【課題】省電力モードからの復旧を従来装置より迅速にするとともに、復帰後における良好な基板処理を実現する。
【解決手段】処理チャンバ１１と、処理チャンバ１１内に処理ガスを供給するガス供給装置２０と、処理チャンバ１１内に供給された処理ガスをプラズマ化するプラズマ生成部２５と、処理チャンバ１１を加熱するヒータ１４ａ，１４ｂと、制御装置４０とを備え、プラズマによって処理チャンバ１１内の基板を処理するプラズマ基板処理装置であって、制御装置４０は、ヒータ１４ａ，１４ｂへの電力供給を低減または停止させた状態にし、かつプラズマ生成部２５への電力供給を停止させた状態とする省電力モード実行部４７と、ヒータ１４ａ，１４ｂへの電力供給を復帰させるとともに、プラズマ生成部２５への電力供給をして、処理チャンバ１１の内部温度を基板処理に適した温度に上昇させる復帰モード実行部４８とを備える。 （もっと読む）

【課題】リング状シールド部材の構成部品と基板載置台との間の隙間の発生を防止するとともに、構成部品の破損を防止することができるリング状シールド部材を提供する。
【解決手段】シールドリング１５は４つのリング構成部品４１〜４４からなり、各リング構成部品４１〜４４の長手方向に関する固定端には全方位移動規制部４５が設けられ、一方向移動許容部４６が全方位移動規制部４５から離間して設けられ、例えば、一のリング構成部品４１の固定端４１ａの端面が、隣接する他のリング構成部品４３の自由端４３ｂの側面に当接し、一のリング構成部品４１の自由端４１ｂの側面が、隣接する別のリング構成部品４４の固定端４４ａの端面に当接するように、各リング構成部品４１〜４４が組み合わせられている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、小型化を図ることが可能になると共に、絶縁リングで囲まれた貫通電極を狭ピッチで配置することの可能な半導体装置及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】回路素子層５が形成される表面１ａ、及び裏面１ｂを有する半導体基板１と、半導体基板１を貫通し、かつ半導体基板１の表面１ａ側から半導体基板１の裏面１ｂ側に向かうにつれて幅が広くなる貫通電極７と、貫通電極７を囲むように半導体基板を貫通し、かつ半導体基板１の表面１ａ側から半導体基板１の裏面１ｂ側に向かうにつれて幅が狭くなる第１の絶縁リング３と、を有し、半導体基板１の厚さ方向Ａにおいて、第１の絶縁リング３の少なくとも一部と対向するように貫通電極７を配置する。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体処理装置或いはリアクタ同士の間での処理室内部或いはプラズマの状態の差を低減することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】リアクタ１０１内部の処理室１２０内の試料台１０８内に配置された電極に高周波電源１２５からの電力が整合器１２４を介して供給しつつ前記プラズマを用いてウエハ１０７が処理されるプラズマ処理装置であって、前記処理中に前記電界の電力を複数の値に変動させて検出された前記電力の値の変化に対する前記プラズマの発光の強度、前記プラズマの発光の強度の時間変動の大きさ、前記整合器の整合位置及び前記電極に供給される前記高周波電力の電圧の値の変化を含む特性データのうち少なくとも２つ種類のデータの値の遷移点の前記電力の特定の値が、別のリアクタにおいて前記ウエハと同じ種類のウエハの前記処理中に検出された前記特性データを用いて検出された前記特定の値に合わせる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板を改良された限界寸法均一性でエッチングする方法を提供する。
【解決手段】誘導結合プラズマエッチングチャンバ内の基板支持体上に半導体基板を支持することと、第１のエッチングガスをシャワーヘッドノズル２３により半導体基板の上の中央領域に供給することと、少なくとも１種類のシリコン含有ガスを含む第２のガスであって、第２のガス中のシリコン濃度が第１のエッチングガス中のシリコン濃度より高い第２のガスをプラズマチャンバの側壁を通して噴射器２０により半導体基板の上の中央領域を囲む周辺領域に供給することと、第１のエッチングガスおよび第２のガスからプラズマを発生させることと、半導体基板の露出面をプラズマエッチングすることとを含む。 （もっと読む）

【課題】ウエハ上のイオンエネルギーを所望の範囲の値に調節して、高精度な加工または長期間安定して処理を行うことのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器内に配置され内部でプラズマが形成される処理室と、この処理室内に配置されその上部の載置面に処理対象のウエハが載せられるステージと、このステージ内部に配置された電極にバイアス電位を形成するための高周波電力を供給する電源とを備え、前記電源から前記高周波電力を供給しつつ前記プラズマを用いて前記ウエハを処理するプラズマ処理装置であって、前記ステージの前記載置面の外周側に配置されその上方に形成される前記バイアスの電圧の値から最大値及び最小値との差の成分Ｖppと直流の成分Ｖdcとを検出する検出器と、この検出器からの出力に基づいて前記処理中Ｖpp／２＋｜Ｖdc｜の値を一定になるように高周波バイアス電力の出力を調節する制御器とを備えた。 （もっと読む）

【課題】フィーチャの微細化や基板サイズの大型化に対応し、プラズマの密度や基板面にわたる均一性のためのプラズマのパラメータの制御が可能となる装置を提供する。
【解決手段】プラズマチャンバは、大気負荷を中立化するように構成されたカンチレバー組立体を含む。前記チャンバは壁を含み、前記壁は、内部領域を囲み、かつ、該壁に形成された開口部を有する。前記カンチレバー組立体は、前記チャンバ内で基板を支持する基板体を含む。前記カンチレバー組立体は、一部分が前記チャンバの外に配置されるように開口部を通って伸びている。前記チャンバは、前記壁に対して相対的に前記カンチレバー組立体を動かすように動作する駆動機構を含む。 （もっと読む）

【課題】Ｍｏ層上に積層されたＡｌＮ層のエッチングにおいて、Ｍｏ層のエッチングを抑えることのできるプラズマエッチング装置、及び誘電体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング装置１０は、エッチング対象を収容する真空槽１１と、誘導アンテナ１９、アンテナ用高周波電源ＲＦ２、及びバイアス用高周波電源ＲＦ１から構成され、エッチング対象に引き込まれるプラズマを生成するプラズマ生成部とを備えている。エッチング対象は、下部Ｍｏ層上に積層されたＡｌＮ層であり、プラズマ生成部は、Ｎ_２ガスからプラズマを生成する。 （もっと読む）

【課題】標準的なＣＭＯＳプロセスに適合し、かつゲッタ材料又は反応性ガスに依存しないでキャビティをシールする方法を提供する。
【解決手段】キャビティ９１０は犠牲材料をエッチングにより除去することで形成され、キャビティのシールはキャビティより下側の材料がスパッタエッチングされ、キャビティに通じる通路の上及び中に再堆積されることでシールされる。キャビティに通じる通路の上に堆積された材料９０４も再びスパッタエッチングされ、キャビティに通じる通路内に再堆積される。スパッタエッチングを不活性雰囲気で行うことにより、スパッタエッチングの後にはキャビティ内は不活性ガスで充填される。 （もっと読む）

【課題】 被処理基体の中央部分の処理速度を低減し得るプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 一実施形態のプラズマ処理装置は、処理容器、ガス供給部、マイクロ波発生器、アンテナ、同軸導波管、保持部、誘電体窓、及び誘電体棒を備えている。ガス供給部は、処理容器内に処理ガスを供給する。マイクロ波発生器は、マイクロ波を発生する。アンテナは、プラズマ励起用のマイクロ波を処理容器内に導入する。同軸導波管は、マイクロ波発生器とアンテナとの間に設けられている。保持部は、被処理基体を保持するものであり、同軸導波管の中心軸線が延びる方向においてアンテナと対向配置されている。誘電体窓は、アンテナと保持部との間に設けられており、アンテナからのマイクロ波を処理容器内に透過する。誘電体棒は、保持部と誘電体窓との間の領域において同軸導波管の中心軸線に沿って設けられている。 （もっと読む）

【課題】誘導アンテナにより生成されるプラズマの状態が変わることを抑えつつ、誘電窓に付着したエッチング生成物の除去効率を高めることのできるプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング装置１０は、基板Ｓを収容するとともに、誘電窓１２で封止された真空槽Ｃと、誘電窓１２の上方に配置され、真空槽Ｃ内にプラズマを生成する誘導アンテナ２１と、誘導アンテナ２１に接続され、誘導アンテナ２１に流れる電流を抑制する電流抑制コイル２４を備えている。また、プラズマエッチング装置１０は、アンテナ用整合器２３を介して容量電極２６、誘導アンテナ２１、及び電流抑制コイル２４に高周波電力を供給するアンテナ用高周波電源２２を備えている。誘導アンテナ２１及び電流抑制コイル２４からなる直列回路と容量電極２６とからなる並列回路が、アンテナ用整合器２３に接続されている。 （もっと読む）

【課題】光干渉を利用して温度を適切に測定することができる温度計測システム、基板処理装置及び温度計測方法を提供する。
【解決手段】温度計測システム１は、光源１０、分光器１４、光伝達機構１１，１２、光路長算出部１６及び温度算出部２０を備える。光源１０は、測定光を発生させる。光伝達機構１１，１２は、測定対象物１３の表面１３ａ及び裏面１３ｂからの反射光を分光器１４へ出射する。分光器１４は、反射光の強度分布である干渉強度分布を測定する。光路長算出部１６は、フーリエ変換し光路長を算出する。温度算出部２０は、光路長と温度との関係に基づいて測定対象物１３の温度を算出する。光源１０は、分光器１４の波長スパンΔｗに基づいた条件を満たす半値半幅Δλの光源スペクトルを有する。分光器１４は、波長スパンΔｗと計測最大厚さｄとに基づいた条件を満たすサンプリング数Ｎ_ｃで強度分布を測定する。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチング室内において、基板の上に形成された二層レジストをエッチングするための方法を提供する。
【解決手段】二層レジストの第１の層の上にパターンを形成された基板をエッチング室に導入する工程から開始される。次いで、ＳｉＣｌ₄ガスがエッチング室に流し込まれる。次に、ＳｉＣｌ₄ガスを流し入れつつエッチング室内においてプラズマを発生させる。次いで、二層レジストがエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】
試料台保護部材の消耗を抑制することで試料台保護部材の寿命を延長し、装置稼働率の向上と試料台が露出することによる試料台の消耗を防ぐことができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】
円板状の試料台１１２と、試料台１１２の側面の消耗を低減するための試料台保護部材（２０６、２０３、２００）とを備えたプラズマ処理装置において、試料台保護部材（図面上では２０３）を冷却するための冷却用ガス流路２０５を有する。また、イオンを試料台保護部材２００へ引き込む導体リング２０１や、試料台保護部材２０３と試料１２８との距離を調整する機構（２０４、２５０〜２５２、２６０、１３２）を有する。 （もっと読む）

【課題】地球環境に対する影響が小さく、かつ必要とされる性能を有するドライエッチング剤を提供する。
【解決手段】（Ａ）式：Ｃ_ａＦ_ｂＨ_ｃ（式中、ａ、ｂ及びｃは、それぞれ正の整数を表し、２≦ａ≦５、ｃ＜ｂ≧１、２ａ＋２＞ｂ＋ｃ、ｂ≦ａ＋ｃの関係を満たす。但し、ａ＝３、ｂ＝４、ｃ＝２の場合を除く。）で表される含フッ素不飽和炭化水素と、（Ｂ）Ｏ_２、Ｏ_３、ＣＯ、ＣＯ_２、ＣＯＣｌ_２、ＣＯＦ_２、Ｆ_２、ＮＦ_３、Ｃｌ_２、Ｂｒ_２、Ｉ_２及びＹＦ_ｎ（但し、ＹはＣｌ、Ｂｒ又はＩを表す。ｎは１〜５整数を表す。）からなる群より選ばれる少なくとも１種のガスと、（Ｃ）Ｎ_２、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ、Ｘｅ及びＫｒからなる群より選ばれる少なくとも１種のガスとを、それぞれ特定の体積％で含む、ドライエッチング剤を提供する。 （もっと読む）

【課題】太陽光発電基板面のサブ波長反射防止微細構造のような反射防止微細凹凸構造の形成に好適な単粒子膜エッチングマスクを有する基板の製造方法を提供する。
【解決手段】易揮発性分散媒中の球形単粒子分散液を調製する工程、該単粒子分散液を、該単粒子及び該分散媒と非親和性の液体収容槽中の液体面に滴下して単粒子分散液膜を形成する工程、該単粒子分散液膜中の分散媒を揮発させて単粒子が２次元に最密充填配列している単粒子膜を形成する工程、単粒子膜を基板面に移し取る工程を有する。 （もっと読む）

【課題】貴金属元素を含むエッチング生成物が真空槽内に堆積することを抑えることのできるプラズマエッチング装置、及びプラズマクリーニング方法を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング装置１０は、基板Ｓが収容される真空槽Ｃと、真空槽Ｃにエッチングガスを供給するエッチングガス供給部１７ａと、真空槽Ｃにクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給部と、真空槽Ｃ内のガスで該真空槽Ｃ内にプラズマを生成するプラズマ生成部とを備え、エッチングガスのプラズマで基板Ｓをエッチングし、クリーニングガスのプラズマで真空槽Ｃ内のエッチング生成物をクリーニングする。エッチング対象物が、イリジウム及び白金の少なくとも１つを含み、クリーニングガスが、六フッ化硫黄ガスと酸素ガスとが混合されたガスである。 （もっと読む）

【課題】基板の各部により均一に処理ガスを供給することができ、均一な処理を行うことのできるプラズマ処理装置及びその処理ガス供給構造を提供する。
【解決手段】高周波アンテナに高周波電力を印加することにより処理室内に誘導プラズマを励起して、処理室内の載置台に載置された基板に対して所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、載置台と対向するように、処理室の天井部に配設された天板と、処理室内の載置台と天板との間の空間に、処理室の側壁側から処理室の中央側に突出するよう配設され、少なくとも天板に向けて処理ガスを噴出させる複数のガス噴出孔を有する複数のガスノズルと、を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストマスクに対する窒化ガリウム層の選択比を向上することができるドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】フォトレジストマスクが積層された窒化ガリウム層のドライエッチング方法であって、ヨウ化水素ガス及びＢＣｌ_３ガスを含むエッチングガスのプラズマを生成し、該プラズマによって前記窒化ガリウム層をエッチングするとともに、前記エッチングガスのうち前記ヨウ化水素ガスの体積比率は、６０％以上８０％以下である。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ処理の特性を多様に変化させることができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】
このプラズマ処理装置は、マイクロ波のエネルギーを、処理容器２の上部に配置された誘電体窓１６を介して処理容器２内に供給して、ガス供給源１００から処理容器２内に供給した処理ガスをプラズマ化して、処理容器２の下部に配置された基板Ｗをプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、ガス供給源１００から供給される処理ガスを、誘電体窓１６からの距離が異なる位置に導入する少なくとも第１及び第２のガス導入部を備えている。 （もっと読む）