサ装置の製造方法。
【請求項１０】
誘電体層と、前記誘電体層を挟んで対向する第１電極と第２電極と、を有するコンデンサを作成する、コンデンサ作成工程と、
前記コンデンサを、接着剤を介して積層することでコンデンサ積層体を作成する、コンデンサ積層体作成工程と、
支持板上に、第１の外部端子と第２の外部端子を有する第１の外部接続端子を形成する第１の外部接続端子形成工程と、
前記第１の外部接続端子と支持板上に複数の樹脂絶縁層と複数の導体回路を交互に積層するビルドアップ工程と、
前記複数の樹脂絶縁層のうち少なくとも１つの樹脂絶縁層に、前記コンデンサ積層体を埋設させる埋設工程と、
前記コンデンサ積層体に、前記第１電極又は前記第２電極同士を貫通する貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
前記貫通孔に、乾式のデスミア処理を施すデスミア工程と、
前記デスミア工程の後、前記貫通孔に、乾式法によりシードメタルを形成するシードメタル形成工程と、
前記シードメタル形成工程の後、前記シードメタルにメッキして、前記貫通孔に金属導体を充填させることで、前記第１電極同士を電気的に接続する第１のヴィア導体と、前記第２電極同士を電気的に接続する第２のヴィア導体と、を作成するヴィア導体作成工程と、
前記第１のヴィア導体と電気的に接続している第３の外部端子と、前記第２のヴィア導体と電気的に接続している第４の外部端子と、を作成する第２の外部接続端子形成工程と、
を備える、
ことを特徴とするコンデンサ装置の製造方法。
【請求項１１】
誘電体層と、前記誘電体層を挟んで対向する第１電極と第２電極と、を有するコンデンサを作成する、コンデンサ作成工程と、
前記コンデンサを、接着剤を介して積層することでコンデンサ積層体を作成する、コンデンサ積層体作成工程と、
支持板上に、第１の外部端子と第２の外部端子を有する第１の外部接続端子を形成する第１の外部接続端子形成工程と、
前記第１の外部接続端子と支持板上に複数の樹脂絶縁層と複数の導体回路を交互に積層するビルドアップ工程と、
前記複数の樹脂絶縁層のうち少なくとも１つの樹脂絶縁層に、前記コンデンサ積層体を埋設させる埋設工程と、
前記コンデンサ積層体に、前記第１電極又は前記第２電極同士を貫通する貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
前記貫通孔に、乾式のデスミア処理を施すデスミア工程と、
前記デスミア工程の後、前記貫通孔に、乾式法によりシードメタルを形成するシードメタル形成工程と、
前記シードメタル形成工程の後、前記シードメタルにメッキして、前記貫通孔に金属導体を充填させることで、前記第１電極同士を電気的に接続する第１のヴィア導体と、前記第２電極同士を電気的に接続する第２のヴィア導体と、を作成するヴィア導体作成工程と、
前記複数の樹脂絶縁層のうち、前記支持板とは反対側に位置する最上層の樹脂絶縁層上に第３の外部端子と第４の外部端子を有する第２の外部接続端子を形成する第２の外部接続端子形成工程と、
前記支持板を除去する支持板除去工程と、
を備え、
前記第１の外部端子と前記第３の外部端子は前記第１のヴィア導体と電気的に接続していて、前記第２の外部端子と前記第４の外部端子は前記第２のヴィア導体と電気的に接続している、
ことを特徴とするコンデンサ装置の製造方法。
【請求項１２】
単層コンデンサに貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
前記貫通孔形成工程の後、前記貫通孔に、乾式のデスミア処理を施すデスミア工程と、
前記デスミア工程の後、前記貫通孔に、乾式法によりシードメタルを形成するシードメタル形成工程と、
を備える、
ことを特徴とするコンデンサ装置の製造方法。
【請求項１】
積層された複数のコンデンサから構成されるコンデンサ積層体に貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
前記貫通孔形成工程の後、前記貫通孔に、乾式のデスミア処理を施すデスミア工程と、
前記デスミア工程の後、前記貫通孔に、乾式法によりシードメタルを形成するシードメタル形成工程と、
を備える、
ことを特徴とするコンデンサ装置の製造方法。
【請求項２】
前記乾式のデスミア処理は、ドライエッチングによるものである、
ことを特徴とする請求項１に記載のコンデンサ装置の製造方法。
【請求項３】
前記乾式のデスミア処理は、Ｏ２及びＣＦ４を反応ガスとするドライエッチングである、
ことを特徴とする請求項２に記載のコンデンサ装置の製造方法。
【請求項４】
前記シードメタル形成工程における前記乾式法は、スパッタリング法又は蒸着法である、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のコンデンサ装置の製造方法。
【請求項５】
前記貫通孔形成工程は、レーザ又はドリルによるものである、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のコンデンサ装置の製造方法。
【請求項６】
前記貫通孔形成工程よりも前に、
誘電体層と、正の電荷を蓄積する第１電極と、前記誘電体層を挟んで前記第１電極に対向し、負の電荷を蓄積する第２電極と、を有するコンデンサを作成するコンデンサ作成工程と、
前記コンデンサ作成工程により作成された複数のコンデンサを、接着剤を介して積層して、前記コンデンサ積層体を作成するコンデンサ積層体作成工程と、
を備える、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載のコンデンサ装置の製造方法。
【請求項７】
前記シードメタル形成工程の後、前記シードメタルにメッキして、前記貫通孔に金属導体を充填させることで、前記第１電極同士を電気的に接続する第１のヴィア導体と、前記第２電極同士を電気的に接続する第２のヴィア導体と、を形成するヴィア導体作成工程と、
前記第１のヴィア導体と電気的に接続している第１の外部端子と、前記第２のヴィア導体と電気的に接続している第２の外部端子と、を形成する外部端子作成工程と、
を備える、
ことを特徴とする請求項６に記載のコンデンサ装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１電極は、第１導体材料からなり、前記第２電極は、前記第１導体材料よりもイオン化傾向が大きい第２導体材料からなる、
ことを特徴とする請求項６に記載のコンデンサ装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１導体材料は銅であり、前記第２導体材料はニッケルである、
ことを特徴とする請求項８に記載のコンデンサ装置の製造方法。
【請求項１０】
誘電体層と、前記誘電体層を挟んで対向する第１電極と第２電極と、を有するコンデンサを作成する、コンデンサ作成工程と、
前記コンデンサを、接着剤を介して積層することでコンデンサ積層体を作成する、コンデンサ積層体作成工程と、
支持板上に、第１の外部端子と第２の外部端子を有する第１の外部接続端子を形成する第１の外部接続端子形成工程と、
前記第１の外部接続端子と支持板上に複数の樹脂絶縁層と複数の導体回路を交互に積層するビルドアップ工程と、
前記複数の樹脂絶縁層のうち少なくとも１つの樹脂絶縁層に、前記コンデンサ積層体を埋設させる埋設工程と、
前記コンデンサ積層体に、前記第１電極又は前記第２電極同士を貫通する貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
前記貫通孔に、乾式のデスミア処理を施すデスミア工程と、
前記デスミア工程の後、前記貫通孔に、乾式法によりシードメタルを形成するシードメタル形成工程と、
前記シードメタル形成工程の後、前記シードメタルにメッキして、前記貫通孔に金属導体を充填させることで、前記第１電極同士を電気的に接続する第１のヴィア導体と、前記第２電極同士を電気的に接続する第２のヴィア導体と、を作成するヴィア導体作成工程と、
前記第１のヴィア導体と電気的に接続している第３の外部端子と、前記第２のヴィア導体と電気的に接続している第４の外部端子と、を作成する第２の外部接続端子形成工程と、
を備える、
ことを特徴とするコンデンサ装置の製造方法。
【請求項１１】
誘電体層と、前記誘電体層を挟んで対向する第１電極と第２電極と、を有するコンデンサを作成する、コンデンサ作成工程と、
前記コンデンサを、接着剤を介して積層することでコンデンサ積層体を作成する、コンデンサ積層体作成工程と、
支持板上に、第１の外部端子と第２の外部端子を有する第１の外部接続端子を形成する第１の外部接続端子形成工程と、
前記第１の外部接続端子と支持板上に複数の樹脂絶縁層と複数の導体回路を交互に積層するビルドアップ工程と、
前記複数の樹脂絶縁層のうち少なくとも１つの樹脂絶縁層に、前記コンデンサ積層体を埋設させる埋設工程と、
前記コンデンサ積層体に、前記第１電極又は前記第２電極同士を貫通する貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
前記貫通孔に、乾式のデスミア処理を施すデスミア工程と、
前記デスミア工程の後、前記貫通孔に、乾式法によりシードメタルを形成するシードメタル形成工程と、
前記シードメタル形成工程の後、前記シードメタルにメッキして、前記貫通孔に金属導体を充填させることで、前記第１電極同士を電気的に接続する第１のヴィア導体と、前記第２電極同士を電気的に接続する第２のヴィア導体と、を作成するヴィア導体作成工程と、
前記複数の樹脂絶縁層のうち、前記支持板とは反対側に位置する最上層の樹脂絶縁層上に第３の外部端子と第４の外部端子を有する第２の外部接続端子を形成する第２の外部接続端子形成工程と、
前記支持板を除去する支持板除去工程と、
を備え、
前記第１の外部端子と前記第３の外部端子は前記第１のヴィア導体と電気的に接続していて、前記第２の外部端子と前記第４の外部端子は前記第２のヴィア導体と電気的に接続している、
ことを特徴とするコンデンサ装置の製造方法。
【請求項１２】
単層コンデンサに貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
前記貫通孔形成工程の後、前記貫通孔に、乾式のデスミア処理を施すデスミア工程と、
前記デスミア工程の後、前記貫通孔に、乾式法によりシードメタルを形成するシードメタル形成工程と、
を備える、
ことを特徴とするコンデンサ装置の製造方法。
【図１】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図２Ｃ】
【図２Ｄ】
【図２Ｅ】
【図２Ｆ】
【図２Ｇ】
【図２Ｈ】
【図２Ｉ】
【図２Ｊ】
【図２Ｋ】
【図２Ｌ】
【図２Ｍ】
【図２Ｎ】
【図２Ｐ】
【図２Ｒ】
【図２Ｔ】
【図２Ｕ】
【図２Ｖ】
【図２Ｗ】
【図２Ｘ】
【図３】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図４Ｃ】
【図４Ｄ】
【図５】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図７Ｃ】
【図７Ｄ】
【図７Ｅ】
【図７Ｆ】
【図７Ｇ】
【図７Ｈ】
【図７Ｉ】
【図８】
【図９Ａ】
【図９Ｂ】
【図９Ｃ】
【図９Ｄ】
【図９Ｅ】
【図９Ｆ】
【図９Ｇ】
【図９Ｈ】
【図９Ｉ】
【図９Ｊ】
【図９Ｋ】
【図９Ｌ】
【図９Ｍ】
【図９Ｎ】
【図９Ｏ】
【図９Ｐ】
【図９Ｑ】
【図９Ｒ】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２Ｏ】
【図２Ｑ】
【図２Ｓ】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図２Ｃ】
【図２Ｄ】
【図２Ｅ】
【図２Ｆ】
【図２Ｇ】
【図２Ｈ】
【図２Ｉ】
【図２Ｊ】
【図２Ｋ】
【図２Ｌ】
【図２Ｍ】
【図２Ｎ】
【図２Ｐ】
【図２Ｒ】
【図２Ｔ】
【図２Ｕ】
【図２Ｖ】
【図２Ｗ】
【図２Ｘ】
【図３】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図４Ｃ】
【図４Ｄ】
【図５】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図７Ａ】
【図７Ｂ】
【図７Ｃ】
【図７Ｄ】
【図７Ｅ】
【図７Ｆ】
【図７Ｇ】
【図７Ｈ】
【図７Ｉ】
【図８】
【図９Ａ】
【図９Ｂ】
【図９Ｃ】
【図９Ｄ】
【図９Ｅ】
【図９Ｆ】
【図９Ｇ】
【図９Ｈ】
【図９Ｉ】
【図９Ｊ】
【図９Ｋ】
【図９Ｌ】
【図９Ｍ】
【図９Ｎ】
【図９Ｏ】
【図９Ｐ】
【図９Ｑ】
【図９Ｒ】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２Ｏ】
【図２Ｑ】
【図２Ｓ】
【公開番号】特開２０１０−８７４９９（Ｐ２０１０−８７４９９Ａ）
【公開日】平成２２年４月１５日（２０１０．４．１５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−２０５３２４（Ｐ２００９−２０５３２４）
【出願日】平成２１年９月４日（２００９．９．４）
【出願人】（００００００１５８）イビデン株式会社 (856)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年４月１５日（２０１０．４．１５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年９月４日（２００９．９．４）
【出願人】（００００００１５８）イビデン株式会社 (856)
【Ｆターム（参考）】
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